JPS6177698A - Ｆｚ法によるブル−サフアイアの製造方法 - Google Patents

Ｆｚ法によるブル−サフアイアの製造方法

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Publication number
JPS6177698A
JPS6177698A JP59197471A JP19747184A JPS6177698A JP S6177698 A JPS6177698 A JP S6177698A JP 59197471 A JP59197471 A JP 59197471A JP 19747184 A JP19747184 A JP 19747184A JP S6177698 A JPS6177698 A JP S6177698A
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JP
Japan
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raw material
blue sapphire
oxide
sintering
furnace
Prior art date
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Pending
Application number
JP59197471A
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English (en)
Inventor
Katsumi Yoshihara
吉原　勝己
Toshiyuki Hirose
広瀬　敏幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Matsushima Kogyo KK
Original Assignee
Matsushima Kogyo KK
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Publication date
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Publication of JPS6177698A publication Critical patent/JPS6177698A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はブルーサファイアの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来のブルーサファイアの製造はベルヌイ法忙より醗水
素炎中忙酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化鉄の粉末
を落下溶融して直下にある種結晶釦降り積らせることに
より合成するのが一般的であう几。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし前述の従来技術では。
１）色が外周部のみ着色し中心部にはほとんど着色しな
い。
２）気泡算内部包有物がある。
という問題点を持ってい友。そこで本発明はこの様な問
題点を解決するもので、その目的は。
１）色が外周部から中心部まで均一に着色される。
２）気泡等の包有物がない。
高品質なブルーサファイアと安価に製造できる方法を提
供することにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明のグルーサファイアの製造方法は、基本組成とし
て酸化アルミニウムと添加物として酸化チタン、酸化鉄
の添加量が各々０．５７尻係〜５ｗｔ’Ａからなる原料
粉末を用い、原料棒焼結方法としてＦｚ炉を使”ＩＦＺ
法により合成することを特徴とする。
〔実施例〕
各々２　ｗｔ％となろ様秤量した酸化チタン、酸化鉄と
酸化アルミニウムを混合し風セン等のゴムチューブＶＣ
詰め静水圧１０００　Ｋ１７ｃｍ２で成形した原料棒を
ＦＺ炉にセットし、ＣＯガス流量１ｔ／％、　　温度１
９００℃となる様忙ランプパワーをコントロールシタ中
ｔ　５　ｗｓｙ’Ｈのスピードで先端よりパスづせて焼
結する。
１０Ｈ後得られ之長ざ５Ｑｎ＋、外径１０謂の焼結原料
棒を再度セ−，）干る。原料棒直下（はベルヌイルビー
を種子結晶としてセットするハロゲンランプのパワーを
原料棒、種子結晶相方の先端が溶けるまで、徐々だ上げ
る。更に相方先端が溶けた所で原料棒を静かに降下はせ
相方を融着させる。
融着した所で５鳩翔のスピードで結晶育成ζせた。
その結果１０時間（６）俊忙長ざ５０＋ｎ、外径９ＷＲ
の結晶を得た。この結晶をヨウ化メチレン液中に浸漬し
顕微俯で観察するととも忙結晶を輪切りとして径方向の
着色状況を観察した。観察の結果は結晶中の気泡等包有
物は認められずまた中心部の色抜けもなく均一な着色で
あう念。
尚、本発明で使用するガスは環元性ガスであれば良いが
％忙ＣＯガスＨ２ガスが望ましい。
〔効果〕
以上述べた様忙本発明によれば、１８００℃以上の高温
でかつ環元雰囲気中で高密度忙焼結棒を使用することに
より、ＦＺ法で作られるブルーサファイアは気泡等の包
有物がなく、外周部から中心部まで均一に着色されたも
のが得られる。
以　　上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）基本組成として酸化アルミニウムと添加物として酸
    化チタン、酸化鉄の添加量が０．５ｗｔ％〜５ｗｔ％か
    らなる原料粉末を用い、原料棒焼結方法としてＦＺ炉を
    使用することを特徴とするＦＺ法によるブルーサファイ
    アの製造方法。 ２）原料棒焼結方法として環元性ガス雰囲気中で行うこ
    とを特徴とする特許請求範囲第１項記載のＦＺ法による
    ブルーサファイアの製造方法。
JP59197471A 1984-09-20 1984-09-20 Ｆｚ法によるブル−サフアイアの製造方法 Pending JPS6177698A (ja)

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