JPS6020956Y2 - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
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- JPS6020956Y2 JPS6020956Y2 JP5732980U JP5732980U JPS6020956Y2 JP S6020956 Y2 JPS6020956 Y2 JP S6020956Y2 JP 5732980 U JP5732980 U JP 5732980U JP 5732980 U JP5732980 U JP 5732980U JP S6020956 Y2 JPS6020956 Y2 JP S6020956Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- insulating substrate
- resin
- silicone resin
- epoxy resin
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、リード端子を有する絶縁基板上に半導体チッ
プを載置し、樹脂を被覆して構成される半導体受光素子
に関する。
プを載置し、樹脂を被覆して構成される半導体受光素子
に関する。
従来、この種の半導体受光素子被覆用の樹脂として、エ
ポキシ樹脂、シリコン樹脂が知られている。
ポキシ樹脂、シリコン樹脂が知られている。
しかし、エポキシ樹脂は、接着力は強いが、精製したも
のであっても多くの不純物（Ｎａ、 ＣＩ等）を含むた
め、水分の含浸によってこれらが解離し、半導体等を劣
化させるという欠点がある。
のであっても多くの不純物（Ｎａ、 ＣＩ等）を含むた
め、水分の含浸によってこれらが解離し、半導体等を劣
化させるという欠点がある。
一方、シリコン樹脂は、不純物が少ない点で非常に優れ
ているが、セラミック、プリント基板等に対する接着力
が弱いため、剥れ易く、特に水分かが存在するとその傾
向が著しくなり、機械的強度、耐湿性に難点を有する。
ているが、セラミック、プリント基板等に対する接着力
が弱いため、剥れ易く、特に水分かが存在するとその傾
向が著しくなり、機械的強度、耐湿性に難点を有する。
両樹脂のこれからの欠点は、特に、−１ｖ〜−２Ｖの逆
バイアス電圧における逆方向電流を１Ｏ−１１Ａ以下に
維持する必要のある受光素子にあっては、致命的である
。
バイアス電圧における逆方向電流を１Ｏ−１１Ａ以下に
維持する必要のある受光素子にあっては、致命的である
。
本考案は、斯かる欠点を解決すべくなされたもので、エ
ポキシ樹脂とシリコン樹脂を併用することにより、両者
の欠点を相互に補なって、樹脂被覆の機械的強度及び耐
湿性を向上し、逆方向電流を微小な値に維持できる半導
体受光素子を提供することを目的とする。
ポキシ樹脂とシリコン樹脂を併用することにより、両者
の欠点を相互に補なって、樹脂被覆の機械的強度及び耐
湿性を向上し、逆方向電流を微小な値に維持できる半導
体受光素子を提供することを目的とする。
即ち、本考案は、絶縁基板上に半導体チップを載置固着
し、樹脂を被覆して構成される半導体受光素子において
、半導体チップ周囲の絶縁基板上にエポキシ樹脂を塗布
し、ついで、半導体チップを含む絶縁基板上面全体をシ
リコン樹脂にて被覆して威るものである。
し、樹脂を被覆して構成される半導体受光素子において
、半導体チップ周囲の絶縁基板上にエポキシ樹脂を塗布
し、ついで、半導体チップを含む絶縁基板上面全体をシ
リコン樹脂にて被覆して威るものである。
以下、本考案を図面に示す示施例に基づいて説明する。
第１図は本考案半導体受光素子の一実施例を示す断面図
、第２図は上記実施例におけるシリコン樹脂塗布前の状
態を示す上面図である。
、第２図は上記実施例におけるシリコン樹脂塗布前の状
態を示す上面図である。
これらの図において本考案半導体受光素子は、絶縁基板
１と、これに載置される半導体チップ４と、エポキシ樹
脂６と、シリコン樹脂７とから構成される。
１と、これに載置される半導体チップ４と、エポキシ樹
脂６と、シリコン樹脂７とから構成される。
上記絶縁基板１は、例えばアルミナ等のセラミックから
戊り、リード端子２を固着しである。
戊り、リード端子２を固着しである。
又、この絶縁基板１の上面には、半導体チップ４を載置
すべき部分からリード端子２の一方に渡って電極層３が
設けられている。
すべき部分からリード端子２の一方に渡って電極層３が
