JPS59174599A - ブル−サフアイヤ人工結晶合成法 - Google Patents
ブル−サフアイヤ人工結晶合成法Info
- Publication number
- JPS59174599A JPS59174599A JP58049152A JP4915283A JPS59174599A JP S59174599 A JPS59174599 A JP S59174599A JP 58049152 A JP58049152 A JP 58049152A JP 4915283 A JP4915283 A JP 4915283A JP S59174599 A JPS59174599 A JP S59174599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- blue sapphire
- hydrogen
- atmosphere
- sapphire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、還元雰囲気中でF、Z法又は引き上げ法によ
シ育成した結晶を酸化雰囲炉で熱処理をするブルーサフ
ァイヤ人工結晶合成法に関する。
シ育成した結晶を酸化雰囲炉で熱処理をするブルーサフ
ァイヤ人工結晶合成法に関する。
従来、F、Z法又は引き上げ法によりブルーサファイヤ
を合成する場合、原料であるアルミナ、酸化チタン、酸
化鉄−を溶解し、固化することによシ合成してきた。し
かし、ヒリした方法は、鉄イオンとチタンイオンのアル
ミイオンとの置換のしやすさの相違、溶解液中での鉄イ
オンとチタンイオンの拡散速度の相違、育成雰囲気との
鉄イオンとチタンイオンの反応速度の相違等の為、育成
されたブルーサファイヤは、色むらが著しく、特に・青
色を帯びた部分と透明な部分が混合し、製品化すること
は不可能であった。
を合成する場合、原料であるアルミナ、酸化チタン、酸
化鉄−を溶解し、固化することによシ合成してきた。し
かし、ヒリした方法は、鉄イオンとチタンイオンのアル
ミイオンとの置換のしやすさの相違、溶解液中での鉄イ
オンとチタンイオンの拡散速度の相違、育成雰囲気との
鉄イオンとチタンイオンの反応速度の相違等の為、育成
されたブルーサファイヤは、色むらが著しく、特に・青
色を帯びた部分と透明な部分が混合し、製品化すること
は不可能であった。
本発明は、かかる欠点を除去したものでその目的は、色
むらのない均一に青色のサファイヤを合成することを目
的としている。
むらのない均一に青色のサファイヤを合成することを目
的としている。
本発明に於いて、還元雰囲気は、水素及び−酸化炭素と
しその濃度は、アルゴン中にHJ ppm −1000
ppmの間とする。これらの還元ガスは、ブルーサファ
イヤの原料である酸化鉄及び酸化チタン(含有量は3〜
10 wt%)や金属チタン、金属鉄に還元する目的で
使用される。従って?、z法又は引き上げ法により育成
された結晶は、無色透明な結晶である。次にこれを酸化
雰囲気炉で800〜1200℃、時間は1〜4時間熱処
理を施こす、これは、金属チタン、金属鉄を酸化させ、
イオン化することによシ着色させる為である。この熱処
理によル無色透明なホワイトサファイヤは、鮮やかなブ
ルーサファイヤとなる。
しその濃度は、アルゴン中にHJ ppm −1000
ppmの間とする。これらの還元ガスは、ブルーサファ
イヤの原料である酸化鉄及び酸化チタン(含有量は3〜
10 wt%)や金属チタン、金属鉄に還元する目的で
使用される。従って?、z法又は引き上げ法により育成
された結晶は、無色透明な結晶である。次にこれを酸化
雰囲気炉で800〜1200℃、時間は1〜4時間熱処
理を施こす、これは、金属チタン、金属鉄を酸化させ、
イオン化することによシ着色させる為である。この熱処
理によル無色透明なホワイトサファイヤは、鮮やかなブ
ルーサファイヤとなる。
以下、実施例に従って本発明の顕著なる効果について詳
しく述べる。
しく述べる。
実施例1
原料である7/I/ミナ(&#zOs ) 92 wt
% K 、酸化鉄(’egos ) 5 wt%、酸化
チタ:/ (Ti02)3tnt%で混合し焼結してF
、Z炉属原料とする。次にこれを締結晶と共にF、Z炉
にセットし、水素を100p7yn含んだアルゴンガス
を流しながら結晶を育成する。
% K 、酸化鉄(’egos ) 5 wt%、酸化
チタ:/ (Ti02)3tnt%で混合し焼結してF
、Z炉属原料とする。次にこれを締結晶と共にF、Z炉
にセットし、水素を100p7yn含んだアルゴンガス
を流しながら結晶を育成する。
育成終了後、熱処理炉に移し、1000℃、1時間、大
気中で熱処理をする。これによシ、ブルーサファイヤが
、製造された。
気中で熱処理をする。これによシ、ブルーサファイヤが
、製造された。
実施例2
原料であるアルミナ80 wt%に、酸化鉄111 w
tチ、酸化チタン用wt%を炭素ルツボ、タンタルルツ
ボ又はモリブデンルツボに入れて高周波をかけることに
より溶解させ、種結晶を回転させながら引き上げる、こ
の時、雰囲気は炭素ルツボならば一酸化炭素とし、他の
ルツボならば水素でも。−酸化炭素でもよい。その時、
濃度はアルゴンガス中に200 ppmとする。次に引
き上げ炉によシ育成した結晶を熱処理炉で1000℃、
