JPS60231486A - 単結晶育成用原料製造法 - Google Patents

単結晶育成用原料製造法

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JPS60231486A
JPS60231486A JP8546984A JP8546984A JPS60231486A JP S60231486 A JPS60231486 A JP S60231486A JP 8546984 A JP8546984 A JP 8546984A JP 8546984 A JP8546984 A JP 8546984A JP S60231486 A JPS60231486 A JP S60231486A
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JP
Japan
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raw material
single crystal
crystal
purity
crystals
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Application number
JP8546984A
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English (en)
Inventor
Masanao Kunugi
正尚 功刀
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Publication of JPS60231486A publication Critical patent/JPS60231486A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 大発明は原料と17で9999%以上のアルミナ(A4
0.l及びベリリア(BJIOlを用い、ざらに主原料
と同様に9999係以上の着色剤を使用して原料f調製
し、ブローティングゾーン法により単結晶を育成するた
めの原料製造法である。
〔従来技術〕
従来、融液からの結晶成長、%1でフローティンダゾー
ン法c以下FZ法)Kよる結晶成長に関する特許は新し
い結晶の合成法に関するものと装置に関するものがほと
んどであり、結晶の品質に関するものはほとんどなく、
こわらの方法で育成した結晶には多数の欠陥が存在し、
特に宝石とじて用いる人工結晶に%−いては欠陥の中の
1つである仮泊は5本来の光の反射、屈折をざまたげ、
宝石として重要な透明度、テリを減少させ、宝石として
内価値を減少−せる大きな原因とな−ている、〔目的〕 本発明はエソ上の問題点全解決するもので、その目的と
するところは、FZ法によって育DYする、アルミナと
ベリリアを原料として、着合剤として酸化第ニクロム、
酸化ニリケル、酸化第二鉄、酸化チタンなど用いたコラ
ンダム結晶やアレ千サンドライト結晶などにおいてその
結晶中に気泡がないものを合成するための原料を製造す
る方法を提供することにあ机 〔概要〕 本発明は融液から単結晶を育成する方法において、コラ
ンダム結晶、γレキサンドライト結晶などの原料となる
アルミナとベリリアと着色剤となる酸化第ニクロム、酸
化ニッケル、7酸イに第二鉄、酸化チタンなどの純度が
99.994以上のものを使用す7りことを特徴とする
本発明における純度は99.99 ’1以上でなければ
ならず、こり、JA、下の純度のものでは、不純物とし
て食中わているBi、Nσ19Mσ、・K、CO2など
が、原料棒の焼結の時点で不均一な粒成長を生じ略せ、
粒子間に頌孔を孤立烙せる。この符な状態の原料棒を単
結晶育成用の原料とすると、融液の中に気泡が残り、こ
れらり泡は該不純物を核として結晶内に取り込まれる。
したかつて該不純物による気泡を除くためKは、原料と
着色剤の純度が99.991以上が望ましい。
本9発明における原料はFZ法による単結晶育成に用い
るものである。コランダム結晶の場合、アルミナを主原
料とし、着色剤として、ルビーは酸化第ニクロム、パバ
ラチアは酸化第ニクロムと酸化ニッケル、ブルーサファ
イヤは酸化第二鉄と酸化チタンを加え、アルミナ乳鉢の
中でよく混合する。アルミナ乳鉢服外のものけ使用しな
い。該混合粉末を蒸留水でよく洗浄したラバーチューブ
に詰め、密封して、ラバープレスによって丸棒状に加圧
成型する。濾らに該成型体を電気炉で焼結しFZ法によ
る単結晶合成用の原料とするが、上述の原料と着合剤を
用い、−原料棒作製工程をすべてドラフト内で行い、使
用する器具を蒸留水で洗浄しtものをイ申用することに
よ−て、勿泡のない結晶を合成することができる、 アレ半サンドライト結晶の場合も同様に子連の原料であ
る9 9.994以上のアルミナとベリリアを用い、着
色剤として9999%以上の酸化第ニクロムと酸化第二
鉄を加え、コランダム結晶の場合と同様に原料棒に焼結
