JPH0512317B2 - - Google Patents
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- JPH0512317B2 JPH0512317B2 JP1093887A JP9388789A JPH0512317B2 JP H0512317 B2 JPH0512317 B2 JP H0512317B2 JP 1093887 A JP1093887 A JP 1093887A JP 9388789 A JP9388789 A JP 9388789A JP H0512317 B2 JPH0512317 B2 JP H0512317B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はNd2CuO4単結晶のフローテイング
ゾーン法による製造方法に関するものである。
ゾーン法による製造方法に関するものである。
[従来の技術]
Nd2CuO4単結晶はNd原子の位置を少量のCe原
子で置き換えると〜20Kの低温で超伝導体とな
り、極低温素子としてこれからの応用が期待され
ている。そのため大型の良質な単結晶が望まれ、
その製造方法の開発が望まれている。
子で置き換えると〜20Kの低温で超伝導体とな
り、極低温素子としてこれからの応用が期待され
ている。そのため大型の良質な単結晶が望まれ、
その製造方法の開発が望まれている。
しかしNd2CuO4は高温にしてゆくと1240℃付
近で分解溶融するため、単結晶と同一組成の原料
から単結晶を製造することができない。そのため
溶液から結晶育成することが考えられ、フラツク
ス法で結晶育成がされている。
近で分解溶融するため、単結晶と同一組成の原料
から単結晶を製造することができない。そのため
溶液から結晶育成することが考えられ、フラツク
ス法で結晶育成がされている。
[発明が解決しようとする課題]
フラツクス法で結晶育成した場合、単結晶を製
造するまでに長時間を要し、融剤から育成結晶を
分離する操作が必要である等の問題点があつた。
造するまでに長時間を要し、融剤から育成結晶を
分離する操作が必要である等の問題点があつた。
[課題を解決するための手段]
この発明は上記実情に鑑み、示差熱分析、加熱
急冷法およびX線回析の実験を行なつてNd2O3−
CuO系の相平衡図を作製し、それに基づき実際の
Nd2CuO4単結晶製造に適したフローテイングゾ
ーン法を研究した結果開発されたもので、銅酸ネ
オジムの原料棒と種結晶の間に酸化ネオジムが
17.9〜7.1モル%、酸化銅が82.1〜92.9モル%から
なる溶媒を設け、溶媒を1040〜1240℃に加熱して
浮遊溶融帯を形成し、浮遊溶融帯を原料棒方向に
移動させることにより種結晶に単結晶を析出成長
させることを特徴とする。
急冷法およびX線回析の実験を行なつてNd2O3−
CuO系の相平衡図を作製し、それに基づき実際の
Nd2CuO4単結晶製造に適したフローテイングゾ
ーン法を研究した結果開発されたもので、銅酸ネ
オジムの原料棒と種結晶の間に酸化ネオジムが
17.9〜7.1モル%、酸化銅が82.1〜92.9モル%から
なる溶媒を設け、溶媒を1040〜1240℃に加熱して
浮遊溶融帯を形成し、浮遊溶融帯を原料棒方向に
移動させることにより種結晶に単結晶を析出成長
させることを特徴とする。
なおNd2CuO4のNd原子およびCu原子の位置に
何らかの異種元素が少量混入しても、その相平衡
図が定性的にNd2O3−CuO系の相平衡図と本質的
に変らない場合には、原料棒中に少量の異種元素
を混入することにより、全く同じ方法によつて異
種元素を混入したNd2CuO4固溶体単結晶を製造
することも可能である。
何らかの異種元素が少量混入しても、その相平衡
図が定性的にNd2O3−CuO系の相平衡図と本質的
に変らない場合には、原料棒中に少量の異種元素
を混入することにより、全く同じ方法によつて異
種元素を混入したNd2CuO4固溶体単結晶を製造
することも可能である。
[作用]
まず、この発明の原理について述べる。第1図
は示差熱分析、急冷加熱法およびX線回析の結果
から作図したNd2O3−CuO系の相平衡図である。
例えばNd2O3が50モル%、CuOが50モル%の組成
からなるNd2CuO4を加熱上昇させると1240℃付
近で分解溶融してしまう。
は示差熱分析、急冷加熱法およびX線回析の結果
