JPH06345583A - 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 - Google Patents

単結晶製造方法及び単結晶製造装置

Info

Publication number
JPH06345583A
JPH06345583A JP13756193A JP13756193A JPH06345583A JP H06345583 A JPH06345583 A JP H06345583A JP 13756193 A JP13756193 A JP 13756193A JP 13756193 A JP13756193 A JP 13756193A JP H06345583 A JPH06345583 A JP H06345583A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
single crystal
crystal
melt
seed crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13756193A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2831906B2 (ja
Inventor
Masanobu Kawada
真伸 河田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nittetsu Mining Co Ltd
Original Assignee
Nittetsu Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nittetsu Mining Co Ltd filed Critical Nittetsu Mining Co Ltd
Priority to JP5137561A priority Critical patent/JP2831906B2/ja
Publication of JPH06345583A publication Critical patent/JPH06345583A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2831906B2 publication Critical patent/JP2831906B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不定比固溶領域をもつ化合物に対しても、容
易な制御で高品質の単結晶を得ることができる単結晶製
造方法並びに当該方法を実施するための装置を提供す
る。 【構成】 種結晶の上に溶融帯を形成しながら、単結晶
を製造、育成する方法において、溶融帯に、任意の組成
の粉砕物及び粉砕原料を任意の割合で供給する。また当
該方法の実施のために、回転楕円面鏡と、当該回転楕円
面鏡の一方の焦点に配置された熱源と、当該回転楕円面
鏡の他方の焦点に配置され種結晶と当該種結晶の上方で
水平に置かれた細孔を備えるプレートとこれら種結晶と
プレートの間に形成される溶融帯とで構成された単結晶
育成部と、プレートの上方に配置された粉砕物質供給管
とから単結晶製造装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物磁性材料、酸化
物誘電材料、半導体材料等の物質として有用な単結晶を
製造する方法、並びに当該方法に適する単結晶製造装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】融液から単結晶を育成する製造方法とし
て知られたCZ(チョコラルスキー)法を用いて高品質
の単結晶を製造する場合には、製造されるべき単結晶の
組成が融液の組成と等しくなければならない。目的とす
る単結晶の組成が融液の組成と異なると、育成される単
結晶の組成が変化してしまい、その結果、歪みが結晶内
に生じ、高品質の単結晶を製造することが出来ない。
【0003】分解溶融する物質や非コングルエントの物
質では、公知のように安定に共存する液相と固相の組成
が異なるために、上記理由から高品質の単結晶をCZ法
によって得ることが出来ない。そこで従来これらの物質
の高品質単結晶の製造には、FZ(フローティングゾー
ン)法が用いられている。FZ法による分解溶融物の製
造方法はTSFZ(Traveling Solvent Floating Zon
e)法と呼ばれており、TSFZ法の原理を集光加熱式
のFZ法に応用した製法として、例えばYIG(イット
リウム鉄ガーネット)単結晶の製造方法については、特
公昭55−16120号公報に開示されている。またY
IGの固溶体単結晶の製造方法については、特公昭56
−27479号公報に提案されている。また非コングル
エント組成の物質の製造方法については、例えば日本結
晶成長学会誌Vol.14 No.2(1987年)16
3〜171頁に提案がある。
【0004】更に引下げ法として、種結晶と水平プレー
トの間に溶融帯を形成させて、プレート上に原料粉末を
落下させながら単結晶を育成することが、例えばJ.
