JPH0249460A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0249460A JPH0249460A JP20062088A JP20062088A JPH0249460A JP H0249460 A JPH0249460 A JP H0249460A JP 20062088 A JP20062088 A JP 20062088A JP 20062088 A JP20062088 A JP 20062088A JP H0249460 A JPH0249460 A JP H0249460A
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Landscapes
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に樹脂封止型半導体装置
に関する。
に関する。
この種の半導体装置で、特に小型化を図ったものとして
、たとえば、特開昭６２−１４７７３５号公報に記載さ
れたものが知られている。
、たとえば、特開昭６２−１４７７３５号公報に記載さ
れたものが知られている。
該公報記載のものは、半導体チップ上の電極部に相当す
る個所に半田バンプを形成し、この半田バンプのみを露
呈させ状態で、前記半導体チップ周辺を樹脂材で被覆す
るものである。
る個所に半田バンプを形成し、この半田バンプのみを露
呈させ状態で、前記半導体チップ周辺を樹脂材で被覆す
るものである。
なお、このようにして構成された半導体装置は、フェー
スダウンさせて、前記半導体バンプに対応して形成され
た配線基板上に、加熱を施こした搭載処理をして用いら
れる。
スダウンさせて、前記半導体バンプに対応して形成され
た配線基板上に、加熱を施こした搭載処理をして用いら
れる。
しかし、上述した半導体装置は、小型化および耐湿性の
面で優れたものとして知られていたが。
面で優れたものとして知られていたが。
半田バンプの個所から水分が浸入し、電気特性上好まし
くない現象が発見されることが指摘された。
くない現象が発見されることが指摘された。
この原因を追求したところ、半田と樹脂との間にいわゆ
る濡れ性が悪いということに帰着した。
る濡れ性が悪いということに帰着した。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、
水分の浸入を完全に抑制して高耐湿性の達成を図った半
導体装置を堤供することを目的としたものである。
水分の浸入を完全に抑制して高耐湿性の達成を図った半
導体装置を堤供することを目的としたものである。
このような課題を達成するために、本発明は、半導体チ
ップと、この半導体チップの電極パッド面に設けられた
導電材と、この導電材のみを露呈させて前記半導体チッ
プの周辺を被って形成された封止樹脂と、からなり、前
記導電材は前記封止樹脂と接着性のよい材料からなるも
のである。
ップと、この半導体チップの電極パッド面に設けられた
導電材と、この導電材のみを露呈させて前記半導体チッ
プの周辺を被って形成された封止樹脂と、からなり、前
記導電材は前記封止樹脂と接着性のよい材料からなるも
のである。
このような材料として、具体的には、いわゆる周知の厚
膜印刷法に用いられる導電材、あるいは銀ペースト等が
掲げられるものである。
膜印刷法に用いられる導電材、あるいは銀ペースト等が
掲げられるものである。
このように、封止樹脂から露呈され、半導体チップの電
極パッドに接続される導電材を前記封止樹脂と接着性の
良好な材料に選定することにより、水分浸入を完全に防
ぐことができ、耐湿性の向上を図ることができるように
なる。
極パッドに接続される導電材を前記封止樹脂と接着性の
良好な材料に選定することにより、水分浸入を完全に防
ぐことができ、耐湿性の向上を図ることができるように
なる。
本発明による半導体装置の一実施例を第１図および第２
図を用いて説明する。第１図は断面図、第２図は斜視図
である。同図において半導体チップ２があり、この半導
体チップ２の素子が組込まれた主表面にはパッシベーシ
ョン膜３が形成されている。このパッシベーション膜３
には前記素子と電気的に接続されているパッド５が形成
され、さらにこのパッド５面には導電性膜４が形成され
ている。
図を用いて説明する。第１図は断面図、第２図は斜視図
である。同図において半導体チップ２があり、この半導
体チップ２の素子が組込まれた主表面にはパッシベーシ
ョン膜３が形成されている。このパッシベーション膜３
には前記素子と電気的に接続されているパッド５が形成
され、さらにこのパッド５面には導電性膜４が形成され
ている。
この導電性膜４は、たとえば周知の厚膜印刷法により形
成される導電性膜と同様の材料で形成されるものである
。
成される導電性膜と同様の材料で形成されるものである
。
さらに、前記導電性膜４のみを露呈させた状態で、前記
半導体チップ２の周辺は封止樹脂１が被覆されている。
半導体チップ２の周辺は封止樹脂１が被覆されている。
ここで、前記導電性膜４の形成方法としては、たとえば
周知の厚膜印刷法によって、前記封止樹脂１の形成前後
を問わず、形成する。また前記封圧樹脂１はたとえばポ
ツテング法あるいはトランスモールド法等によって形成
する。
周知の厚膜印刷法によって、前記封止樹脂１の形成前後
を問わず、形成する。また前記封圧樹脂１はたとえばポ
ツテング法あるいはトランスモールド法等によって形成
する。
このように形成した半導体装置は、その電極部にて、導
電性膜４が封止樹脂１から露呈した構成となっている。
電性膜４が封止樹脂１から露呈した構成となっている。
そし、て、前記導電性膜４は、上述のように周知の厚膜
