JPS6116515A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6116515A JPS6116515A JP13831984A JP13831984A JPS6116515A JP S6116515 A JPS6116515 A JP S6116515A JP 13831984 A JP13831984 A JP 13831984A JP 13831984 A JP13831984 A JP 13831984A JP S6116515 A JPS6116515 A JP S6116515A
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- type silicon
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 8
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の電極形成に関し、詳しくは、一
層目に４ｏ○℃以上のシリサイド形成温度を有する金属
を、二層目にニッケルを含有する金属膜を電極として用
いたものの熱処理工程を含む半導体装置の製造方法に関
するものである０従来例の構成とその問題点 従来からニッケルは、半田接着タイプの半導体装置の金
属電極として用いられているが、ニッケルはシリコンと
の密着性が弱いため通常はシリコンとニッケルの間にシ
リコンと密着性の良いクロムやチタンを一層目の金属と
して用いている。しかしながら、単に、室温でクロムや
チタンをｎ型シリコンに蒸着しただけではシリコンとの
接触抵抗や非オーム接触が原因となって低損失型トラン
ジスタの場合などでは、その特性を悪くしていた。
層目に４ｏ○℃以上のシリサイド形成温度を有する金属
を、二層目にニッケルを含有する金属膜を電極として用
いたものの熱処理工程を含む半導体装置の製造方法に関
するものである０従来例の構成とその問題点 従来からニッケルは、半田接着タイプの半導体装置の金
属電極として用いられているが、ニッケルはシリコンと
の密着性が弱いため通常はシリコンとニッケルの間にシ
リコンと密着性の良いクロムやチタンを一層目の金属と
して用いている。しかしながら、単に、室温でクロムや
チタンをｎ型シリコンに蒸着しただけではシリコンとの
接触抵抗や非オーム接触が原因となって低損失型トラン
ジスタの場合などでは、その特性を悪くしていた。
以下図面を参照しながら従来のｎｐｎパワートランジス
タを例にし説明する。
タを例にし説明する。
第１図にはクロムを１層目に、ニクロム、ニッケルを２
層目、３層目とした多層金属電極を形成したｎｐｎパワ
ートランジスタの構造断面図を示す。第１図において１
はｎ型不純物のエミッタ拡散層、２はｐ型不純物のベー
ス拡散層、３はｎ型エピタキシャル成長層、４はｎ型エ
ピサブストレート、５はクロム電極層、６はニクロム電
極層、７はニッケル電極層である〇 以上のように構成された半導体装置について、以下その
動作について説明する。
層目、３層目とした多層金属電極を形成したｎｐｎパワ
ートランジスタの構造断面図を示す。第１図において１
はｎ型不純物のエミッタ拡散層、２はｐ型不純物のベー
ス拡散層、３はｎ型エピタキシャル成長層、４はｎ型エ
ピサブストレート、５はクロム電極層、６はニクロム電
極層、７はニッケル電極層である〇 以上のように構成された半導体装置について、以下その
動作について説明する。
このｎｐｎパワートランジスタにおいてコレクタ電流は
、ニッケル、ニクロム、クロムの電極を通じてコレクタ
からエミッタへと流れる。しかしながらこの従来装置の
場合、その出力特性は、第２図に示すように、低電流領
域においてオーム接触が得られなかったり（実線）、オ
ーム接触が得られてもその接触抵抗が大きく（点線）、
その分トランジスタのｖＣＥ（ｓａｔ）特性を悪くする
という欠点を有していた。
、ニッケル、ニクロム、クロムの電極を通じてコレクタ
からエミッタへと流れる。しかしながらこの従来装置の
場合、その出力特性は、第２図に示すように、低電流領
域においてオーム接触が得られなかったり（実線）、オ
ーム接触が得られてもその接触抵抗が大きく（点線）、
その分トランジスタのｖＣＥ（ｓａｔ）特性を悪くする
という欠点を有していた。
発明の目的
本発明は、４００℃以上のシリサイド形成温度を有する
金属を一層目に用い、二層目にニッケルを含有する金属
を用いて電極形成し、この電極とｎ型シリコンとの間に
良好なオーム接触を得る半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
金属を一層目に用い、二層目にニッケルを含有する金属
を用いて電極形成し、この電極とｎ型シリコンとの間に
良好なオーム接触を得る半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
発明の構成
本発明の半導体装置の製造方法は、ｎ型シリコンに、一
層目電極として、４００℃以上のシリサイド形成温度を
有する金属を、二層目にニッケルを含有する金属電極を
形成した後、４００℃以上の熱処理を行うことであり、
これにより、ニッケルシリサイドの形成による良好なオ
ーム接触が得られる。
層目電極として、４００℃以上のシリサイド形成温度を
有する金属を、二層目にニッケルを含有する金属電極を
形成した後、４００℃以上の熱処理を行うことであり、
これにより、ニッケルシリサイドの形成による良好なオ
ーム接触が得られる。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第３図は本発明実施例によるｎ型シリコンとクロ
ム、ニクロム、ニッケル多ｆＷｉ金属電極との接触抵抗
の熱処理温度依存性である。接触抵抗は、Ｖ、 Ｌ、
Ｍ法で求めた。これよりわかるように、４００℃以上の
熱処理を行うことによシ、接触抵抗は極端に減少し、更
に非オーム接触を示していたものもオーム接触となるこ
とがわかる。
する。第３図は本発明実施例によるｎ型シリコンとクロ
ム、ニクロム、ニッケル多ｆＷｉ金属電極との接触抵抗
の熱処理温度依存性である。接触抵抗は、Ｖ、 Ｌ、
Ｍ法で求めた。これよりわかるように、４００℃以上の
熱処理を行うことによシ、接触抵抗は極端に減少し、更
に非オーム接触を示していたものもオーム接触となるこ
