JPS61163198A - 単結晶BiSBrの製造法 - Google Patents
単結晶BiSBrの製造法Info
- Publication number
- JPS61163198A JPS61163198A JP537385A JP537385A JPS61163198A JP S61163198 A JPS61163198 A JP S61163198A JP 537385 A JP537385 A JP 537385A JP 537385 A JP537385 A JP 537385A JP S61163198 A JPS61163198 A JP S61163198A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- bisbr
- crystal
- raw material
- bis
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光伝導性をもつ強#fj111体であり、光
メモリ、光スィッチ等に利用可能な単結晶5bSIに製
造法に関するものである。
メモリ、光スィッチ等に利用可能な単結晶5bSIに製
造法に関するものである。
従来は、石英アングルにB1. S、Brの化合物等を
封じ込め、ブリッジマン法により、径が2〜51III
11長さが2〜6I+IIl程度の製造されている。
封じ込め、ブリッジマン法により、径が2〜51III
11長さが2〜6I+IIl程度の製造されている。
前述の従来技術では、例えば光デバイスとして必要な結
晶の大きさ、径にして数インチのものを得ることはでき
ず、又、品質に於ても不純物、欠陥の混入は避けられな
いという問題があった。
晶の大きさ、径にして数インチのものを得ることはでき
ず、又、品質に於ても不純物、欠陥の混入は避けられな
いという問題があった。
本発明は、この様な問題点を解決するもので、その目的
とするところは、デバイスとして利用可能なサイズ及び
品質を有する単結晶n1snrを提供することにある。
とするところは、デバイスとして利用可能なサイズ及び
品質を有する単結晶n1snrを提供することにある。
本発明の単結晶BiSBrの製造法は、臭化ビスマス(
BiBrg)、硫化ビスマス(BiS)をモル比にして
1対1から3の割合で原料とし、加圧型LEC法により
、単結晶BiSBrの製造をすることを特徴とする。
BiBrg)、硫化ビスマス(BiS)をモル比にして
1対1から3の割合で原料とし、加圧型LEC法により
、単結晶BiSBrの製造をすることを特徴とする。
本発明の作用を述べれば (1)数インチの単結晶Bi
SBrが得られる。 (1)加圧型LEC法により、化
学量論的組成比がDI、S、Brに対して1:1:1に
近いものが得られる (iii)欠陥が少ない単結晶B
iSBrが得られることである。
SBrが得られる。 (1)加圧型LEC法により、化
学量論的組成比がDI、S、Brに対して1:1:1に
近いものが得られる (iii)欠陥が少ない単結晶B
iSBrが得られることである。
第1図は、本発明に用いた加圧型LEC法の模式図であ
る。まず、るつぼ■に原料である旧Brl、BISを各
1モルずつ入れ、次に表面皮覆材として例えば酸化ホウ
素(B! Os )を適当量大れる。次に、回転軸■に
種結晶B15Br■をセットとし、−■の炉内に、不活
性ガスを数気圧から数十気圧に加圧していれる。次に、
高周波コイル■に電流を流し、ルツボ内の原料及び表面
被覆材を溶融し、のぞき窓■から、結晶の成長状況を見
ながら、単結晶の育成を行なう。回転軸の速度を20〜
40rPm、不活性ガスとしてArを5気圧まで加圧し
、成長速度を1〜5 m/ h rX特に2m/hrで
育成したところ、結晶径が2インチの単結晶BiSBr
が得られた。
る。まず、るつぼ■に原料である旧Brl、BISを各
1モルずつ入れ、次に表面皮覆材として例えば酸化ホウ
素(B! Os )を適当量大れる。次に、回転軸■に
種結晶B15Br■をセットとし、−■の炉内に、不活
性ガスを数気圧から数十気圧に加圧していれる。次に、
高周波コイル■に電流を流し、ルツボ内の原料及び表面
被覆材を溶融し、のぞき窓■から、結晶の成長状況を見
ながら、単結晶の育成を行なう。回転軸の速度を20〜
40rPm、不活性ガスとしてArを5気圧まで加圧し
、成長速度を1〜5 m/ h rX特に2m/hrで
育成したところ、結晶径が2インチの単結晶BiSBr
が得られた。
上述の如く、本発明の単結晶製造法によれば、従来の製
造法では、不可能であった大きさ及び品質の良い単結晶
5bSIを得ることができ、光メモリ、光スチツチ材料
である単結晶B I SBrを安価に供給できる。
造法では、不可能であった大きさ及び品質の良い単結晶
5bSIを得ることができ、光メモリ、光スチツチ材料
である単結晶B I SBrを安価に供給できる。
第1図は、本発明の加圧型LKC法の模式図である。■
は炉内、■は、のぞき窓、■は、種結晶、■は、表面被
覆材、■は、原料、■けルツボ、■は、高周波コイル、
■は、回転軸でdる。 以上
は炉内、■は、のぞき窓、■は、種結晶、■は、表面被
覆材、■は、原料、■けルツボ、■は、高周波コイル、
■は、回転軸でdる。 以上
Claims (1)
- 臭化ビスマス(BiBr_3)、硫化ビスマス(BiS
)をモル比にして1対1から3の割合で混合したものを
原料とし、種結晶としてBiSBrを用いて単結晶Bi
SBrを加圧型LEC法により製造することを特徴とす
る単結晶BiSBrの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP537385A JPS61163198A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶BiSBrの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP537385A JPS61163198A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶BiSBrの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61163198A true JPS61163198A (ja) | 1986-07-23 |
Family
ID=11609363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP537385A Pending JPS61163198A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 単結晶BiSBrの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61163198A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007160456A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Lintec Corp | 打抜加工装置 |
US8177931B2 (en) | 2005-12-16 | 2012-05-15 | Molnlycke Health Care Ab | Method for perforating heat meltable material |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP537385A patent/JPS61163198A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007160456A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Lintec Corp | 打抜加工装置 |
US8177931B2 (en) | 2005-12-16 | 2012-05-15 | Molnlycke Health Care Ab | Method for perforating heat meltable material |
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