JPS5935097A - スタ−コランダムの製造方法 - Google Patents

スタ−コランダムの製造方法

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JPS5935097A
JPS5935097A JP57145941A JP14594182A JPS5935097A JP S5935097 A JPS5935097 A JP S5935097A JP 57145941 A JP57145941 A JP 57145941A JP 14594182 A JP14594182 A JP 14594182A JP S5935097 A JPS5935097 A JP S5935097A
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JP
Japan
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corundum
star
titanium oxide
tio2
powder
Prior art date
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Pending
Application number
JP57145941A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Miyasaka
均 宮坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Publication of JPS5935097A publication Critical patent/JPS5935097A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/22Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/20Aluminium oxides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 コランダムの色は、添加する発色剤により異なる。例え
ば酸化クロムを添加すればルビーとなり、酸化チタンと
歳化第2鉄を添加すればブルーサファイアとなる。これ
らコランダムの原料に酸化チタンを添加して、従来のF
Z法やベルヌーイ法により結晶を合成するとスターコラ
ンダムの原石が得られる。これをアニールすることによ
り、0軸方向にカボッションに研摩すると0軸を中心と
して互いに60°の角度で放射状に線が表われ、これが
スター状に見える。しかし、従来の集光FZ法やベル又
−イ法により合成されたスターコランダムは、透明性や
、スターの明瞭さにおいて、天然のものに比べかなり劣
る。
これは、酸化アルミニウム中に酸化チタンが均一に固溶
しないためである。このため、本発明はあらかじめ酸化
アルミニウムー酸化チタン固溶体を作製し、その粉末を
酸化クロム等の発色剤と混合し原料粉末にすることにし
た。これによりコランダム中に酸化チ、タンを均一に固
溶することができた。以下発色剤として酸化クロムを用
いた場合すなわちスタールビーの合成について述べる。
原料とする酸化アルミニウムー酸化チタン固溶体は、イ
リジウムルツボに所望の酸化アルミニウムと酸化チタン
を入れ、窒素又はアルゴン雰囲気で2100°Cで加熱
溶融し急冷固化させることにより得られる。このとき、
酸化チタンの量が全量に対して0.1W%〜0.5W%
とする。これは、0、1 W%より少ない場合は、スタ
ーフランダムを合成したとき、スターが明瞭に出ない。
0.5 W%より多い場合、合成時に偏析を起こすため
不適である。上記で得られた酸化アルミニウムー酸化チ
タン固溶体粉末にルビーになるように酸化クロム粉末を
添加する。これを十分混合し、ゴムチューブに詰め、こ
れをラバープレス法により円柱状の棒に成形する。この
棒を1200°C〜1600°Cで電気炉中で焼結する
。このとき1200℃以下では焼結が不十分であり16
00℃以上では焼結度に差がない。これを原料とし、種
子結晶にコランダムの結晶又は、焼結体を用いて公知の
集光FZ法により合成を行なう。次に合成されたルビー
を1100℃〜1600℃で12時間〜30時間電気炉
中でアニールする。このとき1100℃より低い温度又
は1600℃より高い温度では酸化チタン(ルチル)の
針状結晶の析出が起らないため不適である。また110
0℃というような低温ではアニールする時間を長くする
必要があり、1600℃のような高温ではアニール時間
は短かくて良い。このため最適アニール時間は12時間
〜60時間である。またアニーリングした後熱ひすみ等
によるクラックの発生を防ぐため毎分5℃〜毎分10℃
で徐冷を行なう必要がある。
また、スターサファイアの場合は上記の酸化クロムの代
りに酸化チタン、酸化第2鉄を添加すれば良い。
以上より、本発明は天然と遜色違わないスターコランダ
ムを安価に一般に提供することを可能とした。また本発
明の効果をよりはっきりさせるため〈実施例〉を以下に
示す。
〈実施例1〉 O原料棒作製方法 酸化アルミニウム999tと酸化チタン0.11をアル
ミナ乳ばちに取り、十分混合する。これをイリジウムル
ツボに入れ、窒素雰囲気中で高周波加熱により溶融し、
急冷固化させた。これを粉砕し粉末とした。この粉末を
2Orと酸化クロム0.61をアルミナ乳ばちで十分混
合する。これをゴムチー−プに詰め、チューブ内の空気
抜きを行なう。次にラバープレス法により3000kf
/cnの圧力でプレスし12胴φX100m(t)の棒
とした。これを1600℃で4時間電気炉中で焼結し原
料棒とした。
O育成方法 エチデン機械製赤外線集中加熱単結晶製造装置を用いて
下記の条件で行なう。
種子結晶     ホワイトサファイア成長方向   
  (001) シャフトの回転数 上、下共に3Orpmで逆回転 雰囲気      空 気 成長速度     2 mm / H 育成時間     40時間 Oアニール条件 温度 16008C 時  間     12時間 徐冷速度  毎分5℃ O結果 白濁した赤色の結晶となった。これを0面を上にしてカ
ボッションにカットすると明瞭なスターが表われた。
〈実施例2〉 O原料棒作製 酸化アルミニウム9952と酸化チタン0.51をアル
ミナ乳ばちに取り十分混合する。以下〈実施例1〉と同
様の操作を行なう。
O育成方法 〈実施例1〉に従う Oアニール条件 温度 1100℃ 時  間     30時間 徐冷速度  毎分10℃ 0結 果 白濁した赤色の結晶となった。これを0面を上にしてカ
ボッションにカットすると明瞭なスターが表われた。
〈実施例6〉 O原料棒作製 酸化アルミニウム99.5 F’と酸化チタン0.52
をアルミナ乳ばちに取り十分混合する。これをイリジウ
ムルツボに入れ、窒素雰囲気中で高周波加熱により溶融
し、急冷固化させた。これを粉砕し粉末とした。この粉
末202と酸化チタン2vと酸化第2鉄61をアルミナ
の乳ばちに取り、十分混合する。以下の操作は〈実施例
1〉に従う。
O育成方法 〈実施例1〉に従う 0アニ一ル条件 〈実施例1〉に従う O結 果 白濁した紺色の結晶が合成された。これをC而を上にし
てカボッションにカットすると明瞭なスターが表われた
以  上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上  務 549

