JPS6152141B2 - - Google Patents
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- JPS6152141B2 JPS6152141B2 JP4432983A JP4432983A JPS6152141B2 JP S6152141 B2 JPS6152141 B2 JP S6152141B2 JP 4432983 A JP4432983 A JP 4432983A JP 4432983 A JP4432983 A JP 4432983A JP S6152141 B2 JPS6152141 B2 JP S6152141B2
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Landscapes
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Description
本発明は電気光学的表示材料として有用な３−
フルオロ−４−シアノフエノール誘導体の新規ネ
マチツク液晶化合物に関す。本発明によつて提供
される新規ネマチツク液晶化合物は 一般式 〔式中、Ｒは炭素原子数１〜９の直鎖状アルキル
基を表わしシクロヘキサン環はトランス（エカト
リアル−エカトリアル）配置である。〕 で表わされる化合物である。 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
（Ｍ・Schadt）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 18 127〜128（1971）〕によつて提
案された電界効果型セル（フイールド・エフエク
ト・モード・セル）又はジー・エイチ・ハイルマ
イヤー（Ｇ・Ｈ Heilmeier）等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E56 1162〜1171
（1968）〕によつて提案された動的光散型セル（ダ
イナミツク・スキヤツタリング・モード・セル）
又はジー・エイチ・ハイルマイヤー（Ｇ・Ｈ
Heilmeier）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 13、91（1968）〕あるいはデイー・
エル・ホワイト（DL White）等〔JOURNAL
OF APPLIED PHYSICS45、4718（1974）〕によ
つて提案されたゲスト・ホスト型セルなどがあ
る。 電界効果型セル特にTN型セルに用いられる液
晶材料には種々の特性が要求されるが、動作電圧
が低いということは重要な特性の一つである。一
般に液晶表示セルの動作電圧を下げることは液晶
のしきい値電圧Vthを下げることに対応する。液
晶のしきい値電圧Vthは誘電率の異方性Δεと弾
性定数Ｋとの間に次の関係がある。 しきい値電圧Vthを下げる液晶材料にはΔεの
大きい
フルオロ−４−シアノフエノール誘導体の新規ネ
マチツク液晶化合物に関す。本発明によつて提供
される新規ネマチツク液晶化合物は 一般式 〔式中、Ｒは炭素原子数１〜９の直鎖状アルキル
基を表わしシクロヘキサン環はトランス（エカト
リアル−エカトリアル）配置である。〕 で表わされる化合物である。 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
（Ｍ・Schadt）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 18 127〜128（1971）〕によつて提
案された電界効果型セル（フイールド・エフエク
ト・モード・セル）又はジー・エイチ・ハイルマ
イヤー（Ｇ・Ｈ Heilmeier）等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E56 1162〜1171
（1968）〕によつて提案された動的光散型セル（ダ
イナミツク・スキヤツタリング・モード・セル）
又はジー・エイチ・ハイルマイヤー（Ｇ・Ｈ
Heilmeier）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS 13、91（1968）〕あるいはデイー・
エル・ホワイト（DL White）等〔JOURNAL
OF APPLIED PHYSICS45、4718（1974）〕によ
つて提案されたゲスト・ホスト型セルなどがあ
る。 電界効果型セル特にTN型セルに用いられる液
晶材料には種々の特性が要求されるが、動作電圧
が低いということは重要な特性の一つである。一
般に液晶表示セルの動作電圧を下げることは液晶
のしきい値電圧Vthを下げることに対応する。液
晶のしきい値電圧Vthは誘電率の異方性Δεと弾
性定数Ｋとの間に次の関係がある。 しきい値電圧Vthを下げる液晶材料にはΔεの
大きい
【式】などが
あるがこのような化合物Ｎ−転移温度が低く、
液晶の動作温度範囲を狭くしてしまう欠点をもつ
ている。またＮ−転移温度が高く、Δεも比較
的大きい例えば
液晶の動作温度範囲を狭くしてしまう欠点をもつ
ている。またＮ−転移温度が高く、Δεも比較
的大きい例えば
【式】のような
化合物は弾性定数Ｋも極めて大きくなつてしま
い、この化合物をTN型液晶組成物に混合した際
Vthは上昇してしまう。 本発明に係る式（）の化合物は、このような
