JPH02126974A - ポリイミド積層膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ポリイミド積層膜の製造方法に関するもので
あり、ざらに詳しくは多層配線構成体等の層間絶縁膜や
保護膜などに好適に使用されるポリイミド系樹脂図に関
するものでおる。

［従来の技術］ ポリイミド系樹脂を絶縁膜として用いた配線構成体とし
ては、ＬＳＩの多層配線構成体（例えば特公昭５１−４
１５５４号公報）ヤＣＵ−ポリイミド多層配線構成体く
例えば「日経エレクトロニクス」１４５〜１５８頁、１
９８４年８月２７日号）が知られている。また、低線膨
張率ポリイミドを絶縁膜に用いた多層配線構成体（例え
ば、特開昭６０−１４３６４９号公報）も知られている
。

ＬＳＩの多層配線構成体の場合、加工工程の高い熱処理
温度（例えば、へ〇、配線間のシンタリングの４５０℃
に耐える必要がおり、耐熱性の非常に高いポリイミドを
用いる必要がある。また、ＣＵ−ポリイミド多層配線構
成体の場合、配線に流れる電流が大きく、配線層間の絶
縁を確保するのに、１層当り数十μｍの膜厚が必要なケ
ースが多い。ざらにこのような場合は、基板とポリイミ
ドの熱線膨張率の差による残留応力を軽減するため、低
熱線膨張率ポリイミドの使用が不可欠である。

しかし、これらの非常に耐熱性の高いポリイミドや低熱
線膨張率のポリイミドは、通常、ガラス転移点がないた
め、下地との接着性が悪く、信頼性が悪いという問題が
あった。特に、湿熱処理（例えば、１２１°Ｃ１飽和ス
チーム下で行なう、プレッシャークツカーテスト）する
と、著しく信頼性が低下する。

かかる問題に対し、本発明者らは先に上記絶縁膜がガラ
ス転移点を有するポリイミドとガラス転移点を有しない
ポリイミドからなる積層膜を用いることを提案（特願昭
６１−２７３８６９号）した。

［発明が解決しようとする課題］ ポリアミド酸と溶剤からなるポリアミド酸ワニスを基板
上に塗布し、熱処理を行ない数＋μｍ厚のポリイミド膜
を１ｑる場合、通常ポリアミド酸ワニスは、固形分濃度
を高くすると急激に溶液粘度が上昇するため、１回塗布
するのみで厚膜を形成することは困難でおる。従ってま
ず１層目を塗布した後、２００　℃以上に加熱しイミド
化率を上げたうえで、２層目を塗イ［する。従来はこの
工程を何回かくり返し所望の膜厚のものを得るという方
法を取らざるを得なかった。また、異なった種類のボｌ
、Ｊアミド酸からなる積層膜を形成する場合も同様であ
り、１層目を塗布し２００℃以上に加熱し、イミド化・
率を上げたうえで、異種のポリアミド酸ワニスを塗布す
る。この工程をくり返すことで積層膜を形成していた。

ところが２００℃以上の高温加熱を行なう場合、溶媒蒸
発や残留応用などの問題から段階的に昇温する必要があ
り、非常に繁雑な加熱工程を１層形成するたびごとにく
り返さねばならないという問題があった。

またこのような厚膜や積層膜を、剥離工程の容易なポリ
型フォトレジストを用いてパターン加工する場合、−ｆ
ｆ４ごとに位置合せをしながら加工しなければならず、
工程数が増し、コスト高になるという問題があった。

本発明は、かかる従来技術の諸欠点に鑑み創案されたも
ので、その目的は、簡単なプロセスでポリイミド積層膜
を形成し、しかも−層ごとに位置合せ不要なパターン加
工方法を提供せんとするものである。

［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に少なくとも２層以上の
ポリイミド膜を積層するに際し、次の（Ａ）〜（Ｃ）の
工程を有することを特徴とするポリイミド積層膜の製造
方法により達成される。

