JPS60231485A - 単結晶育成用原料製造法 - Google Patents
単結晶育成用原料製造法Info
- Publication number
- JPS60231485A JPS60231485A JP8546784A JP8546784A JPS60231485A JP S60231485 A JPS60231485 A JP S60231485A JP 8546784 A JP8546784 A JP 8546784A JP 8546784 A JP8546784 A JP 8546784A JP S60231485 A JPS60231485 A JP S60231485A
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- JP
- Japan
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- raw material
- crystal
- single crystal
- growing
- crystals
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は原料としてα−アルミナを用い、フローティン
グゾーン＃［より単結晶を育成するための原料製造法で
ある。
グゾーン＃［より単結晶を育成するための原料製造法で
ある。
従来、フロ”−ティングゾーン法（以′″Ｆ’ＦＺ法）
による特許は新し７い結晶の育ｌｉＶ法に関するものが
１１とんとであり、結晶の品質に関するものはほとんど
なく、こｈＩ−１の方法で′ｒ＋成し７だ結晶には多数
の欠陥が存在［２、特に、宝石として用（ハる人工結晶
においては欠陥の中の１つでぶ右側泡は、本来の光の反
射、屈折ｆ−Ｊまたげ、宝石として重要な透明叶、テリ
を減少源せ、宝石と１．ての価値を減少ζせる大きな原
因となっている。
による特許は新し７い結晶の育ｌｉＶ法に関するものが
１１とんとであり、結晶の品質に関するものはほとんど
なく、こｈＩ−１の方法で′ｒ＋成し７だ結晶には多数
の欠陥が存在［２、特に、宝石として用（ハる人工結晶
においては欠陥の中の１つでぶ右側泡は、本来の光の反
射、屈折ｆ−Ｊまたげ、宝石として重要な透明叶、テリ
を減少源せ、宝石と１．ての価値を減少ζせる大きな原
因となっている。
本発明は以−ヒの間順点をｆｆ１決するもので、その目
的とするところは、ＦＺ法によ−て育成する、コランダ
ム結晶及びアレキサンドライト結晶の中る方法を提供す
ることにある。
的とするところは、ＦＺ法によ−て育成する、コランダ
ム結晶及びアレキサンドライト結晶の中る方法を提供す
ることにある。
本発明は融液から単結晶を育成する方法において、コラ
ンダム結晶及びアレキサンドライト結晶の原料粉末であ
るアルミナの種類をα−アルミナとし、これを８００℃
〜１５００℃の高温で処理することを特徴とする。
ンダム結晶及びアレキサンドライト結晶の原料粉末であ
るアルミナの種類をα−アルミナとし、これを８００℃
〜１５００℃の高温で処理することを特徴とする。
本発明に用いるアルミナけα−アルミナであるが橡囲気
は駆足ざｈるものではない。本発明における処理温叩け
８００℃〜１５００’Ｃ；の範囲が最適で、８００℃以
下では吸着ガスの解離及び脱離が超微にくく効果が少な
い。１５００℃以上では２次粒子が形成され１粒径が大
きくなり、焼結性が低下するため上述の範囲が望ましい
。
は駆足ざｈるものではない。本発明における処理温叩け
８００℃〜１５００’Ｃ；の範囲が最適で、８００℃以
下では吸着ガスの解離及び脱離が超微にくく効果が少な
い。１５００℃以上では２次粒子が形成され１粒径が大
きくなり、焼結性が低下するため上述の範囲が望ましい
。
本発明における処理原料はＦＺ法による単結晶育成に用
いるものである。コランダム結晶の場合アルミナを主原
料と１７、着色剤としてルヒーは酸化クロム、パパラチ
アは酸化クロムと酸化ニッケル、ブルーサファイヤは酸
化鉄と酸化チタンを加え、丸棒状に焼結して原料とする
が、上述の処理原料を用いろことによって、こわら着色
剤の種類及びｔＫ影響なく、便泡のない結晶を合成する
ことができる。
いるものである。コランダム結晶の場合アルミナを主原
料と１７、着色剤としてルヒーは酸化クロム、パパラチ
アは酸化クロムと酸化ニッケル、ブルーサファイヤは酸
化鉄と酸化チタンを加え、丸棒状に焼結して原料とする