性質が改良された新規な化合物である。即ち、式
（）の化合物は他の１種又は２種以上のネマチ
ツク液晶化合物と混合することによつてそのしき
い値電圧Vthを下げつつＮ−転移温度を上昇さ
せることができる。よつて式（）の化合物を用
いることによつて、ネマチツク温度範囲の上限が
高くしかもしきい値電圧Vthの低いTN型液晶組
成物の作成が可能となる。 本発明の式（）の化合物は、反応式 で示すように、２段階の反応によつて製造するこ
とができる。 第１段階では、式（）の化合物（式中、Ｒは
前記意味をもつ。以下同様。）にハロゲン化剤を
反応させて式（′）の化合物（式中、Ｘはハロ
ゲン原子である。）を製造する。式（′）の化合
物において好ましいＸは塩素原子であり、ハロゲ
ン化剤としては塩化チオニルを用いればよい。反
応は常圧反及び応混合物の還流温度で行う。反応
によつて生成した混合物から式（′）の化合物
を単離する必要はなく、過剰のハロゲン化剤を除
去するだけでよい。 第２段階では、第１段階で製造された粗製の式
（′）の化合物と式（）の化合物を不活性有機
溶媒中で反応させる。不活性有機溶媒としては、
例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジメチルホルムアミド、ベンゼン等を用いればよ
い。反応中に遊離したハロゲン化水素を反応系外
に除くために、上記不活性有機溶媒中にピリジ
ン、第３級アミン等のような塩基性物質を含ませ
ることが望ましい。反応は常圧及び室温乃至反応
混合物の還流温度範囲の温度で行なう。反応生成
物に対して溶剤抽出、水洗、乾燥、再結晶等の一
連の精製処理を施すことによつて、目的とする式
（）の化合物を単離することができる。 斯くして製造される式（）の代表的な化合物
の転移温度は、第１表に示す通りである。第１表
においてＣは結晶相、Ｎはネマチツク相、Ｉは等
方性液体相を夫々表わす。
い、この化合物をTN型液晶組成物に混合した際
Vthは上昇してしまう。 本発明に係る式（）の化合物は、このような
性質が改良された新規な化合物である。即ち、式
（）の化合物は他の１種又は２種以上のネマチ
ツク液晶化合物と混合することによつてそのしき
い値電圧Vthを下げつつＮ−転移温度を上昇さ
せることができる。よつて式（）の化合物を用
いることによつて、ネマチツク温度範囲の上限が
高くしかもしきい値電圧Vthの低いTN型液晶組
成物の作成が可能となる。 本発明の式（）の化合物は、反応式 で示すように、２段階の反応によつて製造するこ
とができる。 第１段階では、式（）の化合物（式中、Ｒは
前記意味をもつ。以下同様。）にハロゲン化剤を
反応させて式（′）の化合物（式中、Ｘはハロ
ゲン原子である。）を製造する。式（′）の化合
物において好ましいＸは塩素原子であり、ハロゲ
ン化剤としては塩化チオニルを用いればよい。反
応は常圧反及び応混合物の還流温度で行う。反応
によつて生成した混合物から式（′）の化合物
を単離する必要はなく、過剰のハロゲン化剤を除
去するだけでよい。 第２段階では、第１段階で製造された粗製の式
（′）の化合物と式（）の化合物を不活性有機
溶媒中で反応させる。不活性有機溶媒としては、
例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
ジメチルホルムアミド、ベンゼン等を用いればよ
い。反応中に遊離したハロゲン化水素を反応系外
に除くために、上記不活性有機溶媒中にピリジ
ン、第３級アミン等のような塩基性物質を含ませ
ることが望ましい。反応は常圧及び室温乃至反応
混合物の還流温度範囲の温度で行なう。反応生成
物に対して溶剤抽出、水洗、乾燥、再結晶等の一
連の精製処理を施すことによつて、目的とする式
（）の化合物を単離することができる。 斯くして製造される式（）の代表的な化合物
の転移温度は、第１表に示す通りである。第１表
においてＣは結晶相、Ｎはネマチツク相、Ｉは等
方性液体相を夫々表わす。
【表】
本発明に係る式（）の化合物は強い正の誘電
率異方性を有するネマチツク液晶化合物であり、
従つて例えば、負又は弱い正の誘電率異方性を有
する他のネマチツク液晶化合物あるいは強い正の
誘電率異方性を有する他のネマチツク液晶化合物
との混合物の状態で電界効果型表示セルの材料と
して使用することができる。 このように、式（）の化合物と混合して使用
することのできる好ましい代表例としては、例え
ば４・4′−置換安息香酸フエニルエステル、４・
4′−置換シクロヘキサンカルボン酸フエニルエス
テル、４・4′−置換シクロヘキサンカルボン酸ビ
フエニルエステル、４（４−置換シクロヘキサン
カルボニルオキシ）安息香酸4′−置換フエニルエ
ステル４（４−置換シクロヘキシル）安息香酸
4′−置換フエニルエステル、４（４−置換シクロ
ヘキシル）安息香酸4′−置換シクロヘキシルエス
テル、４・4′−ビフエニル、４・4′−フエニルシ
クロヘキサン、４・4′−置換ターフエニル、４・
4′−ビフエニルシクロヘキサン、２（4′−置換フ
エニエル）５−置換ピリミジンなどを挙げること
ができる。 第２表は時分割駆動特性の優れたネマチツク液
晶材料として現在汎用されている母体結晶Ａの80
重量％と第１表に示した式（）の化合物
No.1、No.2、No.3、No.4の各々の20重量％とか
ら成る各混合液晶について測定されたＮ−点と
しきい値電圧Vthを掲示し、比較にために母体液
