JP2866484B2 - 酸化物超電導体の製法 - Google Patents
酸化物超電導体の製法Info
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- sintered body
- oxide superconductor
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導体の製造
方法に関し、詳細には、高密度で且つ高配向の酸化物超
電導体の製法に関する。
方法に関し、詳細には、高密度で且つ高配向の酸化物超
電導体の製法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、超電導体として従来から用いられて
きた金属系超電導体によりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗が
ゼロになる温度）を有する材料として酸化物超電導体が
発見され、その実用化が期待されている。
きた金属系超電導体によりも高い臨界温度Ｔｃ（抵抗が
ゼロになる温度）を有する材料として酸化物超電導体が
発見され、その実用化が期待されている。
【０００３】現在、酸化物超電導体としては、主として
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｙ系という）およびＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｂｉ系という）の２
種が知られており、後者の酸化物超電導体では、更にＴ
ｃが１１０Ｋの高Ｔｃ相と、Ｔｃが８０Ｋ相の低Ｔｃ相
の２種が知られており、Ｙ系に比較してＴｃが高いこと
からその実用化が特に進められている。
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｙ系という）およびＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系（以下、Ｂｉ系という）の２
種が知られており、後者の酸化物超電導体では、更にＴ
ｃが１１０Ｋの高Ｔｃ相と、Ｔｃが８０Ｋ相の低Ｔｃ相
の２種が知られており、Ｙ系に比較してＴｃが高いこと
からその実用化が特に進められている。
【０００４】このＢｉ系における高Ｔｃ相と低Ｔｃ相
は、具体的には、高Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ 10+δ からなり、低Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ2 Ｏ8+δ からなる。
は、具体的には、高Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏ 10+δ からなり、低Ｔｃ相が Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ2 Ｏ8+δ からなる。
【０００５】これら酸化物超電導体は、その実用化に際
しては高い臨界温度を有するとともに臨界電流密度（抵
抗ゼロにおける電流値）が大きいことが必要とされてい
るが、上記Ｂｉ系酸化物超電導体においては、その結晶
が鱗片状粒子からなることから、この鱗片状粒子を一方
向に配向させることにより粒子間の密着性が向上し臨界
電流密度を高くすることができると考えられている。ま
た、焼結体としての相対密度を高め、高緻密化すること
も特性上大きな要因であると言われている。
しては高い臨界温度を有するとともに臨界電流密度（抵
抗ゼロにおける電流値）が大きいことが必要とされてい
るが、上記Ｂｉ系酸化物超電導体においては、その結晶
が鱗片状粒子からなることから、この鱗片状粒子を一方
向に配向させることにより粒子間の密着性が向上し臨界
電流密度を高くすることができると考えられている。ま
た、焼結体としての相対密度を高め、高緻密化すること
も特性上大きな要因であると言われている。
【０００６】そこで、従来から高密度の酸化物超電導体
を作成する方法として、高い機械的な圧力を加えつつ加
熱するホットプレス法が採用されている。
を作成する方法として、高い機械的な圧力を加えつつ加
熱するホットプレス法が採用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、Ｂｉ
