JPS62149148A - 半導体装置の評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は集積回路などの半導体装置の評価方法に関し
、詳しくは半導体基板と半導体基板上に形成されたたと
えば金属膜などの膜体との密着強度を評価する方法に関
するものである。

（ロ）従来の技術 半導体基板とその半導体基板上に形成された膜体たとえ
ばＮ極となる金属膜の密着強度を評価する方法としては
、第６図に示すように、半導体基板（ω上に形成された
金属膜＋ｂ＞上に粘着テープ＋Ｃ＞を張り、その粘着テ
ープ（Ｃ）を引き剥がす際、金属膜中）の剥離の発生の
有無と粘着テープ（Ｃ）の粘着力から金属ｌｌｌ　（ｂ
）の密着強度を評価する方法、第７図に示すように、一
端に小寸法の板体（ｄ）が一体に形成された棒体（ｅ）
を、金属Ｐａ（ｂ）上に接着剤（ｆ＋により板体＜ｒｈ
部分で固定し、棒体（ｅ）を金属１１　＜ｂｓと垂直方
向（図中矢印Ｘで示す）に引張り上げ、金属膜中）が半
導体基板（ωより剥離したときの引張り強度で゛評価す
る方法、あるいは第８図に示すように、金属膜＋ｔｏを
荷重をかけた針（９）で図中矢印Ｙの方向にひつかき、
膜剥離の発生の有無で評価する方法などが知られている
。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記した第６図や第７図の方法では、粘
着テープ（Ｃ１を用いることによって、あるいは接着剤
＜ｆ＋によって棒体（ｅ）を金属１ｐＪ　＋ｂ＋に固定
することによりそれぞれ金属膜＋ｂ＋を剥離させるため
、金属Ｉ１％ｌ　＋ｂ＋表面の汚れなどによる接着力の
変化で測定値がばらつき、また接着剤（ｔ）の接着力よ
り半導体基板（ａｌと金属膜中）との密着力の方が大き
い場合は、金属膜（ｂ）が剥離する前に接着剤り「）の
部分で剥れてしまい密着強度の評価かできないことがあ
った。

また第８図の方法では、膜剥離の発生の有無は判断でき
るものの密着強度の足指化が困難であり実用的ではなか
った。

この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、接着剤
などを介在させることなく膜体を剥離させることができ
密着強度の定量評価が可能である半導体装置の評価方法
を提供としようとするものである。

〈二）問題点を解決するための手段および方法この発明
の構成は、半導体基板と半導体基板の一方の面に形成さ
れた膜体との密着強度を評価する方法において、半導体
基板の他方の面側より膜体を連続状態に維持して半導体
基板を２体に分割し、２体に分割された一方の半導体基
板を他方の半導体基板に対し垂直に位置させ、垂直に位
置させた一方の半導体基板を他方の半導体基板を固定し
たのち垂直方向に引張り、半導体基板と膜体との密着強
度を測定、評価することを特徴とする半導体装置の評価
方法である。

半導体基板を２体に分割するには、半導体基板の他方の
面にダイシングやエツチングなどにより溝を形成してお
こなうのが好適である。

（ホ）実施例 以下この発明の実施例を図面にて詳述するが、この発明
が以下の実施例に限定されるものではない。

第１図に示すものは、たとえばトランジスタや集積回路
などの半導体装置（Ａ）の一部分を示すもので、（１）
は半導体基板で、その一方の面には膜体（２）が蒸着な
どによって形成されている。膜体（２はたとえば電極と
なる金属膜である。

この半導体装置（Ａ）における半導体基板（１）と膜体
（２）との密着強度を測定するにあたり、半導体基板（
１）の膜体（２）が形成されていない他方の面（裏面）
側から、膜体（２）を切断することなく連続状態を維持
して２体に分割する。半導体基板（１）の分割が終了し
たのち、一方の半導体基板（１ａ）を、第２図に示すよ
うに、垂直に折り曲げる。他方の半導体基板（１ｂ）は
水平方向に固定しておく。そして垂直に位置する一方の
半導体基板（１ａ）を、第３図に示すように、引張強度
試験器などで垂直方向く図中矢印αにて示す）に引張り
、膜体（２）が他方の半導体基板（１ｂ）から剥離する
時の引張強度を測定することによって密着強度を評価す
る。

半導体基板（１）を分割する方法としては、第４図に示
すように、膜体（２下の半導体基板（１）の裏面から、
ダイシングやエツチングなどで溝（３）を形成し、この
溝（３）部分で折り曲げれば直線的に垂直に折り曲げる
ことが可能である。

また膜体（２）の厚みが薄い場合などは、半導体基板（
１）を折り曲げる前あるいは折り曲げた後に、接着剤な
どの物質を、第５図に示すように、膜体（２）上に塗布
して膜体（２）の補強用の膜（４）を形成した後、引張
強度測定をおこなえばよい。補強用の膜（４）を形成す
る物質としては、たとえば酢酸系やエポキシ系の接着剤
などが好適である。

なお、膜体としては、上記実施例に示した金属膜にかぎ
らず、フォトレジストあるいはポリイミド系樹脂などで
形成される高抵抗被膜などと半導体基板とのＷ！密着強
度評価にも適用することができる。

（へ）発明の効果 この発明によれば、接着剤などを用いて間接的に膜体を
引張るのではなく、直接膜体を引張って密着強度を測定
することができるため、接着剤などの影響を受けずに定
量的な評価が可能である半導体装置の評価方法が１９ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に用いられる半導体装置の要
部縦断面図、第２図および第３図はそれぞれ半導体基板
が折り曲げられた状態および折り曲げられた半導体基板
を引張った状態を示す実施例説明図、第４図は半導体基
板分割のための溝を示す半導体装置の要部縦断面図、第
５図は膜体に形成された補強用の膜を示す半導体装置の
要部縦断面図、第６〜８図はそれぞれ従来例を示す要部
縦断面図である。 （１）・・・・・・半導体基板、（２）・・・・・・膜
体、（３）・・・・・・溝。 第１　図 第２図 第３図 ■ イ）　弓１す方向 第５図 第６図 介

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板と半導体基板の一方の面に形成された膜
   体との密着強度を評価する方法において、半導体基板の
   他方の面側より膜体を連続状態に維持して半導体基板を
   ２体に分割し、２体に分割された一方の半導体基板を他
   方の半導体基板に対し垂直に位置させ、垂直に位置させ
   た一方の半導体基板を他方の半導体基板を固定したのち
   垂直方向に引張り、半導体基板と膜体との密着強度を測
   定、評価することを特徴とする半導体装置の評価方法。 ２、分割が半導体基板の他方の面に形成された溝によつ
   てなされる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の評
   価方法。