JPS6074476A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6074476A JPS6074476A JP18411284A JP18411284A JPS6074476A JP S6074476 A JPS6074476 A JP S6074476A JP 18411284 A JP18411284 A JP 18411284A JP 18411284 A JP18411284 A JP 18411284A JP S6074476 A JPS6074476 A JP S6074476A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N Estradiol Cypionate Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H](C4=CC=C(O)C=C4CC3)CC[C@@]21C)C(=O)CCC1CCCC1 UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- -1 silica compound Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、例えば第２図に示すバイポーラ措造の半導体装置
旦は、Ｐ導電型の半導体基板ｌに埋込層２を介して形成
されたＮ導電型のエピタキシャル成長層３の所定領域に
コレクタ拡散層４。
旦は、Ｐ導電型の半導体基板ｌに埋込層２を介して形成
されたＮ導電型のエピタキシャル成長層３の所定領域に
コレクタ拡散層４。
ベース拡散層５及びエミッタ拡散層６を形成した後、そ
の露出表面に酸化膜を形成し、この酸化膜に各々の拡散
層４，５．６に通じるコンタクトホールを周知の写真蝕
刻法で穿設してこのコンタクトホールを通じて取出′に
極７を形ＩＪνして製造されている。
の露出表面に酸化膜を形成し、この酸化膜に各々の拡散
層４，５．６に通じるコンタクトホールを周知の写真蝕
刻法で穿設してこのコンタクトホールを通じて取出′に
極７を形ＩＪνして製造されている。
しかしながら、写真蝕刻法によってコンタクトホールを
形成する際に酸化膜の表面に埃碧が付着していると、所
定の拡散層４，５．６に対応する領域以外のところに才
で開孔されるためシ−ｓ − ト不良が発生して不良品
ができる問題があった。
形成する際に酸化膜の表面に埃碧が付着していると、所
定の拡散層４，５．６に対応する領域以外のところに才
で開孔されるためシ−ｓ − ト不良が発生して不良品
ができる問題があった。
また、このようなコンタクトホールを穿設するだめの工
程を必要とするためａｊ．’．’品の歩留りが著しく低
下する問題があった。
程を必要とするためａｊ．’．’品の歩留りが著しく低
下する問題があった。
本発明は、コンタクトホールの形成工程を不戦にして歩
留シの向上を速成した半嗜体装置の製造方法を提供する
ことをその目的とするものである。
留シの向上を速成した半嗜体装置の製造方法を提供する
ことをその目的とするものである。
本発明は、ケイ素化合物膜で初めにその直下の拡散層を
酸化され々いようにし、次いで、これを所定の導電性を
有するケイ素化合物膜にして直接取出電極に接続させる
ようにしたことによシ、選択酸化のために残存したチッ
化膜に開口するためのコンタクトホール開口工程を不要
にできると共に、ケイ素化合物膜を拡散層の直上の部分
にのみ残存させて素子のショート不良を防止し、歩留を
著しく向上できる半導体装俗の製造方法である。
酸化され々いようにし、次いで、これを所定の導電性を
有するケイ素化合物膜にして直接取出電極に接続させる
ようにしたことによシ、選択酸化のために残存したチッ
化膜に開口するためのコンタクトホール開口工程を不要
にできると共に、ケイ素化合物膜を拡散層の直上の部分
にのみ残存させて素子のショート不良を防止し、歩留を
著しく向上できる半導体装俗の製造方法である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（イ）乃至同図＠は、本発明方法を製造工程順に
従って示す説明図である。同図（Ａ）に示す如く、所定
領域にｎ導電型の埋込層１１が形成されたｐ導電型の半
導体基板１０の表面に、ｎ型不純物をドーグしたエピタ
キシャル成長層１２を形成する。
従って示す説明図である。同図（Ａ）に示す如く、所定
領域にｎ導電型の埋込層１１が形成されたｐ導電型の半
導体基板１０の表面に、ｎ型不純物をドーグしたエピタ
キシャル成長層１２を形成する。
次に、同図Ｂに示す如く、エピタキシャル成長層１２の
所定領域に選択拡散によってアンチモン（Ｓｂ）、ヒ素
（Ａｓ）等のｎ型不純物を拡散して埋込層ｌノに達する
コレクタ拡散層１４を形成する。次いで、エピタキシャ
ル成長層１２０所定領域にホウ素（Ｂ）＠のｐ型不純物
を拡ｆｆ（、シてペース拡散層１３を形成した後、この
ベース拡散層１３の所定領域にｐ型不純物を拡散せしめ
てエミッタ拡散層１５を形成する。
所定領域に選択拡散によってアンチモン（Ｓｂ）、ヒ素
