JPS60226497A - スタ−サフアイヤ単結晶製造法 - Google Patents

スタ−サフアイヤ単結晶製造法

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Publication number
JPS60226497A
JPS60226497A JP59079142A JP7914284A JPS60226497A JP S60226497 A JPS60226497 A JP S60226497A JP 59079142 A JP59079142 A JP 59079142A JP 7914284 A JP7914284 A JP 7914284A JP S60226497 A JPS60226497 A JP S60226497A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
rod
furnace
star
weight ratio
Prior art date
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Pending
Application number
JP59079142A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Saito
正敏 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS60226497A publication Critical patent/JPS60226497A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、Ｆ、Ｚ法によるスターサファイヤ単結晶製造
法に関する。
〔従来技術〕
従来は、ベルヌーイ法、Ｐ、Ｚ法によルスターサファイ
ヤが合成されていた。しかし、これらはカポツションカ
ットにしても６条の光彩が弱く、又添加物の童を多くす
ると割れる為に、天然に産する様な光彩の強いスターサ
ファイヤを合成することができなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、温度勾配付Ｆ、Ｚ法を用いることによ
り、歪を軽減し、多量の添加物の固溶を可能にすること
と適切な酸化チタン／酸化鉄の重量比を見出し、これに
より更に光彩の明確なスターサファイヤ製造法を掃供す
ることにある。
〔発明の要約〕
本発明は、アルミナに酸化チタン／酸化鉄の重量比が１
．６〜２．１の粉末を加え、焼結した棒を原料として温
度勾配付・Ｆ、Ｚ法によりスターサファイヤを製造する
方法である。温度勾配付Ｆ、Ｚ法は、ｇｌ！１図に示す
通や％　１は高周波コイル、２は断熱材、８は原料棒、
４は溶融部、５Ｆｉヒーター、６は温度勾配ヒーター、
７は結晶である。即ち、６の温度勾配ヒーターにより結
晶の温度勾配を１〜ｂ よシサファイヤに析出するＴｉＯ２による歪を熱的に緩
和するのである。従って従来よシもＴｚｏ２の析出お・
を多くしても割れることなく、明確な光彩を放つスター
サファイヤを合成できる。又、酸化チタン／酸化鉄の重
が比を１．６〜２．１とすれば、酸化チタンの析出がｈ
えも各易に促進される。従って本発明によ、り天然と同
様な光彩を放つスターサファイヤが合成できる。
以下、実施例に従って説明する。
〔実施例１〕 アルミナに、酸化チタンを２．８　ｗｔチ、酸化鉄を１
．８　ｗｔ％ｔ％し、仁の粉末をよく混合し、成型後焼
結によりＭＣ′＃＋棒とする。これを種結晶と共に渥度
勾配付きＦ、Ｚ炉に股カ゛シ、結晶を育成する。この結
果、カボツションカットすると、明確な六条の光彩を放
つスターサファイヤが育成できた。結晶成長速度は、２
〜４　ｗ　／　ｈｒ、結晶径は２〜６藺であった。
〔実施例２〕 実施例１と同様にして結晶育成を行なった。但し、酸化
チタンを２−０ｗｔ％、酸化鉄を１．１ｖ）ｔ％とした
。この結果、青い生地に、白いベールがかかり、六条の
光彩を放つスターサファイヤが育成できた。
〔発明の効果〕
本発明により、天然と同等で従来の方法よりも優れた、
４？ニ明確な六条の光彩を放つスターサファイヤが合成
できた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の温度勾配伺Ｆ、Ｚ法の略図である。 １は高ｊ＾Ｊ波コイル、２は断熱材、３は原料棒、４は
溶融部、５はヒーター１６は温度勾配ヒーター、７は結
晶である。 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アルミナＣＡｌ３２０３）に、酸化チタン（Ｔｏｏ、）
    と酸化鉄（７ｇ２０ａ）の重量比を１．６から２．１の
    粉末を加え、加圧成型の後、Ｆ　、Ｚ　ＰＫ　１４結晶
    と共に設置し温度勾配をつけて育成することを特徴とす
    るスターサファイヤ単結晶製造法。
JP59079142A 1984-04-19 1984-04-19 スタ−サフアイヤ単結晶製造法 Pending JPS60226497A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104499051A (zh) * 2014-12-05 2015-04-08 三祥新材股份有限公司 一种单晶刚玉的生产方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104499051A (zh) * 2014-12-05 2015-04-08 三祥新材股份有限公司 一种单晶刚玉的生产方法
CN104499051B (zh) * 2014-12-05 2017-05-10 三祥新材股份有限公司 一种单晶刚玉的生产方法

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