（Ａ＞基板上にポリアミド酸と溶剤とアミン化合物とか
ら主としてなるポリアミド酸ワニスを１ｍした後、５０
℃〜１５０℃で熱処理して第１層目のポリアミド酸皮膜
を形成する工程、 （Ｂ）該第１層目のポリアミド酸皮膜上に、上記ポリア
ミド酸ワニスと同種または異種のポリアミド酸ワニスを
塗布した）変、５０℃〜１５０℃で熱処理してポリアミ
ド酸皮膜を形成する工程を少なくとも１回以上くり返し
て、ポリアミド酸積層膜を形成する工程、 （Ｃ）該ポリアミド酸積層膜を２００　℃〜４５０℃の
範囲で加熱してポリイミド積層膜に変換する工程。

すなわち、本発明の方法によれば、ポリアミド酸と溶剤
からなるポリアミド酸ワニスにアミン化合物を添加する
ことにより、ポリアミド酸皮膜状態での重ね塗りが可能
となり、簡略化されたプロセスでポリアミド酸積層膜を
形成することができる。

以下順を追って本発明の詳細な説明する。

本発明におけるポリアミド酸とは、一般式（Ｌ）（ただ
し、式中Ｒ１は３価または４価の有機基、Ｒ２は２価の
有機基、ｍは１または２である。）で表わされるもので
あり、加熱あるいは適当な触媒によりイミド環や、その
他の環状構造を有するポリマ（以後、ポリイミド系ポリ
マと呼ぶ）となり得るものでおる。

上記一般式（Ｉ）中、Ｒ１は２個以上の炭素原子を有す
る３価または４価の有機基である。ポリイミド系ポリマ
の耐熱性の面から、Ｒ１はポリマ主鎖のカルボニル基と
の結合が芳香族環あるいは芳香族複素環から直接行なわ
れる構造を有するものが好ましい。したがって、Ｒ１と
しては、芳香族または芳香族複素環を含有し、かつ炭素
数６〜３０の３価または４価の基が好ましい。

Ｒ１のより好ましい具体例としては、 ○ （式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合を
表わし、カルボキシル基は結合手に対してオルト位に位
置するが、この結合手は上記構造式には記載していない
）。

などが挙げられるが、これらに限定されない。

また一般式（Ｉ）の構造単位を有するポリマは、Ｒ１が
これらのうちただ１種から構成されていてもよいし、２
種以上から構成された共重合体であってもよい。

Ｒ１として特に望ましいものは、 である（ただし式中、結合手の定義については前述と同
様である）。

上記構造単位（Ｉ＞中、Ｒ２は少なくとも２個以上の炭
素原子を有する２価の有感基でおるが、ポリイミド系ポ
リマとした時の耐熱性の面から、ポリマ主鎖のアミド基
との結合が芳香族環あるいは芳香族複素環から直接行な
われる構造を有するものが好ましい。したがって、Ｒ２
としては、芳香族または芳香族複素環を含有し、かつ炭
素数６〜３０の２価の基が好ましい。

Ｒ２のより好ましい具体例としては、 （式中、結合手は主鎖のアミド基との結合を表わす）な
どが挙げられる。また、これらが、ポリイミド系ポリマ
の耐熱性に悪影響を与えない範囲内でアミン基、アミド
基、カルボキシル基、スルホンアミド基なとの核置換基
を有していても差し支えない。これらの核置換基を有す
るものの中で特に好ましい例としては、 が挙げられる。

一般式（Ｉ）の構造単位を有するポリマは、Ｒ２がこれ
らのうちただ１種から梠成されていてもよいし、２種以
上から溝成される共重合体であってもよい。　ざらに、
ポリイミド系ポリマの接着性を向上させるために、耐熱
性を低下させない範囲でＲ２として、シロキサン構造を
有する脂肪族性の基を共重合させることも可能でおる。

好ましい具体例としては、 などが挙げられる。

一般式（Ｉ）の構造単位を主成分とするポリマの具体例
としては、 ピロメリット酸二無水物と４，４−−ジアミノジフェニ
ルエーテル、 ピロメリット酸二無水物および３．３−４゜４−−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と４，４′−ジア
ミノジフェニルエーテル、３．３′、４．４＝−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物と４．４−一ジアミ
ノジフェニルエーテル、 ３．３＝、４．４＝−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、 ３．３”、４．４＝−ビフェニルテトラカルボンフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物と４，４−ジアミノジフェ
ニルエーテル、 ピロメリット酸二無水物と３，３−−ジアミノジフェニ
ルスルホン、 ピロメリット酸二無水物と３．３”、４．４′ーベンゾ
フエノンテトラカルポン酸二無水物と３。

