JPH0232238B2 - Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho - Google Patents

Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho

Info

Publication number
JPH0232238B2
JPH0232238B2 JP13326286A JP13326286A JPH0232238B2 JP H0232238 B2 JPH0232238 B2 JP H0232238B2 JP 13326286 A JP13326286 A JP 13326286A JP 13326286 A JP13326286 A JP 13326286A JP H0232238 B2 JPH0232238 B2 JP H0232238B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
raw material
material rod
solvent
crystal
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP13326286A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62292697A (ja
Inventor
Kunihiko Oka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP13326286A priority Critical patent/JPH0232238B2/ja
Publication of JPS62292697A publication Critical patent/JPS62292697A/ja
Publication of JPH0232238B2 publication Critical patent/JPH0232238B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、ガドリニウム鉄ガーネツト単結晶
のフローテイングゾーン法による製造方法に関す
るものである。
(従来の技術) ガドリニウム鉄ガーネツト単結晶は磁気光学材
料として大きなフアラデー効果を有し、光アイソ
レーター、光スイツチ等に応用されている。
これ等に供する単結晶は専ら融剤を用いたフラ
ツクス法で製造されているが、この方法では結晶
育成に長時間を要し、融剤を不純物として結晶中
に取り込み易いという欠点を有していた。
一方、原料棒と種結晶の間に浮遊溶融帯を形成
させ、該浮遊溶融帯を原料棒方向に移動させるこ
とにより種結晶に単結晶を析出させる、所謂フロ
ーテイングゾーン法は比較的短時間に良質な単結
晶が得られる方法として注目されているが、最近
このフロイングゾーン法でガドリニウム鉄ガーネ
ツト単結晶を育成したという実験結果が報告され
ている(Journal of Crystal Growth 52 498
〜504 1981)。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、この報告による実験では、例えば50気
圧の高酸素圧の下でガドリニウム鉄ガーネツト
(Gd3Fe5O12)単結晶の育成を行なつているが、
このような高酸素圧の下における単結晶の製造は
実際のガドリニウム鉄ガーネツト単結晶の製造法
としては厳し過ぎて適しない。
また、Gd3Fe5O12の原料棒と種結晶の間に
Gd3Fe5O12と同じ組成の融帯部、即ちGd3O3
Fe2O3がモル比にして3.0対5.0の混合物からなる
融帯部を配置し、この融帯部を加熱して浮遊溶融
帯を作り、これをGd3Fe5O12原料棒方向に移動さ
せる通常のフローテイングゾーン法を行なつて
も、上記融帯部は1560℃付近での加熱でGdFeO3
と液相に分解溶融してしまうため、Gd3Fe5O12
結晶は育成されない。
(問題点を解決するための手段) この発明は、上記実情に鑑み、Gd2O3−Fe2O3
の正確な相平衡図を作成し(第1図)、これに基
づき実際のガドリニウム鉄ガーネツト単結晶製造
に適したフローテイングゾーン法を研究した結果
開発したもので、具体的には原料棒と種結晶の間
に設ける溶媒を酸化ガドリニウム(Gd2O3)が
18.0から21.9モル%、酸化第二鉄(Fe2O3)が82.0
から78.1モル%の組成で配合した混合物で構成す
るとともに、該溶媒を1450℃から1510℃に加熱し
て浮遊溶融帯を形成し、該浮遊溶融帯を原料棒方
向に移動させることにより種結晶に単結晶を析出
させるようにしたことを特徴とするガドリニウム
鉄ガーネツト単結晶の製造方法を提案するもので
ある。
この発明において使用する原料棒は、例えば酸
化ガドリニウム(Gd2O3)と酸化第二鉄
(Fe2O3)の3.0対5.0〜3.1対5.0のモル比の混合物
を使用することができる。
なお、Gd3Fe5O12単結晶のガドリニウム原子及
び鉄原子の位置に何等かの異種元素が少量混入し
ても、その相平衡図が定性的に第1図のGd2O3
Fe2O3系の相平衡図と本質的に変らない場合には
原料棒中に少量の異種元素を混入することにより
上記と全く同じ方法によつて異種元素を混入した
ガドリニウム鉄ガーネツト固溶体単結晶を製造す
ることも可能である。
(作用) 先ず、この発明の原理について述べると、第1
図は示差熱分析と加熱急冷法とその試料をX線回
折した結果とフローテイングゾーン法によつて結
晶成長した結果から作図したGd2O3−Fe2O3系の
相平衡図である。
第1図から明らかなように、Gd3Fe5O12単結晶
は、液相線ABの組成比、即ちGd2O3が14.0から
22.0モル%、Fe2O3が86.0から78.0モル%の範囲の
組成の溶液から析出すると考えられる。
この発明においてはフローテイングゾーン法に
おいてGd3Fe5O12結晶成分を多く含む溶液組成か
らの結晶育成ほど有利になることを考慮して
Gd3Fe5O12原料棒と種結晶の間に設けられた溶媒
の成分組成をGd2O3が18.0から21.9モル%、
Fe2O3が82.0から78.1モル%にし、該溶媒を1450
〜1510℃で加熱溶融し、上記溶融組成を安定に保
ちながら原料棒の方向に移動させ、種結晶に
Gd3Fe5O12単結晶を成長させるものである。
(実施例) 次ぎに、この発明の一実施例を説明する。
Gd2O3とFe2O3をモル比にして3.0対5.0に混合
した粉末を1150℃で2時間焼成し、その粉末を加
圧成形器で直径10mm、長さ10mmの円柱棒状にして
1400℃で2時間均質に焼成してGd3Fe5O12原料棒
とする。
同様に、Gd2O3を20モル%、Fe2O3を80モル%
の組成に混合した粉末を1150℃で2時間焼成した
後、上記同様に直径10mmの円柱棒状に成形し、
1400℃で2時間均質に焼成して溶媒とする。
しかる後、この円柱棒状の溶媒を径方向に切断
し、1.2〜1.5gの円板にしてGd3Fe5O12原料棒に
融着する。
このようにしてGd3Fe5O12原料棒の先端に溶媒
を融着した円柱棒状試料を、赤外線加熱方式を採
用したフローテイングゾーン法単結晶製造装置の
上部試料回転軸に固定し、同様に下部回転軸に種
結晶を固定する。なお、この場合種結晶と溶媒を
付けたGd3Fe5O12の原料棒が回転軸に対して偏心
しないように設定する。
そして、赤外線を使用して上記溶媒を加熱溶解
した後に種結晶を溶媒に接触させ、液体の表面張
力により原料棒と種結晶の間に溶媒を接触させ
る。
しかる後に原料棒と種結晶とをお互いに反対方
向に、30rpmで回転させる。
更に、この溶けた溶媒を1〜2mm/hrの速度で
原料棒方向、即ち上方に移動させて種結晶に
Gd3Fe5O12単結晶を育成させる。
なお、この育成は大気圧下に行なつてもGd2O3
等の蒸散は微量であり、問題はなかつた。
原料棒がほぼ消費された時に育成した単結晶と
原料棒とを切り離して室温まで冷却した。この結
果、直径8mm、長さ45mmの円柱棒状のGd3Fe5O12
単結晶が得られた。
(発明の効果) 以上要するに、この発明によれば従来使用され
ていたフラツクス法に比較して短時間に良質な
Gd3Fe5O12単結晶を製造することができ、また任
意の結晶軸方向にGd3Fe5O12単結晶の製造をする
ことができる。
更に、高圧の酸素下でなくても大気圧中で十分
に良質なGd3Fe5O12単結晶を製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本願発明者の作成したGd2O3
Fe2O3系の相平衡図を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 原料棒と種結晶の間に溶媒を設け、この溶媒
    を加熱し、溶融させて原料棒方向に移動させるこ
    とにより種結晶に単結晶を析出させる方法におい
    て、Gd3Fe5O12の原料棒と種結晶の間に設ける溶
    媒を酸化ガドリニウム(Gd2O3)が18.0から21.9
    モル%、酸化第二鉄(Fe2O3)が82.0から78.1モ
    ル%の組成で配合した混合物で構成するととも
    に、該溶媒を1450℃から1510℃に加熱して浮遊溶
    融帯を形成し、該浮遊溶融帯を原料棒方向に移動
    させることにより種結晶に単結晶を析出させるよ
    うにしたことを特徴とするガドリニウム鉄ガーネ
    ツト単結晶の製造方法。 2 原料棒として少量の異種元素を混入した
    Gd3Fe5O12の原料棒を使用する特許請求の範囲第
    1項記載の方法。
JP13326286A 1986-06-09 1986-06-09 Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho Expired - Lifetime JPH0232238B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13326286A JPH0232238B2 (ja) 1986-06-09 1986-06-09 Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13326286A JPH0232238B2 (ja) 1986-06-09 1986-06-09 Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62292697A JPS62292697A (ja) 1987-12-19
JPH0232238B2 true JPH0232238B2 (ja) 1990-07-19