系酸化物超電導体を作成する場合、例えば低Ｔｃ相の仮
焼粉末をホットプレス焼成すると緻密化自体は進行する
が、高Ｔｃ相の生成が少ないために高Ｔｃ化、高Ｊｃ化
が望めない。そこで、上記ホットプレス後の焼結体をさ
らに熱処理し、高Ｔｃ相を生成することも提案される
が、熱処理によって粒成長が生じるために密度は逆に低
下する傾向にある。
系酸化物超電導体を作成する場合、例えば低Ｔｃ相の仮
焼粉末をホットプレス焼成すると緻密化自体は進行する
が、高Ｔｃ相の生成が少ないために高Ｔｃ化、高Ｊｃ化
が望めない。そこで、上記ホットプレス後の焼結体をさ
らに熱処理し、高Ｔｃ相を生成することも提案される
が、熱処理によって粒成長が生じるために密度は逆に低
下する傾向にある。
【０００８】また、上記の方法では、焼結体の緻密化に
はそれなりの効果があるものの、粒子の配向化の点から
は不十分であるために、得られる焼結体のＪｃ値もせい
ぜい１０００Ａ／ｃｍ2 以下であり、実用的レベルには
到底達していないのが現状であった。
はそれなりの効果があるものの、粒子の配向化の点から
は不十分であるために、得られる焼結体のＪｃ値もせい
ぜい１０００Ａ／ｃｍ2 以下であり、実用的レベルには
到底達していないのが現状であった。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して先に低Ｔｃ相の仮焼粉末を常圧で焼成して
充分に高Ｔｃ相を生成した後に、該焼結体に圧力を加え
つつ加熱処理を行う、いわゆるホットフォージング処理
を行うことによって、高配向、高密度化が達成され、Ｊ
ｃ値が１５００〜４５００Ａ／ｃｍ2 程度の優れた酸化
物超電導体が得られることを提案したが、さらにこの方
法について検討した結果、ホットフォージング処理を行
う前の焼結体の密度を所定の密度より低いものとするこ
とにより焼結体の配向性がより高められ、Ｊｃ値が５０
００Ａ／ｃｍ2 以上の高いＪｃ値を有する酸化物超電導
体が得られることを知見した。
題点に対して先に低Ｔｃ相の仮焼粉末を常圧で焼成して
充分に高Ｔｃ相を生成した後に、該焼結体に圧力を加え
つつ加熱処理を行う、いわゆるホットフォージング処理
を行うことによって、高配向、高密度化が達成され、Ｊ
ｃ値が１５００〜４５００Ａ／ｃｍ2 程度の優れた酸化
物超電導体が得られることを提案したが、さらにこの方
法について検討した結果、ホットフォージング処理を行
う前の焼結体の密度を所定の密度より低いものとするこ
とにより焼結体の配向性がより高められ、Ｊｃ値が５０
００Ａ／ｃｍ2 以上の高いＪｃ値を有する酸化物超電導
体が得られることを知見した。
【００１０】即ち、本発明の酸化物超電導体の製法は、
酸化物超電導体を構成しうる元素の酸化物あるいは酸化
物形成化合物からなる混合物を成形するか、あるいは該
混合物を仮焼した後に成形し、該成形体を一旦酸化性雰
囲気中で焼結を進行させるもののその密度が３．０ｇ／
ｃｍ3 を越えない程度に焼成した後に、該焼結体をホッ
トフォージング処理することを特徴とするものである。
なお、本発明の方法は、特に結晶形状が鱗片状、または
板状の結晶からなる酸化物超電導体の製造に有効であ
る。
酸化物超電導体を構成しうる元素の酸化物あるいは酸化
物形成化合物からなる混合物を成形するか、あるいは該
混合物を仮焼した後に成形し、該成形体を一旦酸化性雰
囲気中で焼結を進行させるもののその密度が３．０ｇ／
ｃｍ3 を越えない程度に焼成した後に、該焼結体をホッ
トフォージング処理することを特徴とするものである。
なお、本発明の方法は、特に結晶形状が鱗片状、または
板状の結晶からなる酸化物超電導体の製造に有効であ
る。
【００１１】本発明の製造方法によれば、まず酸化物超
電導体を構成する金属の酸化物粉末あるいは焼成により
酸化物を形成しうる炭酸塩や硝酸塩粉末を用いてこれら
を酸化物超電導体を形成しうる割合に秤量混合する。具
体的には前述したＢｉ系酸化物超電導体のうち高Ｔｃ相
を作成する場合には、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＳｒＯ、ＣａＣ
Ｏ3 、ＣｕＯの各粉末を用いてこれらを原子比において
Ｓｒを２としたとき、Ｂｉが１．８〜２．２、Ｃａが
２．０〜３．５、Ｃｕが３．０〜４．５の範囲になるよ
うに秤量する。また、高Ｔｃ相の生成量を増加させるこ
