JPH0339999B2 - - Google Patents

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JPH0339999B2
JPH0339999B2 JP57003498A JP349882A JPH0339999B2 JP H0339999 B2 JPH0339999 B2 JP H0339999B2 JP 57003498 A JP57003498 A JP 57003498A JP 349882 A JP349882 A JP 349882A JP H0339999 B2 JPH0339999 B2 JP H0339999B2
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光彩効果を示すクリソベリル単結晶
の製造方法に関するものである。
本発明の目的は、光彩効果のすぐれた良質のク
リソベリル単結晶を効率よく製造する方法を提供
することにある。
本発明における光彩効果とは、キヤツアイ、ス
タールビーの様に単結晶中に針状結晶が規則正し
く析出し、光によりキヤツアイ、スター状に見え
る効果をいう。
本発明において着色用金属酸化物としては、酸
化クロム、酸化鉄、酸化バナジウムなどがある。
本発明におけるクリソベリルとは、BeAl2O4
る化学式を有するものであり、これに鉄、クロム
バナジウムなどが、主成分に対して0.1〜4モル
%固溶している。
光彩効果を示す単結晶を製造するにはチタンを
固溶させた単結晶を育成し、その後熱処理するこ
とにより単結晶中に酸化チタンの針状結晶を一定
方向に析出させ、その方向にカボツシヨンカツト
しなければならない。この場合重要なことは、チ
タンが固溶した単結晶の育成とその単結晶の熱処
理にある。すなわち、固溶したチタンは3価であ
り、単結晶の熱処理は後述の如く、始め高温で引
続きこれにより低温で2段階の熱処理を行なう。
クリソベリル(BeAl2O4)にチタンが固溶する
場合、アルミニウムの3価と置換固溶する。その
ため電気的中性を保つために、置換するイオンは
3価でなければならない。
従来は、酸化ベリリウム、酸化アルミニウム、
酸化チタンを用いて原料棒を作成し、集光加熱式
フローテイングゾーン法により単結晶を育成し、
さらに熱処理することにより、キヤツアイ効果を
示すクリソベリル単結晶の育成を試みている。
しかし、原料棒の作成及び結晶育成は空気中で
行なつているためチタンは4価になつてしまい、
クリソベリル単結晶中への固溶が困難となり、ま
た多少固溶しても単結晶になりにくくなり、チタ
ンが固溶したクリソベリル単結晶の製造は困難で
あつた。従つてこの単結晶を熱処理しても光彩効
果は示さない。
本発明では、原料棒作成及び単結晶育成に非酸
化性雰囲気を用い、チタンの原子価を3価にし、
3価のチタンが固着した良質なクリソベリルの単
結晶を製造することにより本発明の目的を達成し
た。
すなわち本発明は、非酸化性ガス雰囲気下に、
主成分としてほぼ等モルの酸化ベリリウムと酸化
アルミニウム及び少量の3価のチタン酸化物、着
色用金属酸化合物を焼結又は溶融固化して作成し
た原料棒を用いて、同雰囲気下に集光加熱式フロ
ーテイングゾーン法によりクリソベリル単結晶を
育成し、その後該単結晶を熱処理することにより
クリソベリル単結晶中に4価の酸化チタンの針状
結晶を方向性をもつて析出させることを特徴とす
る光彩効果を示すクリソベリル単結晶の製造方法
である。
本発明における非酸化性ガス雰囲気とは、アル
ゴンなどの不活性ガス又は窒素或いはそれらに水
素を0.1〜10%(容量)混合したガスをいう。
熱処理は、第1段階で固溶していたチタンをク
リソベリル単結晶中から吐き出し、次に空気中の
酸素が結晶表面から内部に拡散して行き、3価の
チタンを4価に酸化し二酸化チタンとし、第2段
階で方向性をもつて針状に析出させるために行な
う。
本発明では、具体的には後述の如く2段階熱処
理することにより、クリソベリル単結晶内部に二
酸化チタンの針状結晶を析出させることができ
る。
本発明で用いる、集光加熱式フローテイングゾ
ーン法を第1図によつて説明する。この加熱部分
は、ハロゲンランプ5とその光を集光させる回転
楕円鏡6からなる。その集光部分の上方に原料棒
2下方に種結晶3を設定する。ランプの出力を上
げると集光部分の温度が上昇し、原料棒2及び種
結晶3の先端が溶融し溶融帯7が形成される。そ
して原料棒2及び種結晶3はそれぞれシヤフト1
および下シヤフト4に連結しており、これらを逆
方向に回転させながら同時に一定速度で徐々に下
降させる。集光部分は移動しないので、原料棒2
の溶融と種結晶3の冷却、結晶化が同時に起り、
単結晶が育成される。原料棒2は一般に種結晶3
と同じ組成の高密度焼結棒である。また、結晶育
成部分は石英管8で外部と隔離されているので育
成雰囲気を自由に変えるとができる。
本発明は原料粉末として酸化ベリリウム、酸化
アルミニウム及び3価のチタン酸化物と酸化クロ
ム、酸化鉄、酸化バナジウムなどの着色用金属酸
化物を用いる。その組成は、主成分である酸化ア
ルミニウムと酸化ベリリウムがモル比で1:1〜
1:0.95の割合で、他に主成分に対して3価のチ
タン酸化物が0.1〜2.0モル%、酸化クロムは0.2〜
2.0モル%、酸化鉄は0.2〜3.0モル%、酸化バナジ
ウムは0.2〜2.0モル%の割合で混合する。
混合はエチルアルコールなどを用いて湿式混合
を行なうことが好ましいが、これに限定されるも
のではない。混合した試料粉末をゴムチユーブの