が、上述の処理原料を用いろことによって、こわら着色
剤の種類及びｔＫ影響なく、便泡のない結晶を合成する
ことができる。
アレキサンドライト結晶の場合も同４１ＫＩ−述’７）
処理原料であるアルミナを用い、着色剤として、酸化ク
ロムと酸化鉄を加え、原料棒にｒｊν形したものを用い
てＦＺ法によって結晶を育成すると、着色剤の肴に影響
なく、頌泡のない結晶が合成できる、 本発明における原料は一ヒ述の着色剤を加え、よく混合
してゴムチューブに詰め、ラバープレス全行ｔｃい、そ
の後外気炉で焼結して長ζ１０朋、直径８朋〜１０ｗ＋
＊の棒状に成形する。そしてこの原料棒をＦＺ装置（赤
外線加熱単結晶！Ｒ造装置）の上部シャフトに吊ろ１２
、下部シャフトに種子結晶を設置して加熱を行ない、原
料と種子の間に溶融体を形成１２て、この両方を同時に
一足の速明で下方（ＣｓＩＩｉＩ′ｌツせて種子結晶上
に結晶を育成略せる。
処理原料であるアルミナを用い、着色剤として、酸化ク
ロムと酸化鉄を加え、原料棒にｒｊν形したものを用い
てＦＺ法によって結晶を育成すると、着色剤の肴に影響
なく、頌泡のない結晶が合成できる、 本発明における原料は一ヒ述の着色剤を加え、よく混合
してゴムチューブに詰め、ラバープレス全行ｔｃい、そ
の後外気炉で焼結して長ζ１０朋、直径８朋〜１０ｗ＋
＊の棒状に成形する。そしてこの原料棒をＦＺ装置（赤
外線加熱単結晶！Ｒ造装置）の上部シャフトに吊ろ１２
、下部シャフトに種子結晶を設置して加熱を行ない、原
料と種子の間に溶融体を形成１２て、この両方を同時に
一足の速明で下方（ＣｓＩＩｉＩ′ｌツせて種子結晶上
に結晶を育成略せる。
この時の下方への移動速塵つ歩り成長速度が３０＊ｙｎ
／）（以上では結晶の中に韻泡が含まれてしまい、ろ０
呵ＶＨ未満が望咋しい。
／）（以上では結晶の中に韻泡が含まれてしまい、ろ０
呵ＶＨ未満が望咋しい。
〔実施例１〕
試薬特級（純度９９９憾匂ヒ）のｄ−アルミナ４０ｇを
白金るつ１１′に入れ、空缶中で温ｒｔｖ １ｓｏｏ°
Ｃで２時間処理した原料に３ｖ・ｔＯｔの酸化クロムを
加え、乳鉢中で〃′イフロンを加えてよく混合する８乾
燥後、該混合物２０ｇを内径１０岨のゴムチューブニ詰
メ、一端を密封してラバープレスにて１ ｉｎ？ｌ７１
ｎ２の圧力で約１５分間５ｙ形ｌまた、烙らに該ｈν影
原料棒を雷ケ炉で１７００℃−２０時間焼ｖｉ分行な−
た、該焼結原料棒を用いてＦＺ装置により、ルヒー単結
晶を育成した。育成条件を以下に示す。
白金るつ１１′に入れ、空缶中で温ｒｔｖ １ｓｏｏ°
Ｃで２時間処理した原料に３ｖ・ｔＯｔの酸化クロムを
加え、乳鉢中で〃′イフロンを加えてよく混合する８乾
燥後、該混合物２０ｇを内径１０岨のゴムチューブニ詰
メ、一端を密封してラバープレスにて１ ｉｎ？ｌ７１
ｎ２の圧力で約１５分間５ｙ形ｌまた、烙らに該ｈν影
原料棒を雷ケ炉で１７００℃−２０時間焼ｖｉ分行な−
た、該焼結原料棒を用いてＦＺ装置により、ルヒー単結
晶を育成した。育成条件を以下に示す。
成長速ａ ： ２．０＋ｎｍ／Ｈ
上部シャフト回転数：４５ｒ７＋ｍ
下部シャフト回転数：１５ｒｍｙ＋
種子：コランダム単結晶
雰囲気：空気流Ｎ４０ｔ／ｍマ゛ｎ
育成時間＝２０時間
上記方法で育成した結晶は長濾４Ｑｖｍ、径８゜闘の丸
棒状で、全体に気泡のない良質のルビー単結晶でふった
。
棒状で、全体に気泡のない良質のルビー単結晶でふった
。
〔実施例２〕
試薬特級（純度９９９係以ト）′７′Ｎα−アルミナｔ
Ｏｇを白金るつぼに入れ一空り中で温度９００’Ｃで２
時間処理した原料Ｋ Ｏ，２？／１７． ’Ｇの酸イヒ
クロムと０４ｗｔ％の酸化ニッケルを加走、切下〔実施
例１〕と同様な方法により焼結原料ｎを作り、〔実施例
１〕と同様な育成条件により、ババラチア単結晶の育成
を行ｔ（−たー 上記方法で育成した結晶は長をＡＯｍｍ、径８０闘の丸
棒状で、全体に気泡のない良質のババラテア単結晶であ
−た。
Ｏｇを白金るつぼに入れ一空り中で温度９００’Ｃで２
時間処理した原料Ｋ Ｏ，２？／１７． ’Ｇの酸イヒ
クロムと０４ｗｔ％の酸化ニッケルを加走、切下〔実施
例１〕と同様な方法により焼結原料ｎを作り、〔実施例
１〕と同様な育成条件により、ババラチア単結晶の育成
を行ｔ（−たー 上記方法で育成した結晶は長をＡＯｍｍ、径８０闘の丸
棒状で、全体に気泡のない良質のババラテア単結晶であ
−た。
〔実施例３〕
〔実施例１〕と同様な方法で温度１２００°Ｃで２時間
