JPS61209993A - パパラチアサフアイアの製造方法 - Google Patents

パパラチアサフアイアの製造方法

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Publication number
JPS61209993A
JPS61209993A JP4875585A JP4875585A JPS61209993A JP S61209993 A JPS61209993 A JP S61209993A JP 4875585 A JP4875585 A JP 4875585A JP 4875585 A JP4875585 A JP 4875585A JP S61209993 A JPS61209993 A JP S61209993A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
treating
oxide
floating zone
al2o3
Prior art date
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Pending
Application number
JP4875585A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Yoshihara
吉原　勝己
Toshiyuki Hirose
広瀬　敏幸
Hiromi Ueda
上田　廣実
Hiroshi Motegi
浩 茂手木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Matsushima Kogyo KK
Original Assignee
Matsushima Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushima Kogyo KK filed Critical Matsushima Kogyo KK
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Publication of JPS61209993A publication Critical patent/JPS61209993A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集光フローティングゾーン法によるパパラチア
サフアイアの製造方法に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、集光フローティングゾーン法によるパパラチ
アサフアイアの製造方法において基本組成が有機アルミ
ニウムを加水分解および熱処理し得られた酸化アルミニ
ウムと、添加物として有機化合物を熱処理することによ
って得られた酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等より
２種を選定しその添加量が０．５　ｗｔ％〜８　ｗｔ％
添加した焼結原料　　棒を用いることによって、パパラ
チアサフアイアの品質・生産比を大巾に向上させるもの
である。
〔従来の技術〕
従来のパパラチアサフアイアの製造は集光フローティン
グゾーン法により、酸化アルミニウムに添加物として酸
化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等を加えた焼結原料棒
を使用し合成するのが一般的であった。
〔発明が解決しようとする問題点および目的〕しかし、
前述の技術では１合成スピードを速くすることにより気
泡等内部包有物が発生し、１〜２　ｍ　／　７１が合成
スピードの限界であり生産性が悪かった。そこで本発明
はこの様な問題点を解決するもので、その目的は２合成
スピードを速くしても気泡等の包有物がなく高品質なパ
パラチアサフアイアを安価に製造できる方法を提供する
ことにある。
〔問題を解決するための手段〕
本発明のパパラチアサフアイアは、基本組成として有機
アルミニウムを加水分解および熱処理し得られた酸化ア
ルミニウムと添加物として有機化合物を熱処理すること
によって得られた酸化クロム酸化ニッケル、酸化鉄等よ
り２種を選定しその添加量が０．５ｗｔ％〜８　ｗｔ％
からなる焼結原料棒を用い集光フローティングゾーン法
により合成することを特徴とする。
〔実施例〕
いづれも、有機化合物の熱処理によって得られた酸ｆヒ
フロム、酸化ニッケル、酸化鉄等より２種を選定し各々
１　ｗｔ％となる様に秤量した添加物と有機アルミニウ
ムを加水分解し１０００℃以上で熱処理して得られた酸
化アルミニウムを混合し、ゴムチューブに詰め、静水圧
で成形した物’ｔ１５００℃で焼結し焼結原料棒を得る
。この焼結原料棒をハロゲンランプ集中加熱炉にセット
し５種結晶としてベルヌイ製のルビーをセットした後ハ
ロゲンランプにより各々を加熱溶融し融着させたのち、
結晶ｔ−５ｗ　／　Ｈのスピードで成長させた。その結
果１０時間後に長さ５０ｕ、外径１２＆Ｉα結晶を得た
。この結晶をヨウ化メチレン液に浸漬し顕微鏡で観察し
た結果、結晶中には気泡・インクルージヨンの包有物は
認められなかった。
〔発明の効果〕
以上述べた様に本発明によれば、有機アルミニウムを加
水分解および熱処理し得られた酸化アルミニウムと、添
加物として有機化合物を熱処理することによって得られ
た酸化クロム、酸化ニッケル酸化鉄等より２種を選定し
、その添加量が０．５ｗｔ％〜８ｗｔチ　からなる焼結
原料棒を用め集光フローティングゾーン法により合成す
ることにより、従来の方法に比べ合成スピードを速くし
ても、包有物等がなめ高品質な結晶が得られ生産性向上
への効果が大きめ。
以上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基本組成として有機アルミニウムを加水分解およ
    び熱処理し得られた酸化アルミニウムと、添加物として
    有機化合物を熱処理することによって得られた酸化クロ
    ム、酸化ニッケル、酸化鉄等より２種を選定しその添加
    量が０．５ｗｔ％〜３ｗｔ％からなる焼結原料棒を用い
    集光フローティングゾーン法により合成することを特徴
    とする集光フローティングゾーン法によるパパラチアサ
    フアイアの製造方法。
  2. （２）酸化アルミニウム製造方法として有機アルミニウ
    ムに塩酸水溶液を加えよくなじませた後一昼夜自然放置
    し１０００℃以上で熱処理することによって酸化アルミ
    ニウムを得ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の集光フローティングゾーン法によるパパラチアサフ
    アイアの製造方法。
  3. （３）酸化クロム、酸化ニッケルおよび酸化鉄等の製造
    方法として、有機化合物を７００℃〜９００℃で熱処理
    することによって得ることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項または第２項に記載の集光フローティングゾーン
    法によるパパラチアサフアイアの製造方法。
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