設けられている。
上記半導体チップ４は、シリコン、ガリウム砒素燐等か
ら威り、ホトダイオード、ＰＩＮホトダイオード、ホト
トランジスタ等を構成する。
ら威り、ホトダイオード、ＰＩＮホトダイオード、ホト
トランジスタ等を構成する。
この半導体チップ４は、上記電極層３上に導電接着剤等
を介して載置固着され、且つ、上面の電極（図示せず）
とリード端子２の他方とを、金、アルミニウム等の極細
金属線５によりワイヤボンディングしている。
を介して載置固着され、且つ、上面の電極（図示せず）
とリード端子２の他方とを、金、アルミニウム等の極細
金属線５によりワイヤボンディングしている。
なお、この半導体チップ４は、リード端子２への接続を
、電極層３を使用せず、第３図に示すようにワイヤボン
ディングのみとすることもできる。
、電極層３を使用せず、第３図に示すようにワイヤボン
ディングのみとすることもできる。
上記エポキシ樹脂６は、ジオル又はジフェニルオルとエ
ピクロルヒドリンの線状縮合により得られる熱硬化性樹
脂であって、上記半導体チン１４周囲の絶縁基板１上に
、筆塗り、滴下その他の手段により塗布される。
ピクロルヒドリンの線状縮合により得られる熱硬化性樹
脂であって、上記半導体チン１４周囲の絶縁基板１上に
、筆塗り、滴下その他の手段により塗布される。
第１図及び第２図に示す実施例では、半導体チン１４周
囲の絶縁基板１の全面に塗布しているが、必ずしも全面
に塗布する必要はなく、半導体チップ４を略囲むような
状態であれば、例えば第３及び第４図に示すように、絶
縁基板１の一部分に塗布してもよい。
囲の絶縁基板１の全面に塗布しているが、必ずしも全面
に塗布する必要はなく、半導体チップ４を略囲むような
状態であれば、例えば第３及び第４図に示すように、絶
縁基板１の一部分に塗布してもよい。
又、塗布厚さは、任意であるが、極く薄く塗布すれば足
りる。
りる。
上記シリコン樹脂７は、オルガツノ１０ゲンシラン等を
加水分解し、重合して得られる樹脂で、上記エポキシ樹
脂塗布後、半導体チップ４を含む絶縁基板１上面全体に
、筆塗り、滴下等の手段により塗布される。
加水分解し、重合して得られる樹脂で、上記エポキシ樹
脂塗布後、半導体チップ４を含む絶縁基板１上面全体に
、筆塗り、滴下等の手段により塗布される。
この際、エポキシ樹脂６にシリコン樹脂７を接触させる
ことが重要である。
ことが重要である。
塗布厚さは、任意であるが、半導体チップ４を保護する
ため、ある程度の厚さが必要である。
ため、ある程度の厚さが必要である。
このように、エポキシ樹脂６とシリコン樹脂７とを併用
するのは、シリコン樹脂がエポキシ樹脂に対しては強固
に接着するという性質を利用したもので、まず、セラミ
ック等の絶縁基板に対して接着力の強いエポキシ樹脂６
を絶縁基板１上に塗布し、ついで、この上にシリコン樹
脂７を塗布することにより、シリコン樹脂７をエポキシ
樹脂６を介して絶縁基板１に強固に付着させることがで
きる。
するのは、シリコン樹脂がエポキシ樹脂に対しては強固
に接着するという性質を利用したもので、まず、セラミ
ック等の絶縁基板に対して接着力の強いエポキシ樹脂６
を絶縁基板１上に塗布し、ついで、この上にシリコン樹
脂７を塗布することにより、シリコン樹脂７をエポキシ
樹脂６を介して絶縁基板１に強固に付着させることがで
きる。
したがって、半導体チップ４が特性の優れたシリコン樹
脂７で保護され、且つ、このシリコン樹脂７はプリント
基板１に強固に付着して容易に剥れないため、機械的強
度及び耐湿性の優れた半導体受光素子を構威し得る。
脂７で保護され、且つ、このシリコン樹脂７はプリント
基板１に強固に付着して容易に剥れないため、機械的強
度及び耐湿性の優れた半導体受光素子を構威し得る。
第５図に示すグラフは、従来のエポキシ樹脂のみを被覆
した受光素子（同図Ａ）と、同じくシリコン樹脂のみを
被覆した受光素子（同図Ｂ）と、本考案の受光素子（同
図Ｃ）とを、温度５０℃、湿度９５％の環境下において
耐湿試験を行なった結果を示す。
した受光素子（同図Ａ）と、同じくシリコン樹脂のみを
被覆した受光素子（同図Ｂ）と、本考案の受光素子（同
図Ｃ）とを、温度５０℃、湿度９５％の環境下において
耐湿試験を行なった結果を示す。
このグラフから明らかなように、本考案の半導体受光素
子Ｃは、その逆方向電流が５００時間経過後も初期値（
１０−１３Ａ）を保持しており、他の二者Ａ、 Ｂに比
較して優れた耐湿性を有する。