３′（又は４．４＝−）ジアミノジフェニルスルホン、 ３、３”、４．４−一ペンゾフエノンテトラカルボン酸
二無水物と３．３１又は４．４−一）ジアミノジフェニ
ルスルホン、 ３、３”、４．４−−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と３．３−（又は４．４′−）ジアミノジフェニル
スルホン、 ３、３”’，４．４ーービフェニルテトラカルボン酸二
無水物および３．３−、４．４”−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物と３，３−（又は４．４−−）ジ
アミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸二無水物と
４，４′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 ピロメリット酸二無水物および３，３，４。

４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と４，
４′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 ３、３＝，４．４”−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物と４，４−−ジアミノジフェニルエーテルおよ
びビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン、 ３、３′，４．４−−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と４，４−−ジアミノジフェニルエーテルおよびビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、 ３、３′，４．４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物および３．３′，４．４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物と４，４′ジアミノジフエニルエー
テルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサン、ピロメリット酸二無水物および３．３′−
（又は４．４−−）ジアミノジフェニルスルホンおよび
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
、 ピロメリット酸二無水物および３．３”、４。

４′−へンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物と３．
３−−（又は４．４−−）ジアミノジフェニルスルホン
およびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロ
キサン、 ３、３−、４．４”−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物と３．３−−（又は４．４−−）ジアミノジフ
ェニルスルホンおよびビス（３−アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン、３．３−．４．４−−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物と３．３′−（又は４．４
−−）ジアミノジフェニルスルホンおよびビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、３．３”、
４．４−−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物および
３．３−．４．４−−ベンゾフェノンテトラカルポン酸
二無水物と３，３′（又は４．４＝−）ジアミノジフェ
ニルスルホンおよびビス（３−アミノプロピル）テトラ
メチルジシロキサン、 ３．３”、４．４”−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と１．３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン
、 ３．３＝、４．４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と４．４”−（又は３．３′−）ジアミノジフェニ
ルメタン、 ３．３−．４．４−−ビフェニルテトラカルボンキシ）
ベンゼンおよび３．３”’，４．４”−ジアミノジフェ
ニルスルホン、 ３、３＝，４．４”−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と４．４−−（又は３．３−−）ジアミノジフェニ
ルメタンおよび３．３−　　４．４−ジアミノジフェニ
ルスルホン、 などから合成されたポリアミド酸が好ましく用いられる
。

本発明に用いられる溶剤としては、ポリアミド酸の溶解
性の面から主として極性溶媒が好ましい。

具体的な例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ
メチルアセトアミドおよびジメチルホルムアミドなどが
好ましく用いられる。

また塗布特性を改良するために、上記良溶媒の一部を炭
化水素やエーテル、エステル、高級アルコール、ケトン
類などと置き換えてもよい。

本発明の方法において、ポリアミド酸ワニスにアミン化
合物を添加する。かかる目的のために使用するアミン化
合物としては、炭素数１〜２０の直鎖または分岐状アル
キル基からなるジアルキルアミンおよびトリアルキルア
ミンが好ましく、トリアルキルアミンの使用が特に好ま
しい。ここでアルキル基は同一のものであっても、異な
るものであってもよく、アルキル鎖中に炭素−炭素二重
結合を含むものでおってもよい。アルキル基の水素原子
の１個または２個が一〇Ｈ基、−０ＣＨ３、−ＣＯ２　
Ｈｓ基、ＲＣＯ２−　（Ｒは低級アルキル基）　、ＣＨ
２＝ＣＨ−ＣＯ２−基、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３　）ＣＯ２
−基、ＲＣＯ−基（Ｒは低級アルキル基）などで置換さ
れたアミン化合物も好ましく使用可能である。またアル
キル基の一部または全部が芳香族炭化水素基で置換され
たアミン化合物も好ましく使用できる。２個以上のアミ
ノ基がアルキル鎖を介して結合したポリアミン化合物で
、アミノ基に結合したアルキル基の構造が上記のものに
該当するものも、好ましく使用可能である。