とがわかる。
また第４図には、４６０℃における熱処理時間と上述の
接触抵抗との関係を示す。これから熱処理時間が長い程
、接触抵抗が減少していることがわかる。更に分析の結
果、接触抵抗の減少はニッケルシリサイドの形成に依存
していることが判明したＯ 第５図は本発明の一実施例におけるｎｐｎパワートラン
ジスタの出力特性を示したもので、第１図の構造のｎ
ｐ ｎ パワートランジスタを４６０℃３０分で熱処理
したものである。以上のように本実施例によれば、ｎ型
シリコン基板上に一層目に４００℃以上でシリサイドを
形成する金属を、二層目にニッケルを含む金属膜を形成
して、多層構造になしこれを４ｏｏ℃以上の温度で熱処
理することにより、第３図、第４図の実験結果からもわ
かるように良好なオーム接触が得られ、ｖＣＥ （ｓａ
ｔ）特性の特善が得られる。
接触抵抗との関係を示す。これから熱処理時間が長い程
、接触抵抗が減少していることがわかる。更に分析の結
果、接触抵抗の減少はニッケルシリサイドの形成に依存
していることが判明したＯ 第５図は本発明の一実施例におけるｎｐｎパワートラン
ジスタの出力特性を示したもので、第１図の構造のｎ
ｐ ｎ パワートランジスタを４６０℃３０分で熱処理
したものである。以上のように本実施例によれば、ｎ型
シリコン基板上に一層目に４００℃以上でシリサイドを
形成する金属を、二層目にニッケルを含む金属膜を形成
して、多層構造になしこれを４ｏｏ℃以上の温度で熱処
理することにより、第３図、第４図の実験結果からもわ
かるように良好なオーム接触が得られ、ｖＣＥ （ｓａ
ｔ）特性の特善が得られる。
発明の効果
以上のように本発明は、ｎ型シリコン基板上に一層目に
４００℃以上でシリサイドを形成する金属を、二層目に
ニッケルを含む金属膜を形成した場合、４００℃以上の
熱処理を行うことにより、オーム接触もしくは接触抵抗
の改善が得られることを明らかにしたものであり、第１
表にこの発明をｎｐ Ｂ ハワートランジスタ、ｎチャ
ンネルＭＯ８ＦＥＴ、ダイオードに応用した場合の効果
を示す。これより、その実用的効果は非常に大なるもの
がある。
４００℃以上でシリサイドを形成する金属を、二層目に
ニッケルを含む金属膜を形成した場合、４００℃以上の
熱処理を行うことにより、オーム接触もしくは接触抵抗
の改善が得られることを明らかにしたものであり、第１
表にこの発明をｎｐ Ｂ ハワートランジスタ、ｎチャ
ンネルＭＯ８ＦＥＴ、ダイオードに応用した場合の効果
を示す。これより、その実用的効果は非常に大なるもの
がある。
［
第１図はｎｐ ｎ パワートランジスタの断面図、第２
図は従来例のトランジスタの出力特性図、第３図は本発
明実施例によるｎ型シリコンと多層金属電極との接触抵
抗の熱処理温度依存特性図、第４図はｎ型シリコンと多
層金属電極との接触抵抗の熱処理時間依存特性図、第６
図は本発明の一実施例によるｎｐｎパワートランジスタ
の出力特性図である。 １・・・・・・ｎｍ不純物のエミッタ拡散層、２・・・
・・ｐ型不純物のベース拡散層、３・・・・−ｎ型エピ
タキシャル成長層、４・・・・・・ｎ型エピサブストレ
ート、６・・・・・・クロム電極層、６・・・・・・ニ
クロム電極層、了・・・・・・ニッケル電極層０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ＣＥ 第３図 愁 又１ ｆｌ ”、茗ｉ月（（・Ｃ〕第４図
図は従来例のトランジスタの出力特性図、第３図は本発
明実施例によるｎ型シリコンと多層金属電極との接触抵
抗の熱処理温度依存特性図、第４図はｎ型シリコンと多
層金属電極との接触抵抗の熱処理時間依存特性図、第６
図は本発明の一実施例によるｎｐｎパワートランジスタ
の出力特性図である。 １・・・・・・ｎｍ不純物のエミッタ拡散層、２・・・
・・ｐ型不純物のベース拡散層、３・・・・−ｎ型エピ
タキシャル成長層、４・・・・・・ｎ型エピサブストレ
ート、６・・・・・・クロム電極層、６・・・・・・ニ
クロム電極層、了・・・・・・ニッケル電極層０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ＣＥ 第３図 愁 又１ ｆｌ ”、茗ｉ月（（・Ｃ〕第４図
Claims (2)
- （１）ｎ型シリコン基板上に、４００℃以上のシリサイ
ド形成温度を有する金属を一層目に用い、二層目にニッ
ケルを含有する金属を用いた金属電極を形成し、これを
４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - （２）ｎ型シリコン基板の比抵抗が、０．０２Ωｃｍ以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13831984A JPS6116515A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13831984A JPS6116515A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116515A true JPS6116515A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15219115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13831984A Pending JPS6116515A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594142U (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-21 | 株式会社リングストン | 包装用袋 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13831984A patent/JPS6116515A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594142U (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-21 | 株式会社リングストン | 包装用袋 |
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