JPS6121997A - アレキサンドライト単結晶製造法 - Google Patents

アレキサンドライト単結晶製造法

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JPS6121997A
JPS6121997A JP14169584A JP14169584A JPS6121997A JP S6121997 A JPS6121997 A JP S6121997A JP 14169584 A JP14169584 A JP 14169584A JP 14169584 A JP14169584 A JP 14169584A JP S6121997 A JPS6121997 A JP S6121997A
Authority
JP
Japan
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alexandrite
single crystal
crystal
oxide
ho2o3
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Pending
Application number
JP14169584A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Saito
正敏 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6121997A publication Critical patent/JPS6121997A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、宝飾用では、なく、レーザー用媒質として用
いるｒ−２法によるレーザー用アレキサンドライト単結
晶製造法に関する。
〔従来技術〕
従来、レーザー用アレキサンドライトは、チョクラルス
キー法により製造゛されていた。しかし、この方法は、
（１）ドーピング剤であるクロムをアレキサンドライト
結晶中に均一に分布させるのが困難である。（２）温度
勾配が大きく、アレキサンドライト中の結晶歪が大きい
。（３）偏析係数の小さなドーピング剤のドープが困難
である。（４）雰囲気を自由に可変できない等が欠点と
しである為、現在以上のレーザー用ロッドと、して品質
の向上、例えば変換効率の上昇は望めないのが現状であ
る。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、かかる欠点を除去し、ドーピング剤の
調整が容易で結晶歪が小さく、チョクラルスキー法でつ
くられたアレキサンドライトよりも高効率なレーザー用
アレキサンドライトの製造法を提供することにある。
〔発明の要約〕
本発明は、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、夫々１モル
の粉末に、活性イオン剤として酸化クロム、酸化ホウミ
ウム、酸化ネオジウムを一種又は組合せてｏ、　ｏ　１
ｖｒ　ｔ％〜Ｉｗｔ％、特に０．０５〜０．１ｗｔ％が
好ましいが、添加し、ラバープレスにより成型する。こ
の後、１０００℃、酸素雰囲気又は空気中で１０〜１５
時間焼結し、これを原料棒とし、赤外線ランプを熱源と
したＦ、Ｚ、炉に種結晶と共にセットし結晶を育成する
。ｙ、ｚ、法を用いることにより、均一な組成で結晶歪
の小さい、又雰囲気可変な条件の下でレーザー用アレキ
サンドライト単結晶が製造できる。以下、発明の顕著な
る効果を実施例に示す。
〔実施例１〕 酸化アルミナ、酸化ベリリウム、夫々１モルの粉末に、
酸化クロムを０．０１〜ａ、　ｏ　ｓ　ｗ　ｔ％添加し
、混合後、ラバープレスにより成型する。この後、酸素
雰囲気中で１６５０℃、１０時間焼結して原料棒とする
。これを種結晶と共にＦ、Ｚ、炉に設置し、酸素と窒素
の混合雰囲気中で育成をする。この時、原料径は１２噛
、結晶成長速度は、１．５〜２　ｒｍ　／　ｈ　ｒであ
る。できたアレキサ／ドライドは、Ｃｒ濃度が結晶全体
にわたり均一でありた。発振閾値は、５〜８Ｊ、変換効
率１．５％〜ｚｏ％であった。
〔実施例２〕 実施例１と同様に原料棒を焼結し、但しドーピング剤は
、酸化クロムの替りに酸化ネオジウムとする。結晶径は
１０〜１５膿、成長速度は１〜２．２ｍ／ｈｒである。
この時、発振閾値は４〜１ｏｙ、変換効率は、１．４〜
１．８％であった。ネオジウムは、チョクラルスキー法
で作ったアレキサンドライトと峻べて、均一な分布であ
りた。
〔実施例５〕 実施例１と同様に、原料棒をつくり、？、Ｚ。
炉に設置し育成する。この時、アフターヒータを用いて
、結晶部を加熱する。これによりゆるやかな温度勾配に
す゛ることにより、結晶歪を小さくてき−る。
〔発明の効果〕
本発明により、ドーピング剤が一様に分布し、結晶歪の
小さいレーザー用アレキサ／ドライド単結晶を育成する
ことが、容易にでき、ドーピング量、雰囲気、成分濃度
を自由に変更できるν、２、法は、非常に有効な方法で
ある。
以　　上 −二

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化アルミナ、酸化ベリリウム、夫々１モルの粉末に酸
    化クロム又は酸化ホウミウム、酸化ネオジウムを０．０
    １ｗｔ％〜１ｗｔ％添加し混合した後、ラバープレスに
    より棒状に成型し焼結した原料を赤外線加熱ランプを光
    源とするフローティング・ゾーリ法によりアレキサンド
    ライト単結晶を育成することを特徴とするアレキサンド
    ライト単結晶製造法。
JP14169584A 1984-07-09 1984-07-09 アレキサンドライト単結晶製造法 Pending JPS6121997A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62216286A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 固体レ−ザホスト
US5736501A (en) * 1994-08-12 1998-04-07 Kao Corporation Method for producing nonionic detergent granules

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62216286A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 固体レ−ザホスト
US5736501A (en) * 1994-08-12 1998-04-07 Kao Corporation Method for producing nonionic detergent granules
US5945395A (en) * 1994-08-12 1999-08-31 Kao Corporation Method for producing nonionic detergent granules

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