Sci. Instr., 42, p114(196
5)に提案提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のFZ法では、融
液の組成を育成の最初の段階で特定・制御して育成を開
始する。育成開始後は、一定組成の原料棒を溶け込ませ
て結晶を育成するので、溶け込んだ原料と量及び組成が
同じ単結晶を育成するときに限って安定な育成が可能で
ある。
【0006】しかしながら、実際の育成では様々な要
因、その中でも特に融液が原料棒へ染み込むことによっ
て育成中に融液の量と組成とが変化してしまう。
【0007】分解溶融する物質や非コングルエントの物
質は、温度によって安定に共存する液層の組成が異な
る。FZ法で単結晶を育成する場合、育成域付近の温度
勾配のために原料棒を構成する多結晶の粒界中に融液が
染み込み、当該多結晶と反応してその場所の温度に対応
した融液の組成に変化する。そのために融液の組成と量
とが変化してしまう。特に融液に、単結晶に含まれない
成分を使用する場合には、融液の組成と量の変化が著し
くなる。
【0008】上述のように、育成中に融液の組成と量が
変化してしまうと、一定の組成の原料棒を溶かし込む従
来の方法では、安定な融液の組成と量に戻すことは不可
能である。したがって高品質の単結晶を安定して育成す
ることが困難である。
【0009】また従来公知の引下げ法はプレートを直接
加熱する方式であって、この方式では育成域付近の温度
制御が難しく、そのため固液界面が乱れ、高品質の単結
晶を育成することが極めて困難である。
【0010】YIGのような分解溶融物や非コングルエ
ントの物質を大口径化する場合は、育成初期の口径の小
さいときに必要とされる安定な融液の量と、大口径にな
ったときの安定な融液の量とが異なるため、育成される
単結晶の組成の原料を常時供給し続けるTSFZ法や引
下げ法など、従来法では育成することができない。
【0011】以上のような従来法での問題及び限界に照
らして、本発明は、育成中に融液の組成や量の調整が必
要になった場合でも、容易に当該調整を行ない、高品質
の単結晶を得ることができる単結晶製造方法を提供する
ことを課題とし、併せてそのための装置も提供する。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題のうち単結晶の
製造方法については、種結晶の上に形成される溶融帯
に、任意の組成の粉砕物及び粉砕原料を任意の割合で供
給することによって、解決される。
【0013】また装置については、回転楕円面鏡と、当
該回転楕円面鏡の一方の焦点に配置された熱源と、当該
回転楕円面鏡の他方の焦点に配置され種結晶と当該種結
晶の上方で水平に置かれた細孔を備えるプレートとこれ
ら種結晶とプレートの間に形成される溶融帯とで構成さ
れた単結晶育成部と、プレートの上方に配置された粉砕
物質供給管とからなる集光加熱式の装置によって、上記
課題が解決される。
【0014】本発明を実施することにより、分解溶融物
や非コングルエントの物質を育成する際に、必要な量の
原料だけが融液に供給されて、原料棒が融液に直接接触
することがなく、したがって従来のような原料棒への融
液の染み込みが起こらない。
【0015】また本発明によって、育成中の融液の量や
形状をリアルタイムで観察して、育成中に融液の量が減
少して溶融帯の維持が困難になった場合には、適当な組
成と量の原料を供給して、当該溶融帯を最適状態に戻す
ことができる。
【0016】更に本発明によって、分解溶融物や非コン
グルエントの物質の大口径の単結晶を育成する際、結晶
の口径が大きくなるにつれて適当な組成と量の原料を加
えながら融液の量を増やすこともでき、口径に応じた安
定な融液の量の調節が可能となり、安定した大口径の単
結晶の育成が可能となる。
【0017】製造装置に用いられるプレートは融液と反
応しない材質、例えばYIGに対しては白金Ptが好ま
しい。
【0018】供給管も融液とは反応せず融点の高いも
の、例えばアルミナ管が好ましい。
【0019】供給すべき原料は、一旦焼結させ反応させ
てから粉砕させたものの方が供給管にくっついて詰まら
ないので有効である。
【0020】
【発明の効果】本発明の製造方法を実施することによ
り、融液と育成される単結晶とが非平衡の場合でも結晶
を安定して育成でき、また安定条件(融液の量と組成
等)を迅速に発見することができる。また分解溶融物を
TSFZ法で大口径化することも可能となる。
【0021】
【実施例】本発明の単結晶製造育成装置の一実施例を図
1に示す。対称形の2つの回転楕円面鏡1、2の夫々の
一方の焦点F0、F0が一致するように対向して加熱炉が
構成される。この回転楕円面鏡1、2の反射面は、赤外
線を高反射率で反射させるべく金メッキ処理が施されて
いてもよい。回転楕円面鏡1、2の他方の第1、第2の
焦点F1、F2近傍には、ハロゲンランプ3、4が固定配
置されている。また共通焦点F0の位置には、溶媒部5
があり、その直ぐ下部には、下方から鉛直上方に延びる
回転軸6の上端に固定された結晶棒7があり、また溶媒
部5の上方には細孔を有した白金プレート8(0.3m
m厚×30mm径)が水平に位置しており、さらにその
上方には、アルミナ管9(内径10mm)が配置されて
いる。このアルミナ管9や結晶棒7が配置された空間と
ハロゲンランプ3、4とを石英板10で区画している。
この区画によって形成されるアルミナ管9や結晶棒7を
配置した試料空間には、結晶製造及び育成に好適な雰囲
気ガスが充満されることとなる。プレート8は石英板1