（Ａｓ）等のｎ型不純物を拡散して埋込層ｌノに達する
コレクタ拡散層１４を形成する。次いで、エピタキシャ
ル成長層１２０所定領域にホウ素（Ｂ）＠のｐ型不純物
を拡ｆｆ（、シてペース拡散層１３を形成した後、この
ベース拡散層１３の所定領域にｐ型不純物を拡散せしめ
てエミッタ拡散層１５を形成する。
然る後、同図Ｃに示す如（ＮＰＮ ）ランジスタが形成
されたエピタキシャル成長層１２の表面にプラズマＣ，
Ｖ、Ｄ、法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｊｔｉｏｎ）。
されたエピタキシャル成長層１２の表面にプラズマＣ，
Ｖ、Ｄ、法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｊｔｉｏｎ）。
ヌ・やツタ法等によシｉ′Ｉ酸化性を有する炭化ケイ素
からなるケイ素化合物膜１７を形成する。ケイ素化合物
膜１７の膜厚は、１００〜８０００ＸのＲ２Ｏ。
からなるケイ素化合物膜１７を形成する。ケイ素化合物
膜１７の膜厚は、１００〜８０００ＸのＲ２Ｏ。
囲で適宜設定するのが望せしい。次いで、周知の写真蝕
刻法によｐこのケイ素化合物膜１７のペース拡散層１３
．エミッタ拡散層１５．及びコレクタ拡散層１４の所定
領域に対応する部分が残るようにして他の部分を除去す
る。
刻法によｐこのケイ素化合物膜１７のペース拡散層１３
．エミッタ拡散層１５．及びコレクタ拡散層１４の所定
領域に対応する部分が残るようにして他の部分を除去す
る。
次に、同図りに示す如く、ケイ素化合物膜１７をマスク
にして高圧酸化によってエピタキシャル成長層１２の表
面に厚い酸化膜１６を形成し、ペース拡散層１３．エミ
ッタ拡散層１５゜及びコレクタ拡散層１４の絶縁分離を
行う。
にして高圧酸化によってエピタキシャル成長層１２の表
面に厚い酸化膜１６を形成し、ペース拡散層１３．エミ
ッタ拡散層１５゜及びコレクタ拡散層１４の絶縁分離を
行う。
ここで、高圧酸化によって酸化膜１６を形成するのは、
通常の熱酸化では醇化温度が高すぎるために既に形成さ
れたＮＰＮ ）ランジスタの特性に悪影響を褐えるのを
防止するためである。
通常の熱酸化では醇化温度が高すぎるために既に形成さ
れたＮＰＮ ）ランジスタの特性に悪影響を褐えるのを
防止するためである。
高圧状態としては、３〜１０気圧の範囲に設定するのが
望ましい。このような高圧状卯では、酸化温度は、５０
０〜８００℃に設定することができ、酸化速度も早くす
ることができる。酸化膜１６の膜厚は、１００〜３ｏｏ
ｏ１の範囲で適宜設定するのが望ましい。厚い酸化膜１
６を形成するのは、後述する取出電極１８と半導体基板
１０に形成された他の素子との相互作用を防止するため
である。
望ましい。このような高圧状卯では、酸化温度は、５０
０〜８００℃に設定することができ、酸化速度も早くす
ることができる。酸化膜１６の膜厚は、１００〜３ｏｏ
ｏ１の範囲で適宜設定するのが望ましい。厚い酸化膜１
６を形成するのは、後述する取出電極１８と半導体基板
１０に形成された他の素子との相互作用を防止するため
である。
尚、この酸化工程の際に半導体基板１０の他の領域に形
成されたベース抵抗の表面濃度が変化する虞れがある場
合には、抵抗の表面に予め二酸化ケイ素膜（Ｓ Ｉｏ
２ ）やチツ化シリコン膜等の保Ｆｐ ＰＡ＜全部分的
に形成しておくのが望ましい。
成されたベース抵抗の表面濃度が変化する虞れがある場
合には、抵抗の表面に予め二酸化ケイ素膜（Ｓ Ｉｏ
２ ）やチツ化シリコン膜等の保Ｆｐ ＰＡ＜全部分的
に形成しておくのが望ましい。
次に、同図りに示す如く、ケイ紫化合物月４１７の表面
に蒸着等の手段に」：ってタングステン（ハ）、モリブ
デン（Ｍｏ ） ｒバナジウム（Ｖ） 、チタン（Ｔｉ
）等の導電性元素からなる堆積層１７λを形成する。
に蒸着等の手段に」：ってタングステン（ハ）、モリブ
デン（Ｍｏ ） ｒバナジウム（Ｖ） 、チタン（Ｔｉ
）等の導電性元素からなる堆積層１７λを形成する。
この堆積層１７ａの８４厚は、貞〜数千オングストロー
ムの範囲で適宜設定するのが望せしい。百オングストロ
ーム以下の場合にＩ−Ｊ、ケイ素化合物膜１７の電気抵
抗を十分にＦげることができず、数千オングストローム
ＪＪ上では電気抵抗が所定値で飽和状態に達する。次い
で、４００〜８００℃の温度で焼成を施し、導？１１．
性元素をケイ紫化合物膜１７内に拡散せしめる。
ムの範囲で適宜設定するのが望せしい。百オングストロ
ーム以下の場合にＩ−Ｊ、ケイ素化合物膜１７の電気抵
抗を十分にＦげることができず、数千オングストローム
ＪＪ上では電気抵抗が所定値で飽和状態に達する。次い
で、４００〜８００℃の温度で焼成を施し、導？１１．
性元素をケイ紫化合物膜１７内に拡散せしめる。
然る後、王水等の化学処理液によって堆積層１７１＋を
除去する。
除去する。
次に、このようにして形成されたケイ素化イ］物膜１７
の表面に同図Ｅに示す如く、アルミニウムからなる取出
′電極１８を形成して半導体装置１９−を得る。
の表面に同図Ｅに示す如く、アルミニウムからなる取出
′電極１８を形成して半導体装置１９−を得る。
上述の如く、この半導体装置の製造方法によれは、取出