処理したα−アルミナ２３１ｇと試薬特級（純度９９、
５４以上）のベリリア５．６７９を乳鉢中に入れ、さら
に着色剤として酸イにクロム０１４ｇと酸イヒ鉄１０９
ｇを入ね、ｂ＋下〔実施例１〕と同様な方法により焼結
原料棒を作り、〔実施例１〕と同様な育成条件により、
アレキサンドライト単結晶の育成を行なった。
処理したα−アルミナ２３１ｇと試薬特級（純度９９、
５４以上）のベリリア５．６７９を乳鉢中に入れ、さら
に着色剤として酸イにクロム０１４ｇと酸イヒ鉄１０９
ｇを入ね、ｂ＋下〔実施例１〕と同様な方法により焼結
原料棒を作り、〔実施例１〕と同様な育成条件により、
アレキサンドライト単結晶の育成を行なった。
上記方法で育成した結晶は長烙４０朋、径８０朋の丸棒
状で、全体に気泡のな（ハ良質のアレキサンドライト単
結晶であった。
状で、全体に気泡のな（ハ良質のアレキサンドライト単
結晶であった。
以上述べたように本発明によれば、融液曝らの単結晶育
故において、コランダム結晶とアレキサンドライト結晶
の原料粉末であるアルミナをα−アルミナとし、こｆ′
Ｌを溝Ｉｆ’ ８００℃〜１５００°Ｃにお１ハて処理
中ることによって、着色剤の種類と晰に関係なく、ＦＺ
法によって成長速Ｗ ３． Ｏｗ１ｍ／Ｈ未満で育成し
たコランダム結晶とアレキサンドライト結晶にけ、側泡
がなく人工宝石用として、をらに１Ｗ子材料として品質
の向上、生産性の向りなどに４大の効果を鳴子るもので
ある。
故において、コランダム結晶とアレキサンドライト結晶
の原料粉末であるアルミナをα−アルミナとし、こｆ′
Ｌを溝Ｉｆ’ ８００℃〜１５００°Ｃにお１ハて処理
中ることによって、着色剤の種類と晰に関係なく、ＦＺ
法によって成長速Ｗ ３． Ｏｗ１ｍ／Ｈ未満で育成し
たコランダム結晶とアレキサンドライト結晶にけ、側泡
がなく人工宝石用として、をらに１Ｗ子材料として品質
の向上、生産性の向りなどに４大の効果を鳴子るもので
ある。
以 −ヒ
出願人 株式会社 諏訪４＾“工合
Claims (4)
- （１） 融液から単結晶を育成する方法において、ヒ記
、融液の原料粉末を高温処理することを特徴とする単結
晶育成用原料製造法。 - （２） 前記原料粉末がα−Ａｔ２０３であろ特許請求
の範囲第１ＵｊＫ記載の単結晶育成用原料製造法。 - （３） 前記高温が８００°Ｃ〜１５００℃とする特許
請求の範囲第１項に記載の単結晶育成用原料製造法。 - （４） 前記原料製造法が赤外線集光式フローティング
ゾーン法による単結晶育成用のものであり、結晶の成長
速度が３．０ ＷＩ＄Ｈ未満で育成を行なうことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の単結晶育成用原料
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8546784A JPS60231485A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 単結晶育成用原料製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8546784A JPS60231485A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 単結晶育成用原料製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231485A true JPS60231485A (ja) | 1985-11-18 |
Family
ID=13859689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8546784A Pending JPS60231485A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 単結晶育成用原料製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231485A (ja) |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8546784A patent/JPS60231485A/ja active Pending
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