JPS61186294A - スタ−サフアイヤの製造方法 - Google Patents
スタ−サフアイヤの製造方法Info
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- JPS61186294A JPS61186294A JP60027665A JP2766585A JPS61186294A JP S61186294 A JPS61186294 A JP S61186294A JP 60027665 A JP60027665 A JP 60027665A JP 2766585 A JP2766585 A JP 2766585A JP S61186294 A JPS61186294 A JP S61186294A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スターサファイヤの製造方法に関する。
従来のスターサファイヤは、特公昭５５−２７７１７、
特公昭５７−２８４００に示す如く、主成分の酸化アル
ミ、ニウムに、着色剤及び星影効果を生ぜしめるための
酸化第二鉄と酸化チタンを原料として結晶合成を行ない
、その後熱処理を施すことにより製造している。
特公昭５７−２８４００に示す如く、主成分の酸化アル
ミ、ニウムに、着色剤及び星影効果を生ぜしめるための
酸化第二鉄と酸化チタンを原料として結晶合成を行ない
、その後熱処理を施すことにより製造している。
従来のスターサファイヤは、ベルヌーイ法（火炎溶融法
）、引き上げ法（ＣＺ法）、浮遊帯域融解法（ｙｚ法）
等の融液法により製造されている。ベルヌーイ法は、星
影を生ぜしめるために添加する酸化チタンの結晶内への
均一な混入が困難であり、引き上げ法は結晶の長さ方向
において、酸化チタンの濃度が不均一となる。又、浮遊
帯域融解法は、酸化チタンの結晶中への固溶量が制限さ
れ、原料中への添加量を増加させると、結晶中の結晶欠
陥（気泡、成分の偏析等）を増加させてしまうという欠
点を有する。
）、引き上げ法（ＣＺ法）、浮遊帯域融解法（ｙｚ法）
等の融液法により製造されている。ベルヌーイ法は、星
影を生ぜしめるために添加する酸化チタンの結晶内への
均一な混入が困難であり、引き上げ法は結晶の長さ方向
において、酸化チタンの濃度が不均一となる。又、浮遊
帯域融解法は、酸化チタンの結晶中への固溶量が制限さ
れ、原料中への添加量を増加させると、結晶中の結晶欠
陥（気泡、成分の偏析等）を増加させてしまうという欠
点を有する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、良好な色調と明瞭な星影効果
を有する（均質な名ターサファイヤを提供することにあ
る。
その目的とするところは、良好な色調と明瞭な星影効果
を有する（均質な名ターサファイヤを提供することにあ
る。
本発明のスターサファイヤの製造方法は、酸化アルミニ
ウムを主成分とし、着色剤として少なくとも鉄を含有す
るサファイヤ結晶を、四塩化チタン雰囲気中で、ＣｖＤ
ｌ又はプラズマＣＶＤを行ない、その後、空気あるいは
酸素を含む雰囲気中で、熱処理することを特徴とする。
ウムを主成分とし、着色剤として少なくとも鉄を含有す
るサファイヤ結晶を、四塩化チタン雰囲気中で、ＣｖＤ
ｌ又はプラズマＣＶＤを行ない、その後、空気あるいは
酸素を含む雰囲気中で、熱処理することを特徴とする。
本発明の上記の製造方法によれば、酸化アルミニウムを
主成分とし、少なくとも酸化第二鉄を含有するサファイ
ヤ結晶に、外部からチタンイオンを供給するものであり
、その量のコントロールにより星影効果の出現度合をコ
ントロールするものである。この場合に原料として使用
するサファイヤ結晶は、特に製造方法を限定するもので
はなく、上記以外の他の製造方法（例えばフラックス法
）による結晶を用いても可能である。
主成分とし、少なくとも酸化第二鉄を含有するサファイ
ヤ結晶に、外部からチタンイオンを供給するものであり
、その量のコントロールにより星影効果の出現度合をコ
ントロールするものである。この場合に原料として使用
するサファイヤ結晶は、特に製造方法を限定するもので
はなく、上記以外の他の製造方法（例えばフラックス法
）による結晶を用いても可能である。
〔実施例−１〕
主成分の酸化アルミニウムＣｐ”ｔｔｏｓ）に、着色剤
として酸化第二鉄（Ｆｅ２０３ ） を６重量％、酸
化チタン（ＴｉＯ２）を２重量％秤量混合し、圧粉成形
後大気炉で１７００°ＣＸ１０時間の焼結を行ない、大
