JP3158255B2 - 結晶配向された酸化物超電導体の作製方法 - Google Patents
結晶配向された酸化物超電導体の作製方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導特性に優れ、特
に臨界電流密度の高いＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の結晶配向
された酸化物超電導体の作製方法に関するものである。
に臨界電流密度の高いＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の結晶配向
された酸化物超電導体の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導体の作製方法としては、従
来から多くの方法が提案されており、代表的な方法とし
ては、溶融法，部分溶融法及び焼結法がある。しかしな
がら、いずれの方法も一長一短があり、下記のような欠
点がある。
来から多くの方法が提案されており、代表的な方法とし
ては、溶融法，部分溶融法及び焼結法がある。しかしな
がら、いずれの方法も一長一短があり、下記のような欠
点がある。
【０００３】ａ）溶融法：Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘの
粉体を白金ルツボ中で１４００℃以上で溶融し、Ｙ２Ｏ
３分散の溶体を作り、該溶体を急冷する。この急冷した
ものを粉砕し、この粉体をプレス成形した後、１２００
℃程度で焼成し、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ相主相のバルク
を生成させ、次に１０００℃以下でＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ
ｘ相の結晶成長を行なうのである。しかし、この方法で
は、種を使用しない限り、単結晶もしくは結晶配向され
た焼結体を作製することができず、しかもプロセスが複
雑で長時間を必要とするので、作製コストが極めて高く
なる。
粉体を白金ルツボ中で１４００℃以上で溶融し、Ｙ２Ｏ
３分散の溶体を作り、該溶体を急冷する。この急冷した
ものを粉砕し、この粉体をプレス成形した後、１２００
℃程度で焼成し、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ相主相のバルク
を生成させ、次に１０００℃以下でＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ
ｘ相の結晶成長を行なうのである。しかし、この方法で
は、種を使用しない限り、単結晶もしくは結晶配向され
た焼結体を作製することができず、しかもプロセスが複
雑で長時間を必要とするので、作製コストが極めて高く
なる。
【０００４】ｂ）部分溶融法：まず、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３
Ｏｘの粉体をプレス成形し、これを１１００℃程度でＹ
１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を分解させ、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ
ｙ相の主相のバルクを生成し、次に１０００℃以下でＹ
１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相の結晶成長を行なうのである。こ
の方法で作製されるものは、微細な結晶粒が集合したバ
ルクであって、結晶配向された酸化物超電導焼結体を作
製することはできない。
Ｏｘの粉体をプレス成形し、これを１１００℃程度でＹ
１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を分解させ、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ
ｙ相の主相のバルクを生成し、次に１０００℃以下でＹ
１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相の結晶成長を行なうのである。こ
の方法で作製されるものは、微細な結晶粒が集合したバ
ルクであって、結晶配向された酸化物超電導焼結体を作
製することはできない。
【０００５】ｃ）焼結法：通常に焼成する方法であり、
即ち、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘの合成粉（微細な結晶
粉）をプレス成形し、これを９５０〜９６０℃で焼成し
てバルクを作製する方法であり、焼成して得られる焼結
体は多結晶体であり、結晶配向された酸化物超電導体は
作製できない。上記のように、溶融法，部分溶融法及び
焼結法で作製されるバルク体は一般に
即ち、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘの合成粉（微細な結晶
粉）をプレス成形し、これを９５０〜９６０℃で焼成し
てバルクを作製する方法であり、焼成して得られる焼結