晶Ａ自体について測定されたＮ−点及びしきい
値電圧を掲示したものである。 尚、母体液晶Ａは 20重量％の 16重量％の 16重量％の ８重量％の ８重量％の ８重量％の ８重量％の ８重量％の 及び ８重量％の から成るものである。
率異方性を有するネマチツク液晶化合物であり、
従つて例えば、負又は弱い正の誘電率異方性を有
する他のネマチツク液晶化合物あるいは強い正の
誘電率異方性を有する他のネマチツク液晶化合物
との混合物の状態で電界効果型表示セルの材料と
して使用することができる。 このように、式（）の化合物と混合して使用
することのできる好ましい代表例としては、例え
ば４・4′−置換安息香酸フエニルエステル、４・
4′−置換シクロヘキサンカルボン酸フエニルエス
テル、４・4′−置換シクロヘキサンカルボン酸ビ
フエニルエステル、４（４−置換シクロヘキサン
カルボニルオキシ）安息香酸4′−置換フエニルエ
ステル４（４−置換シクロヘキシル）安息香酸
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テル、４・4′−ビフエニル、４・4′−フエニルシ
クロヘキサン、４・4′−置換ターフエニル、４・
4′−ビフエニルシクロヘキサン、２（4′−置換フ
エニエル）５−置換ピリミジンなどを挙げること
ができる。 第２表は時分割駆動特性の優れたネマチツク液
晶材料として現在汎用されている母体結晶Ａの80
重量％と第１表に示した式（）の化合物
No.1、No.2、No.3、No.4の各々の20重量％とか
ら成る各混合液晶について測定されたＮ−点と
しきい値電圧Vthを掲示し、比較にために母体液
晶Ａ自体について測定されたＮ−点及びしきい
値電圧を掲示したものである。 尚、母体液晶Ａは 20重量％の 16重量％の 16重量％の ８重量％の ８重量％の ８重量％の ８重量％の ８重量％の 及び ８重量％の から成るものである。
【表】
第２表に掲示したデータから、式（）の化合
物は混合液晶のしきい値電圧Vthを減少させ、し
かもＮ−点を上昇せしめ得ることが理解できき
る。このようにVthが低くＮ−点の高い混合液
晶が得られるところに式（）の化合物の実用上
の高い価値がある。 本発明の効果は、下記の比較実験によつても明
らかにされる。化学構造が本発明に係る式（）
の化合物に類似しており、且つ混合液晶のＮ−Ｉ
点を高める目的で広く使用されている式 の公知化合物を前記の母体液晶Ａに種々の割合で
混合した。同様に本発明に係る化合物の１つ、即
ち式 の化合物を母体結晶Ａに種々の割合で混合した。
斯くして得られた２種類の混合液晶について、
夫々のしきい値電圧VthとＮ−点の関係を第１
図に示した。 第１図から、代表的な公知の類似化合物がＮ−
点の上昇に伴いしきい値電圧が上昇しているの
に対し、本発明に係る式（）の化合物はＮ−
点の上昇に伴い、しきい値電圧が下降しているこ
とが理解できるであろう。 実施例 １ 式 0.74ｇ（0.00342モル）に塩化チオニル30c.c.を加
え、この混合物を還流下で30分間反応させた後、
過剰の塩化チオニルを留去した。次に得られた反
応生成物に式
物は混合液晶のしきい値電圧Vthを減少させ、し
かもＮ−点を上昇せしめ得ることが理解できき
る。このようにVthが低くＮ−点の高い混合液
晶が得られるところに式（）の化合物の実用上
の高い価値がある。 本発明の効果は、下記の比較実験によつても明
らかにされる。化学構造が本発明に係る式（）
の化合物に類似しており、且つ混合液晶のＮ−Ｉ
点を高める目的で広く使用されている式 の公知化合物を前記の母体液晶Ａに種々の割合で
混合した。同様に本発明に係る化合物の１つ、即
ち式 の化合物を母体結晶Ａに種々の割合で混合した。
斯くして得られた２種類の混合液晶について、
夫々のしきい値電圧VthとＮ−点の関係を第１
図に示した。 第１図から、代表的な公知の類似化合物がＮ−
点の上昇に伴いしきい値電圧が上昇しているの
に対し、本発明に係る式（）の化合物はＮ−
点の上昇に伴い、しきい値電圧が下降しているこ
とが理解できるであろう。 実施例 １ 式 0.74ｇ（0.00342モル）に塩化チオニル30c.c.を加
え、この混合物を還流下で30分間反応させた後、
過剰の塩化チオニルを留去した。次に得られた反
応生成物に式
【式】の化合物0.47ｇ
（0.00342モル）トルエン30c.c.及びピリジン１ｇを
加え、これらを還流下で反応させた。次に反応液
を１％塩酸及び水で洗浄して中性とした後、この
反応液からトルエンを留去した。得られた反応生
成物をエタノールから再結晶させて、下記式の化
合物1.0ｇ（0.00255モル）を得た。 収率 75％ 転移温度 60℃（Ｃ→Ｎ） 160℃（ＮＩ） 実施例 ２〜５ 実施例１と同様な要領で下記式の化合物を夫々
製造した。 収率 69％ 転移温度 64℃（Ｃ→Ｎ） 157℃（ＮＩ） 収率 70％ 転移温度 57℃（Ｃ→Ｎ） 148℃（ＮＩ） 収率 65％ 転移温度 53℃（Ｃ→Ｎ） 142℃（ＮＩ）
加え、これらを還流下で反応させた。次に反応液
を１％塩酸及び水で洗浄して中性とした後、この
反応液からトルエンを留去した。得られた反応生
成物をエタノールから再結晶させて、下記式の化
合物1.0ｇ（0.00255モル）を得た。 収率 75％ 転移温度 60℃（Ｃ→Ｎ） 160℃（ＮＩ） 実施例 ２〜５ 実施例１と同様な要領で下記式の化合物を夫々