1時間、大気中で酸化熱処理をする。これによりブルー
サファイヤが製造でき、全く色むらがなかった。
tチ、酸化チタン用wt%を炭素ルツボ、タンタルルツ
ボ又はモリブデンルツボに入れて高周波をかけることに
より溶解させ、種結晶を回転させながら引き上げる、こ
の時、雰囲気は炭素ルツボならば一酸化炭素とし、他の
ルツボならば水素でも。−酸化炭素でもよい。その時、
濃度はアルゴンガス中に200 ppmとする。次に引
き上げ炉によシ育成した結晶を熱処理炉で1000℃、
1時間、大気中で酸化熱処理をする。これによりブルー
サファイヤが製造でき、全く色むらがなかった。
以 上
出願人 株式会社藷訪精工舎
一静
Claims (1)
- ブルーサファイヤをF、Z法又は、引き上げ法で育成す
る際、還元雰囲気である水素又は−融化炭素中で行ない
、それらを酸化雰囲気炉で熱処理をすることを特徴とす
るブルーサファイヤ人工結晶合成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58049152A JPS59174599A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | ブル−サフアイヤ人工結晶合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58049152A JPS59174599A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | ブル−サフアイヤ人工結晶合成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59174599A true JPS59174599A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12823122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58049152A Pending JPS59174599A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | ブル−サフアイヤ人工結晶合成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59174599A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06199597A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-07-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
KR100699048B1 (ko) | 2004-12-10 | 2007-03-23 | 서울시립대학교 산학협력단 | 블루 사파이어의 열처리방법 |
CN103014856A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 苏州巍迩光电科技有限公司 | 掺铁钛蓝宝石晶片及其制备方法 |
CN104790035A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-22 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种红色氧化铝宝石单晶的生长方法 |
CN105174902A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-23 | 亚华水钻技术(浙江)有限公司 | 一种防止加热装置被侵蚀的人造宝石熔烧装置 |
-
1983
- 1983-03-24 JP JP58049152A patent/JPS59174599A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06199597A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-07-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
KR100699048B1 (ko) | 2004-12-10 | 2007-03-23 | 서울시립대학교 산학협력단 | 블루 사파이어의 열처리방법 |
CN103014856A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-03 | 苏州巍迩光电科技有限公司 | 掺铁钛蓝宝石晶片及其制备方法 |
CN104790035A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-22 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种红色氧化铝宝石单晶的生长方法 |
CN105174902A (zh) * | 2015-09-22 | 2015-12-23 | 亚华水钻技术(浙江)有限公司 | 一种防止加热装置被侵蚀的人造宝石熔烧装置 |
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