体は多結晶体であり、結晶配向された酸化物超電導体は
作製できない。上記のように、溶融法，部分溶融法及び
焼結法で作製されるバルク体は一般に
【０００６】結晶がランダムに配向されているため、結
晶粒間に弱結合部分が生成され易いので、高密度で結晶
配向された酸化物超電導体は作製できないのである。
晶粒間に弱結合部分が生成され易いので、高密度で結晶
配向された酸化物超電導体は作製できないのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、結晶配向さ
れた高密度でかつ高臨界電流密度を有するＹ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−Ｏ系の酸化物超電導体の作製を目的とする。
れた高密度でかつ高臨界電流密度を有するＹ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−Ｏ系の酸化物超電導体の作製を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｙ，Ｂａ，Ｃ
ｕ，Ｏを所定比で含有する粉体で成形された成形体を９
００〜９７０℃で焼成してＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘを形成
し、この焼成体を１０００〜１２００℃で焼成してＹ２
Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ相を主相として生成させた後急冷し、
その急冷体を１０００〜１２００℃の加熱開始域と９０
０〜９７０℃の加熱終了域とを設定した加熱帯を所定速
度で移動させるゾーンメルト処理を行なってＹ１Ｂａ２
Ｃｕ３Ｏｘ相を生成させることにより、高密度の結晶配
向された酸化物超電導体の作製方法を提供するものであ
る。
ｕ，Ｏを所定比で含有する粉体で成形された成形体を９
００〜９７０℃で焼成してＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘを形成
し、この焼成体を１０００〜１２００℃で焼成してＹ２
Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ相を主相として生成させた後急冷し、
その急冷体を１０００〜１２００℃の加熱開始域と９０
０〜９７０℃の加熱終了域とを設定した加熱帯を所定速
度で移動させるゾーンメルト処理を行なってＹ１Ｂａ２
Ｃｕ３Ｏｘ相を生成させることにより、高密度の結晶配
向された酸化物超電導体の作製方法を提供するものであ
る。
【０００９】即ち、本発明はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化
物超電導体の作製方法において、（１）Ｙ，Ｂａ，Ｃ
ｕ，Ｏを含有する粉体を成形する第１工程と、（２）第
１工程で得られた成形体を９００〜９７０℃で焼成して
Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘを形成する第２工程と、（３）第
２工程で得られた焼成体を１０００〜１２００℃で焼成
して主相をＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙとする第３工程と、
（４）第３工程で得られた焼成体を急冷する第４工程
と、（５）第４工程で得られた急冷体を１０００〜１２
００℃の加熱開始温度域と９００〜９７０℃の加熱終了
温度域とを設定したゾーンメルト処理を行なって結晶配
向されたＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ酸化物超電導体を形成す
る第５工程と、からなることを特徴とする結晶配向され
た酸化物超電導体の作製方法である。以下、本発明法を
詳細に説明する。
物超電導体の作製方法において、（１）Ｙ，Ｂａ，Ｃ
ｕ，Ｏを含有する粉体を成形する第１工程と、（２）第
１工程で得られた成形体を９００〜９７０℃で焼成して
Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘを形成する第２工程と、（３）第
２工程で得られた焼成体を１０００〜１２００℃で焼成
して主相をＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙとする第３工程と、
（４）第３工程で得られた焼成体を急冷する第４工程
と、（５）第４工程で得られた急冷体を１０００〜１２
００℃の加熱開始温度域と９００〜９７０℃の加熱終了
温度域とを設定したゾーンメルト処理を行なって結晶配
向されたＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ酸化物超電導体を形成す
る第５工程と、からなることを特徴とする結晶配向され
た酸化物超電導体の作製方法である。以下、本発明法を
詳細に説明する。
【００１０】まず、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ，Ｏを含有する粉体
を形成するに当り、原料粉として、（イ）Ｙ２Ｏ３，Ｂ