子Ｃは、その逆方向電流が５００時間経過後も初期値（
１０−１３Ａ）を保持しており、他の二者Ａ、 Ｂに比
較して優れた耐湿性を有する。
なお、上記実施例では、絶縁基板上に１個の半導体チッ
プを載置したものを示したが、本考案は、複数個の半導
体チップを載置した場合にも適用できることは勿論であ
る。
プを載置したものを示したが、本考案は、複数個の半導
体チップを載置した場合にも適用できることは勿論であ
る。
又、本考案は、その性質に反しない限り、受光素子以外
の半導体にも適用することができる。
の半導体にも適用することができる。
以上説明したように、本考案は、上記のように構成する
ことにより、樹脂被覆の機械的強度及び耐湿性を向上す
ることができ、更に、逆方向電流を１Ｏ−１１Ａ以下の
微小な値に維持し得る半導体受光素子を実現できる効果
がある。
ことにより、樹脂被覆の機械的強度及び耐湿性を向上す
ることができ、更に、逆方向電流を１Ｏ−１１Ａ以下の
微小な値に維持し得る半導体受光素子を実現できる効果
がある。
第１図は本考案半導体受光素子の一実施例を示す断面図
、第２図は上記実施例におけるシリコン樹脂塗布前の状
態を示す上面図、第３図及び第４図は各々エポキシ樹脂
の他の塗布状態を示す平面図、第５図は従来及び本考案
の受光素子の耐湿試験結果を示すグラフである。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・リード端子、
３・・・・・・電極層、４・・・・・・半導体チップ、
５・・・・・・極細金属線、６・・・・・・エポキシ樹
脂、７・・・・・・シリコン樹脂。
、第２図は上記実施例におけるシリコン樹脂塗布前の状
態を示す上面図、第３図及び第４図は各々エポキシ樹脂
の他の塗布状態を示す平面図、第５図は従来及び本考案
の受光素子の耐湿試験結果を示すグラフである。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・リード端子、
３・・・・・・電極層、４・・・・・・半導体チップ、
５・・・・・・極細金属線、６・・・・・・エポキシ樹
脂、７・・・・・・シリコン樹脂。
Claims (1)
- リード端子を有する絶縁基板上に半導体チップを載置固
着し、上面を樹脂被覆して構成される半導体受光素子に
おいて、上記半導体チップ周囲の絶縁基板上にエポキシ
樹脂を塗布し、ついで、半導体チップを含む絶縁基板上
面全体をシリコン樹脂にて被覆して成ることを特徴とす
る半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5732980U JPS6020956Y2 (ja) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5732980U JPS6020956Y2 (ja) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | 半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56161365U JPS56161365U (ja) | 1981-12-01 |
| JPS6020956Y2 true JPS6020956Y2 (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=29651829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5732980U Expired JPS6020956Y2 (ja) | 1980-04-28 | 1980-04-28 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020956Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2927814B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止ダイオード |
-
1980
- 1980-04-28 JP JP5732980U patent/JPS6020956Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56161365U (ja) | 1981-12-01 |
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