JPH0155237B2 - - Google Patents
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- JPH0155237B2 JPH0155237B2 JP58158689A JP15868983A JPH0155237B2 JP H0155237 B2 JPH0155237 B2 JP H0155237B2 JP 58158689 A JP58158689 A JP 58158689A JP 15868983 A JP15868983 A JP 15868983A JP H0155237 B2 JPH0155237 B2 JP H0155237B2
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- tin oxide
- copper
- solvent
- single crystal
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化錫単結晶の製造法に関する。
酸化錫は透明で導電性を有するため、その単結
晶は電子部品の材料や赤外線吸収材としての応用
が期待されている。
晶は電子部品の材料や赤外線吸収材としての応用
が期待されている。
従来の酸化錫単結晶の製造は気相法によつて行
われている。この方法によると、結晶の成長速度
が遅く、また得られる結晶は板状または針状のも
のとなり、実用に供し得るような単結晶が得にく
い問題点があつた。
われている。この方法によると、結晶の成長速度
が遅く、また得られる結晶は板状または針状のも
のとなり、実用に供し得るような単結晶が得にく
い問題点があつた。
本発明の目的は前記問題点を解消しようとする
ものであり、大きな酸化錫単結晶を容易に製造す
る方法を提供するにある。
ものであり、大きな酸化錫単結晶を容易に製造す
る方法を提供するにある。
本発明者は前記目的を達成すべく研究の結果、
溶媒として、銅または銅の融点を降下させる金属
と銅との合金を使用して、酸化錫を結晶として析
出育成させると、大きな単結晶が容易に得られる
ことを究明し得た。この知見に基づいて本発明を
完成した。
溶媒として、銅または銅の融点を降下させる金属
と銅との合金を使用して、酸化錫を結晶として析
出育成させると、大きな単結晶が容易に得られる
ことを究明し得た。この知見に基づいて本発明を
完成した。
本発明の要旨は、酸化錫を溶質とし、銅または
銅と銅の融点を降下させる金属との合金を溶媒と
して使用し、その溶媒から酸化錫を単結晶として
析出育成させる方法にある。
銅と銅の融点を降下させる金属との合金を溶媒と
して使用し、その溶媒から酸化錫を単結晶として
析出育成させる方法にある。
溶質と溶媒の割合は、酸化錫を銅の溶解量以下
あるいは以上のいずれでもよい。しかしながら、
単結晶析出育成後、固化した溶融物から単結晶を
分離する際、酸、アルカリ等で溶媒を溶解する等
の処理を行うので、溶媒量は余り過剰でないこと
が好ましい。好ましい範囲は、酸化錫：銅が５：
95〜１：99の範囲である。
あるいは以上のいずれでもよい。しかしながら、
単結晶析出育成後、固化した溶融物から単結晶を
分離する際、酸、アルカリ等で溶媒を溶解する等
の処理を行うので、溶媒量は余り過剰でないこと
が好ましい。好ましい範囲は、酸化錫：銅が５：
95〜１：99の範囲である。
酸化錫と銅との混合物をるつぼに入れ、不活性
ガス雰囲気、あるいは溶媒が酸化されない程度の
酸素雰囲気中で加熱溶融させる。これを溶媒の融
点より高い温度、好ましくは1300〜1500℃に温度
をあげ、直ちに、あるいは数時間保持した後冷却
を開始する。冷却速度は速すぎると結晶性が悪く
なるので、毎時100℃以下とし、好ましくは毎時
20〜１℃である。溶融物が固化した後、室温附近
まで徐冷する。固化したものを取出し、これを酸
またはアルカリ例えば王水、硝酸、アンモニア水
で溶媒を溶解すると酸化錫単結晶が得られる。
ガス雰囲気、あるいは溶媒が酸化されない程度の
酸素雰囲気中で加熱溶融させる。これを溶媒の融
点より高い温度、好ましくは1300〜1500℃に温度
をあげ、直ちに、あるいは数時間保持した後冷却
を開始する。冷却速度は速すぎると結晶性が悪く
なるので、毎時100℃以下とし、好ましくは毎時
20〜１℃である。溶融物が固化した後、室温附近
まで徐冷する。固化したものを取出し、これを酸
またはアルカリ例えば王水、硝酸、アンモニア水
で溶媒を溶解すると酸化錫単結晶が得られる。
より低い温度で酸化錫単結晶の析出を行なうに
は、銅と銅の融点を降下させる金属との合金を使
用することによつて行うことができる。銅の融点
を降下させる金属としては、例えば、錫、亜鉛が
挙げられる。しかし、これらの金属に限定される
ものではなく、融点を降下させる金属であればよ
い。これらの金属は予め銅との合金として添加す
ることを必要とせず、溶媒中にこれらの金属を添
加すればよい。加える金属の種類及び量によつて
融点を調整することができる。錫を使用すると融
点を400℃以下にもすることもできる。
は、銅と銅の融点を降下させる金属との合金を使
用することによつて行うことができる。銅の融点
を降下させる金属としては、例えば、錫、亜鉛が
挙げられる。しかし、これらの金属に限定される
ものではなく、融点を降下させる金属であればよ
い。これらの金属は予め銅との合金として添加す