ａＯ２，ＣｕＯ粉を使用、（ロ）Ｙ２Ｏ３，ＢａＯ，Ｃ
ｕＯ粉を使用、（ハ）Ｙ２Ｏ３，ＢａＣＯ３，ＣｕＯ粉
を使用、（ニ）合成粉のＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ３とＢａ３
Ｃｕ５Ｏ８粉を使用、（ホ）Ｙ２Ｏ３粉とＢａＣＯ３，
ＣｕＯの仮焼粉を使用、等のいずれかの組合せ粉体を所
定比に配向したものをプレス成形する。
を形成するに当り、原料粉として、（イ）Ｙ２Ｏ３，Ｂ
ａＯ２，ＣｕＯ粉を使用、（ロ）Ｙ２Ｏ３，ＢａＯ，Ｃ
ｕＯ粉を使用、（ハ）Ｙ２Ｏ３，ＢａＣＯ３，ＣｕＯ粉
を使用、（ニ）合成粉のＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏ３とＢａ３
Ｃｕ５Ｏ８粉を使用、（ホ）Ｙ２Ｏ３粉とＢａＣＯ３，
ＣｕＯの仮焼粉を使用、等のいずれかの組合せ粉体を所
定比に配向したものをプレス成形する。
【００１１】この成形体を９００〜９７０℃で焼成し
て、バルク中にＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を生成させて融
点を高めると共に高密度化する。次に、この焼成体を１
０００〜１２００℃で焼成してバルク中に生成したＹ１
Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を分解して、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ
相を主相として生成させたバルクを形成する。そして、
このバルクを急冷する。この急冷されたバルクを１００
０〜１２００℃の加熱開始温度域と９００〜９７０℃の
加熱終了温度域に設定した温度勾配にしたがってゾーン
メルト処理する。この場合、１１００℃の加熱開始温度
域と９４０℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ間隔
に設定し、この温度勾配条件下でロッド状バルクを１〜
０．１ｃｍ／Ｈｒの移動速度で移動させてゾーンメルト
処理するのが好ましい。
て、バルク中にＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を生成させて融
点を高めると共に高密度化する。次に、この焼成体を１
０００〜１２００℃で焼成してバルク中に生成したＹ１
Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を分解して、Ｙ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ
相を主相として生成させたバルクを形成する。そして、
このバルクを急冷する。この急冷されたバルクを１００
０〜１２００℃の加熱開始温度域と９００〜９７０℃の
加熱終了温度域に設定した温度勾配にしたがってゾーン
メルト処理する。この場合、１１００℃の加熱開始温度
域と９４０℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ間隔
に設定し、この温度勾配条件下でロッド状バルクを１〜
０．１ｃｍ／Ｈｒの移動速度で移動させてゾーンメルト
処理するのが好ましい。
【００１２】かくして、焼結体の形状を全く崩すことな
く、結晶配向された高密度で高臨界電流密度を有する酸
化物超電導体を作製することができるのである。
く、結晶配向された高密度で高臨界電流密度を有する酸
化物超電導体を作製することができるのである。
【００１３】本発明は上記のように５工程から構成され
るが、所定の温度勾配にしたがってゾーンメルト処理す
る第５工程が最も重要であって、これにより本発明が発
現されるのである。
るが、所定の温度勾配にしたがってゾーンメルト処理す
る第５工程が最も重要であって、これにより本発明が発
現されるのである。
【００１４】
実施例１ 原料粉としてＢａＣＯ３粉とＣｕＯ粉とを配合し、８５
０℃で１０時間仮焼した後、更に８８０℃で２０時間焼
成した。得られた焼成体を粉砕して、これにＹ２Ｏ３粉
を添加してＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：１．５７：２．２９と
し充分混合した。
０℃で１０時間仮焼した後、更に８８０℃で２０時間焼
成した。得られた焼成体を粉砕して、これにＹ２Ｏ３粉
を添加してＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：１．５７：２．２９と
し充分混合した。
【００１５】この混合粉をプレス成形し、所定サイズの
ロッド状成形体を成形した。このロッド状成形体を１０
℃／分の昇温速度で９５０℃まで昇温させ、９５０℃で
３時間保持して加熱処理し、更に１０℃／分の昇温速度
で１１５０℃に昇温させて１１５０℃で３時間保持し加
熱処理した後、これを急冷した。
ロッド状成形体を成形した。このロッド状成形体を１０
℃／分の昇温速度で９５０℃まで昇温させ、９５０℃で
３時間保持して加熱処理し、更に１０℃／分の昇温速度
で１１５０℃に昇温させて１１５０℃で３時間保持し加
熱処理した後、これを急冷した。