とを目的として上記の混合体にＰｂＯ粉末やＫ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ2 等の粉末を調合組成
においてモル換算でＳｒを２としてＰｂを０．１〜０．
５、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを０．０５〜０．６の割合で混合す
ることができる。
電導体を構成する金属の酸化物粉末あるいは焼成により
酸化物を形成しうる炭酸塩や硝酸塩粉末を用いてこれら
を酸化物超電導体を形成しうる割合に秤量混合する。具
体的には前述したＢｉ系酸化物超電導体のうち高Ｔｃ相
を作成する場合には、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＳｒＯ、ＣａＣ
Ｏ3 、ＣｕＯの各粉末を用いてこれらを原子比において
Ｓｒを２としたとき、Ｂｉが１．８〜２．２、Ｃａが
２．０〜３．５、Ｃｕが３．０〜４．５の範囲になるよ
うに秤量する。また、高Ｔｃ相の生成量を増加させるこ
とを目的として上記の混合体にＰｂＯ粉末やＫ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ2 等の粉末を調合組成
においてモル換算でＳｒを２としてＰｂを０．１〜０．
５、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａを０．０５〜０．６の割合で混合す
ることができる。
【００１２】上記のようにして得られた混合粉末を公知
の成形手段によって成形する。また、所望によっては上
記の混合粉末を７００〜８５０℃の酸化性雰囲気中で１
〜２０時間程度仮焼後、粉砕し同様に成形する。この仮
焼工程によれば、前述した組成からなる混合粉末を仮焼
することにより低Ｔｃ相または高Ｔｃ相を形成する中間
生成物が生成される。なお、成形方法としてはプレス成
形、押出成形、ドクターブレード成形法等が採用され
る。
の成形手段によって成形する。また、所望によっては上
記の混合粉末を７００〜８５０℃の酸化性雰囲気中で１
〜２０時間程度仮焼後、粉砕し同様に成形する。この仮
焼工程によれば、前述した組成からなる混合粉末を仮焼
することにより低Ｔｃ相または高Ｔｃ相を形成する中間
生成物が生成される。なお、成形方法としてはプレス成
形、押出成形、ドクターブレード成形法等が採用され
る。
【００１３】次に、上記のようにして得られた成形体を
８４０〜８５５℃の酸化性雰囲気中で焼成する。この焼
成によって一旦低Ｔｃ相の鱗片状の結晶が生成されると
ともに焼成が進行し、焼成あるいは先の仮焼により生成
された低Ｔｃ相または中間生成物から高Ｔｃ相に変換さ
れる。しかし、この焼成工程終了時点では、焼結体中の
鱗片状結晶はほとんど無配向状態であり、特性的にも不
十分である。
８４０〜８５５℃の酸化性雰囲気中で焼成する。この焼
成によって一旦低Ｔｃ相の鱗片状の結晶が生成されると
ともに焼成が進行し、焼成あるいは先の仮焼により生成
された低Ｔｃ相または中間生成物から高Ｔｃ相に変換さ
れる。しかし、この焼成工程終了時点では、焼結体中の
鱗片状結晶はほとんど無配向状態であり、特性的にも不
十分である。
【００１４】次に、上記の焼結体をホットフォージング
（ＨＦ）処理する。このときの圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2
以上、加熱温度は８００〜８５０℃であることが望まし
い。このＨＦ処理により密度の低い焼結体中の結晶粒子
が移動し配向する。このホットフオージング処理は、繰
り返し行うことによりさらに焼結体の密度および配向性
を高めることが可能となる。
（ＨＦ）処理する。このときの圧力は５０ｋｇ／ｃｍ2
以上、加熱温度は８００〜８５０℃であることが望まし
い。このＨＦ処理により密度の低い焼結体中の結晶粒子
が移動し配向する。このホットフオージング処理は、繰
り返し行うことによりさらに焼結体の密度および配向性
を高めることが可能となる。
【００１５】本発明によれば、上記焼成工程とＨＦ処理
工程において、焼成後の焼結体密度とＨＦ処理後の焼結
体の臨界電流密度（Ｊｃ値）との関係を図１に示した。
図１からも明らかなように、焼成後の密度が低いほどＨ
Ｆ処理後のＪｃ値が高くなる傾向にあることが理解され
る。
工程において、焼成後の焼結体密度とＨＦ処理後の焼結