0に固定されている。この装置を用いて、下記実施例1
及び2が行なわれた。
【0022】実施例1 酸化イットリウムY23と酸化第二鉄Fe23と酸化ビ
スマスBi23からなる粉末50gを用いて、YIGの
イットリウムの10モル%をビスマスで置換した組成に
調整し、めのう乳鉢中でエタノールの湿式混合を3回行
った。その原料をゴムチューブに詰め込み、静水圧10
00kg/cm2でプレスし、10mm径で100mm
の長さの円柱状に成形した。これを内径30mm、長さ
600mmのアルミナ管で構成される縦型管状炉内に配
置し、酸素を管の下方から0.5リットル/hrで内部
に流通し、その4時間後から1200℃で1.5時間焼
結し、焼結終了まで酸素を流通し続けて原料棒を作製し
た。
【0023】またそれぞれモル%で酸化イットリウムY
235%、酸化第二鉄Fe2350%、酸化ビスマスB
2330%、酸化バリウムBaO15%に調整した粉
末10gを、めのう乳鉢中でエタノールの湿式混合を1
回行った。その原料をゴムチューブに詰め込み、静水圧
1000kg/cm2でプレスし、7mm径で40mm
の長さの円柱状に成形した。これを内径30mm、長さ
600mmのアルミナ管で構成される縦型管状炉内に配
置し、酸素を管の下方から0.5リットル/hrで内部
に流通し、その4時間後から800℃で1.5時間焼結
し、焼結終了まで酸素を流通し続けてペレットを作製し
た。
【0024】上記のように作製した原料棒とペレットを
それぞれめのう乳鉢で約1mmの粒状に粉砕した。
【0025】図1に示された上記単結晶製造・育成装置
において、アルミナ管9を白金プレート8の上部10m
m付近にその先端がくるように設置した。直径10mm
で(111)方向に育成したYIGを種結晶として回転
軸6に固定し、種結晶の上に上記操作で得たペレットを
60mg乗せた。
【0026】熱源のハロゲンランプ3、4の電圧を徐々
に上昇させると、種結晶の上のペレットが溶け出して液
体となった。次いで、回転軸6を上昇させて当該液体を
プレート8に接触させた。すると図2に示されるよう
に、プレートと種結晶との間で溶融帯が形成された。さ
らに、アルミナ管9を通じて上記のように作製した粒状
の原料をプレートの上に供給した。すると溶融帯の融液
と原料がプレート8の細孔を通じて反応し、融液の量が
少なくなった。そこで融液の量を見ながら、粒状ペレッ
トをプレート8の上に供給した。するとプレート8の上
部で融液ができ、それが補充液としてプレート8の下部
に移動し、プレート8と種結晶で形成される溶融帯の融
液の量が回復した。
【0027】上記操作を繰り返してプレート8と結晶の
間の溶融帯の融液の量を調節しながら回転軸6を0.5
mm/hrで下降させた。約2時間育成すると、種結晶
の上部に新たに結晶が約1mm晶出した。そこで電圧を
下げて融液をプレート8と結晶から切り離した後、常温
まで8時間かけて冷却した。
【0028】晶出した結晶をX線回折法で構造を、EP
MAで組成を調べたところ、ビスマスをイットリウムに
対し6%置換したYIGであることが判明した。
【0029】比較例1 実施例1と同様にして原料棒とペレットとを作製した。
【0030】このようにして得た原料棒を赤外線集光加
熱方式を採用した公知のフローティングゾーン法単結晶
製造装置の上側試料回転軸に固定し、同様に直径10m
mで(111)方向に育成したYIGを種結晶として下
側試料回転軸に固定し、種結晶の上に上記操作で得たペ
レットを60mg乗せた。育成雰囲気として酸素ガス
を、溶融石英管を介して外気と隔離された結晶成長室へ
1.5リットル/hrで流し込み、上部回転軸と下部回
転軸を各々逆方向に33rpmで回転させた。
【0031】熱源のランプの電圧を徐々に上昇させる
と、種結晶の上のペレットが溶け出して液体となった。
その液体に上側回転軸を下降させて原料棒を接触させる
と液体が徐々に原料棒に吸収されて液体が急速に減少し
残りの液体も固化してしまい、溶融帯を形成させること
ができなかった。
【0032】同様の条件でペレットの量を200mgに
しても溶融帯を形成させることができなかった。また、
それ以上のペレットを用いると種結晶の上で液体を維持
することができなくなり液体が垂れてしまった。
【0033】実施例2 酸化イットリウムY23と酸化第二鉄Fe23からなる
粉末50gをYIGの組成に調整し、めのう乳鉢中でエ
タノールの湿式混合を3回行った。その原料をゴムチュ
ーブに詰め込み、静水圧1000kg/cm2でプレス
し、10mm径で100mmの長さの円柱状に成形し
た。これを内径30mm、長さ600mmのアルミナ管
で構成される縦型管状炉内に配置し、酸素を管の下方か
ら0.5リットル/hrで内部に流通し、その4時間後
から1530℃で1.5時間焼結し、焼結終了まで酸素
を流通し続けて原料棒を作製した。
【0034】またそれぞれモル%で酸化イットリウムY
2315%、酸化第二鉄Fe2385%に調整した粉末
10gを、めのう乳鉢中でエタノールの湿式混合を1回
行った。その原料をゴムチューブに詰め込み、静水圧1
000kg/cm2でプレスし、7mm径で40mmの
長さの円柱状に成形した。これを内径30mm、長さ6
00mmのアルミナ管で構成される縦型管状炉内に配置
し、酸素を管の下方から0.5リットル/hrで内部に
流通し、その4時間後から1300℃で1.5時間焼結
し、焼結終了まで酸素を流通し続けてペレットを作製し
た。
【0035】上記のように作製した原料棒とペレットを
それぞれめのう乳鉢で約1mmの粒状に粉砕した。
【0036】上記操作で得たペレットを用いて図1に示
