JPS60226496A - Ｆ．ｚ．法によるジルコン単結晶製造法 - Google Patents

Ｆ．ｚ．法によるジルコン単結晶製造法

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Publication number
JPS60226496A
JPS60226496A JP59079141A JP7914184A JPS60226496A JP S60226496 A JPS60226496 A JP S60226496A JP 59079141 A JP59079141 A JP 59079141A JP 7914184 A JP7914184 A JP 7914184A JP S60226496 A JPS60226496 A JP S60226496A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
zircon
single crystal
crystal
mol
Prior art date
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Pending
Application number
JP59079141A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Saito
正敏 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS60226496A publication Critical patent/JPS60226496A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、Ｆ、ｚ、（７０−ティングゾーン）法による
ジルコン単結晶製造法に関する。
〔従来技術〕
従来は、単結晶ジルコン（ｚ　ｒ　ｓ　ｔ　ｏ４）を製
造したという報告はない。これは、酸化ジルコンの融点
が２７００℃と非常に高温の為である。
〔発明の目的〕
本発明は、単結晶ジルコンを低コストで容易に製造する
方法を提供することにある・ 〔発明の要約〕 本発明は、単結晶ジルコンをｙ、ｚ、法により製造する
方法である。Ｆ、Ｚ、法は、回転楕円体を反射鏡とし、
二つある焦点の内、一方にハロゲンランプを置き、他方
の焦点に原料並びに種結晶を置く。ハロゲンランプから
出た光が、原料及び種結晶のある焦点部分へ焦光され、
非点な高温部を形成し、原料及び種結晶が溶融される。
この融けた部分を移動し、固化させることにより、結晶
育成を行なう方法が、Ｆ、Ｚ、法である。本発明に於て
、原料棒は酸化ジルコン（ＺｒＯ，）、酸化シリコン夫
々１モルに酸化物を添加し、プレス成型後、焼結したも
のを用い、Ｆ、Ｚ、炉に種結晶と共に設置し、溶融後、
育成を行なう。以下、本発明の実施例を述べる。
〔実施例１〕 酸化ジルコン（ＺｒＯ２）　、酸化シリコン（ｓ　ｔ　
ｏ２）を各１モル、これに酸化鉄（Ｆｅ２０．）を００
０１〜０００５モル、酸化クロム（ａｒ２ｏｓ）を０．
００１〜０００５モル添加し、混合後、ラバープレスに
より成型した。これを１７００℃で１０〜１５時間焼結
後、Ｆ、Ｚ、炉に種結晶と共に設置し、育成を開始する
。成長速度０５〜１．５　ＷＩＮ　／　ｈｒ　％結晶径
１０〜１５鴎で黄色からうす緑色の欠陥のないジルコン
（ＺｒＳｉＯ，）単結晶が育成できた。
〔実施例２〕 実施例１と同様に、但し、添加する酸化物を酸化ネオジ
ウム０．００１〜０００５モルにし、育成を行なった。
結晶成長速度は１〜１．５　ｍｂ　／　ｈｒ　％結晶径
１０〜１５　ＭＭ・、　／　ｈｒでうす録の欠陥のない
ジルコン単結晶が育成できた。
〔実施例３〕 実施例１と同様にして、但し、添加物を金属クロムとし
、これを０．０００１〜０００８モル添加し、真空炉内
で焼結後、窒素雰囲気でジルコンの育成を行なった。結
晶成長速度１〜１．５　鵡／　ｈｒ、結晶径１０〜２０
〃・で、ピンクの欠陥のない単結晶が育成できた。
〔発明の効果〕
本発明の効果は、欠陥のないジルコン単結晶製造法を提
供することにあり、これにより低コストで容易にジルコ
ン単結晶の育成が可能となることである６ 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化ジルコン（ＺｒＯ７）、酸化シリコン（ＳｔＯ２）
    の粉末を各１モル、これに着色材として酸化クロム、酸
    化鉄、酸化ニッケル、酸化銅、酸化コバルト等の酸化物
    、又は金属粉を０００１〜００１モル、加え、成型後焼
    結したものを原料棒とし、Ｆ、Ｚ、法により、ジルコン
    単結晶の育成をすることを特徴とするｙ、ｚ、法による
    ジルコン単結晶製造法。
JP59079141A 1984-04-19 1984-04-19 Ｆ．ｚ．法によるジルコン単結晶製造法 Pending JPS60226496A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4742030A (en) * 1985-09-06 1988-05-03 Toray Industries, Inc. Sintered zirconia material and method for manufacturing the material
FR2662434A1 (fr) * 1990-05-25 1991-11-29 Pechiney Recherche Procede de fabrication de trichites de zircone par synthese hydrothermale.
KR100768688B1 (ko) 2006-04-05 2007-10-19 한국과학기술연구원 적포도주색 큐빅상 지르코니아 단결정의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4742030A (en) * 1985-09-06 1988-05-03 Toray Industries, Inc. Sintered zirconia material and method for manufacturing the material
FR2662434A1 (fr) * 1990-05-25 1991-11-29 Pechiney Recherche Procede de fabrication de trichites de zircone par synthese hydrothermale.
KR100768688B1 (ko) 2006-04-05 2007-10-19 한국과학기술연구원 적포도주색 큐빅상 지르코니아 단결정의 제조방법

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