【００１６】次に、この急冷体を１０５０℃の加熱開始
温度域と９００℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ
間隔に設定し、この温度勾配の条件下で１ｃｍ／Ｈｒの
移動速度で移動させて、酸素雰囲気でゾーンメルト処理
した。
温度域と９００℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ
間隔に設定し、この温度勾配の条件下で１ｃｍ／Ｈｒの
移動速度で移動させて、酸素雰囲気でゾーンメルト処理
した。
【００１７】得られたロッド状焼結体について、その長
手方向での面に対してＸ線測定した結果、Ｃ面のピーク
が非常に強く表われ、他のピークはほとんど認められな
かった。また、得られた試料を酸素アニールした後、超
電導特性である臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した結果、
Ｊｃは４０００Ａ／ｃｍ２であった。
手方向での面に対してＸ線測定した結果、Ｃ面のピーク
が非常に強く表われ、他のピークはほとんど認められな
かった。また、得られた試料を酸素アニールした後、超
電導特性である臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した結果、
Ｊｃは４０００Ａ／ｃｍ２であった。
【００１８】実施例２ 原料粉としてＢａＯ２，ＣｕＯ，Ｙ２Ｏ３の各粉体を
Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：１．３３：１．８９として配合し
た後、この混合粉をプレス成形し、ロッド状成形体を成
形した。このロッド状成形体を１０℃／分の昇温速度で
９５０℃まで昇温させ、９５０℃で３時間保持して加熱
処理し、更に１０℃／分の昇温速度で１１５０℃に昇温
させて、１１５０℃で３時間保持し加熱処理した後、こ
れを急冷した。
Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：１．３３：１．８９として配合し
た後、この混合粉をプレス成形し、ロッド状成形体を成
形した。このロッド状成形体を１０℃／分の昇温速度で
９５０℃まで昇温させ、９５０℃で３時間保持して加熱
処理し、更に１０℃／分の昇温速度で１１５０℃に昇温
させて、１１５０℃で３時間保持し加熱処理した後、こ
れを急冷した。
【００１９】次に、この急冷体を１１５０℃の加熱開始
温度域と９００℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ
間隔に設定し、この温度勾配の条件下で１ｃｍ／Ｈｒの
移動速度で移動させて、酸素雰囲気でゾーンメルト処理
を行なった。
温度域と９００℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ
間隔に設定し、この温度勾配の条件下で１ｃｍ／Ｈｒの
移動速度で移動させて、酸素雰囲気でゾーンメルト処理
を行なった。
【００２０】得られたロッド状焼結体試料について、そ
の長手方向での面に対してＸ線測定した結果、Ｃ面のピ
ークが非常に強く表われ、他のピークは認められなかっ
た。また、得られた試料を酸素アニールした後、臨界電
流密度（Ｊｃ）を測定した結果、Ｊｃは３０００Ａ／ｃ
ｍ２であった。
の長手方向での面に対してＸ線測定した結果、Ｃ面のピ
ークが非常に強く表われ、他のピークは認められなかっ
た。また、得られた試料を酸素アニールした後、臨界電
流密度（Ｊｃ）を測定した結果、Ｊｃは３０００Ａ／ｃ
ｍ２であった。
【００２１】実施例３ まず、原料粉としてＹ２Ｏ３，ＢａＣＯ３，ＣｕＯの各
粉体を所定比に配合して充分混合した後９５０℃で仮焼
し、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の粉体を作り、次に原料粉と
してＢａＣＯ３，ＣｕＯ粉体を所定比に配合し、８５０
℃で２０時間仮焼してＢａＣｕＯ２とＣｕＯの混合酸化
物粉体を作った。
粉体を所定比に配合して充分混合した後９５０℃で仮焼
し、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の粉体を作り、次に原料粉と
してＢａＣＯ３，ＣｕＯ粉体を所定比に配合し、８５０
℃で２０時間仮焼してＢａＣｕＯ２とＣｕＯの混合酸化
物粉体を作った。
【００２２】上記二者の粉体をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：
１．４：２．１の原子比組成となるように配合し、充分
混合した。
１．４：２．１の原子比組成となるように配合し、充分
混合した。
【００２３】この混合粉をプレス成形して所定サイズの
ロッド状成形体を成形し、この成形体を１０℃／分の昇
温速度で９５０℃まで昇温し、９５０℃で３時間保持し
て加熱処理し、更に１０℃／分の昇温速度で１１５０℃
に昇温させて１１５０℃で３時間保持し加熱処理した
後、急冷した。
ロッド状成形体を成形し、この成形体を１０℃／分の昇
温速度で９５０℃まで昇温し、９５０℃で３時間保持し
て加熱処理し、更に１０℃／分の昇温速度で１１５０℃