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  酸化チタン−酸化アルミニウム固溶体粉末に
    発色剤として酸化クロム粉末または、酸化チタン、酸化
    第2鉄粉末を加える。この粉末を混合し、これをゴムチ
    ューブに詰め、ラバープレス法により円柱状の棒に成形
    する。この棒を1200℃〜1600°Cで電気炉中で
    焼結する。この焼結棒を原料とし、種子結晶としてコラ
    ンダムまたはコランダムの焼結棒を用いて、公知の集光
    フローティングゾーン法(以下集光FZ法)により合成
    しアニールすることを特徴とするスターコランダムの製
    造方法。 (2)  特許請求の範囲第1項において、酸化チタン
    −酸化アルミニウム固溶体中の酸化チタンが全量に対し
    て0.1會%〜0.5W%とすることよりなる同項記載
    の方法。 (8)  特許請求の範囲第1項において、育成した結
    晶中に酸化チタン(ルチル)の針状結晶を析出させるた
    め、アニールを行なう。このとき、温度は1100℃〜
    1600℃で12時間〜30時間とすることよりなる同
    項記載の方法。
JP57145941A 1982-08-23 1982-08-23 スタ−コランダムの製造方法 Pending JPS5935097A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4855897A (ja) * 1971-11-15 1973-08-06
JPS5542283A (en) * 1978-09-21 1980-03-25 Seiko Epson Corp Production of star ruby and star sapphire
JPS5556099A (en) * 1978-10-16 1980-04-24 Seiko Epson Corp Production of star ruby or star sapphire

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4855897A (ja) * 1971-11-15 1973-08-06
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