印刷法により形成される導電性膜と同様の材料からなり
、この材料は前記封止樹脂１と強固な接着が図れるもの
として確認されている。このため、従来見られたような
電極部における水分浸入は、上述した構成により解消で
き、高湿温性の半導体装置を得ることができる。
印刷法により形成される導電性膜と同様の材料からなり
、この材料は前記封止樹脂１と強固な接着が図れるもの
として確認されている。このため、従来見られたような
電極部における水分浸入は、上述した構成により解消で
き、高湿温性の半導体装置を得ることができる。
なお、上述した実施例では１周知の厚膜印刷法により形
成される導電性膜と同様の材料を用いたものであるが、
これに前記封止樹脂１と同様の樹脂を若干混合させたも
のを使用することによって、封止樹脂１とのより強固な
接着が図れる。
成される導電性膜と同様の材料を用いたものであるが、
これに前記封止樹脂１と同様の樹脂を若干混合させたも
のを使用することによって、封止樹脂１とのより強固な
接着が図れる。
第３図は、本発明による半導体装置の他の実施例を示す
断面図である。第１図と同符号のものは同材料を示して
いる。第１＠と異なる構成は、前記導電性膜４とパッド
５との間に半田バンプ６を介在させていることにある。
断面図である。第１図と同符号のものは同材料を示して
いる。第１＠と異なる構成は、前記導電性膜４とパッド
５との間に半田バンプ６を介在させていることにある。
この半田バンプ６はパッド５と導電性膜４との電気的接
続を良好に保つために介在させたものである。この場合
においても、前記導電性膜４は封止樹脂１面にて強固な
接着がなされているため、水分の浸入を阻止する構成と
なっている。
続を良好に保つために介在させたものである。この場合
においても、前記導電性膜４は封止樹脂１面にて強固な
接着がなされているため、水分の浸入を阻止する構成と
なっている。
なお、半田バンプ６の替りに、金等の貴金属性バンプ、
他の材料であってもよいことはいうまでもない。
他の材料であってもよいことはいうまでもない。
第４図は、さらに本発明による半導体装置の他の実施例
を示す断面図である。第１図に示した構成ζ基本的には
異ならないが、封止樹脂１がら露呈している導電性膜４
の表面に金属被膜７を形成している点が異なる。
を示す断面図である。第１図に示した構成ζ基本的には
異ならないが、封止樹脂１がら露呈している導電性膜４
の表面に金属被膜７を形成している点が異なる。
この金属被膜７は、導電性膜４を完全に被って被着され
たものであり、その材料は、前記半導体装置を他の配線
基板にフェースダウンして固着させる場合の該配線との
固着強度を向上させる場合において適当なものが選定さ
れる。
たものであり、その材料は、前記半導体装置を他の配線
基板にフェースダウンして固着させる場合の該配線との
固着強度を向上させる場合において適当なものが選定さ
れる。
上述した各実施例では、いずれも封止樹脂ｌとの接着性
の良好な導電材として、周知の厚膜印刷法による導電材
を用いて説明したものであるが。
の良好な導電材として、周知の厚膜印刷法による導電材
を用いて説明したものであるが。
必ずしも、この材料に限られないことはいうまでもない
。
。
第５図は、さらに本発明による半導体装置の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
同図はノ（ンプとしてエポキシ系あるいはポリイミド系
の導電性銀ペースト８を用いたものである。
の導電性銀ペースト８を用いたものである。
この銀ペースト８は封止樹脂１の形成前後を問わず形成
できるものである。封止樹脂１の形成後に形成する場合
としては、パッド５が覆われないように封止樹脂１を形
成した後に銀ペーストを圧入する方法が掲げられる。
できるものである。封止樹脂１の形成後に形成する場合
としては、パッド５が覆われないように封止樹脂１を形
成した後に銀ペーストを圧入する方法が掲げられる。
銀ペースト８は封止樹脂１の材料、すなわちエポキシ系
樹脂あるいはポリイミド系樹脂と混合させることができ
、このようにした場合、封止樹脂１との接着性を向上さ
せることができる。
樹脂あるいはポリイミド系樹脂と混合させることができ
、このようにした場合、封止樹脂１との接着性を向上さ
せることができる。
また、上記以外の材料としては、導電性を有するポリイ
ミド膜等の高分子膜等のものであっても適用できる。
ミド膜等の高分子膜等のものであっても適用できる。
以上説明したことから明らかなように、本発明による半
導体装置によれば、封止樹脂がら露呈され、半導体チッ
プの電極パッドに接続される導電材を前記封止樹脂と接
着性の良好な材料にしているため、水分浸入を防ぐこと
ができ、耐湿性の向上を図ることができる。
導体装置によれば、封止樹脂がら露呈され、半導体チッ
プの電極パッドに接続される導電材を前記封止樹脂と接
着性の良好な材料にしているため、水分浸入を防ぐこと
ができ、耐湿性の向上を図ることができる。
第１図および第２図は本発明による半導体装置の一実施
例を示す構成図で、第１図は断面図、第２図は斜視図、
第３図ないし第５図はそれぞれ本発明による半導体装置
の他の実施例を示す構成図である。 １・・・封止樹脂、 ２・・・半導体チップ
、３・・・パッシベーション膜、 ４・・・導電性膜、
５・・・パッド。
例を示す構成図で、第１図は断面図、第２図は斜視図、
第３図ないし第５図はそれぞれ本発明による半導体装置
の他の実施例を示す構成図である。 １・・・封止樹脂、 ２・・・半導体チップ
、３・・・パッシベーション膜、 ４・・・導電性膜、
５・・・パッド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップと、この半導体チップの電極パッド面
