JPS61178489A - コランダムの製造方法 - Google Patents

コランダムの製造方法

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Publication number
JPS61178489A
JPS61178489A JP60015852A JP1585285A JPS61178489A JP S61178489 A JPS61178489 A JP S61178489A JP 60015852 A JP60015852 A JP 60015852A JP 1585285 A JP1585285 A JP 1585285A JP S61178489 A JPS61178489 A JP S61178489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flux
raw material
ruby
single crystal
amount
Prior art date
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Pending
Application number
JP60015852A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Miyasaka
均 宮坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS61178489A publication Critical patent/JPS61178489A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
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    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/02—Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process
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    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ルビー単結晶の製造に関するものである。
〔従来技術〕
従来ルビー単結晶の合成はフローティングシー／法によ
シ行なわれていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術では育成結晶に色むらが発生し
、宝石としての価値を一低下させるという問題点を有す
る。そこで本発明はこのような問題点を解決するもので
、その目的とするところは色むらのない宝石としての価
値が高いルビー単結晶を合成することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のコランダム製造方法は、赤外線集中加熱単結晶
製造装置によるルビー単結晶合成においてフラックスを
使用することを特徴とする。
本発明に使用する原料棒の形態は、図１に示すように原
料棒の先端部分に７ラツクスを付けたものとする。この
ときの７ラツクスの最滴量は１．Ｏ１〜１．５１である
。またフラックスの組成は、アルミナを溶解するもので
あればかまわないが、望ましくは一酸化鉛及びフッ化鉛
及び酸化ビスマスのいずれか１種又は２種からなるフラ
ックスが良い。
原料棒の作製方法はゴムチューブにまず適量の７ラツク
スを詰め、次にほぼルビーの組成を示す酸化アルミニウ
ム及び酸化クロムからなる原料粉末を詰める。このとき
のフラックス量はＣＬ５９〜１．０ｇとする。また酸化
クロム量は全量に対して２Ｗ％〜７Ｗ％とする。次にゴ
ムチューブ内の空気抜きを行なった後ラバープレス法に
より棒状に成型する。これを１２００℃〜１４００℃で
電気炉中で焼結を行ない原料棒とする。
これを原料とし種子結晶にルビー等のコランダム単結晶
を用いて図２に示すようなＦＺ装置によ多結晶を合成す
る。このときの育成条件は、育成雰囲気が空気、主軸の
回転数及び方向は任意であるが望ましくは上下軸共に１
５〜３０　ｒｐｍ　　で逆回転が良い。また育成速度は
α５　ｗｉ、／　Ｈ〜１．０１１Ｉ／　Ｈとする。ここ
で育成速度がＣＬ　３　、／）ｌよシ遅い場合は、フラ
ックスの蒸発量が多くなシ育成が困難となる。一方１．
０ｆｉ以上ではスラックスが育成結晶中に混入するため
不適である。
〔作用〕
本発明の上記の構成によれば、原料棒先端のフラックス
を溶融し、図５に示すように原料と結晶との間に７ラツ
クスをはさみこみ上部から原社を７ラツクスに供給し下
部に結晶化させるものである。
〔実施例〕
第１表は、本発明の実施例におけるフラックス組成、量
、原料組成、焼結温度を示したものである。このときい
ずれの原料棒も径８１ｍ＋長さ７０１１ｘである。この
原料棒を用いて図２に示すようなＦ２装置によシ第２表
に示す育成条件によ多結晶を製造した。また育成結晶の
所見も第２表に示した。
比較例として従来の７０−ティングゾーン法によシ育成
した結晶の製造条件を第１表及び第２表に示す。
第２表より明らかな如く本発明の方法によシ育成した結
晶は色むらのない宝石としての価値の高いものとなった
。
表１ 表２ 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、ルビーの単結晶合成
においてフラックスを用いることによシ色むらの々い良
質の結晶が合成可能となった。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明で使用する原料棒の形態を示す図。 １ニルビ一組成の原料 ２：フラックス 第２図は、本発明に使用する赤外線集中加熱単結晶製造
装置を示す概略図である。 １：回転楕円面鏡 ２：ハロゲンランプ ３：石英管 ４：雰囲気ガス導入口 ５：雰囲気°ガス出口 ６：原料棒゛ ７：種子結晶 ８：融帯 ９：主軸上シャフト １０：主軸下シャフト 第３図は本発明の原理図である。 １：原料 ２ニアラツクス ３：結晶 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 赤外線集中加熱単結晶製造装置によるルビー単結晶合成
    において、フラックスを使用することを特徴とするコラ
    ンダムの製造方法。
JP60015852A 1985-01-30 1985-01-30 コランダムの製造方法 Pending JPS61178489A (ja)

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JP60015852A JPS61178489A (ja) 1985-01-30 1985-01-30 コランダムの製造方法

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JPS61178489A true JPS61178489A (ja) 1986-08-11

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62223180A (ja) * 1986-03-07 1987-10-01 イ−・アイ・デユポン・デ・ニモアス・アンド・カンパニ− 除草性ピリジンスルホンアミド

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62223180A (ja) * 1986-03-07 1987-10-01 イ−・アイ・デユポン・デ・ニモアス・アンド・カンパニ− 除草性ピリジンスルホンアミド

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