ることを必要とせず、溶媒中にこれらの金属を添
加すればよい。加える金属の種類及び量によつて
融点を調整することができる。錫を使用すると融
点を400℃以下にもすることもできる。
このような銅合金を溶媒として使用する場合
も、その溶融温度が相違するのみで、前記と同様
にして酸化錫単結晶を析出育成し得られる。
も、その溶融温度が相違するのみで、前記と同様
にして酸化錫単結晶を析出育成し得られる。
実施例 １
99.99％の酸化錫２ｇと、99.99％の銅100ｇと
を混合し、この混合物をSSA−Ｓのアルミナる
つぼに入れた。このるつぼを雰囲気ガスを制御で
きる電気炉の中に静置し、窒素ガスを雰囲気とし
て毎分十数流した。電気炉の温度を毎時50℃の
割合で1300℃まで昇温させて混合物を融解させ
た。この温度に８時間保持した後、毎時2.7℃の
速度で冷却させた。この間、酸化錫単結晶が析出
育成された。溶融物が固化した後、室温附近まで
徐冷し、るつぼを取出した。固化した溶融物を硝
酸溶液で煮沸して銅を溶解し、洗浄して酸化錫単
結晶を得た。この結晶は３×２×２mm以上の大き
さのものであつた。
を混合し、この混合物をSSA−Ｓのアルミナる
つぼに入れた。このるつぼを雰囲気ガスを制御で
きる電気炉の中に静置し、窒素ガスを雰囲気とし
て毎分十数流した。電気炉の温度を毎時50℃の
割合で1300℃まで昇温させて混合物を融解させ
た。この温度に８時間保持した後、毎時2.7℃の
速度で冷却させた。この間、酸化錫単結晶が析出
育成された。溶融物が固化した後、室温附近まで
徐冷し、るつぼを取出した。固化した溶融物を硝
酸溶液で煮沸して銅を溶解し、洗浄して酸化錫単
結晶を得た。この結晶は３×２×２mm以上の大き
さのものであつた。
実施例 ２
99.99％の酸化錫２ｇと、溶媒として99.99％の
銅80ｇに99.9％の錫20ｇを加えたもの（融点が
800℃以下となつた。）との混合物を作つた。この
混合物を実施例１と同様にして溶融させた。1300
℃の温度で８時間保持した後、毎時2.7℃の速度
で冷却させた。溶融物が固化した後、室温附近ま
で徐冷してるつぼを取出した。固化した溶融物を
王水で煮沸して溶媒を溶かし、洗浄して酸化錫単
結晶を得た。その結晶の大きさは３×３×２mm以
上であつた。
銅80ｇに99.9％の錫20ｇを加えたもの（融点が
800℃以下となつた。）との混合物を作つた。この
混合物を実施例１と同様にして溶融させた。1300
℃の温度で８時間保持した後、毎時2.7℃の速度
で冷却させた。溶融物が固化した後、室温附近ま
で徐冷してるつぼを取出した。固化した溶融物を
王水で煮沸して溶媒を溶かし、洗浄して酸化錫単
結晶を得た。その結晶の大きさは３×３×２mm以
上であつた。
以上のように、本発明によると、大きな酸化錫
単結晶を容易に製造し得られる優れた効果を有す
る。
単結晶を容易に製造し得られる優れた効果を有す
る。
Claims (1)
- １ 酸化錫を溶質とし、銅または銅と銅の融点を
降下させる金属との合金を溶媒として使用し、そ
の溶媒から溶質の酸化錫を単結晶として析出成長
させることを特徴とする酸化錫単結晶の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158689A JPS6051699A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 酸化錫単結晶の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158689A JPS6051699A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 酸化錫単結晶の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6051699A JPS6051699A (ja) | 1985-03-23 |
| JPH0155237B2 true JPH0155237B2 (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=15677198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158689A Granted JPS6051699A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 酸化錫単結晶の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051699A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4733094B2 (ja) | 2007-09-28 | 2011-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 光素子 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158689A patent/JPS6051699A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6051699A (ja) | 1985-03-23 |
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