Family

ID=15100503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13326286A Expired - Lifetime JPH0232238B2 (ja) 1986-06-09 1986-06-09 Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0232238B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5142287B2 (ja) * 2008-12-22 2013-02-13 独立行政法人産業技術総合研究所 多結晶材料から単結晶を成長させる方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62292697A (ja) 1987-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0152359B2 (ja)
JPH0232238B2 (ja) Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho
JPS59164692A (ja) 酸化物単結晶の製造方法
EP0148946B1 (en) Method of producing a chrysoberyl single crystal
US4708763A (en) Method of manufacturing bismuth germanate crystals
JP2507910B2 (ja) 酸化物単結晶の製造方法
CA1302848C (en) Process for making homogeneous lithium niobate
JPH0471036B2 (ja)
JPH0471877B2 (ja)
JPH06345583A (ja) 単結晶製造方法及び単結晶製造装置
JPS623092A (ja) BaPbO3系酸化物超伝導体単結晶の溶液引上げ法による製造方法
RU2072004C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов литиевой феррошпинели life5o8
JPS55140792A (en) Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal
JPS6270296A (ja) Bi↓2↓4Si↓2O↓4↓0単結晶の製造方法
JPS63274695A (ja) 銅酸ランタン単結晶の製造方法
JPH0250080B2 (ja)
JPH03159988A (ja) セラミックス系超電導体の製造方法
JPH0512317B2 (ja)
JPH0471876B2 (ja)
JPH0319199B2 (ja)
JPS58120597A (ja) 光彩効果を示すクリソベリル単結晶及びその製造方法
JPH0274596A (ja) ゲルマニウム酸ビスマス単結晶およびその製造方法
JPH02279583A (ja) 単結晶育成方法
JPS61163198A (ja) 単結晶BiSBrの製造法
Jang et al. Growth of $ MgTiO_3 $ Single Crystals by the Floating Zone Method

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term