JPS60231485A - 単結晶育成用原料製造法 - Google Patents
単結晶育成用原料製造法Info
- Publication number
- JPS60231485A JPS60231485A JP8546784A JP8546784A JPS60231485A JP S60231485 A JPS60231485 A JP S60231485A JP 8546784 A JP8546784 A JP 8546784A JP 8546784 A JP8546784 A JP 8546784A JP S60231485 A JPS60231485 A JP S60231485A
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- JP
- Japan
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- raw material
- crystal
- single crystal
- growing
- crystals
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は原料としてα−アルミナを用い、フローティン
グゾーン#[より単結晶を育成するための原料製造法で
ある。
グゾーン#[より単結晶を育成するための原料製造法で
ある。
従来、フロ”−ティングゾーン法(以′″F’FZ法)
による特許は新し7い結晶の育liV法に関するものが
11とんとであり、結晶の品質に関するものはほとんど
なく、こhI−1の方法で′r+成し7だ結晶には多数
の欠陥が存在[2、特に、宝石として用(ハる人工結晶
においては欠陥の中の1つでぶ右側泡は、本来の光の反
射、屈折f−Jまたげ、宝石として重要な透明叶、テリ
を減少源せ、宝石と1.ての価値を減少ζせる大きな原
因となっている。
による特許は新し7い結晶の育liV法に関するものが
11とんとであり、結晶の品質に関するものはほとんど
なく、こhI−1の方法で′r+成し7だ結晶には多数
の欠陥が存在[2、特に、宝石として用(ハる人工結晶
においては欠陥の中の1つでぶ右側泡は、本来の光の反
射、屈折f−Jまたげ、宝石として重要な透明叶、テリ
を減少源せ、宝石と1.ての価値を減少ζせる大きな原
因となっている。
本発明は以−ヒの間順点をff1決するもので、その目
的とするところは、FZ法によ−て育成する、コランダ
ム結晶及びアレキサンドライト結晶の中る方法を提供す
ることにある。
的とするところは、FZ法によ−て育成する、コランダ
ム結晶及びアレキサンドライト結晶の中る方法を提供す
ることにある。
本発明は融液から単結晶を育成する方法において、コラ
ンダム結晶及びアレキサンドライト結晶の原料粉末であ
るアルミナの種類をα−アルミナとし、これを800℃
〜1500℃の高温で処理することを特徴とする。
ンダム結晶及びアレキサンドライト結晶の原料粉末であ
るアルミナの種類をα−アルミナとし、これを800℃
〜1500℃の高温で処理することを特徴とする。
本発明に用いるアルミナけα−アルミナであるが橡囲気
は駆足ざhるものではない。本発明における処理温叩け
800℃〜1500’C;の範囲が最適で、800℃以
下では吸着ガスの解離及び脱離が超微にくく効果が少な
い。1500℃以上では2次粒子が形成され1粒径が大
きくなり、焼結性が低下するため上述の範囲が望ましい
。
は駆足ざhるものではない。本発明における処理温叩け
800℃〜1500’C;の範囲が最適で、800℃以
下では吸着ガスの解離及び脱離が超微にくく効果が少な
い。1500℃以上では2次粒子が形成され1粒径が大
きくなり、焼結性が低下するため上述の範囲が望ましい
。
本発明における処理原料はFZ法による単結晶育成に用
いるものである。コランダム結晶の場合アルミナを主原
料と17、着色剤としてルヒーは酸化クロム、パパラチ
アは酸化クロムと酸化ニッケル、ブルーサファイヤは酸
化鉄と酸化チタンを加え、丸棒状に焼結して原料とする
が、上述の処理原料を用いろことによって、こわら着色
剤の種類及びtK影響なく、便泡のない結晶を合成する
ことができる。
いるものである。コランダム結晶の場合アルミナを主原
料と17、着色剤としてルヒーは酸化クロム、パパラチ
アは酸化クロムと酸化ニッケル、ブルーサファイヤは酸
化鉄と酸化チタンを加え、丸棒状に焼結して原料とする