から作図したNd2O3−CuO系の相平衡図である。
例えばNd2O3が50モル%、CuOが50モル%の組成
からなるNd2CuO4を加熱上昇させると1240℃付
近で分解溶融してしまう。
次に、液相線A−B間の組成比、すなわちNd2
O3の17.9〜7.1モル%、CuOの82.1〜92.9モル%の
範囲に混合した原料を約1040〜1240℃において加
熱融解したのち、融液を徐々に降温させると、融
液の組成は液相線A−Bに沿つて図のCuO側へず
れてゆき、Nd2CuO4が固相となつて析出してく
る。融液の組成が共晶点BよりCuO側であれば、
冷却時にまずCuOが析出し、融液の組成がA点よ
りNd2O3側であれば、冷却時にまずNd2O3側の結
晶が析出し、いずれもNd2CuO4は析出しない。
O3の17.9〜7.1モル%、CuOの82.1〜92.9モル%の
範囲に混合した原料を約1040〜1240℃において加
熱融解したのち、融液を徐々に降温させると、融
液の組成は液相線A−Bに沿つて図のCuO側へず
れてゆき、Nd2CuO4が固相となつて析出してく
る。融液の組成が共晶点BよりCuO側であれば、
冷却時にまずCuOが析出し、融液の組成がA点よ
りNd2O3側であれば、冷却時にまずNd2O3側の結
晶が析出し、いずれもNd2CuO4は析出しない。
この発明においてはフローテイングゾーン法に
おいてNd2CuO4原料棒と種結晶の間に設けられ
た溶媒の成分組成を酸化ネオジムが17.9〜7.1モ
ル%、酸化銅が82.1〜92.9モル%にし、溶媒を
1040〜1240℃に加熱溶融し、上記溶融組成を安定
に保ちながら原料棒の方向に移動させ、種結晶に
Nd2CuO4単結晶を成長させるものである。
おいてNd2CuO4原料棒と種結晶の間に設けられ
た溶媒の成分組成を酸化ネオジムが17.9〜7.1モ
ル%、酸化銅が82.1〜92.9モル%にし、溶媒を
1040〜1240℃に加熱溶融し、上記溶融組成を安定
に保ちながら原料棒の方向に移動させ、種結晶に
Nd2CuO4単結晶を成長させるものである。
[実施例]
以下に実施例によつて本発明を詳細に説明す
る。
る。
実施例 1
Nd2CuO4単結晶をフローテイングゾーン法に
よつて製造した。
よつて製造した。
第2図に使用したフローテイングゾーン単結晶
製造装置を示す。図において、1は原料棒、2は
種結晶、3は溶融帯域(溶媒)、4および5はそ
れぞれ回転軸、6は石英管、7はハロゲンラン
プ、8は回転楕円鏡、9は観察窓、10はレン
ズ、11は観察用のスクリーンである。
製造装置を示す。図において、1は原料棒、2は
種結晶、3は溶融帯域(溶媒)、4および5はそ
れぞれ回転軸、6は石英管、7はハロゲンラン
プ、8は回転楕円鏡、9は観察窓、10はレン
ズ、11は観察用のスクリーンである。
Nd2O3とCuOをモル比にして1:1に混合した
粉末を1000℃で2時間焼成し、その粉末を加圧成
形器で直径8mm、長さ7cmの丸棒状にして1220℃
で15時間均質に焼成してNd2CuO4原料棒1とす
る。
粉末を1000℃で2時間焼成し、その粉末を加圧成
形器で直径8mm、長さ7cmの丸棒状にして1220℃
で15時間均質に焼成してNd2CuO4原料棒1とす
る。
同様に、Nd2O3を15モル%、CuOを85モル%の
組成に混合した粉末を1000℃で2時間焼成した
後、直径8mmの丸棒状に加圧成形し、1040℃で15
時間均質に焼成して溶媒とする。しかるのち、こ
の円柱棒状の溶媒を径方向に切断し1.5〜2.0gの
円板にしてNd2CuO4原料棒に融着する。
組成に混合した粉末を1000℃で2時間焼成した
後、直径8mmの丸棒状に加圧成形し、1040℃で15
時間均質に焼成して溶媒とする。しかるのち、こ
の円柱棒状の溶媒を径方向に切断し1.5〜2.0gの
円板にしてNd2CuO4原料棒に融着する。
このようにNd2CuO4原料棒の先端に溶媒を融
着した円柱棒状試料を、赤外線加熱方式を採用し
たフローテイングゾーン法単結晶製造装置の上部
試料回転軸4に固定し、同様に下部回転軸5に種
結晶2を固定する。なお、この場合種結晶2と溶
媒をつけたNd2CuO4原料棒1が回転軸に対して
偏心しないよう設定する。そして、ハロゲンラン
プ7を用い赤外線を使用して上記溶媒を加熱融解
したのちに種結晶を溶媒に接触させ、液体の表面
張力により原料棒と種結晶の間に溶媒を保持させ
る。
着した円柱棒状試料を、赤外線加熱方式を採用し