このようなアミン化合物の具体例を以下に示すが、本発
明の方法はこれらの化合物に限定されるものではない。

トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリーｎ−プロ
ピルアミン、トリーｎ−ブチルアミン、メチルジエチル
アミン、ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ．Ｎ−ジ−
ｎ−ブチル−２−エチルヘキシルアミン、Ｎ−メチルジ
アリルアミン、３−ジメチルアミツブロバノール、Ｎ−
イソブチルジェタノールアミン、ジメチル−３−ジメト
キシプロピルアミン、ジメチルアミノアセトアルデヒド
ジエチルアセタール、２−ジメチルアミノエチルアセテ
ート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチル
アミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアク
リレート、ジエチルアミノエチルメタアクリレート、Ｎ
，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニ
リン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ”、Ｎ′
−テトラメチル−１，２−ジアミノエタン、Ｎ．Ｎ，Ｎ
′Ｎ”−テトラアリル−１，４−ジアミノブタン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ”、Ｎ＝．Ｎ“−ペンタアリルジエチレントリア
ミン。

これらの化合物は単独でも使用可能であるが、２種以上
混合して使用してもよい。

アミン化合物の添加量は、ポリアミド酸のカルボキシル
基に対し０．１〜３．０倍当量が好ましく、０．３〜１
．５倍当量がより好ましい。下限の量未満では添加効果
が十分に表われず重ね塗りが不可能となる。また上限の
足を越えて添加した場合、添加効果の面で改善される所
がないのみならず、ポリアミド酸ワニスの保存安定性か
悪くなる。

次に本発明によるポリイミド積層膜の製造方法について
説明する。

まず先に述べたポリアミド酸と溶剤とアミン化合物を混
合してポリアミド酸ワニスを作製する。

次に、このポリアミド酸ワニスをガラスやシリコン等の
基板上にロールコータ、スピンナー等を用いて所定厚さ
に塗布する。次いで通風オーブン等を用いて乾燥を行な
う。乾燥温度は５０℃〜１５０℃が好ましく、７０℃〜
１２０℃がより好ましい。５０℃未満では乾燥時間が長
く生産効率が悪くなる。また１５０″Ｃを越える場合は
イミド化反応が進行してしまい、ポジ型フォトレジスト
によるパターン加工が困難になる。　以上の工程で第１
層目のポリアミド酸皮膜を形成する。続いて第１層目の
ポリアミド酸皮膜の上に上記のものと同種または異種の
ポリアミド酸ワニスを前記と同様に塗布し、乾燥するこ
とにより第２層目のポリアミド酸皮膜を形成する。以後
必要に応じて同様の工程をくり返して所望のポリアミド
酸積層膜が形成する。

ここで同種のポリアミド酸ワニスとは、ポリアミド酸、
溶剤およびアミン化合物の三つの主成分中、ポリアミド
酸の溝道が同じものを表わし、溶剤およびアミン化合物
の溝道は、同じであっても異なったものでもよい。また
異種のポリアミド酸ワニスとは、ポリアミド酸の構造が
異なっているものであり、溶剤およびアミン化合物の構
造は同じであっても異なったものでもよい。また積層膜
の最上層はアミン化合物を含有するポリアミド酸ワニス
でおってもよいし、アミン化合物を含有していないポリ
アミド酸ワニスであってもよい。

次いで上記ポリアミド酸積層膜を２００　℃〜４５０℃
の範囲で段階的に昇温させてポリイミド積層膜に変換す
る。

またパターン加工が必要な場合は、上記ポリアミド酸積
層膜上に、通常の半導体加工に用いられるアルカリ現像
型のポジ型フォトレジスト、例えば東京応化（株）製“
０ＦＰＲ８００”、シブレイ・ファーイースト（株）製
“マイクロポジット″８１４００−３１、ヘキスト・ジ
ャパン（株）製′“ＡＺ−１３５０”などを塗布し、所
望のマスクを用い、高圧水銀灯等で露光した後、該ポジ
型フォトレジストをアルカリ現像液を用いて現像後、該
アルカリ現像液を用いて同時にポリアミド酸積層膜をエ
ツチングする。ここで使用可能なアルカリ現像液の一例
として、東京応化（株）製“’ＮＭＤ−３”、シブレイ
・ファーイースト（株）製゛デベロッパー”ＭＦ３１２
等が挙げられる。

続いてケトン系やエステル系の有機溶剤、例えばアセト
ン、酢酸ｎ−ブチル等を用いて該ポジ型フォトレジスト
層を剥離する。剥離後、パターン加工した積層膜を２０
０℃〜４５０℃の範囲で段階的に昇温加熱してポリイミ
ド積層膜に変換する。