略１０ｗｎφＸ５０ｍｍ’の原料棒を作成し、ＩＦｚ法
によりサファイヤ結晶を得たお同様の方法で複数個のサ
ファイヤ結晶を準備し、以下のＣＶＤ及びプラズマＣＶ
Ｄ用の試料とした■ＣＶＤ キャリアーガスとして１０％酸素を含有するアルゴンを
使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲気
ガスとした。
として酸化第二鉄（Ｆｅ２０３ ） を６重量％、酸
化チタン（ＴｉＯ２）を２重量％秤量混合し、圧粉成形
後大気炉で１７００°ＣＸ１０時間の焼結を行ない、大
略１０ｗｎφＸ５０ｍｍ’の原料棒を作成し、ＩＦｚ法
によりサファイヤ結晶を得たお同様の方法で複数個のサ
ファイヤ結晶を準備し、以下のＣＶＤ及びプラズマＣＶ
Ｄ用の試料とした■ＣＶＤ キャリアーガスとして１０％酸素を含有するアルゴンを
使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲気
ガスとした。
この時のガス流量、加熱温度の条件を変えた時の評価（
色調、透明感、星影効果の程度、全体の均一性）を第１
表に示す。なおＣＶＤ終了後、試料の熱処理は、大気炉
で１５００’ＣＸ２Ｈ保持した後、１０℃／Ｈの割合で
降温し、１゜００℃でスイッチを切シ炉冷した。
色調、透明感、星影効果の程度、全体の均一性）を第１
表に示す。なおＣＶＤ終了後、試料の熱処理は、大気炉
で１５００’ＣＸ２Ｈ保持した後、１０℃／Ｈの割合で
降温し、１゜００℃でスイッチを切シ炉冷した。
第 １ 表
実 験 ガス流量 加熱温度 評 価Ｎ（Ｌ
′ｒ／、、 ℃ １ ２００ ５００ 星影効
果が出ない２ ２００ ８００
星影効果が弱い３ ２００ １００
０ 良好４ ２００ １２
００ 良好５ ５００
５００ 星影効果が弱い６ ５００
８００ 良好７ ５００
１０００ 良好８ ５０
０ １２００ 良好９ １０
００ ５００ 星影効果が弱い１０
１０００ ８００ 良好１１
１０００ １０００ 良好
１２ １０００ １２００
良好１３ ２０００ ５００
星影効果が弱い１４ ２０００ ８００
良好１５、 ２０００ １０
００ 良好１６ ２０００
１２００ 良好■プラズマＣＶＤ 容量結合タイプのプラズマ０ＶＤ装置の、電極間にサフ
ァイヤ結晶を保持し、キャリアーカスとして５％酸素を
含有するアルゴンを使用し、これを四塩化チタン中にバ
ブリングして雰囲気ガスとした。最初プラズマ０ＶＤ装
置のチャンバー内を真空排気した後、排気量を絞りなが
ら雰囲気ガスを流入してプラズマＣＶＤを行なった。こ
の時の真空度（ガス流量に対応）、加熱温度の条件を変
えた時の評価（内容は第１表と同様）を第２表に示す。
′ｒ／、、 ℃ １ ２００ ５００ 星影効
果が出ない２ ２００ ８００
星影効果が弱い３ ２００ １００
０ 良好４ ２００ １２
００ 良好５ ５００
５００ 星影効果が弱い６ ５００
８００ 良好７ ５００
１０００ 良好８ ５０
０ １２００ 良好９ １０
００ ５００ 星影効果が弱い１０
１０００ ８００ 良好１１
１０００ １０００ 良好
１２ １０００ １２００
良好１３ ２０００ ５００
星影効果が弱い１４ ２０００ ８００
良好１５、 ２０００ １０
００ 良好１６ ２０００
１２００ 良好■プラズマＣＶＤ 容量結合タイプのプラズマ０ＶＤ装置の、電極間にサフ
ァイヤ結晶を保持し、キャリアーカスとして５％酸素を
含有するアルゴンを使用し、これを四塩化チタン中にバ
ブリングして雰囲気ガスとした。最初プラズマ０ＶＤ装
置のチャンバー内を真空排気した後、排気量を絞りなが
ら雰囲気ガスを流入してプラズマＣＶＤを行なった。こ
の時の真空度（ガス流量に対応）、加熱温度の条件を変
えた時の評価（内容は第１表と同様）を第２表に示す。
なおプラズマＣＶＤｇ了後、試料の熱処理は、酸素５０
％を含有するアルゴン雰囲気中で、１６００℃Ｘ２Ｈ保
持した後、１５℃／■の割合で降温し、９ｏｏ℃でスイ
ッチを切シ炉冷した。
％を含有するアルゴン雰囲気中で、１６００℃Ｘ２Ｈ保
持した後、１５℃／■の割合で降温し、９ｏｏ℃でスイ
ッチを切シ炉冷した。
第 ２ 表
実 験 真空度 加熱温度 評 価Ｎ［Ｌ
Ｔ＠ｒｒ ’Ｃ １７２０３００星影効果が弱い １８ ２０ ６００ 星影効
果がやや弱い１９ ２０ ９００
良好２０ ２０ ’１２０
０ 良好２１ １０
３００ 星影効果が弱い２２ １０
６００ 星影効果がやや弱い２３
１０ ９００ 良好２