に昇温させて１１５０℃で３時間保持し加熱処理した
後、急冷した。
【００２４】次に、この急冷体を１１５０℃の加熱開始
温度域と９００℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ
間隔に設定し、この温度勾配の条件下で１ｃｍ／Ｈｒの
移動速度で移動させ、酸素雰囲気でゾーンメルト処理を
行なった。
温度域と９００℃の加熱終了温度域の加熱帯を１０ｃｍ
間隔に設定し、この温度勾配の条件下で１ｃｍ／Ｈｒの
移動速度で移動させ、酸素雰囲気でゾーンメルト処理を
行なった。
【００２５】得られたロッド状焼結体試料について、そ
の長手方向の面に対してＸ線測定した結果、Ｃ面のピー
クが非常に強く表われ、他のピークはほとんど認められ
なかった。また、得られた体試料を酸素アニール処理し
た後、臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した結果、Ｊｃは３
０００Ａ／ｃｍ２であった。
の長手方向の面に対してＸ線測定した結果、Ｃ面のピー
クが非常に強く表われ、他のピークはほとんど認められ
なかった。また、得られた体試料を酸素アニール処理し
た後、臨界電流密度（Ｊｃ）を測定した結果、Ｊｃは３
０００Ａ／ｃｍ２であった。
【００２６】比較例（実施例３との比較） まず原料粉としてＹ２Ｏ３，ＢａＣＯ３，ＣｕＯの各粉
体を所定比に配合し、充分混合した後、９５０℃で仮焼
しＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の粉体を作り、次に原料粉とし
てＢａＣＯ３粉とＣｕＯ粉を所定比に配合し、８５０℃
で２０時間仮焼してＢａＣｕＯ２とＣｕＯの混合酸化物
粉体を作った。
体を所定比に配合し、充分混合した後、９５０℃で仮焼
しＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の粉体を作り、次に原料粉とし
てＢａＣＯ３粉とＣｕＯ粉を所定比に配合し、８５０℃
で２０時間仮焼してＢａＣｕＯ２とＣｕＯの混合酸化物
粉体を作った。
【００２７】上記二者の粉体をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：
１．４：２．１の原子比組成となるように配合し、充分
混合した。
１．４：２．１の原子比組成となるように配合し、充分
混合した。
【００２８】この混合粉をプレス成形して所定サイズの
ロッド状成形体を成形し、この成形体を１０℃／分の昇
温速度で９５０℃まで昇温させ、９５０℃で３時間保持
して加熱処理し、更に１０℃／分の昇温速度で１１５０
℃に昇温させて１１５０℃で３時間保持して加熱処理し
た。次に、１０℃／分の冷却速度で９７０℃まで急冷
し、９７０℃から０．５℃／分の徐冷速度で９５０℃ま
で徐冷した。
ロッド状成形体を成形し、この成形体を１０℃／分の昇
温速度で９５０℃まで昇温させ、９５０℃で３時間保持
して加熱処理し、更に１０℃／分の昇温速度で１１５０
℃に昇温させて１１５０℃で３時間保持して加熱処理し
た。次に、１０℃／分の冷却速度で９７０℃まで急冷
し、９７０℃から０．５℃／分の徐冷速度で９５０℃ま
で徐冷した。
【００２９】得られたロッド状焼結体試料を酸素雰囲気
で酸素アニール処理した後、臨界電流密度（Ｊｃ）を測
定した結果、Ｊｃは２０００Ａ／ｃｍ２であった。ま
た、前記実施例３と同様にＸ線測定したが、その結果、
Ｃ面以外の面が強く表われ、特に１１０面のピークが強
く表われた。また、該比較例の方法で作製した試料に
は、配向性は全く確認されなかった。
で酸素アニール処理した後、臨界電流密度（Ｊｃ）を測
定した結果、Ｊｃは２０００Ａ／ｃｍ２であった。ま
た、前記実施例３と同様にＸ線測定したが、その結果、
Ｃ面以外の面が強く表われ、特に１１０面のピークが強
く表われた。また、該比較例の方法で作製した試料に
は、配向性は全く確認されなかった。
【００３０】
【発明の効果】本発明法は以上のように構成され、所定
の成分組成を有する成形体を焼成して、まずＹ１Ｂａ２
Ｃｕ３Ｏｘ相を生成させ、次にＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ相
を主相として生成させて急冷した後、所定の温度勾配に
設定された加熱帯を所定の移動速度で移動させるゾーン
メルト処理を行なってＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を生成さ
せることにより、形状を維持したまま高密度で結晶配向
された高臨界電流密度を有する超電導特性に優れた酸化
物超電導体を作製することができるのである。
の成分組成を有する成形体を焼成して、まずＹ１Ｂａ２
Ｃｕ３Ｏｘ相を生成させ、次にＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙ相
を主相として生成させて急冷した後、所定の温度勾配に
設定された加熱帯を所定の移動速度で移動させるゾーン
メルト処理を行なってＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ相を生成さ