また本発明においては、上記ポジ型フォトレジストの代
りに感光性ポリイミドコーティング剤を塗布し、パター
ン加工することも可能である。この場合は積層膜の最上
層にもアミン化合物を含有したポリアミド酸皮膜を用い
なければならない。

本発明において用いられる感光性ポリイミドコーティン
グ剤とはポリイミドまたはポリイミド前駆体に感光基を
導入、あるいは感光性化合物を混合し、紫外線、遠紫外
線、可視光線などの光に対する感応性を付与したものを
いい、公知の各種の感光性ポリイミドコーティング剤が
使用しうる。

ただしポリイミド前駆体とは熱処理によりポリイミドを
与えるものである。

感光基とは、光により二組化または重合して、ポリイミ
ドまたはポリイミド前駆体のポリマの間に架橋を生ずる
もの、あるいは光によって生じるラジカル、イオンなど
の活性体が前記ポリマの間に架橋を生ずるもの、さらに
また光によって生じる活性体が前記ポリマと反応して前
記ポリマの溶解性を変えるもの、などをいう。感光性化
合物は感光基を含む化合物をいう。

感光基の例として、炭素−炭素二重結合、アジド基、キ
ノンジアジド基が挙げられる。感光性化合物の例として
、重クロム酸塩、ビスアジド化合物、ナフトキノンジア
ジド化合物、アミン基を有するビニル化合物などが挙げ
られる。

特に好ましい例としては、東しく株）製感光性ポリイミ
ドコーティング剤“フォトニース″が挙げられる。また
゛フォトニース゛′を用いてパターン加工する場合、ポ
ジ型フォトレジストの場合と同様、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン系の現像液、例えば東しく株）製現像液ＤＶ−
５０５を用いることにより、感光性ポリイミドコーティ
ング剤層の現像と同時にポリアミド酸積層膜をエツチン
グすることができる。

［作用］ 以上述ぺたようにポリアミド酸と溶媒とアミン化合物と
から主としてなるポリアミド酸ワニスは、低温の乾燥処
理のみで多層塗りが可能となる。またこのようにして作
製した積層膜は、アルカリ溶液等に溶解可能でおるため
、ポジ型フォトレジストや感光性ポリイミドコーティン
グ剤を用いて容易にパターン加工できる。

［発明の効果］ この発明は、上述のごとく構成したので、低温熱処理プ
ロセスでポリイミド積層膜を簡単かつ確実に形成できる
。従って厚膜塗布や各層ごとに物性の異なったポリアミ
ド酸を用いて多くの要求特性を満足する絶縁膜や保護膜
を容易に得ることができる。また本発明で得られるポリ
アミド酸積層膜はポジ型フォトレジストを使用しアルカ
リ溶液等で簡単にパターン加工できるため、−層ごとに
位置合せを行ないパターン加工する必要がなく、高歩留
りの加工が可能になる。

［実施例］ 以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが本発
明はこれらに限定されない。

実施例１ Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰという）溶媒
８１８．６Ｃ］を三ツロ２Ｑフラスコに秤取した。これ
に４，４−ジアミノジフェニルエーテル（以下４．４−
−ＤＡＥという＞８００を５０′Ｃで溶媒を攪拌しなが
ら加えて溶解させた。４゜４−−ＤＡＦが完全に溶解し
た処で、３．３−。

４．４−−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下
ＢＰＤＡという＞１１５．２ｇを少しずつ添加し、反応
させた。５０℃で４時間反応させ、得られたワニスを東
京計器（株）製Ｅ、型粘度計で粘度を測定したところ３
０ポイズ／３０℃であった。

このポリアミド酸溶液１０００にアミン化合物として２
〜ジメヂルアミノエチルアセテート１０゜ＯＣ＋を添加
し、ポリアミド酸ワニス（Ａ＞を作製した。

次に４．４′−ＤＡＥｌｌｏＱと無ホピロメリット１１
２０Ｑとジメチルアセトアミド９００Ｑを用いて、同様
な操作にて、３５ポイズ／３０℃のポリアミド酸溶液を
作製した。このポリアミド酸溶液１００ＣＩにアミン化
合物としてトリエチルアミン７．５０を添加して、ポリ
アミド酸ワニス（Ｂ）を作製した。