製造した。 収率 69％ 転移温度 64℃（Ｃ→Ｎ） 157℃（ＮＩ） 収率 70％ 転移温度 57℃（Ｃ→Ｎ） 148℃（ＮＩ） 収率 65％ 転移温度 53℃（Ｃ→Ｎ） 142℃（ＮＩ）
第１図は本発明に係る化合物の１つである
No.2の化合物及びこれと類似構造をもつ公知化
合物ａの夫々を現在汎用されている母体液晶Ａに
添加して得られる混合液晶のＮ−点としきい値
電圧の関係を示す図表である。
No.2の化合物及びこれと類似構造をもつ公知化
合物ａの夫々を現在汎用されている母体液晶Ａに
添加して得られる混合液晶のＮ−点としきい値
電圧の関係を示す図表である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中、Ｒは炭素原子数１〜９の直鎖状アルキル
基を表わし、シクロヘキサン環はトランス（エカ
トリアル−エカトリアル）配置である。〕 で表わされる化合物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432983A JPS59170056A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
| GB08328731A GB2132192B (en) | 1982-10-30 | 1983-10-27 | Nematic liquid crystalline 3-fluro-4-cyanophenol derivatives |
| US06/546,534 US4551280A (en) | 1982-10-30 | 1983-10-28 | Nematic liquid crystalline compounds |
| DE3339216A DE3339216C2 (de) | 1982-10-30 | 1983-10-28 | 3-Fluor-4-cyanophenol-Derivate und deren Verwendung |
| CH5883/83A CH654829A5 (de) | 1982-10-30 | 1983-10-31 | 3-fluor-4-cyanophenol-derivate. |
| US06/744,978 US4673756A (en) | 1982-10-30 | 1985-06-17 | Nematic liquid crystalline compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432983A JPS59170056A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59170056A JPS59170056A (ja) | 1984-09-26 |
| JPS6152141B2 true JPS6152141B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=12688462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4432983A Granted JPS59170056A (ja) | 1982-10-30 | 1983-03-18 | 新規ネマチツク液晶化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59170056A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425647U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-13 | ||
| JPS6425648U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-13 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8314077D0 (en) * | 1983-05-20 | 1983-06-29 | Secr Defence | Disubstituted ethanes |
| DE10116400A1 (de) * | 2000-04-28 | 2001-12-06 | Merck Patent Gmbh | Elektrooptische Anzeige und darin enthaltenes Flüssigkristallmedium |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP4432983A patent/JPS59170056A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425647U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-13 | ||
| JPS6425648U (ja) * | 1987-08-05 | 1989-02-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59170056A (ja) | 1984-09-26 |
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