たフローテイングゾーン法単結晶製造装置の上部
試料回転軸4に固定し、同様に下部回転軸5に種
結晶2を固定する。なお、この場合種結晶2と溶
媒をつけたNd2CuO4原料棒1が回転軸に対して
偏心しないよう設定する。そして、ハロゲンラン
プ7を用い赤外線を使用して上記溶媒を加熱融解
したのちに種結晶を溶媒に接触させ、液体の表面
張力により原料棒と種結晶の間に溶媒を保持させ
る。
しかる後に原料棒と種結晶とを互いに反対方向
に30rpmで回転させる。
に30rpmで回転させる。
さらに、この融けた溶媒を0.5〜2mm/hrの速
度で原料棒方向、すなわち上方に移動させて種結
晶にNd2CuO4単結晶を育成させる。なおこの育
成は大気圧下、酸素1気圧中、アルゴン1気圧中
およびAr/O2の比が9/1の混合ガスを0.9/
min.で流した雰囲気中で行つてもCuO等の蒸散
は微量であり、結晶育成条件も大きく変化せず問
題はなかつた。
度で原料棒方向、すなわち上方に移動させて種結
晶にNd2CuO4単結晶を育成させる。なおこの育
成は大気圧下、酸素1気圧中、アルゴン1気圧中
およびAr/O2の比が9/1の混合ガスを0.9/
min.で流した雰囲気中で行つてもCuO等の蒸散
は微量であり、結晶育成条件も大きく変化せず問
題はなかつた。
原料棒がほぼ消費された時に育成した単結晶と
原料棒とを切り離して室温まで冷却した。この結
果、直径6mm、長さ12mmの円柱棒状のNd2CuO4
単結晶が得られた。
原料棒とを切り離して室温まで冷却した。この結
果、直径6mm、長さ12mmの円柱棒状のNd2CuO4
単結晶が得られた。
実施例 2
(Nd0.925Ce0.075)2CuO4なる組成についてフロー
テイングゾーン法により固溶体単結晶を製造し
た。92.5モル%Nd2O3+7.5モル%2CeO2なる組成
の混合物とCuOをモル比にして1:1および15:
85に混合した粉末をそれぞれ原料棒および溶媒と
し、実施例1と同様の操作により同様の経過を経
て、直径6mm、長さ42mmの(Nd0.925Ce0.075)2
CuO4固溶体単結晶を得た。
テイングゾーン法により固溶体単結晶を製造し
た。92.5モル%Nd2O3+7.5モル%2CeO2なる組成
の混合物とCuOをモル比にして1:1および15:
85に混合した粉末をそれぞれ原料棒および溶媒と
し、実施例1と同様の操作により同様の経過を経
て、直径6mm、長さ42mmの(Nd0.925Ce0.075)2
CuO4固溶体単結晶を得た。
なお、Ar/O2が9/1の比の混合ガスを0.9
/min.で流した雰囲気中で育成した結晶にお
ける電気抵抗および帯磁率の測定を行なつたが、
〜10Kで超伝導性を示した。
/min.で流した雰囲気中で育成した結晶にお
ける電気抵抗および帯磁率の測定を行なつたが、
〜10Kで超伝導性を示した。
実施例 3
(Nd0.9Ce0.1)2CuO4なる組成についてフローテ
イングゾーン法により固溶体単結晶を製造した。
90モル%Nd2O3+10モル%2CeO2なる組成の混合
物とCuOをモル比にして1:1および15:85に混
合した粉末をそれぞれ原料棒および溶媒とし、実
施例1と同様の操作により同様の経過を経て、直
径6mm、長さ10mmの(Nd0.9Ce0.1)2CuO4固溶体単
結晶を得た。
イングゾーン法により固溶体単結晶を製造した。
90モル%Nd2O3+10モル%2CeO2なる組成の混合
物とCuOをモル比にして1:1および15:85に混
合した粉末をそれぞれ原料棒および溶媒とし、実
施例1と同様の操作により同様の経過を経て、直
径6mm、長さ10mmの(Nd0.9Ce0.1)2CuO4固溶体単
結晶を得た。
Cuの位置に少量の異種元素を混入しても、定
性的に上記の相平衡図が本質的に変らない場合に
は同様に異種元素を混入したNd2CuO4固溶体単
結晶を得ることができる。
性的に上記の相平衡図が本質的に変らない場合に
は同様に異種元素を混入したNd2CuO4固溶体単
結晶を得ることができる。
実施例 4
(Nd0.7Sr0.2Ce0.1)2CuO4なる組成についてフロ
ーテイングゾーン法により固溶体単結晶を製造し
た。
ーテイングゾーン法により固溶体単結晶を製造し
た。
70モル%Nd2O3+20モル%2SrCO3+10モル%
2CeO2なる組成の混合物とCuOをモル比にして
1:1および15:85に混合した粉末をそれぞれ原
料棒と溶媒とし、実施例1と同様の操作により同