４ １０ １２００ 良好
２５ ５ ３００ 星影効果
が弱い２６ ５ ６００
良好２７ ５ ９００
良好２８ ５ １２００
良好２９ １ ３００
星影効果が弱い３０ １
６００ 良好５１ １
９００ 良好３２ １
’ １２００ 良好（γ） 第１表、及び第２表より、ＣｖＤ及びプラズマＣＶＤの
いずれの場合も加熱温度が特性に影響を及ぼしており、
ＣｖＤでは５００℃以上、プラズマａＶＶでは３００℃
以上が望ましい。
Ｔ＠ｒｒ ’Ｃ １７２０３００星影効果が弱い １８ ２０ ６００ 星影効
果がやや弱い１９ ２０ ９００
良好２０ ２０ ’１２０
０ 良好２１ １０
３００ 星影効果が弱い２２ １０
６００ 星影効果がやや弱い２３
１０ ９００ 良好２
４ １０ １２００ 良好
２５ ５ ３００ 星影効果
が弱い２６ ５ ６００
良好２７ ５ ９００
良好２８ ５ １２００
良好２９ １ ３００
星影効果が弱い３０ １
６００ 良好５１ １
９００ 良好３２ １
’ １２００ 良好（γ） 第１表、及び第２表より、ＣｖＤ及びプラズマＣＶＤの
いずれの場合も加熱温度が特性に影響を及ぼしており、
ＣｖＤでは５００℃以上、プラズマａＶＶでは３００℃
以上が望ましい。
〔実施例−２〕
主成分の酸化アルミニウム（ＡｔｔＯｓ）に、着色剤と
して酸化第二鉄（Ｆｅ２０ｇ ）を１０重量％、酸化
チタン（Ｔ１０２ ）を４重量％秤量混合し、圧粉成形
後大気炉で１６００℃×１０時間の焼結を行ない、大略
３０聾φの塊状原料を作成し、これをイリジウムルツボ
にセットし、Ｃ２法によりサファイヤ結晶を得た。結晶
は大略２０ｍ＋ｎφ×３００Ｗｒ！ｎｔの大きさであり
、これを切断して、以下のＣＶＤ及びプラズマＣｖＤ用
の試料とした。
して酸化第二鉄（Ｆｅ２０ｇ ）を１０重量％、酸化
チタン（Ｔ１０２ ）を４重量％秤量混合し、圧粉成形
後大気炉で１６００℃×１０時間の焼結を行ない、大略
３０聾φの塊状原料を作成し、これをイリジウムルツボ
にセットし、Ｃ２法によりサファイヤ結晶を得た。結晶
は大略２０ｍ＋ｎφ×３００Ｗｒ！ｎｔの大きさであり
、これを切断して、以下のＣＶＤ及びプラズマＣｖＤ用
の試料とした。
■ＣｖＤ
キャリアーガスとして３０％酸素を含有するアルゴンを
使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲気
ガスとした。
使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲気
ガスとした。
この時のガス流量、加熱温度の条件を変えた時（暢・り
・、・ の評価（内容は実施例−１と同様）を第３表に示す。な
おＣＶＤ終了後、試料の熱処理は、大気炉で１５００℃
Ｘ２Ｉ（保持した後、１０℃／■の割合で降温し、１０
００℃でスイッチを切シ炉冷した。
・、・ の評価（内容は実施例−１と同様）を第３表に示す。な
おＣＶＤ終了後、試料の熱処理は、大気炉で１５００℃
Ｘ２Ｉ（保持した後、１０℃／■の割合で降温し、１０
００℃でスイッチを切シ炉冷した。
第 ３ 表
実 験 ガス流量 加熱温度 評 価Ｎ１１Ｌ”
／ｍａ ℃ ３３ ２００ ５００ 星影効果
が出ない５４ ２００ ８００
星影効果が弱い３５ ２００ １０００
星影効果がやや弱い３６、 ２００
１２００ 良好３７ ５００
５００ 星影効果が出ない３８ ５
００ ８００ 星影効果が弱い３９
５００ １０００ 星影効果がやや弱い
４０ ５００ １２００
良好４１ １０００ ５００ 星影
効果が弱い４２ １０００ ８００
星影効果がやや弱い４３ １０００ １
０００ 良好４４ １０００
１２００ 良好４５ ２０００
５０［］ 星星影果がやや弱い４６ ２０
００ ８００ 良好４７ ２００
０ １０００ 良好４８ ２０ｏｏ
１２ｏｏ 透明感なしく白濁）■プラズマ０ＶＤ プラズマ０ＶＤ装置の、電極間にサファイヤ結晶を保持
し、キャリアーガスとして１０％酸素を含有するアルゴ
ンを使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰
囲気ガスとした。最初プラズマ０ＶＤ装置のチャンバー
内を真空排気した後、排気量を絞りながら雰囲気ガスを
流入してプラズマｃｖＤを行なった。この時の真空度（
ガス流量に対応）、加熱温度の条件を変えた時の評価（
内容は第３表と同様）を第４表に示す。なおプラズマＣ
ＶＤ終了後、試料の熱処理は、酸素５０％を含有するア
ルゴン雰囲気中で、１６００℃Ｘ２Ｈ保持した後、１５