してFZ法による単結晶合成用の原料とすると、側泡の
ない哨晶が合成できる。
本発明vchける9999%以上のアルミナとベリリア
原料を甲しへて長き10朋、直径8朋〜1Qmmの丸棒
状に成形したコラン〃゛ム、アレキ田ンドライト結晶の
原料@ ?−F Z装置(赤外線加熱単結晶製造装置)
の上部シャフトに吊るし、下部シャフトK種子結晶を設
置して加熱を行ない、原料上種子の間に溶融体を形成し
7て、この両方を同時に一足の連間で下方に移動ζせて
種子結晶上に結晶を育成させる。この時の下方への移動
連関つまり成長速げが2.0111%/H以上では結晶
の中にり泡が含まれてしまい、2. OW*/)1未満
が望ま1い。
〔実施例1〕 9999係以上のα−アルミナAO’jf什学天びんで
正確に秤量にアルミナ乳鉢に入りる、ざらに9999係
以上の酸化第二クロj−を5tt+を係加え、ダイフロ
ンを加女てよ〈摺合する。乾燥移、該混合物20gを蒸
留水でよく洗浄し、た内径10間のゴムチューブに詰め
、密封して、ラバープレスにて1t o ?+、/cm
 2の圧力で約15分間成形した。づらに該成形原料P
を白金線でアルミナ管の中(で吊るし、ヒーターからの
汚染を防止して、箱型電気炉を用いて、1700°C−
20時間焼結を行なった。上記操作により得られた外径
8朋、長濾約70朋の焼、桔棒を赤外線集中加熱方式に
よるFZ装fの上部シャフトに固足し、種子結晶ゲ下部
シャフトに固定し石英ガラス管によって原料と種子を外
側と隔離しその中に雰囲気として空包を流jまた。そし
て加熱を行ない、原料と種子の間に溶融部分を形成して
原料と秤量を同時に一定の速度で下方へ移動させて結晶
の育成を行な−た。以下にルビー単結晶の育成条件を示
す。
成長速度: 1.0m+7H 上部シャフト回転数:45r7>rn。
下部シャフト回転数:15y”ptrL種子:コランダ
′ム単結晶 雰囲気:空気流t 40幼i、 育成時間:20時間 上記方法で育成した結晶は長さ40龍、径8.0餞の丸
棒状で、全体に均一に着色しており10倍の顕微鏡にお
いても気泡が観察されない良質のルビー単結晶であった
〔実施例2〕 実施例1と同様な9999チ以上のα−アルミナ23゜
1gと9999係以上のベリリγ5.67ffフルミナ
乳鉢中に入れ、ざらに着色剤よして99.994以上の
酸化第ニクロム014gと99.9996以上の酸化第
二鉄1. o 91i f入れ、以下実施例1と同様な
方法により焼結原料棒を作り、実施例1と同様な育成条
件により、アレキサンドライト単結晶の育成を行なった
−ヒ轡e方法で育成した結晶は長濾40闘、径80絹の
丸棒状で、全体に均−lて着色1−ており10倍のWI
J微侍Vcおいても気泡が観察メhない廁質のアレキサ
ンドラ()結晶でおりた。
〔効果〕
以上述べたように本発明によれば、融液からの単結晶育
成において、主原料であるアルミナとベリリアの純咥が
99.994以上のものを使用し、ざらに着色剤である
酸化第ニクロム、酸化ニッケル酸化第二鉄、酸化チタン
の純度も9999%以上のものを使用することによって
、原料に特別な処理をすることなぐ、アルミナの種類に
関係なく、FZ法によ−て、成長速# 2. Omm/
H未満により結晶を育成すると、10倍の顕微鏡におい
ても気泡が観察づhない結晶ができた、これは人工宝石
用の結晶としては充分であり、今後、1を子材料用結晶
の合成に名犬の効果を有するものである。
以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 融液から単結晶を育成する方法において、−ヒ
    記、@敲の原料粉末の純度が9999チ以−ヒのものを
    使用することを特徴と干る午精晶育成用原料製造法、
  2. (2) 原料粉末がアルミナ(A12o3) 71zび
    イIJ リア(BgO)である特許請求の範囲第1:l
    Jmlc記載の□□□結晶育成用原料製造法。
  3. (3) 原料粉末に肺気る着色剤の純度が9999チ以
    上のものを使用する特許請求の範囲第1項に記載の単結
    晶育成用原料製造法。
  4. (4)着色剤が酸化第ニクロム(Or203 )、酸化
    二・ノケ# (N?:O)、酸化第二鉄(7g203)
     −M化チタン(TiO2)などである特許請求のわ、
    間第1項に記載の単結晶育成用原料製造法。
  5. (5) 原t[製造法が赤外1gN集光式フローティン
    グゾーン法による単結晶育成用のものであり、結晶の成
    長速庁が2.0 Mm/H未満で育成を行なうことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載の単結晶育成用原
    料#遺失。
JP8546984A 1984-04-27 1984-04-27 単結晶育成用原料製造法 Pending JPS60231486A (ja)

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