様の経過を経て、直径6mm、長さ6mmの(Nd0.7
Sr0.2Ce0.1)2CuO4固溶体単結晶を得た。
2CeO2なる組成の混合物とCuOをモル比にして
1:1および15:85に混合した粉末をそれぞれ原
料棒と溶媒とし、実施例1と同様の操作により同
様の経過を経て、直径6mm、長さ6mmの(Nd0.7
Sr0.2Ce0.1)2CuO4固溶体単結晶を得た。
この発明の製造方法では結晶中のNd原子の位
置をCeやSrで置き換えても第1図のNd2O3−
CuO系の相平衡図と本質的に変らないため
(Nd1-x-ySrXCey)2CuO4固溶体単結晶が製造でき
た。
置をCeやSrで置き換えても第1図のNd2O3−
CuO系の相平衡図と本質的に変らないため
(Nd1-x-ySrXCey)2CuO4固溶体単結晶が製造でき
た。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明によれば比較的
短時間に任意の結晶軸方向に良質なNd2CuO4単
結晶を製造することができる。しかも製造に使用
する原料の大部分を単結晶化できるので、フラツ
クス法に比較し、原料コストの節約が可能であ
る。
短時間に任意の結晶軸方向に良質なNd2CuO4単
結晶を製造することができる。しかも製造に使用
する原料の大部分を単結晶化できるので、フラツ
クス法に比較し、原料コストの節約が可能であ
る。
第1図はこの発明の原理を説明するためのNd2
O3−CuO系の相平衡図、第2図はフローテイン
グゾーン単結晶製造装置の断面図である。 1……原料棒、2……種結晶、3……溶融帯
域、7……ハロゲンランプ。
O3−CuO系の相平衡図、第2図はフローテイン
グゾーン単結晶製造装置の断面図である。 1……原料棒、2……種結晶、3……溶融帯
域、7……ハロゲンランプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 銅酸ネオジムの原料棒と種結晶の間に酸化ネ
オジムが17.9〜7.1モル%、酸化銅が82.1〜92.9モ
ル%からなる溶媒を設け、該溶媒を1040〜1240℃
に加熱して浮遊溶融帯を形成し、該浮遊溶融帯を
前記原料棒方向に移動させることにより前記種結
晶に単結晶を析出成長させることを特徴とする銅
酸ネオジム単結晶の製造方法。 2 前記原料棒が少量の異種元素を含むことを特
徴とする請求項1記載の銅酸ネオジム単結晶の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1093887A JPH02271996A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 銅酸ネオジム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1093887A JPH02271996A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 銅酸ネオジム単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02271996A JPH02271996A (ja) | 1990-11-06 |
JPH0512317B2 true JPH0512317B2 (ja) | 1993-02-17 |
Family
ID=14094992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1093887A Granted JPH02271996A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 銅酸ネオジム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02271996A (ja) |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP1093887A patent/JPH02271996A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02271996A (ja) | 1990-11-06 |
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