℃／Ｈの割合で降温し、９ｏｏ℃でスイッチを切シ炉冷
した。
／ｍａ ℃ ３３ ２００ ５００ 星影効果
が出ない５４ ２００ ８００
星影効果が弱い３５ ２００ １０００
星影効果がやや弱い３６、 ２００
１２００ 良好３７ ５００
５００ 星影効果が出ない３８ ５
００ ８００ 星影効果が弱い３９
５００ １０００ 星影効果がやや弱い
４０ ５００ １２００
良好４１ １０００ ５００ 星影
効果が弱い４２ １０００ ８００
星影効果がやや弱い４３ １０００ １
０００ 良好４４ １０００
１２００ 良好４５ ２０００
５０［］ 星星影果がやや弱い４６ ２０
００ ８００ 良好４７ ２００
０ １０００ 良好４８ ２０ｏｏ
１２ｏｏ 透明感なしく白濁）■プラズマ０ＶＤ プラズマ０ＶＤ装置の、電極間にサファイヤ結晶を保持
し、キャリアーガスとして１０％酸素を含有するアルゴ
ンを使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰
囲気ガスとした。最初プラズマ０ＶＤ装置のチャンバー
内を真空排気した後、排気量を絞りながら雰囲気ガスを
流入してプラズマｃｖＤを行なった。この時の真空度（
ガス流量に対応）、加熱温度の条件を変えた時の評価（
内容は第３表と同様）を第４表に示す。なおプラズマＣ
ＶＤ終了後、試料の熱処理は、酸素５０％を含有するア
ルゴン雰囲気中で、１６００℃Ｘ２Ｈ保持した後、１５
℃／Ｈの割合で降温し、９ｏｏ℃でスイッチを切シ炉冷
した。
第 ４ 表
実 験 真空度 加熱温度 評 価Ｎ（Ｌ
Ｔ ｏ ｒ ｒ ℃４９ ２
０ ３００ 星影効果が弱い５０
２０ （ＳＯＯ星影効果がやや弱い５１
２０ ９００ 良好５
２ ２０ １２００ 良好
５３ １０ ３００ 星影効果
が弱い５４ １０ ６００ 星
影効果がやや弱い５５’ １０ ９００
良好５６ １０ １２００
良好５７ ５ ３０
０ 星影効果が弱い５８ ５ ６
００ 良好５９ ５ ９
００ 良好６０ ５ １
２００ 良好６１ １
３００ 星影効果が弱い６２ １
６００ 良好６３ １
９００ 良好６４ １
１２００ 良好第３表、及び第
４表より、ＣｖＤ及びプラズマＣＶＤのいずれの場合も
加熱温度が特性に影響を及ぼしており、ＣｖＤでは５０
０℃以上、プラズマＣＶＤでは４００℃以上が望ましい
。
Ｔ ｏ ｒ ｒ ℃４９ ２
０ ３００ 星影効果が弱い５０
２０ （ＳＯＯ星影効果がやや弱い５１
２０ ９００ 良好５
２ ２０ １２００ 良好
５３ １０ ３００ 星影効果
が弱い５４ １０ ６００ 星
影効果がやや弱い５５’ １０ ９００
良好５６ １０ １２００
良好５７ ５ ３０
０ 星影効果が弱い５８ ５ ６
００ 良好５９ ５ ９
００ 良好６０ ５ １
２００ 良好６１ １
３００ 星影効果が弱い６２ １
６００ 良好６３ １
９００ 良好６４ １
１２００ 良好第３表、及び第
４表より、ＣｖＤ及びプラズマＣＶＤのいずれの場合も
加熱温度が特性に影響を及ぼしており、ＣｖＤでは５０
０℃以上、プラズマＣＶＤでは４００℃以上が望ましい
。
〔実施例−３〕
主成分の酸化アルミニウム（Ａｔ２０ｇ ）に着色剤
として酸化第二鉄（Ｆｅ２０ｇ ） を１０重量％
、酸化チタン（Ｔｉｏ＝ ）を５重量％を秤量混合し
、さらに溶剤として酸化ナトリウムと酸化ホウ素を加え
、混合して原料を作成し、これを白金るつぼにセットし
て、フラックス法によりサファイヤ結晶を得た。結晶は
大略５０ｍｍ’Ｘ５＋＋ｏｎの大きさであり、これを切
断して、以下のＣＶＤ及びプラズマＣＶＤ用の試料とし
た。
として酸化第二鉄（Ｆｅ２０ｇ ） を１０重量％
、酸化チタン（Ｔｉｏ＝ ）を５重量％を秤量混合し
、さらに溶剤として酸化ナトリウムと酸化ホウ素を加え
、混合して原料を作成し、これを白金るつぼにセットし
て、フラックス法によりサファイヤ結晶を得た。結晶は
大略５０ｍｍ’Ｘ５＋＋ｏｎの大きさであり、これを切
断して、以下のＣＶＤ及びプラズマＣＶＤ用の試料とし
た。
■ＣＶＤ
キャリアガスとして１０％酸素を含有するアルゴンを使
用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲気ガ
スとした。以下〔実施測寸２〕と同様に条件を変えた時
の評価を第５表に示す。またＣＶＤ処理後の試料の熱処
理は〔実施例−２〕の場合と同じである。
用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲気ガ