体の臨界電流密度（Ｊｃ値）との関係を図１に示した。
図１からも明らかなように、焼成後の密度が低いほどＨ
Ｆ処理後のＪｃ値が高くなる傾向にあることが理解され
る。
【００１６】よって、本発明によれば、焼成時に酸化物
超電導体の結晶の粒成長を生じさせることにより、空間
の多い組織からなる焼結体を作成し、焼成後の密度を
３．０ｇ／ｃｍ3 以下、特に２．５ｇ／ｃｍ3 以下にす
ることが重要である。焼成後の密度が３．０ｇ／ｃｍ3
を越える程度まで焼成すると、ＨＦ処理により配向化が
困難となり、図１に示すようにＪｃ値の向上が望めな
い。この密度は低いほどのちのホットフォージング処理
により配向性は高くなる傾向にあるが、焼成により得ら
れる密度は低くてもせいぜい１．０ｇ／ｃｍ3 である。
超電導体の結晶の粒成長を生じさせることにより、空間
の多い組織からなる焼結体を作成し、焼成後の密度を
３．０ｇ／ｃｍ3 以下、特に２．５ｇ／ｃｍ3 以下にす
ることが重要である。焼成後の密度が３．０ｇ／ｃｍ3
を越える程度まで焼成すると、ＨＦ処理により配向化が
困難となり、図１に示すようにＪｃ値の向上が望めな
い。この密度は低いほどのちのホットフォージング処理
により配向性は高くなる傾向にあるが、焼成により得ら
れる密度は低くてもせいぜい１．０ｇ／ｃｍ3 である。
【００１７】そこで図１に焼成後の密度とホットフォー
ジング処理後の焼結体の臨界電流密度（Ｊｃ）との関係
を示した。図１からも明らかなように、また、本発明に
よれば、上記ホットフォージング処理により焼結体内に
生成した高Ｔｃ相が分解されて低Ｔｃ相が生成され易く
なるために、最終的に８３０〜８５５℃の大気中などの
酸化性雰囲気中で非加圧下で１０時間以上加熱処理（ア
ニール処理）することにより粒界の不純物としての低Ｔ
ｃ相量が低減され、さらに高い臨界電流密度を得ること
ができる。
ジング処理後の焼結体の臨界電流密度（Ｊｃ）との関係
を示した。図１からも明らかなように、また、本発明に
よれば、上記ホットフォージング処理により焼結体内に
生成した高Ｔｃ相が分解されて低Ｔｃ相が生成され易く
なるために、最終的に８３０〜８５５℃の大気中などの
酸化性雰囲気中で非加圧下で１０時間以上加熱処理（ア
ニール処理）することにより粒界の不純物としての低Ｔ
ｃ相量が低減され、さらに高い臨界電流密度を得ること
ができる。
【００１８】
【作 用】本発明の構成によれば、焼成によって得た低
密度の焼結体をホットフォージング処理する点が最も重
要である。このホットフォージング処理によれば、高密
度の焼結体よりも低密度の焼結体の方が、鱗片状結晶自
体の移動できる度合いが大きくなるために、加圧された
際に、結晶粒子が圧延されるために焼結体中の鱗片状結
晶粒子は加圧方向と直行する方向に配向されるとともに
圧縮され、焼結体の密度を高くすることができる。
密度の焼結体をホットフォージング処理する点が最も重
要である。このホットフォージング処理によれば、高密
度の焼結体よりも低密度の焼結体の方が、鱗片状結晶自
体の移動できる度合いが大きくなるために、加圧された
際に、結晶粒子が圧延されるために焼結体中の鱗片状結
晶粒子は加圧方向と直行する方向に配向されるとともに
圧縮され、焼結体の密度を高くすることができる。
【００１９】また、ホットフォージング法はホットプレ
ス法と異なり、加圧方向と直行する方法が開放されてい
るために配向性がより促進される。それにより、鱗片状
結晶同士の密着性及び粒子間のつながりが飛躍的に向上
するために酸化物超電導体の臨界電流密度をさらに高く
することができる。
ス法と異なり、加圧方向と直行する方法が開放されてい
るために配向性がより促進される。それにより、鱗片状
結晶同士の密着性及び粒子間のつながりが飛躍的に向上
するために酸化物超電導体の臨界電流密度をさらに高く
することができる。
【００２０】
【実施例】原料粉末としてＢｉ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、ＳｒＣ
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を各金属のモル比が
Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：０．３６：
２：３．１７：４．２５となるように秤量後、７５０〜
