JPS60176993A - ゴ−ルデンサフアイヤ単結晶製造法 - Google Patents

ゴ−ルデンサフアイヤ単結晶製造法

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Publication number
JPS60176993A
JPS60176993A JP59031697A JP3169784A JPS60176993A JP S60176993 A JPS60176993 A JP S60176993A JP 59031697 A JP59031697 A JP 59031697A JP 3169784 A JP3169784 A JP 3169784A JP S60176993 A JPS60176993 A JP S60176993A
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JP
Japan
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raw material
golden
single crystal
crystal
sapphire
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Pending
Application number
JP59031697A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatoshi Saito
正敏 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS60176993A publication Critical patent/JPS60176993A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、フローティング法（以下１１’、Ｚ、法と略
記）によりゴールデンサファイヤ単結晶を育成するゴー
ルデンサ７アイヤ単結晶製造法に関するものである。
〔従来技術〕
従来、ゴールデンサファイヤは、ベルヌーイ法により製
造されていた。しかし、この方法では、（１ンゴールデ
ン、即ち金色の色調整が不可能である（ＩＩ）　表面の
みが、ゴールデンに着色し、内部は着色されていない。
〔目的〕
本発明の目的は、ゴールデンサファイヤの色調整を可能
し、結晶全体をゴールデンにできる単結晶製造法を提供
するととｃ、ｌある。
〔概要〕
本発明は、酸化アルミニウムに酸化マグネシウムを０．
０１〜２．　Ｏｗ　ｔ％、酸化クロムを０５〜４゜Ｏｗ
ｔ％添加した粉末をゴムチューブに詰め、ラバープレス
により棒状の原料を作る。次にこれを１６００〜１７０
０℃で５〜１０時間焼結し原料棒とする。この原料棒を
第１図に示したＦ、Ｚ。
装置にセットし、育成速度を１〜２　ｍｍ　／“・ｈｒ
　とする。笥１図に於いて、１は反射鏡、２はハロゲン
ランプ、３は石英管、４はガス入口、５はガス出口、６
は原料棒、７は種結晶、８は溶融部、９゜１０は回転及
び移動軸である。即ち、ハロゲンランプの光を溶融部に
集光し、２０００°以上の高温を得、これにより原料及
び種結晶を溶かし、単結晶を育成するのである。
〔実施例〕
〈実施例１〉 酸化アルミニウムに、酸化マグネシウムを０．５ｗｔ％
、酸化クロムを１．　Ｏｗ　ｔ％添加し、よく混合した
粉末をゴムチューブに詰め、ラバープレスにより、ｌ　
Ｏｔｏｎ／　＊で成型する。この後、これを空気中、１
６５’０°ｄで５時間、焼結する。原料径及び長さはφ
１　ｔ：ｍ　Ｘ　８　ｃｍである。これをＦ、Ｚ。
装置にセットしゴールデンサファイヤ単結晶の育成を行
なった。その結果、色の均一で黄色の色調を帯びたゴー
ルデンサ７アイヤが育成された。その時の結晶径は、１
ｃｒｎであり、育成速度は２（転）／ｈｒであった。
〈実施例２〉 実施例１と同様にして原料棒を作製する。但し、酸化マ
グネシウムを０．１　ｗ　ｔ％、酸化クロムを２、２　
ｗ　ｔ％とする。これをＩＰ、Ｚ、法により育成した所
薄赤の色調を持ったゴールデンサファイヤが製造でき、
色は、均一であった。
〔効果〕
本発明のゴールデンサファイヤ単結晶ＷＪ’ｆＭ法は１
、色調が可変である。
２、むらｉく均一な金色の単結晶が育成できる。
という著しい効果を持った製造法である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に使用するＥ、Ｚ。装置の概略図であ
る。１は反射鏡、２はハロゲンランプ、３は石英管、４
はガス入口、５はガス出口、６は原料棒、７は種結晶、
８は溶融部、９．１０は回転及び移動軸である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化アルミニウムに酸化マグネシウムを［ＬＯ１〜２ｗ
    ｔ％、酸化クロムを０．５〜４．　Ｏｗ　ｔ％添加した
    粉末原料をゴムチューブに詰め、ラバープレス法により
    棒状に成形し、焼結しフローティング・ゾーン法により
    結晶を育成することを特徴とするゴールデンサファイヤ
    単結晶製造法。
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