中に詰め、真空脱気した後、静水圧で1〜2t/cm2
の圧力でプレスをする。ゴムチユーブから取り出
した加圧成形体は径0.5〜1.5cm、長さ5〜15cmの
棒状になる。
本発明では、この加圧成形棒を非酸化性ガス雰
囲気下で電気炉で焼結するか、同雰囲気下で集光
加熱フローテイングゾーン法によつて溶融固化し
て原料棒とする。
非酸化性ガスは、市販のアルゴンなどの不活性
ガス又は窒素を用いる場合は、できるだけ含有す
る酸素を少なくするため途中で加熱した鉄を通過
させることが望ましい。
なお、これらのガスに水素を0.1〜10%(容量)
入れてやればこのような処理は必要なくなる。水
素の量が多くなると酸化ベリリウム、酸化クロム
が蒸発するのでよくない。
本発明では加圧成形棒を焼結して原料棒とする
ときは、例えば雰囲気制御できる電気炉で非酸化
性ガス雰囲気下で1600〜1800℃で1〜5時間保持
して焼結する。
また、集光加熱フローテイングゾーン法によつ
て原料棒を作成する場合は第1図の2の部分に加
圧成形棒を3の部分に同じ組成の焼結棒を置く。
そして非酸化性ガス雰囲気下でランプの出力を上
げて溶融帯を形成させ、1〜3cm/時間の速度で
溶融帯を移動させて棒状に溶融固化させ原料棒と
する。
本発明では、集光加熱フローテイングゾーン法
によつて非酸化性ガス雰囲気下で3価のチタンの
固溶したクリソベリル単結晶を育成する。
種結晶は上記方法で育成したクリソベリル単結
晶の中から適当な部分を選んで用いる。種結晶の
方向はc軸方向がよく結晶面のない円柱状の単結
晶が育成される。a又はb軸方向に育成をすると
c面の発達した扁平な結晶になり歩留まりが悪く
なるので好ましくない。
育成速度は0.5〜3.0mm/時間が適当で3.0mm/時
間より速くすると結晶中に析出物がでてくる。好
ましくは0.7〜1.2mm/時間で育成するのがよい。
育成雰囲気はアルゴンと水素の混合ガスを用い
る場合は、水素の量が多くなると酸化ベリリウ
ム、酸化クロムが蒸発しやすくなるため育成が不
安定となり、多結晶になつたりクラツクが入つた
りする。好ましくはアルゴンに対して水素を0.1
〜3.0%(容量)程度がよい。
本発明では、このようにして得られた3価のチ
タンの固溶したクリソベリルの単結晶を空気中で
高温(1600〜1850℃)で1日以上、その後これよ
り低温(1200〜1600℃)で1日以上の2段階熱処
理することにより光彩効果のすぐれたクリソベリ
ルの単結晶が得られる。
次に実施例によつて本発明を更に具体的に説明
する。
実施例 主成分として純度99.9%の酸化ベリリウム及び
99.9%の酸化アルミニウムをモル比で1:0.99、
99.9%の酸化クロムを主成分に対して0.5モル%、
99.9%の酸化チタンを主成分に対して1.0モル
%、99.9%の酸化鉄を主成分に対して0.5モル%
を混合し、ゴムチユーブに詰め1t/cm2の静水圧で
プレスをして加圧成形棒を作成した。
これをアルゴンに水素を1%(容量)混合した
雰囲気中で1700℃で2時間焼結をして原料棒とし
た。
これを集光加熱式フローテイングゾーン法によ
つて焼結と同じ雰囲気下でc軸方向に単結晶を育
成する。
得られた単結晶を1800℃で3日間、1400℃で3
日間熱処理することにより光彩効果のすぐれたク
リソベリル単結晶が得られた。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明における集光加熱式フローテ
イング法に用いた装置の説明図である。 1……上シヤフト、2……原料棒、3……種結
晶、4……下シヤフト、5……ハロゲンランプ、
6……回転楕円鏡、7……溶融帯、8……石英
管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 非酸化性ガス雰囲気下に、主成分としてほぼ
    等モルの酸化ベリリウムと酸化アルミニウム及び
    少量の3価のチタン酸化物、着色用金属酸化合物
    を焼結又は溶融固化して作成した原料棒を用い
    て、同雰囲気下に集光加熱式フローテイングゾー
    ン法によりクリソベリル単結晶を育成し、その後
    酸化性雰囲気下で該単結晶を高温後低温の2段階
    熱処理することによりクリソベリル単結晶中に4
    価の酸化チタンの針状結晶を方向性をもつて析出
    させることを特徴とする光彩効果を示すクリソベ
    リル単結晶の製造方法。
JP57003498A 1982-01-14 1982-01-14 光彩効果を示すクリソベリル単結晶及びその製造方法 Granted JPS58120597A (ja)

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JPS58120597A JPS58120597A (ja) 1983-07-18
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EP0148946B1 (en) * 1983-07-14 1989-10-18 Sumitomo Cement Co. Ltd. Method of producing a chrysoberyl single crystal
JPS60191099A (ja) * 1984-03-13 1985-09-28 Seiko Epson Corp アレキサンドライト単結晶合成法

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