８１０℃で２０時間仮焼し、粉砕して平均粒径５μm の
低Ｔｃ相及び中間生成物を多量に含む仮焼粉末を得た。
Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯの各粉末を各金属のモル比が
Ｂｉ：Ｐｂ：Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕ＝１．９３：０．３６：
２：３．１７：４．２５となるように秤量後、７５０〜
８１０℃で２０時間仮焼し、粉砕して平均粒径５μm の
低Ｔｃ相及び中間生成物を多量に含む仮焼粉末を得た。
【００２１】この仮焼粉末をφ１２ｍｍの金型を用いて
成形圧１ｔｏｎ／ｃｍ2 で成形して厚み約１ｍｍの円板
状成形体を得、その後上記成形体を低酸素（Ａｒ９２．
５％，０2 ７．５％）雰囲気中、または大気中で表１に
示す条件で焼成し、それぞれ得られた焼結体の密度をア
ルキメデス法により測定した。なお、組織観察したとこ
ろ、いずれの焼結体も高Ｔｃ相の鱗片状の結晶がランダ
ムに配列していた。
成形圧１ｔｏｎ／ｃｍ2 で成形して厚み約１ｍｍの円板
状成形体を得、その後上記成形体を低酸素（Ａｒ９２．
５％，０2 ７．５％）雰囲気中、または大気中で表１に
示す条件で焼成し、それぞれ得られた焼結体の密度をア
ルキメデス法により測定した。なお、組織観察したとこ
ろ、いずれの焼結体も高Ｔｃ相の鱗片状の結晶がランダ
ムに配列していた。
【００２２】その後、各焼結体を表１の条件ででホット
フォージング処理した。また、場合によりホットフォー
ジング処理後の焼結体を大気中で８４０℃の温度で５０
時間アニール処理を行った。
フォージング処理した。また、場合によりホットフォー
ジング処理後の焼結体を大気中で８４０℃の温度で５０
時間アニール処理を行った。
【００２３】最終的に得られた焼結体に対してアルキメ
デス法により比重を調べるとともにＸ線回折測定を行
い、Ｘ線回折のチャートデータに基づき、下記数１の式
から（００ｌ）面の配向度ｆを求めた。
デス法により比重を調べるとともにＸ線回折測定を行
い、Ｘ線回折のチャートデータに基づき、下記数１の式
から（００ｌ）面の配向度ｆを求めた。
【００２４】
【数１】 ｆ＝(P−Po) / (1−Po) 式中、 P( 配向試料) ＝ΣI(00l)／〔ΣI(hkl)＋ΣI(00l)〕 Po(未配向試料) ＝ΣI'(00l) ／〔ΣI'(hkl) ＋ΣI'(00l) 〕
【００２５】さらに、上記焼結体について、抵抗法に基
づき、試料を液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子
に１μＶ／ｃｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密
度Ｊｃとして求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。結
果は表２に示した。また、条件を変更し、焼成後の密度
と、ＨＦ処理後のＪｃ値との関係を図１に示した。
づき、試料を液体窒素中で電流を徐々に高め、高圧端子
に１μＶ／ｃｍの電圧が生じた時の電流値を臨界電流密
度Ｊｃとして求め、同時に臨界温度Ｔｃも測定した。結
果は表２に示した。また、条件を変更し、焼成後の密度
と、ＨＦ処理後のＪｃ値との関係を図１に示した。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】表１および表２によれば、従来法に基づき
全くホットフォージング処理を行わなかった試料Ｎo,１
０、１１では配向度も低く、Ｊｃ値は１００Ａ／ｃｍ2
以下である。これに対して、ホットフォージング処理を
行うことによりＪｃ値は飛躍的に向上するが、中でも、
焼成後の密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以下の試料において
は、結晶の配向度が高くなり、Ｊｃ値も高くなることが
わかる。また、ホットフォージング処理後にアニール処
理することにより特性値はさらに向上した。
全くホットフォージング処理を行わなかった試料Ｎo,１
０、１１では配向度も低く、Ｊｃ値は１００Ａ／ｃｍ2
以下である。これに対して、ホットフォージング処理を
行うことによりＪｃ値は飛躍的に向上するが、中でも、
焼成後の密度が３．０ｇ／ｃｍ3 以下の試料において
は、結晶の配向度が高くなり、Ｊｃ値も高くなることが