された装置に実施例1と同様にセットし、徐々に電圧を
上昇させた。すると種結晶の上のペレットが溶け出して
液体となった。次いで回転軸6を上昇させて液体をプレ
ート8に接触させた。するとプレート8と種結晶との間
で溶融帯が形成された。次に、アルミナ管9を通じて上
記のように作製した粒状の原料をプレート8の上に供給
した。このとき溶融帯の融液の量は減少したが実施例1
に比べるとその量は僅かであった。この状態で電圧を1
0分位かけて1.2V上昇させると融液の量が多くなっ
た。この状態で回転軸6を1mm/hrで下降させた。
プレート8上に固体で残っている原料が少なくなった場
合にはアルミナ管9を通じて原料を供給した。融液の量
が少なくなった場合には粒状にしたペレットを供給し
た。この操作を繰り返しながら融液の量を一定に保って
2時間育成すると、種結晶と同じ径の単結晶が育成され
た。この状態で次に電圧を少しづつ上昇させると、融液
の量が減少した。このとき粒状のペレットをやや多めに
供給し安定状態よりもやや多めの融液を形成させた。電
圧を上昇させながらこの操作を繰り返すと、結晶の径が
大きくなり、5時間後に約15mmの径となった。
【0037】比較例2 実施例2と同様にして原料棒とペレットとを作製した。
【0038】このようにして得た原料棒を赤外線周光加
熱方式を採用した公知のフローティングゾーン法単結晶
製造装置の上側試料回転軸に固定し、同様に直径10m
mで(111)方向に育成したYIGを種結晶として下
側試料回転軸に固定し、種結晶の上に上記操作で得たペ
レットを60mg乗せた。育成雰囲気として酸素ガス
を、溶融石英管を介して外気と隔離された結晶成長室へ
1.5リットル/hrで流し込み、上部回転軸と下部回
転軸を各々逆方向に33rpmで回転させた。
【0039】徐々に熱源のランプの電圧を上昇させると
ペレットが溶け出し液体となった。その液体に上側回転
軸を下降させて原料棒を接触させ、原料棒と種結晶の間
で溶融帯を形成させた。そして大口径化するために上側
試料回転軸を3mm/hr、下側試料回転軸を1mm/
hrで下降させた。その後約30分経過すると溶融帯の
融液の量が減少し、溶融帯の幅が狭くなった。しばらく
すると原料棒と種結晶が溶融帯内で接触し、その振動で
融液が垂れてしまった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る集光加熱式の単結晶製造装置の概
略図である。
【図2】本発明に係る製造方法を図1の装置において行
なう様子を示す概念図である。
【符号の説明】
1、2 回転楕円面鏡 3、4 熱源 5 溶媒部 6 回転軸 8 プレート 9 供給管

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 種結晶の上に溶融帯を形成しながら、単
    結晶を製造、育成する方法において、上記溶融帯に、任
    意の組成の粉砕物及び粉砕原料を任意の割合で供給する
    ことを特徴とする単結晶を製造育成する方法。
  2. 【請求項2】 回転楕円面鏡と、当該回転楕円面鏡の一
    方の焦点に配置された熱源と、当該回転楕円面鏡の他方
    の焦点に配置され種結晶と当該種結晶の上方で水平に置
    かれた細孔を備えるプレートとこれら種結晶とプレート
    の間に形成される溶融帯とで構成された単結晶育成部
    と、プレートの上方に配置された粉砕物質供給管とから
    なる集光加熱式の単結晶製造装置。
JP5137561A 1993-06-08 1993-06-08 単結晶製造装置 Expired - Fee Related JP2831906B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5137561A JP2831906B2 (ja) 1993-06-08 1993-06-08 単結晶製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5137561A JP2831906B2 (ja) 1993-06-08 1993-06-08 単結晶製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06345583A true JPH06345583A (ja) 1994-12-20
JP2831906B2 JP2831906B2 (ja) 1998-12-02

Family

ID=15201604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5137561A Expired - Fee Related JP2831906B2 (ja) 1993-06-08 1993-06-08 単結晶製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2831906B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018020821A1 (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置
US10829869B2 (en) 2016-06-29 2020-11-10 Crystal Systems Corporation Single-crystal production equipment and single-crystal production method