せることにより、形状を維持したまま高密度で結晶配向
された高臨界電流密度を有する超電導特性に優れた酸化
物超電導体を作製することができるのである。
【００３１】さらに、本発明法によれば、従来の溶融法
等に比べて処理工程が簡単で熱処理温度も比較的低く、
品質的に安定した酸化物超電導体を低コストで作成する
ことができる利点がある。
等に比べて処理工程が簡単で熱処理温度も比較的低く、
品質的に安定した酸化物超電導体を低コストで作成する
ことができる利点がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 29/22 C04B 35/00,35/64 C01G 1/00,3/00
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の
作製方法において、 （１）Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｏを含有する粉体を成形する第
１工程、 （２）第１工程で得られた成形体を９００〜９７０℃で
焼成してＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘを形成する第２工程、 （３）第２工程で得られた焼成体を１０００〜１２００
℃で焼成して主相をＹ２Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙとする第３工
程、 （４）第３工程で得られた焼結体を急冷する第４工程、 （５）第４工程で得られた急冷体をゾーンメルト処理を
行なって、形状を維持したまま高密度で結晶配向された
Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ酸化物超電導体を形成する第５工
程、 からなることを特徴とする高密度で結晶配向された酸化
物超電導体の作製方法。 - 【請求項２】 Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の
作製方法において、 （１）Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｏを含有する粉体を成形する第
１工程、 （２）第１工程で得られた成形体を９００〜９７０℃で
焼成してＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘを形成する第２工程、 （３）第２工程で得られた焼成体を１０００〜１２００
℃で焼成して主相をＹ３Ｂａ１Ｃｕ１Ｏｙとする第３工
程、 （４）第３工程で得られた焼結体を急冷する第４工程、 （５）第４工程で得られた急冷体を１０００〜１２００
℃の加熱開始温度域と９００〜９７０℃の加熱終了温度
とを設定したゾーンメルト処理を行なって、形状を維持
したまま高密度で結晶配向されたＹ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏｘ
酸化物超電導体を形成する第５工程、 からなることを特徴とする高密度で結晶配向された酸化
物超電導体の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10696291A JP3158255B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 結晶配向された酸化物超電導体の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10696291A JP3158255B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 結晶配向された酸化物超電導体の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517141A JPH0517141A (ja) | 1993-01-26 |
| JP3158255B2 true JP3158255B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=14446953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10696291A Expired - Fee Related JP3158255B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 結晶配向された酸化物超電導体の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158255B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP10696291A patent/JP3158255B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0517141A (ja) | 1993-01-26 |
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