スとした。以下〔実施測寸２〕と同様に条件を変えた時
の評価を第５表に示す。またＣＶＤ処理後の試料の熱処
理は〔実施例−２〕の場合と同じである。
第 ５ 表
実 験 ガス流量 加熱温度 評 価Ｎｌｌ”
／ｍｒ’ｃ ６５ ２００ ５００ 星影効
果が出ない６６ ２００ ８００
星影効果が弱い６７ ２００ １０
００ 星影効果がやや弱い６８ ２００
１２００ 良好６９ ５
００ ５００ 星影効果が出ない７０
５００ ８００ 星影効果が弱
い７１ ５００ １０００ 星影
効果がやや弱い７２ ５００ １２００
良好７５ １０００ ’
５００ 星影効果が弱い７４ １０００
８００ 星影効果がやや弱い７５
１０００ １０００ 良好７６
１０００ １２００ 良好７７
２０００ ５００ 星影効果がや
や弱い７Ｂ ２（１００８００良好 ７９ ２０００ １０００ 良
好８０ ２０００ １２００
良好■プラズマＣＶＤ プラズマ０ＶＤ装置の、電極間にサファイヤ結晶を保持
し、キャリアガスとして１０％酸素を含有するアルゴン
を使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲
気ガスとした。以下〔実施例−２〕の■の場合と同様に
して行ない、評価を第６表に示す。
／ｍｒ’ｃ ６５ ２００ ５００ 星影効
果が出ない６６ ２００ ８００
星影効果が弱い６７ ２００ １０
００ 星影効果がやや弱い６８ ２００
１２００ 良好６９ ５
００ ５００ 星影効果が出ない７０
５００ ８００ 星影効果が弱
い７１ ５００ １０００ 星影
効果がやや弱い７２ ５００ １２００
良好７５ １０００ ’
５００ 星影効果が弱い７４ １０００
８００ 星影効果がやや弱い７５
１０００ １０００ 良好７６
１０００ １２００ 良好７７
２０００ ５００ 星影効果がや
や弱い７Ｂ ２（１００８００良好 ７９ ２０００ １０００ 良
好８０ ２０００ １２００
良好■プラズマＣＶＤ プラズマ０ＶＤ装置の、電極間にサファイヤ結晶を保持
し、キャリアガスとして１０％酸素を含有するアルゴン
を使用し、これを四塩化チタン中にバブリングして雰囲
気ガスとした。以下〔実施例−２〕の■の場合と同様に
して行ない、評価を第６表に示す。
第 ６ 表
実 験 真空度 加熱温度 評 価８１
２０ ３００ 星影効果が弱い８２
２０ ６００ 星影効果がやや弱
い８５ ２０ ９００
良好８４ ２０ １２００
良好８５ １０ ３００ 星影効
果が弱い８６ １０ ６００
良好８７ １０ ９００
良好８８ １０ １２００
良好８９ ５ ３００
星影効果が弱い９０ ５ ６００
良好９１ ５ ９００
良好９２ ５ １２００
良好９３ １ ３００
星影効果がやや弱い９４ １
６００ 良好９５ １
９００ 良好９６ １
１２００ 透明感なしく白濁）第５表、及び
第６表より、ＣｖＤ及びプラダ４ＣｖＤのいずれの場合
も加熱温度が特性に影響を及ぼしており、ＣｖＤでは５
００℃以上、プラズマＣＶＤでは６００℃以上が望まし
い。
２０ ３００ 星影効果が弱い８２
２０ ６００ 星影効果がやや弱
い８５ ２０ ９００
良好８４ ２０ １２００
良好８５ １０ ３００ 星影効
果が弱い８６ １０ ６００
良好８７ １０ ９００
良好８８ １０ １２００
良好８９ ５ ３００
星影効果が弱い９０ ５ ６００
良好９１ ５ ９００
良好９２ ５ １２００
良好９３ １ ３００
星影効果がやや弱い９４ １
６００ 良好９５ １
９００ 良好９６ １
１２００ 透明感なしく白濁）第５表、及び
第６表より、ＣｖＤ及びプラダ４ＣｖＤのいずれの場合
も加熱温度が特性に影響を及ぼしており、ＣｖＤでは５
００℃以上、プラズマＣＶＤでは６００℃以上が望まし
い。
以上述べた様に本発明によれば、少なくとも鉄を含有す
るサファイヤ結晶に外部からチタンをドーピングするこ
とによって、従来の合成法では不可能であった、色調の
コントロール及び育成中の酸化チタンの固溶量に起因す
る結晶中の欠陥の除去を可能にし、明瞭な星影効果を示
す、天然と同等な、良質なスターサファイヤを簡単に合
成することができるという効果を有する。
るサファイヤ結晶に外部からチタンをドーピングするこ
とによって、従来の合成法では不可能であった、色調の
コントロール及び育成中の酸化チタンの固溶量に起因す
る結晶中の欠陥の除去を可能にし、明瞭な星影効果を示
す、天然と同等な、良質なスターサファイヤを簡単に合
成することができるという効果を有する。