わかる。また、ホットフォージング処理後にアニール処
理することにより特性値はさらに向上した。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明の方法によ
れば、酸化物超電導体、例えば、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作成に際して焼結体をホット
フォージング処理するに当たり、密度の低い焼結体に対
して処理を行うことによって、焼結体の結晶粒子の配向
度を高めるとともに高密度化が達成できるために高臨界
温度を有し且つ臨界電流密度が極めて高い酸化物超電導
体を安定して得ることができる。これにより酸化物超電
導体の実用化をさらに進めることができる。
れば、酸化物超電導体、例えば、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作成に際して焼結体をホット
フォージング処理するに当たり、密度の低い焼結体に対
して処理を行うことによって、焼結体の結晶粒子の配向
度を高めるとともに高密度化が達成できるために高臨界
温度を有し且つ臨界電流密度が極めて高い酸化物超電導
体を安定して得ることができる。これにより酸化物超電
導体の実用化をさらに進めることができる。
【図１】焼成後の密度と、ホットフォージング処理後の
焼結体の臨界電流密度（Ｊｃ値）との関係を示した図で
ある。
焼結体の臨界電流密度（Ｊｃ値）との関係を示した図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01G 1/00 - 57/00 H01B 12/00 H01L 39/00 - 39/24
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化物超電導体を構成しうる元素の酸化
物あるいは焼成により酸化物を形成しうる化合物の混合
体を成形するか、あるいは該混合体を仮焼後成形する工
程と、該成形体を酸化性雰囲気中で焼成し焼結後の密度
を３．０ｇ／ｃｍ3 以下にする工程と、該焼結体を加圧
すると同時に加熱処理する工程とを具備することを特徴
とする酸化物超電導体の製法。 - 【請求項２】 前記酸化物超電導体が少なくともＢｉ、
Ｓｒ、ＣａおよびＣｕを含む請求項１記載の酸化物超電
導体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3027972A JP2866484B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 酸化物超電導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3027972A JP2866484B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 酸化物超電導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243955A JPH04243955A (ja) | 1992-09-01 |
| JP2866484B2 true JP2866484B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=12235793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3027972A Expired - Fee Related JP2866484B2 (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 酸化物超電導体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2866484B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3027972A patent/JP2866484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04243955A (ja) | 1992-09-01 |
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