が、上述の処理原料を用いろことによって、こわら着色
剤の種類及びtK影響なく、便泡のない結晶を合成する
ことができる。
アレキサンドライト結晶の場合も同41KI−述’7)
処理原料であるアルミナを用い、着色剤として、酸化ク
ロムと酸化鉄を加え、原料棒にrjν形したものを用い
てFZ法によって結晶を育成すると、着色剤の肴に影響
なく、頌泡のない結晶が合成できる、 本発明における原料は一ヒ述の着色剤を加え、よく混合
してゴムチューブに詰め、ラバープレス全行tcい、そ
の後外気炉で焼結して長ζ10朋、直径8朋〜10w+
*の棒状に成形する。そしてこの原料棒をFZ装置(赤
外線加熱単結晶!R造装置)の上部シャフトに吊ろ12
、下部シャフトに種子結晶を設置して加熱を行ない、原
料と種子の間に溶融体を形成12て、この両方を同時に
一足の速明で下方(CsIIiI′lツせて種子結晶上
に結晶を育成略せる。
処理原料であるアルミナを用い、着色剤として、酸化ク
ロムと酸化鉄を加え、原料棒にrjν形したものを用い
てFZ法によって結晶を育成すると、着色剤の肴に影響
なく、頌泡のない結晶が合成できる、 本発明における原料は一ヒ述の着色剤を加え、よく混合
してゴムチューブに詰め、ラバープレス全行tcい、そ
の後外気炉で焼結して長ζ10朋、直径8朋〜10w+
*の棒状に成形する。そしてこの原料棒をFZ装置(赤
外線加熱単結晶!R造装置)の上部シャフトに吊ろ12
、下部シャフトに種子結晶を設置して加熱を行ない、原
料と種子の間に溶融体を形成12て、この両方を同時に
一足の速明で下方(CsIIiI′lツせて種子結晶上
に結晶を育成略せる。
この時の下方への移動速塵つ歩り成長速度が30*yn
/)(以上では結晶の中に韻泡が含まれてしまい、ろ0
呵VH未満が望咋しい。
/)(以上では結晶の中に韻泡が含まれてしまい、ろ0
呵VH未満が望咋しい。
〔実施例1〕
試薬特級(純度999憾匂ヒ)のd−アルミナ40gを
白金るつ11′に入れ、空缶中で温rtv 1soo°
Cで2時間処理した原料に3v・tOtの酸化クロムを
加え、乳鉢中で〃′イフロンを加えてよく混合する8乾
燥後、該混合物20gを内径10岨のゴムチューブニ詰
メ、一端を密封してラバープレスにて1 in?l71
n2の圧力で約15分間5y形lまた、烙らに該hν影
原料棒を雷ケ炉で1700℃−20時間焼vi分行な−
た、該焼結原料棒を用いてFZ装置により、ルヒー単結
晶を育成した。育成条件を以下に示す。
白金るつ11′に入れ、空缶中で温rtv 1soo°
Cで2時間処理した原料に3v・tOtの酸化クロムを
加え、乳鉢中で〃′イフロンを加えてよく混合する8乾
燥後、該混合物20gを内径10岨のゴムチューブニ詰
メ、一端を密封してラバープレスにて1 in?l71
n2の圧力で約15分間5y形lまた、烙らに該hν影
原料棒を雷ケ炉で1700℃−20時間焼vi分行な−
た、該焼結原料棒を用いてFZ装置により、ルヒー単結
晶を育成した。育成条件を以下に示す。
成長速a : 2.0+nm/H
上部シャフト回転数:45r7+m
下部シャフト回転数:15rmy+
種子:コランダム単結晶
雰囲気:空気流N40t/mマ゛n
育成時間=20時間
上記方法で育成した結晶は長濾4Qvm、径8゜闘の丸
棒状で、全体に気泡のない良質のルビー単結晶でふった
。
棒状で、全体に気泡のない良質のルビー単結晶でふった
。
〔実施例2〕
試薬特級(純度999係以ト)′7′Nα−アルミナt
Ogを白金るつぼに入れ一空り中で温度900’Cで2
時間処理した原料K O,2?/17. ’Gの酸イヒ
クロムと04wt%の酸化ニッケルを加走、切下〔実施
例1〕と同様な方法により焼結原料nを作り、〔実施例
1〕と同様な育成条件により、ババラチア単結晶の育成
を行t(−たー 上記方法で育成した結晶は長をAOmm、径80闘の丸
棒状で、全体に気泡のない良質のババラテア単結晶であ
−た。
Ogを白金るつぼに入れ一空り中で温度900’Cで2
時間処理した原料K O,2?/17. ’Gの酸イヒ
クロムと04wt%の酸化ニッケルを加走、切下〔実施
例1〕と同様な方法により焼結原料nを作り、〔実施例
1〕と同様な育成条件により、ババラチア単結晶の育成
を行t(−たー 上記方法で育成した結晶は長をAOmm、径80闘の丸
棒状で、全体に気泡のない良質のババラテア単結晶であ
−た。
〔実施例3〕
〔実施例1〕と同様な方法で温度1200°Cで2時間