Claims (1)
- （１）酸化アルミニウムを主成分とし、着色剤として、
少なくとも鉄を含有する、サファイヤ結晶を四塩化チタ
ン雰囲気中で、ＣＶＤ、又はプラズマＣＶＤを行なうこ
とを特徴とするスターサファイヤの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027665A JPS61186294A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | スタ−サフアイヤの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027665A JPS61186294A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | スタ−サフアイヤの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61186294A true JPS61186294A (ja) | 1986-08-19 |
Family
ID=12227235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60027665A Pending JPS61186294A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | スタ−サフアイヤの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61186294A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597587A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-20 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | サフアイヤ人工結晶合成法 |
| EP1394293A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-03 | Samir Gupta | A process for imparting and enhancement of colours in gemstone minerals and gemstone minerals obtained thereby |
| US6872422B2 (en) | 2001-07-09 | 2005-03-29 | Samir Gupta | Process for imparting and enhancement of colours in gemstone minerals and gemstone minerals obtained thereby |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP60027665A patent/JPS61186294A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597587A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-20 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | サフアイヤ人工結晶合成法 |
| US6872422B2 (en) | 2001-07-09 | 2005-03-29 | Samir Gupta | Process for imparting and enhancement of colours in gemstone minerals and gemstone minerals obtained thereby |
| EP1394293A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-03 | Samir Gupta | A process for imparting and enhancement of colours in gemstone minerals and gemstone minerals obtained thereby |
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