US11326270B2 (en) 2018-03-29 2022-05-10 Crystal Systems Corporation Single-crystal production equipment and single-crystal production method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05286791A (ja) * 1992-04-10 1993-11-02 Mitsuhiro Maruyama 浮遊帯溶融法による結晶の製造方法及び製造装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05286791A (ja) * 1992-04-10 1993-11-02 Mitsuhiro Maruyama 浮遊帯溶融法による結晶の製造方法及び製造装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10829869B2 (en) 2016-06-29 2020-11-10 Crystal Systems Corporation Single-crystal production equipment and single-crystal production method
WO2018020821A1 (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置
CN107949665A (zh) * 2016-07-28 2018-04-20 株式会社水晶系统 单晶制造装置
JPWO2018020821A1 (ja) * 2016-07-28 2018-07-26 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置
US20190032242A1 (en) * 2016-07-28 2019-01-31 Crystal Systems Corporation Single-Crystal Production Equipment
EP3299498A4 (en) * 2016-07-28 2019-03-13 Crystal Systems Corporation DEVICE FOR PRODUCING MONOCRYSTAL
US11326270B2 (en) 2018-03-29 2022-05-10 Crystal Systems Corporation Single-crystal production equipment and single-crystal production method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2831906B2 (ja) 1998-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chani et al. Growth of Y3Al5O12: Nd fiber crystals by micro-pulling-down technique
US4303465A (en) Method of growing monocrystals of corundum from a melt
JPH06345583A (ja) 単結晶製造方法及び単結晶製造装置
US3607752A (en) Process for the culture of large monocrystals of lithium niobate
JP2000344595A (ja) 酸化物単結晶の製造方法及び装置
US4708763A (en) Method of manufacturing bismuth germanate crystals
EP0018111B1 (en) Method of producing ferrite single crystals
JP2005075688A (ja) ガーネット型単結晶の育成方法
JPH0253397B2 (ja)
JPS63274697A (ja) 銅酸ランタン単結晶の製造方法
JP2580523B2 (ja) 二ホウ化チタン単結晶の育成法
JPH0948697A (ja) リチウムトリボレート単結晶の製造方法
JP2004075414A (ja) 酸化ガリウム鉄混晶の結晶製造方法
JP2000335999A (ja) チタン酸バリウム単結晶の製造方法
JP3000137B2 (ja) 超伝導体PrBa2Cu3Oy単結晶の製造方法
EP0106547B1 (en) A method of manufacturing an oxide single crystal
JPS6136192A (ja) 単結晶製造用るつぼ
JPH04338191A (ja) 単結晶の製造方法
JPH0341432B2 (ja)
JPH08109094A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JPH0232238B2 (ja) Gadoriniumutetsugaanetsutotanketsushonoseizohoho
JPS5841800A (ja) 半導体化したチタン酸ストロンチウム単結晶の製造法
JPH05319991A (ja) 六ホウ化ランタン単結晶の育成法
JPH027919B2 (ja)
JPH07315981A (ja) 酸化物単結晶の製造方法、それに用いる酸化物単結晶原料および酸化物単結晶原料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees