JPS5964587A - 単結晶の製造方法 - Google Patents

単結晶の製造方法

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Publication number
JPS5964587A
JPS5964587A JP17393082A JP17393082A JPS5964587A JP S5964587 A JPS5964587 A JP S5964587A JP 17393082 A JP17393082 A JP 17393082A JP 17393082 A JP17393082 A JP 17393082A JP S5964587 A JPS5964587 A JP S5964587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
density
crystals
single crystals
single crystal
Prior art date
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Pending
Application number
JP17393082A
Other languages
English (en)
Inventor
Kengo Ono
小野　賢悟
Takemasa Ishikawa
武正 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tohoku Metal Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku Metal Industries Ltd filed Critical Tohoku Metal Industries Ltd
Priority to JP17393082A priority Critical patent/JPS5964587A/ja
Publication of JPS5964587A publication Critical patent/JPS5964587A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ′本発明は、垂直ブリッジマン法によって、　ｉ；ｇ！
ｊ！宥、２から単結晶を製造する方法に関する。
ブリッジマン法による単結晶の製造は、結晶組成をなす
原料を、るつぼまたはカプセルなどの容器に収容し、電
気炉内で加熱して原料を溶Ｄ１ぜしめた後、所定の温度
勾配を有する電気炉内の空間を、所定速度で降下させる
ことによって、容器内下端部で結晶化せしめ、順次上方
に結晶成長させる方法である。
結晶の種類によっては、その融点が高く、容器として適
当な拐ｔＩの選択範囲は広くはない。容器として必要な
伶件としては、結晶を育成する温度よりも高い融点をも
つことのみならず、十分な強度ケもち、結晶（２料や雰
囲気と反応しにくいことが挙げられる。
例えばＶＴＲ１ｉ！ｉｉ像用へ、ドとして広く使われて
いるマンガン（Ｍｎ）、亜鉛（Ｚｎ　）フェライト単結
晶は。
白金または白金、ロノウムのるつばを使用している。し
かしながら、約１６００℃の高温で長時間かけて結晶を
育成しているため、結晶の中に白金粒子が介在物として
多数取シ込まれる。その分布密度の１例は図の曲線１に
示すとお９である。これらの白金粒子は、ヘッドを製作
するための研摩工程において、精密な面加工仕上げの妨
害をする。
本発明は、このように、単結晶育成中に浸入するるつは
月利の密度を低下させることを目的とする。
本発明は、垂直グリッツマン法によって、融液から単結
晶を育成する方法において、結晶の成長の過程で、るつ
ほを回転させることを特徴とするものである。
以上１本発明の実施例について説明する。
Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の垂直ブリッジマン法によ
る育成において、るつぼに５〜２０　ｒ、ｐ−ｍ−の回
転を力えつつ降下させることによって結晶成長させた。
この結晶の中の白金粒子の分布密度は。
図の曲線２に示すとおりであった。従来法による密度を
示す曲線ｌに比較すると、約１００分の１の密度に低下
していることがわかる。
以上のように２本発明は、単結晶胃成中に、るつぼに回
転操作を加えるという単純な方法で大きな効果を得るこ
とができるところに大きな特徴がある。
【図面の簡単な説明】
図は、垂面ブリッジマン法によって育成したＭｎ−Ｚｎ
フェライト単結晶中の白金粒子介在物の分布密度を示す
。図において１曲線１は公知の１回本発明による回転を
伴なって育成した結晶について各々示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 垂直ブリッジマン法による単結晶の製造において、結晶
    成長の過程で、るつぼをその中心軸のまわりに回転させ
    ることを特徴とする単結晶製造方法。
JP17393082A 1982-10-05 1982-10-05 単結晶の製造方法 Pending JPS5964587A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8564084B2 (en) 2008-06-16 2013-10-22 Koninklijke Philips N.V. Radiation detection and a method of manufacturing a radiation detector

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5899193A (ja) * 1981-12-04 1983-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 単結晶育成方法

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5899193A (ja) * 1981-12-04 1983-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 単結晶育成方法

Cited By (1)

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