ざらにＢＰＤＡ１４４．２Ｃｌと３，３′−ジアミノジ
フェニルスルホン１２４．２Ｃ１とＮＭＰｌｌｏｏＱか
ら、同様な操作で１７ボイス／３０℃のポリアミド酸溶
液を作製し、このポリアミド酸溶液１００Ｑにアミン化
合物としてトリーｎ−プロピルアミン８．０ｇを加えて
、ポリアミド酸ワニス（Ｃ）を作製した。

次にシリコーンウェハ上に上記ポリアミド酸（Ａ）をス
ピンナーを用いて３０００ｒｐｍで３０秒間回転塗布し
た後、通風オーブンを用いて８０℃で３０分乾燥を行な
った。続いてポリアミド１！２（８＞を同様な条件で塗
イ「、乾燥を行なった後、さらにポリアミド酸（Ｃ）を
同様な条件で塗布、乾燥し、（Ａ＞層、（Ｂ）層および
（Ｃ）層からなるポリアミド酸積層膜を得た後、この積
層膜を１５０℃６０分、３００　℃で６０分加熱して合
計の厚さが１２．５μｍのポリイミド積層膜を得た。

実施例２ 実施例１で１ｑだポリアミド酸積層膜に、シブレイ・フ
ァーイースト（株）製ポジ型フｔトレジスト“マイクロ
ポジット”３１４００−３１をスピンナーを用いて２０
０Ｏｒｐｍで６０秒間回転塗布した俊、８０℃で３０分
乾燥し、厚さ２．５μｍのレジスト層を形成した。続い
てキャノン（株）製“マスクアライナ−”ＰＬＡ−５０
１Ｆを用いて７秒間マスク露光を行なった後、同じくシ
ブレイ・ファーイースト（株）製アルカリ現像液“デイ
ベロツバ−”ＭＦ３１２と蒸溜水の１＝１（体積比）混
合液からなる現像液を用いて該レジスト層の現像と該ポ
リアミド酸積層膜のエツチングを同時に行なった後、酸
Ｉｎ−ブチルを用いて該レジスト層の剥離を行なった。

続いて実施例１と同様な熱処理を行ないパターン加工さ
れたポリイミド積層膜を得た。

実施例３ 実施例２のポジ型フォトレジストの代わりに東しく株）
製感光性ポリイミドコーティング剤“フォトニース”Ｕ
Ｒ３１００をスピンナーを用いて２００Ｏｒｐｍで３０
秒回転塗布した後、通風オーブンを用いて８０℃で６０
分乾燥した。この時の膜厚は５．３μｍであった。続い
て前記ＰＬＡ−５０１−Ｆ露光機を用いて１０秒間露光
した後、現像液として前記ＤＶ−５０５を用いて現像と
同時にエツチングを行なった。次にそのまま実施例１と
同様な加熱処理を行ない、４層からなる厚さ約１５．５
μｍのパターン加工されたポリイミド積層膜を得た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基板上に少なくとも２層以上のポリイミド膜を積層
   するに際し、次の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を有することを
   特徴とするポリイミド積層膜の製造方法。 （Ａ）基板上にポリアミド酸と溶剤とアミン化合物とか
   ら主としてなるポリアミド酸ワニスを塗布した後、５０
   ℃〜１５０℃で乾燥して第１層目のポリアミド酸皮膜を
   形成する工程、 （Ｂ）該第１層目のポリアミド酸皮膜上に、上記ポリア
   ミド酸ワニスと同種または異種のポリアミド酸ワニスを
   塗布した後、５０℃〜１５０℃で乾燥してポリアミド酸
   皮膜を形成する工程を少なくとも１回以上くり返して、
   ポリアミド酸積層膜を形成する工程、 （Ｃ）該ポリアミド酸積層膜を２００℃〜４５０℃の範
   囲で加熱してポリイミド積層膜に変換する工程。 ２　ポリアミド酸積層膜をポジ型フォトレジストを用い
   てパターン加工した後、２００℃〜４５０℃の範囲で加
   熱することを特徴とする請求項１記載のポリイミド積層
   膜の製造方法。 ３　ポジ型フォトレジストが感光性ポリイミドコーティ
   ング剤であることを特徴とする請求項２記載のポリイミ
   ド積層膜の製造方法。