JP2927814B2 - 樹脂封止ダイオード - Google Patents
樹脂封止ダイオードInfo
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- JP2927814B2 JP2927814B2 JP1047180A JP4718089A JP2927814B2 JP 2927814 B2 JP2927814 B2 JP 2927814B2 JP 1047180 A JP1047180 A JP 1047180A JP 4718089 A JP4718089 A JP 4718089A JP 2927814 B2 JP2927814 B2 JP 2927814B2
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止ダイオードに関し、特に熱処理工程
に弱い樹脂ポッティング方式で封止されたパッケージ構
造のセラミック基板と樹脂との強度を保つための改良に
関するものである。
に弱い樹脂ポッティング方式で封止されたパッケージ構
造のセラミック基板と樹脂との強度を保つための改良に
関するものである。
従来、この種の封止方法は、セラミック基板上に樹脂
をポッティングするための封止方法であり、マウントメ
タライズ部分がセラミック基板上部から側面をつたわり
リードフレームまでメタライズされている構造となって
いた。
をポッティングするための封止方法であり、マウントメ
タライズ部分がセラミック基板上部から側面をつたわり
リードフレームまでメタライズされている構造となって
いた。
上述した従来の樹脂ポッティングの封止方法は、第3
図および第4図に示すようにセラミック基板12と樹脂14
と周囲部がダイオードペレット15を載置したマウントメ
タライズ部分11と直接接触していた為、熱がリードフレ
ーム13より樹脂14につたわり、マウントメタライズ部分
11と樹脂14との界面よりハガレが発生するという欠点が
ある。尚、16はダイオードペレットとメタライズ部分と
をつなぐ金属のボンディングワイヤである。
図および第4図に示すようにセラミック基板12と樹脂14
と周囲部がダイオードペレット15を載置したマウントメ
タライズ部分11と直接接触していた為、熱がリードフレ
ーム13より樹脂14につたわり、マウントメタライズ部分
11と樹脂14との界面よりハガレが発生するという欠点が
ある。尚、16はダイオードペレットとメタライズ部分と
をつなぐ金属のボンディングワイヤである。
本発明の樹脂封止ダイオードはセラミック基板と樹脂
との界面の周囲部が半導体素子を載置するマウントメタ
ライズ部分と接触しないように樹脂をポッティング封止
しているので、セラミック基板と樹脂との接触面積が広
く、熱的環境に於ける強度を強くした構造を有してい
る。
との界面の周囲部が半導体素子を載置するマウントメタ
ライズ部分と接触しないように樹脂をポッティング封止
しているので、セラミック基板と樹脂との接触面積が広
く、熱的環境に於ける強度を強くした構造を有してい
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図および第2図は本発明の一実施例の平面図と断
面図である。マウントメタライズ1は、セラミック基板
2の中心部よりリードフレーム3にメタライズされてお
り、セラミック基板上には樹脂4がポッティングされて
いる。ダイオードペレット5はこのマウントメタライズ
1にロー付けされており、金属のボンディングワイヤ6
で配線がなされている。又セラミック基板2の側面には
樹脂4との接触面積を多くする為に凹になっている。
面図である。マウントメタライズ1は、セラミック基板
2の中心部よりリードフレーム3にメタライズされてお
り、セラミック基板上には樹脂4がポッティングされて
いる。ダイオードペレット5はこのマウントメタライズ
1にロー付けされており、金属のボンディングワイヤ6
で配線がなされている。又セラミック基板2の側面には
樹脂4との接触面積を多くする為に凹になっている。
この構造により、リードフレーム3に加えられた熱
は、セラミック基板2と樹脂4との界面の周囲に直接熱
がつたわりにくい。又セラミック基板2にはその側面に
凹部を設けることで樹脂4との接触面積を多くしている
為、セラミック基板2と樹脂4との界面からハガレにく
くなっている。
は、セラミック基板2と樹脂4との界面の周囲に直接熱
がつたわりにくい。又セラミック基板2にはその側面に
凹部を設けることで樹脂4との接触面積を多くしている
為、セラミック基板2と樹脂4との界面からハガレにく
くなっている。
以上説明したように、本発明は、セラミック基板中心
部よりマウントメタライズされており、なおかつセラミ
ック基板と樹脂との接触面積を多くすることにより、熱
的環境性に強い樹脂ポッティング方式のダイオードパッ
ケージが得られる。
部よりマウントメタライズされており、なおかつセラミ
ック基板と樹脂との接触面積を多くすることにより、熱
的環境性に強い樹脂ポッティング方式のダイオードパッ
ケージが得られる。
第1図および第2図は本発明の一実施例による樹脂封止
ダイオードの平面図および断面図である。又第3図およ
び第4図は従来の樹脂封止ダイオードの平面図および断
面図である。 1,11……メタライズ、2,12……セラミック基板、3,13…
…リードフレーム、4,14……樹脂、5,15……ダイオード
ペレット、6,16……ボンディングワイヤ。
ダイオードの平面図および断面図である。又第3図およ
び第4図は従来の樹脂封止ダイオードの平面図および断
面図である。 1,11……メタライズ、2,12……セラミック基板、3,13…
…リードフレーム、4,14……樹脂、5,15……ダイオード
ペレット、6,16……ボンディングワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−146453(JP,A) 特開 昭59−43554(JP,A) 特開 昭62−135395(JP,A) 実開 平1−176942(JP,U) 実開 昭56−161365(JP,U) 実開 昭59−9564(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/28,21/56
Claims (1)
- 【請求項1】セラミック基板上に設置したダイオード素
子に樹脂をポッティングして封止してなるダイオードに
おいて、 セラミック基板の中心部より基板内部をメタライズされ
て外部と電気的に接続されるダイオード素子と、 前記セラミック基板の側面に設けた凹部と、 前記凹部を含むセラミック基板上にポッティングしてダ
イオード素子を封止する樹脂と、 前記セラミック基板と前記樹脂との界面の周囲部が前記
セラミック基板上に設けられた前記ダイオード素子を取
り付けるためのマウントメタライズ部分と接触していな
いことを特徴とする樹脂封止ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1047180A JP2927814B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 樹脂封止ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1047180A JP2927814B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 樹脂封止ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02224359A JPH02224359A (ja) | 1990-09-06 |
JP2927814B2 true JP2927814B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=12767884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1047180A Expired - Fee Related JP2927814B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 樹脂封止ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2927814B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
US5444726A (en) * | 1990-11-07 | 1995-08-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6020956Y2 (ja) * | 1980-04-28 | 1985-06-22 | 株式会社 モリリカ | 半導体受光素子 |
JPS599564U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-21 | 清水 亮太郎 | リ−ドレス発光ダイオ−ド |
JPS62135395A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | 松下電器産業株式会社 | Icカ−ド用icモジユ−ル |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1047180A patent/JP2927814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02224359A (ja) | 1990-09-06 |
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