電極１８を設ける際のコンタクトホールの形成工程を不
要にして直接消電性を有するケイ素化合物膜１７上に取
出電極１８を形成することができるので作業性を著しく
向上させることができる。しかも、ケイ素化合物膜１７
は、取出電極１８の形成領域にだけ設けられているので
取出電極１８の形成の際に半導体基板１０に形成された
素子にショート不良等が発生するのを防止して歩留りを
著しく向上させることができる。
電極１８を設ける際のコンタクトホールの形成工程を不
要にして直接消電性を有するケイ素化合物膜１７上に取
出電極１８を形成することができるので作業性を著しく
向上させることができる。しかも、ケイ素化合物膜１７
は、取出電極１８の形成領域にだけ設けられているので
取出電極１８の形成の際に半導体基板１０に形成された
素子にショート不良等が発生するのを防止して歩留りを
著しく向上させることができる。
尚、実施例では、本発明をバイポーラ構造の半導体装置
に適用したものについて説明したが、本発明はこの他に
もＭＯ８型構造の半導体装置等の製造にも適用すること
ができるのは勿論である。
に適用したものについて説明したが、本発明はこの他に
もＭＯ８型構造の半導体装置等の製造にも適用すること
ができるのは勿論である。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、取出電極を設けるだめのコンタクトポールの
形成工程を不要にして歩留シを著しく向上させることが
できるものである。
によれば、取出電極を設けるだめのコンタクトポールの
形成工程を不要にして歩留シを著しく向上させることが
できるものである。
第１図（５）乃至同図■）１−ｉ、本発明方法を工程１
ｉｉ、’ｉに示す説明図、第２図は、従来の方法で製造
された半導体装置の断面図である。 １０・・・半導体基板、１３・・・ベース拡散に１１．
１４・・・コレクタ拡散層、１５・・エミッタ拡散層、
１７・・・ケイ素化合物膜、１８・・・取出霜４極、ム
ユ・・・半導体装置 出願人代即人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第１ 図 （Ｅ） ｑ 第２図
ｉｉ、’ｉに示す説明図、第２図は、従来の方法で製造
された半導体装置の断面図である。 １０・・・半導体基板、１３・・・ベース拡散に１１．
１４・・・コレクタ拡散層、１５・・エミッタ拡散層、
１７・・・ケイ素化合物膜、１８・・・取出霜４極、ム
ユ・・・半導体装置 出願人代即人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第１ 図 （Ｅ） ｑ 第２図
Claims (1)
- 半導体基板の一主面の所望部分に耐酸化性を有し、かつ
、前記半導体基板とオーミック接触するケイ素化合物膜
を積層する工程と、前記−面に酸化膜を成長させる熱処
理を施す工程と、前記ケイ素化合物膜に高融点金属を拡
散する工程と、前記ケイ素化合物膜上に取出電極を形成
する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411284A JPS6074476A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411284A JPS6074476A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55026410A Division JPS6030111B2 (ja) | 1980-03-03 | 1980-03-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074476A true JPS6074476A (ja) | 1985-04-26 |
| JPS617729B2 JPS617729B2 (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=16147595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18411284A Granted JPS6074476A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074476A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297736A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | レンジフードファン |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18411284A patent/JPS6074476A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS617729B2 (ja) | 1986-03-08 |
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