JPS61156187A - アクティブマトリクス回路 - Google Patents

アクティブマトリクス回路

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JPS61156187A
JPS61156187A JP59274831A JP27483184A JPS61156187A JP S61156187 A JPS61156187 A JP S61156187A JP 59274831 A JP59274831 A JP 59274831A JP 27483184 A JP27483184 A JP 27483184A JP S61156187 A JPS61156187 A JP S61156187A
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transistor
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裕司 井上
芳幸 長田
小俣 智司
伸逸 山下
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野J 本発明はアクティブマトリクス回路基板の信号線の構成
に関するものである。
[従来の技術]及び[発明が解決しようとする問題点] アクティブマトリクス回路基板の代表的なものとして薄
膜トランジスタ(以下TPTと略す)をアナログスイッ
チング素子として用いた液晶表示装置が考えられる。こ
の液晶表示装置は近年、高密度化、大面積化が進み、そ
の信号線は2000本近くにものぼっており、外部回路
との結線の問題と。
駆動用ICの増大という問題が深刻化し1歩留り低下や
コスト高を招いている。
第7図は従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
一例を示したものである0図中1は、表示部で、ANM
は、画素駆動用TPTスイッチング素−/−,2は、信
号線駆動回路、3は走査線駆動回路である。4は、表示
部1と信号線駆動回路2との接続部である。
また、第8図は1表示部lの信号線5(1)〜S(M)
に与えるべく信号線駆動回路2でサンプルホールドされ
た映像信号と、走査線G(1)〜G(N)信号とのタイ
ミング図を表わすものである。走査線数×信号線をNX
Mのマトリクスで構成した場合、接続部4はMケ所ある
ことになる。密度に関しては、たとえば走査線数N =
 480本、アスペクト比3:4、画面サイズ対角7イ
ンチの液晶フルカラーテレビを考えた場合、信号線数M
 = 1920、画面の横の長さlは、 1 = 7 X 25.4mmX+≠142mmよって
信号線密度dは となり1mm当り13.5本の密度となる。
従来、この高密度且つ多数の信号線を外部の信号線駆動
回路2と接続するために実装の信頼性1歩留りの低下、
又、外部駆動用ICの増大に伴うコスト高が問題となっ
た。また、これらICを搭載するために基板サイズが大
きくなり、表示部に比べ外部回路部が大きいというアン
バランスも問題となっていた。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、
アクティブマトリクス回路基板の信号線の外部駆動回路
との接続数を減らし、実装の簡素化、歩留りの向上、実
装コストの低減を図るとともに、外部信号線駆動用IC
の個数の低減、前記外部駆動回路の小規模、コンパクト
化、それに伴うコストの低減を図ることを目的とするも
のである。
[問題点を解決するための手段]及び[作用]本発明は
、映像信号線をブロック毎に任意の本数に分割し、各ブ
ロック毎の信号線をスイッチング素子で共通化して映像
信号を制御するものである。すなわち、M本の映像信号
線を、m本づつの共通化した映像信号線から成るnブロ
ックから成るマトリクス回路で置き換えたものである。
このため従来に比べ信萼線の接続本数は著しく減少する
[実施例] 第1図は本発明の実施例であり、第7図に示したNXM
画素毎にスイッチング素子を設けたNXMアクティブマ
トリクス型液晶表示装置と同一基板上に破線で囲って示
したnXmアクティブマトリクス回路5を設けた全体図
を表わす。第2図は第1図のnXmアクティブマトリク
ス回路5の内部を表わし、図中6は、映像信号用アナロ
グスイッチングトランジスタ(以下A、S、 )ランジ
スタと略す)、7は、映像信号サンプルホールド用コン
デンサーであり、5(1)〜S(m)はA、S、 )ラ
ンジスタロへのラッチされた映像信号線、g(1)〜g
(n)は、A、S、 トランジスタ6のスイッチング用
信号線を示す。今、第7図におけるM本の信号線をm本
に共通化したマトリクス配線となる様にすると第2図の
5(j) 〜S(m)の信号線とg(1) 〜g(n)
の信号線とnXm個のA、S、 )ランジスタロ及びコ
ンデンサー7から成るマトリクス回路とすることができ
る。ただしnは1以上の整数で、n≧i−である。
この時の映像性りと、第2図のA−S、 )ランジスタ
ロのトランジスタ及び、第1図の表示部lのトランジス
タとのタイミングは第3図の映像信号ラッチ回路を用い
ると第4図の関係となる。さらに詳しく見てみると、ま
ず第3図において、入力されたアナログ映像信号9がφ
1のタイミングで出力されると、シフトレジスタ8から
のパルスでトランジスタlOでサンプリングされ、コン
デンサ11でホールドされ、さらにソースフォロウバッ
ファ12でバッファリングされる。このA/D変換され
た映像信号がトランジスタ13でφ2の同一タイミング
でラッチされて第1図あるいは第2図の5(1)〜S(
m)へ入力される。このラッチタイミング等を各々t、
、t2−−とすると第4図で示す映像信号と5(1)〜
S(m)の関係となる。第2図のA、S、 )ランジス
タロのトランジスタはtl  、t2 −−tnの各タ
イミングごとにΔt=t2−t、=t3−j2=−−の
間ONとなり各々の第3図より出力された映像信号をコ
ンデンサー7に保持する。モしてtnのタイミングでホ
ールドされた後映像信号 。
の水平帰線時間、と次のラッチタイミング時tn+1の
間のtGの期間、第1図の表示部1のトランジスタスイ
ッチング信号線、すなわち画素走査線の1本がONとな
り画素へA/D変換された映像信号が伝達される。
以上のことを走査線数くりかえすことで一画面分の映像
データが各画素へ伝達され一画面表示することとなる。
今、N : 480.M = 1920にフレーム周波
数60HzのNTC9TV信号をm=24On=8で表
示しようとすると1水平走査期間はE13.54sec
水平帰線時間は11JLsecであるから、Δt≦(1
33,5−11) /8〜6.58 p−sec t 
G≦(11+13.58) 〜17.58 JLsec
となる。なおg(n)がONとなるタイミングとG(i
)(i番目の走査線の意味)がONとなるタイミングを
同時とすることは実際上第3図より出力された(サンプ
ルホールドされた)映像信号を、第2図のA、S、 ト
ランジスタ6のトランジスタを介して直接画素へ伝達す
ることになるので問題はない、こうすることで画素用ス
イッチングトランジスタの充電時間を長くとることがで
きるので負荷を軽減することができ、コンパクトなトラ
ンジスタで済ますことができる。
この時、外部映像信号処理回路、第3図、と第1図ある
いは第2図の5(1)〜S(m)との接続本数はm =
 240本であるので、信号線密度dはd” ’Er=
Trr” ’−”本/■とすることが可能となる。第5
図は、第1図又は第2図のスイッチング用信用線5(1
)〜S(m)を低密度配置した場合の一例を示す、また
、第6図は5(1)〜S(朧)とg(1)〜g(n)の
別の低密度配置例である。この場合は信号線密度は。
240+ 8 dニー、7−〜1.75本/■ とやや密度は上がるもののわずかであり、接続本数低減
効果にほとんど影響しないのに対し、第3図の外部信号
処理部の12のバッファを同一性能にそろえることがで
きるという利点がある。つまり第6図のg(1)〜g(
n)の5(1)〜5(II)(7)?トリ22回路基板
上での上下交差部からなる配線容量は同一となるため第
3図の回路からのデータ変動を一様に抑えることができ
るので画像のバラツキを抑えやすく設計できる。
なお、分割用スイッチングトランジスタは1画素用スイ
ッチングトランジスタと同一構成であり、データ保持用
コンデンサーも既知の技術でトランジスタ製造プロセス
内で設(することができ。
あるいは配線容量等を用いた場合には不要となるので、
同一基板上に設けられることは特に詳細に述べることも
なく明らかである。
又、本発明は、前述の画素毎のスイッチングトランジス
タを設けたアクティブマトリクス液晶素子に代えて、米
国特許第43B7924号公報などに開示されたパッシ
ブマトリクス型強誘電性液晶素子を用いることができる
。この強誘電性液晶素子の信号線を、前述の方法でTP
Tによりブロック化し、共通化することができる。この
際、強誘電性液晶としては、カイラルスメクティック液
相、特にそのC相、H相、!相、J相、K相、C相、F
相が適している。
[発明の効果] 以上実施例から明らかなように、従来、1920本の信
号線を240本ないしは248本とすることができ、信
号線密度を13.5本/履■から1.89本71■(8
7,5%減)ないしは1.75本/am(87,0%減
)と大きく抑えることができる。したがって、実装の簡
素化1歩留りの向上、外部信号処理用IC個数の低減等
、コスト的に有利となるばかりでなく、外部信号回路の
小規模化、コンパクト化、低コスト化も可能となる。
なお、説明ではアナログの映像信号を例としたが1本発
明は他の信号、例えばデジタル信号でも良く、限定され
るものではない。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明のアクティブマトリクス(NXM画素
)液晶表示装置の一実施例を示す説明図、第2図は1本
発明のnXmマトリクス配線のM個のアクティブマトリ
クス配置の部分拡大図、第3図は、本発明によるm本の
信号線への映像信号出力回路図、第4図は、第1図ある
いは第2図へ第3の回路を用いた場合の映像信号と信号
線と本発明でM個配置されたスイッチング素子へのスイ
ッチング信号と画素走査信号とのタイミング図、第5図
は本発明を用いた低密度信号線配置図、第6図は、本発
明の別の実施例の低密度信号線配置図、第7図はNXM
アクイブマトリクス液晶表示装置第8図は信号線と走査
線のタイミング図である。 l・・・表示部、2・・・信号線駆動回路、3・・・走
査線駆動回路、4・・・接続部、5・・・nXmアクテ
ィブマトリクス回路。 6・・・A、S、 トランジスタ、7・・・コンデンサ
ー。 8・・・シフトレジスタ、9・・・アナログ映像信号、
to、13・・・トランジスタ、11・・・コンデンサ
、12・・・ソースフォロウバッファ、 14・・・画素用スイッチングトランジスタ、5(1)
〜S(M)・・・信号線、G(1)〜G(N)・・・走
査線、5(1)〜S(m)・・・映像信号線。 g(1)〜g(n)・・・スイッチング用信号線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)信号線を、ブロック毎に分割し、各ブロック毎の信
    号線を、スイッチング素子で共通化したことを特徴とす
    るアクティブマトリクス回路基板。 2)前記各ブロック毎のスイッチング素子で信号をサン
    プルホールドする特許請求の範囲第1項記載のアクティ
    ブマトリクス回路基板。 3)上記スイッチング素子をアクティブマトリクス回路
    基板と画素毎のスイッチング素子とを同一基板上に一体
    形成することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    アクティブマトリクス回路基板。
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