処理したα−アルミナ231gと試薬特級(純度99、
54以上)のベリリア5.679を乳鉢中に入れ、さら
に着色剤として酸イにクロム014gと酸イヒ鉄109
gを入ね、b+下〔実施例1〕と同様な方法により焼結
原料棒を作り、〔実施例1〕と同様な育成条件により、
アレキサンドライト単結晶の育成を行なった。
処理したα−アルミナ231gと試薬特級(純度99、
54以上)のベリリア5.679を乳鉢中に入れ、さら
に着色剤として酸イにクロム014gと酸イヒ鉄109
gを入ね、b+下〔実施例1〕と同様な方法により焼結
原料棒を作り、〔実施例1〕と同様な育成条件により、
アレキサンドライト単結晶の育成を行なった。
上記方法で育成した結晶は長烙40朋、径80朋の丸棒
状で、全体に気泡のな(ハ良質のアレキサンドライト単
結晶であった。
状で、全体に気泡のな(ハ良質のアレキサンドライト単
結晶であった。
以上述べたように本発明によれば、融液曝らの単結晶育
故において、コランダム結晶とアレキサンドライト結晶
の原料粉末であるアルミナをα−アルミナとし、こf′
Lを溝If’ 800℃〜1500°Cにお1ハて処理
中ることによって、着色剤の種類と晰に関係なく、FZ
法によって成長速W 3. Ow1m/H未満で育成し
たコランダム結晶とアレキサンドライト結晶にけ、側泡
がなく人工宝石用として、をらに1W子材料として品質
の向上、生産性の向りなどに4大の効果を鳴子るもので
ある。
故において、コランダム結晶とアレキサンドライト結晶
の原料粉末であるアルミナをα−アルミナとし、こf′
Lを溝If’ 800℃〜1500°Cにお1ハて処理
中ることによって、着色剤の種類と晰に関係なく、FZ
法によって成長速W 3. Ow1m/H未満で育成し
たコランダム結晶とアレキサンドライト結晶にけ、側泡
がなく人工宝石用として、をらに1W子材料として品質
の向上、生産性の向りなどに4大の効果を鳴子るもので
ある。
以 −ヒ
出願人 株式会社 諏訪4^“工合
Claims (4)
- (1) 融液から単結晶を育成する方法において、ヒ記
、融液の原料粉末を高温処理することを特徴とする単結
晶育成用原料製造法。 - (2) 前記原料粉末がα−At203であろ特許請求
の範囲第1UjK記載の単結晶育成用原料製造法。 - (3) 前記高温が800°C〜1500℃とする特許
請求の範囲第1項に記載の単結晶育成用原料製造法。 - (4) 前記原料製造法が赤外線集光式フローティング
ゾーン法による単結晶育成用のものであり、結晶の成長
速度が3.0 WI$H未満で育成を行なうことを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の単結晶育成用原料
製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8546784A JPS60231485A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 単結晶育成用原料製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8546784A JPS60231485A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 単結晶育成用原料製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60231485A true JPS60231485A (ja) | 1985-11-18 |
Family
ID=13859689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8546784A Pending JPS60231485A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 単結晶育成用原料製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60231485A (ja) |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8546784A patent/JPS60231485A/ja active Pending
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