に設けられた導電材と、この導電材のみを露呈させて前
記半導体チップの周辺を被って形成された封止樹脂と、
からなり、前記導電材は前記封止樹脂と接着性のよい材
料からなっていることを特徴とする半導体装置。 ２、前記導電材は、厚膜印刷法で用いられる導電材から
なる請求項第１記載の半導体装置。 ３、前記導電材は、前記封止樹脂と同材料が混合されて
いる請求項第１および第２記載の半導体装置。 ４、前記導電材は銀ペーストからなる請求項第１記載の
半導体装置。 ５、電極パッドと導電材との間に半田が介在されている
請求項第１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200620A JP2756791B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200620A JP2756791B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7203169A Division JP2743156B2 (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP7203170A Division JP2743157B2 (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249460A true JPH0249460A (ja) | 1990-02-19 |
| JP2756791B2 JP2756791B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=16427405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200620A Expired - Fee Related JP2756791B2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756791B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139969A (en) * | 1990-05-30 | 1992-08-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making resin molded semiconductor device |
| US5373190A (en) * | 1991-08-12 | 1994-12-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
| US5512781A (en) * | 1992-12-01 | 1996-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package device for super high-frequency band |
| US5554887A (en) * | 1993-06-01 | 1996-09-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS631341U (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | ||
| JPS6354751A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Nec Corp | Ｄｈｄ型半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200620A patent/JP2756791B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS631341U (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-07 | ||
| JPS6354751A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Nec Corp | Ｄｈｄ型半導体装置の製造方法 |
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| US5554887A (en) * | 1993-06-01 | 1996-09-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package |
| US5710062A (en) * | 1993-06-01 | 1998-01-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package and method of manufacturing the same |
| US5834340A (en) * | 1993-06-01 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package and method of manufacturing the same |
| US6046071A (en) * | 1993-06-01 | 2000-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2756791B2 (ja) | 1998-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |