JPS60246653A - ポリイミド・パタ−ンの形成方法 - Google Patents
ポリイミド・パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS60246653A JPS60246653A JP10314084A JP10314084A JPS60246653A JP S60246653 A JPS60246653 A JP S60246653A JP 10314084 A JP10314084 A JP 10314084A JP 10314084 A JP10314084 A JP 10314084A JP S60246653 A JPS60246653 A JP S60246653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- polyimide
- polyimide precursor
- film
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は感光性ポリイミド前駆体を用いて、現像残膜の
ないポリイミド・パターンを形成する方法に関するもの
である。
ないポリイミド・パターンを形成する方法に関するもの
である。
ポリイミド前駆体に感光性を付与した感光性ポリイミド
前駆体を用いてポリイミド・ノ々ターンを形成すること
は、特公昭４９−１７３７４．米国特許５，９５７，５
１２．米国特許４，０４０，８６１９％開昭５２−１３
３１５などの記載の通り公知である。かかる耐熱性感光
月料は、半導体工業における固体素子の多層配線の層間
あるいけビツシベーション層として有用である。これら
の用途では、下部配線と上部配線の導通あるいは下部配
線と外部リードの導通のために絶縁間あるいは７でソン
ベーション層にスルーホールを形成する必要がある。
前駆体を用いてポリイミド・ノ々ターンを形成すること
は、特公昭４９−１７３７４．米国特許５，９５７，５
１２．米国特許４，０４０，８６１９％開昭５２−１３
３１５などの記載の通り公知である。かかる耐熱性感光
月料は、半導体工業における固体素子の多層配線の層間
あるいけビツシベーション層として有用である。これら
の用途では、下部配線と上部配線の導通あるいは下部配
線と外部リードの導通のために絶縁間あるいは７でソン
ベーション層にスルーホールを形成する必要がある。
スルーホールは。
（１） 下部配線形成ずみの固体素子に感光性ポリイミ
ド前駆体の膜を形成する。
ド前駆体の膜を形成する。
（２） スルーホール部をマスクして露光する。
（３） 現像液で未露光のスルーホール部を溶解除去す
る。
る。
（４） 熱仇即することによりイミド化する。
の工程を終ることにより形成される。しかし、この方法
でスルーホールを形成する場合、現像の許容幅が比較的
狭いために、往々にしてスルーホール部に現像残膜が残
り、上・下記線間の導通あるいは下部配線と外部リード
との間の導通が不良となることがある。
でスルーホールを形成する場合、現像の許容幅が比較的
狭いために、往々にしてスルーホール部に現像残膜が残
り、上・下記線間の導通あるいは下部配線と外部リード
との間の導通が不良となることがある。
かかる間眺を解決する一つの方法が特開昭５６−２２４
２８に記載されている。
２８に記載されている。
該方法は現像して得たポリイミド前駆体のパターンを加
熱することにより、完全にポリイミドのパターンに変換
後、ポリイミドのエツチング剤で処理し、未露光部に残
存しているポリイミド薄膜を除去している。この方法は
ポリイミドのパターンに変換後、エツチング処理するた
め、カセイアルカリやヒドラジン系の強力なポリイミド
のエツチング剤で処理する必要があった。アルカリ金属
は半導体素子の特性に悪影響を与え、ヒドラジン系の強
力なポリイミドのエツチング剤は一般的に毒性が強いと
いう欠点を有していた。またエツチング剤としてアミン
化合物やアミノ上１′ロキ／化合物を使用した場合はエ
ツチング速席が遅く残膜景が多い場合は適用し難いとい
う欠点がちつ／乙−０〔発明が解決しようとする問題点
〕 本発明の目的は上記欠点のないものすなわち。
熱することにより、完全にポリイミドのパターンに変換
後、ポリイミドのエツチング剤で処理し、未露光部に残
存しているポリイミド薄膜を除去している。この方法は
ポリイミドのパターンに変換後、エツチング処理するた
め、カセイアルカリやヒドラジン系の強力なポリイミド
のエツチング剤で処理する必要があった。アルカリ金属
は半導体素子の特性に悪影響を与え、ヒドラジン系の強
力なポリイミドのエツチング剤は一般的に毒性が強いと
いう欠点を有していた。またエツチング剤としてアミン
化合物やアミノ上１′ロキ／化合物を使用した場合はエ
ツチング速席が遅く残膜景が多い場合は適用し難いとい
う欠点がちつ／乙−０〔発明が解決しようとする問題点
〕 本発明の目的は上記欠点のないものすなわち。
現像残膜の除去並びに毒性の弱いエッチ／り剤で処理す
る方法を提供せんとするものである。
る方法を提供せんとするものである。
すなわち本発明は、基板上にポリイミド・パターンを形
成する方法において。
成する方法において。
（１）基板上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する
。
。
Ｏ） パターン状の光を照射し、ついで現像する。
８０％のポリイミドのパターンに変換する。
の各工程からなることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法に関するものである。
ンの形成方法に関するものである。
本発明で用いらハる感光性ポリイミド前駆体とは、感光
性基を化学結合を介して結合したか、あるいは感光性化
合物を混合したポリイミド前駆体である。
性基を化学結合を介して結合したか、あるいは感光性化
合物を混合したポリイミド前駆体である。
化学結合を介してポリイミド前駆体に結合される感光性
基としては、光により二重化又は重合可能な炭素−炭素
二重結合を有する基が最も代表的で、ビニル基、アクリ
ル基、メタクリル基、アリル基、メタリル基を有する基
が好例として挙げられる。これらの感光性基はエステル
結合、アミド結合、イミド結合などを介してポリイミド
前駆体と結合することが出来る。エステル結合を介して
感光性基を導入する方法は１周知の方法たとえば米国特
許３．９５７．５１２ に示されている方法などが適用
できる。
基としては、光により二重化又は重合可能な炭素−炭素
二重結合を有する基が最も代表的で、ビニル基、アクリ
ル基、メタクリル基、アリル基、メタリル基を有する基
が好例として挙げられる。これらの感光性基はエステル
結合、アミド結合、イミド結合などを介してポリイミド
前駆体と結合することが出来る。エステル結合を介して
感光性基を導入する方法は１周知の方法たとえば米国特
許３．９５７．５１２ に示されている方法などが適用
できる。
混合することによりポリイミド前駆体を感光化しうる感
光性化合物として９重クロム酸塩、キノンジアジド、ビ
スアジド、ビニル基を有するアミン化合物、アジド基を
有するアミノ化合物などが例として挙げられる。具体的
な感光性ポリイミド前駆体の組成としては、たとえば特
公昭４９−１７３７４、特開昭５２−１３６１５などに
記載されているものを挙けることができる。ポリイミド
前駆体とビニル基、アンド基あるいはその他の感光基を
有するアミン化合物との混合物からなる感光性ポリイミ
ド前駆体がとくに女子ましい例として挙けられる。。
光性化合物として９重クロム酸塩、キノンジアジド、ビ
スアジド、ビニル基を有するアミン化合物、アジド基を
有するアミノ化合物などが例として挙げられる。具体的
な感光性ポリイミド前駆体の組成としては、たとえば特
公昭４９−１７３７４、特開昭５２−１３６１５などに
記載されているものを挙けることができる。ポリイミド
前駆体とビニル基、アンド基あるいはその他の感光基を
有するアミン化合物との混合物からなる感光性ポリイミ
ド前駆体がとくに女子ましい例として挙けられる。。
ポリイミド前駆体としては、ピロノリット酸無水物やベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などのテトラカル
ボン酸二無水物とジアミノジフェニルエーテル、ジアミ
ノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルメタン、ろ
、４．４’−）リアミノジフエナルエーテノシ、４，４
’ −ジアミノ−６−モツアミドージフエニルエーテル
などのジアミンからなるポリイミド前駆体が例として挙
けられるが。
ンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などのテトラカル
ボン酸二無水物とジアミノジフェニルエーテル、ジアミ
ノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルメタン、ろ
、４．４’−）リアミノジフエナルエーテノシ、４，４
’ −ジアミノ−６−モツアミドージフエニルエーテル
などのジアミンからなるポリイミド前駆体が例として挙
けられるが。
これらに限定されない。
本発明でいう基板とはポリイミド・パターンの被着体で
あり、その素材はとくに限定されない１、半導体素子の
場合、たとえば配線形成の終了した素子が基板として用
いられる。
あり、その素材はとくに限定されない１、半導体素子の
場合、たとえば配線形成の終了した素子が基板として用
いられる。
基板上への感光性ポリイミド膜の形成は公知の方法によ
ってよい。たとえばスピンナによる方法がａＩ例として
挙げられる。
ってよい。たとえばスピンナによる方法がａＩ例として
挙げられる。
パターン状の光を照射する方法としては、感光性ポリイ
ミド膜上にマスクを置き、光を照射する方法が１＋すと
して挙げられる。感光性ポリイミドの感光性の面から通
常、光としては紫外光が用いられる。
ミド膜上にマスクを置き、光を照射する方法が１＋すと
して挙げられる。感光性ポリイミドの感光性の面から通
常、光としては紫外光が用いられる。
現像は感光性ポリイミド膜の組成に応じた最適の現像液
で７１なうのが好ましい。通常、Ｎ−メチルピロリドン
、Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド。
で７１なうのが好ましい。通常、Ｎ−メチルピロリドン
、Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド。
Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミドなどのポリイミド前駆
体の溶媒か、あるいけこれらの溶媒とメタノール、エタ
ノール、その他のポリイミド前駆体の非溶媒との混合溶
媒が現像液として用いられる。
体の溶媒か、あるいけこれらの溶媒とメタノール、エタ
ノール、その他のポリイミド前駆体の非溶媒との混合溶
媒が現像液として用いられる。
ポリイミド前駆体パターンを加熱して部分的にポリイミ
ドへ変換するが、この場合のイミド化率は２０〜８０％
、さらに好ましくは３０〜７０％が望ましい。イミド化
率が２０％未満の場合はエツチング速度が速くコントロ
ールが困難である。４たイミド化率が８０チを越える場
合はエツチング速度が遅すぎ実用的でない。イミド化率
を２０〜８０％にするには用いたポリイミド前駆体の種
類等により適宜選定されるが通常、熱処理は９０゛（〜
１６０ｃで１０分〜１２０分行なわれル、。
ドへ変換するが、この場合のイミド化率は２０〜８０％
、さらに好ましくは３０〜７０％が望ましい。イミド化
率が２０％未満の場合はエツチング速度が速くコントロ
ールが困難である。４たイミド化率が８０チを越える場
合はエツチング速度が遅すぎ実用的でない。イミド化率
を２０〜８０％にするには用いたポリイミド前駆体の種
類等により適宜選定されるが通常、熱処理は９０゛（〜
１６０ｃで１０分〜１２０分行なわれル、。
本発明でいう有機アンモニウム化合物とハ、一般式。
（ここで、 Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，は、各々水素又は
炭素数５以下の炭化水素基で、該炭化水素は、水酸基あ
るいはその他の基で置換されていてもよい。
炭素数５以下の炭化水素基で、該炭化水素は、水酸基あ
るいはその他の基で置換されていてもよい。
又、 Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，がすべて水素の場合はア
ンモニア水を意味する） で表わされる化合物である。該有機アンモニウム化合物
の例として、アンモニア、テトラノチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエチルアンニウムヒドロキシド、テ
トラグロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルモ
ノヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシドなどが挙
げられるが、これらに限定されない。これらは通常０５
〜２０チ（つ水溶液あるいは有機溶剤／水溶液の形で用
いられる。斗た必要に応じてエチレンジアミンなどの一
アミン化合物またはエタノールアミンなどのアミ７）し
トロキシ化合物と混合して用いてもよい。１合、未露光
部の現像残膜のみならず、露光部の本来残（ｊすべき部
分もエツチングされるので、未露光部の現像残膜をエツ
チング除去するのに必要かつ十分な程麿にエツチングを
とどめるのが望ましげ十分である。エソチンク終了後２
通常水洗する。
ンモニア水を意味する） で表わされる化合物である。該有機アンモニウム化合物
の例として、アンモニア、テトラノチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエチルアンニウムヒドロキシド、テ
トラグロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルモ
ノヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシドなどが挙
げられるが、これらに限定されない。これらは通常０５
〜２０チ（つ水溶液あるいは有機溶剤／水溶液の形で用
いられる。斗た必要に応じてエチレンジアミンなどの一
アミン化合物またはエタノールアミンなどのアミ７）し
トロキシ化合物と混合して用いてもよい。１合、未露光
部の現像残膜のみならず、露光部の本来残（ｊすべき部
分もエツチングされるので、未露光部の現像残膜をエツ
チング除去するのに必要かつ十分な程麿にエツチングを
とどめるのが望ましげ十分である。エソチンク終了後２
通常水洗する。
さらに必要て応じて酢酸等の有機酸の水溶液で処理する
。この処理の後通常は８０％を越えるイミド化率のポリ
イミドパターンに変換するのが好ましい。イミド化率８
０％を越えるポリイミドパターンへの変換は２００ ’
ｃ〜４００Ｃで熱処理することにより行なわれる。熱処
理時間は５分〜５０分位でよい。熱処理は単一温度でイ
１なってもよいし１段階的に、あるいは連続的に＋１温
しながら行なってもよい。
。この処理の後通常は８０％を越えるイミド化率のポリ
イミドパターンに変換するのが好ましい。イミド化率８
０％を越えるポリイミドパターンへの変換は２００ ’
ｃ〜４００Ｃで熱処理することにより行なわれる。熱処
理時間は５分〜５０分位でよい。熱処理は単一温度でイ
１なってもよいし１段階的に、あるいは連続的に＋１温
しながら行なってもよい。
本発明の方法、すなわち現像して得た感光性ポリイミド
前駆体のパターンをイミド化−４；２０〜８０係になる
ように熱処理することによりエツチング処理が容易にな
り、未露光部に残存する現像残膜を有機アンモニウム化
合物の希釈溶液で容易に除去することが可能で、残膜に
起因する導通不良の問題を解消しうる。１だ１０μＬ′
ノ上の厚い感光性ポリイミド前、駆体膜の場合、従来法
では現像時に残存部の断面形状が逆テーパになり易い。
前駆体のパターンをイミド化−４；２０〜８０係になる
ように熱処理することによりエツチング処理が容易にな
り、未露光部に残存する現像残膜を有機アンモニウム化
合物の希釈溶液で容易に除去することが可能で、残膜に
起因する導通不良の問題を解消しうる。１だ１０μＬ′
ノ上の厚い感光性ポリイミド前、駆体膜の場合、従来法
では現像時に残存部の断面形状が逆テーパになり易い。
この場合本発明の方法を適用することにより逆テーパを
正のテーパに修正することも可能である。
正のテーパに修正することも可能である。
なお本発明におけるイミド化＝Ｉの…す定り法は次の通
りである。
りである。
（１） 感光性ポリイミド前駆体溶液を／リコーンウエ
ハーにスピンナーで塗布し、８０゛ｃ、６Ｏｆ）乾燥す
る。基板からフイルノ・をはかす。このサンプルをＡと
する。
ハーにスピンナーで塗布し、８０゛ｃ、６Ｏｆ）乾燥す
る。基板からフイルノ・をはかす。このサンプルをＡと
する。
（２） サンｆｙｂ Ａを１３５’ｃ、２００°ｃ、３
００ｃ、４００℃各６０分段階的に熱処理する・このす
／プルをＢとする。
００ｃ、４００℃各６０分段階的に熱処理する・このす
／プルをＢとする。
（３） サンプルＡ、Ｂを日立製作所赤外分光光度計Ｅ
ＰＩ−０３１で赤外スペクトルを測定する。
ＰＩ−０３１で赤外スペクトルを測定する。
（４） イミド化率測定試料（Ｓ）は基板からフィルム
をはがし、、＋３１項と同様赤外スペクトルを測定する
。
をはがし、、＋３１項と同様赤外スペクトルを測定する
。
（５） サンプルＡ、Ｂおよび測定試料（Ｓ）の赤外ス
ペクトラムの１９００ｃｍ と６３０ ｃｍ を直線で
結ぶ・この直線をＬとする。
ペクトラムの１９００ｃｍ と６３０ ｃｍ を直線で
結ぶ・この直線をＬとする。
（６） イミド化率（％）を次式で定義する。
サンプルＢのＤ−サンプルＡのＤ
ふふで Ｄ−Ｄ／Ｄ
を示す。
実施例１〜５．比較実施例１〜ろ
４．４’−ジアミノジフェニルエーテル２０．０ ｇ
（。
（。
１００ｃｃのＮ−メチル−２−ピロリドンおよび１００
ｃｃのメチルセロソルブに溶解し、室温（約１８゛Ｃ）
で攪拌しながら、ペンゾフエノンテトシカルボン酸二無
水物３２２ｇを粉体で仕込み、室温でろ０分攪拌を続け
る。さらに、５５’Ｃで２時間攪拌を続けて、５０ポア
ズ（３０’ｃ ）の溶液をえた。
ｃｃのメチルセロソルブに溶解し、室温（約１８゛Ｃ）
で攪拌しながら、ペンゾフエノンテトシカルボン酸二無
水物３２２ｇを粉体で仕込み、室温でろ０分攪拌を続け
る。さらに、５５’Ｃで２時間攪拌を続けて、５０ポア
ズ（３０’ｃ ）の溶液をえた。
この溶液に、ジメチルアミノエチルツタクリレート３１
４８およびミヒラーズ・ケトンＤ、 ９４ ｇｆ ８５
ｇ ｃ７） Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解した
溶液を添加・混合することにより、感光性ポリイミド前
駆体の溶液をえた。
４８およびミヒラーズ・ケトンＤ、 ９４ ｇｆ ８５
ｇ ｃ７） Ｎ−メチル−２−ピロリドンに溶解した
溶液を添加・混合することにより、感光性ポリイミド前
駆体の溶液をえた。
えられた感光性ポリイミド前駆体の溶液をスピンナでク
ロムを蒸着したシリコーンウエノ・上に塗布し、８０℃
で６０分乾燥することにより、２０μの感光性ポリイミ
ド前駆体の塗膜をえた。塗膜ノ上シζマスクを重ね、ウ
シオ電機■製ＵＶ−２７Ｑ（２５０Ｗ）紫外線露光器で
１０秒露光し、Ｎ。
ロムを蒸着したシリコーンウエノ・上に塗布し、８０℃
で６０分乾燥することにより、２０μの感光性ポリイミ
ド前駆体の塗膜をえた。塗膜ノ上シζマスクを重ね、ウ
シオ電機■製ＵＶ−２７Ｑ（２５０Ｗ）紫外線露光器で
１０秒露光し、Ｎ。
Ｎ′−ジメチルアセトアミドとメタノールの１：１（つ
混合液で９０秒スプレー現像を行ない、ポリイミド前躯
体パターンヲエタ。
混合液で９０秒スプレー現像を行ない、ポリイミド前躯
体パターンヲエタ。
ポリイミド前駆体パターンを表−１の条件で熱処理し部
分的にイミド化したポリイミド・パターンに転換した（
但し、比較実施例２は熱処理せず）。
分的にイミド化したポリイミド・パターンに転換した（
但し、比較実施例２は熱処理せず）。
露光部には１５μの膜が形成されていた。未露光部は９
本来、基板のクロムが露出しているべきであるにもかか
わらず、約０５μの薄い現像残膜が残っていた。またパ
ターンの断面形状を観察したところ逆テーパの形状を有
していた。この試料を表−１に記載のエツチング剤で処
理後、５分間流水中で水洗し、１０％の酢酸水溶液に５
分間浸漬した。次に５分間水洗し、スピンナーで回転し
ながら乾燥した。次に１５０ ’Ｃｘ ３０分、３θ［
〕’ｃ ｘろ０分、４００°ＣＸ３０分窒素雰囲気中で
熱処理後、クロムを蒸看バターニングし、スルホール部
を介して上部配線と下部配線の電導性を調べた。この結
果を表−１に示す。
本来、基板のクロムが露出しているべきであるにもかか
わらず、約０５μの薄い現像残膜が残っていた。またパ
ターンの断面形状を観察したところ逆テーパの形状を有
していた。この試料を表−１に記載のエツチング剤で処
理後、５分間流水中で水洗し、１０％の酢酸水溶液に５
分間浸漬した。次に５分間水洗し、スピンナーで回転し
ながら乾燥した。次に１５０ ’Ｃｘ ３０分、３θ［
〕’ｃ ｘろ０分、４００°ＣＸ３０分窒素雰囲気中で
熱処理後、クロムを蒸看バターニングし、スルホール部
を介して上部配線と下部配線の電導性を調べた。この結
果を表−１に示す。
イミド化率１０係では導通は良好であるが、膜厚の減少
が大きく、１だイミド化率９５係では６０分の処理時間
でも残膜が残り導通イ・良となった。
が大きく、１だイミド化率９５係では６０分の処理時間
でも残膜が残り導通イ・良となった。
イミド化率２０〜８０婆ともエツチング後の膜厚減少も
小さく、かつパターンの断面形状も逆テーパから正のテ
ーパになっており電導性も良好であった。
小さく、かつパターンの断面形状も逆テーパから正のテ
ーパになっており電導性も良好であった。
Claims (1)
- （１） 基板上にポリイミド・パターンを形成する方法
において。 （１）基板上に感光性ポリイミド前駆体の膜を形成する
。 （−） パターン状の光を照射し、ついで現像する。 （ｂｉ） 現像して得たポリイミド前駆体のパターンを
加熱することによりイミド化率２０〜８０チのポリイミ
ドのパターンに変換する。 （ＩＶ） 得られたポリイミド・パターンを有機アンモ
ニウム化合物でエツチング処理する。 の各工程からなることを特徴とするポリイミド・パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314084A JPS60246653A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10314084A JPS60246653A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246653A true JPS60246653A (ja) | 1985-12-06 |
| JPH0423829B2 JPH0423829B2 (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=14346217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10314084A Granted JPS60246653A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216545A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スル−ホ−ル形成方法 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP10314084A patent/JPS60246653A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216545A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スル−ホ−ル形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0423829B2 (ja) | 1992-04-23 |
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