JPS6230690A - モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 - Google Patents
モリブデン酸鉛単結晶の育成方法Info
- Publication number
- JPS6230690A JPS6230690A JP16852085A JP16852085A JPS6230690A JP S6230690 A JPS6230690 A JP S6230690A JP 16852085 A JP16852085 A JP 16852085A JP 16852085 A JP16852085 A JP 16852085A JP S6230690 A JPS6230690 A JP S6230690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- lead molybdate
- crucible
- platinum
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光学素子として超音波光変調媒体に使用され
るモリブデン酸鉛単結晶を、チョクラルスキー法によっ
て育成する方法に関するものである。
るモリブデン酸鉛単結晶を、チョクラルスキー法によっ
て育成する方法に関するものである。
一般に光学素子として供されるモリブデン酸鉛単結晶の
育成は、白金のるつぼを使用してチョクラルスキー法で
行なわれる。すなわち、白金るつぼに溜められたモリブ
デン酸鉛原料融液にモリブデン酸鉛単結晶の種子結晶を
浸し、これを回転させながらゆっくりと引上げることに
より、前記種子結晶の下部に単結晶を成長させる。とこ
ろで。
育成は、白金のるつぼを使用してチョクラルスキー法で
行なわれる。すなわち、白金るつぼに溜められたモリブ
デン酸鉛原料融液にモリブデン酸鉛単結晶の種子結晶を
浸し、これを回転させながらゆっくりと引上げることに
より、前記種子結晶の下部に単結晶を成長させる。とこ
ろで。
白金は非常に安定な金属で酸素中で使用でき、又。
融点も１７７２℃と比較的高いため、モリブデン酸鉛単
結晶（融点約１０７０℃）の育成に最も適していると考
えられてきた。
結晶（融点約１０７０℃）の育成に最も適していると考
えられてきた。
しかしながら白金をるつぼ材に使用して育成されたモリ
ブデン酸鉛単結晶の内部１７ｉ：は、必ず多数の白金の
粒子が存在することが知られている。この白金の粒子は
大きさが数ミクロンから数１０ミクロンの三角形もしく
は六角形をした小さなものであるが、レーザービームの
光路内に位置した場合、非常に大きな強度をもつ散乱光
を発生させる。
ブデン酸鉛単結晶の内部１７ｉ：は、必ず多数の白金の
粒子が存在することが知られている。この白金の粒子は
大きさが数ミクロンから数１０ミクロンの三角形もしく
は六角形をした小さなものであるが、レーザービームの
光路内に位置した場合、非常に大きな強度をもつ散乱光
を発生させる。
この散乱光は、モリブデン酸鉛単結晶を光学素子として
使用する場合、ノイズ成分となり、有害なものである。
使用する場合、ノイズ成分となり、有害なものである。
又、単結晶の光透過率を減少させ。
時にはレーザービームパターンを乱す原因ともなる。し
たがって光学素子に使用することができる光学的に高品
質のモリブデン酸鉛単結晶のブロックを単結晶プールか
ら切り出す際には、白金粒子をブロック内に取り込まな
いように切シ出す必要がある。この為、単結晶プール１
本から取得できる光学素子用モリブデン酸鉛単結晶ブロ
ックの数は相当数量減少することとなり、生産性を悪く
している。
たがって光学素子に使用することができる光学的に高品
質のモリブデン酸鉛単結晶のブロックを単結晶プールか
ら切り出す際には、白金粒子をブロック内に取り込まな
いように切シ出す必要がある。この為、単結晶プール１
本から取得できる光学素子用モリブデン酸鉛単結晶ブロ
ックの数は相当数量減少することとなり、生産性を悪く
している。
したがって本発明の目的は、モリブデン酸鉛単結晶の育
成において、白金粒子の混入を悪くシ。
成において、白金粒子の混入を悪くシ。
単結晶ブロックの生産性の向上を可能にする育成方法を
提供することである。
提供することである。
本発明は、チョクラルスキー法によるモリブデン酸鉛単
結晶の育成ておいて、モリブデン酸鉛原料融液を溜める
るつぼにアルミナのセラミックスを使用することにより
、前述の目的を達成するモリブデン酸鉛単結晶の育成方
法である。
結晶の育成ておいて、モリブデン酸鉛原料融液を溜める
るつぼにアルミナのセラミックスを使用することにより
、前述の目的を達成するモリブデン酸鉛単結晶の育成方
法である。
第１図は本発明によるモリブデン酸鉛単結晶の育成炉の
概念図である。モリブデン酸鉛単結晶１ラミツクのるつ
ぼ５の中に溜められてお）、アルミナセラミックのるつ
ぼ５の外側に配置された高周波誘導加熱コイル６により
発熱する白金ヒーター７によって加熱されている。白金
アフターヒーター８は上部保温材９と下部保温材１０の
間に設けられた環状の中間保温材１１の上部に設置され
ている。したがって、モリブデン酸鉛原料融液４は白金
ヒータ６と接触することは皆無であり、モリブデン酸鉛
原料融液４中に白金が混入することは無く、同時に育成
されつつある単結晶１に白金粒子が取り込まれることは
全く無くなる。実際第１図に示す育成炉を用いて従来の
白金るつぼによる育成条件と同条件でモリブデン酸鉛単
結晶を育成したところ、白金粒子は全く観察されず、又
他の欠陥については白金るつぼを使用した従来の育成法
で育成した単結晶と同程度でちった。
概念図である。モリブデン酸鉛単結晶１ラミツクのるつ
ぼ５の中に溜められてお）、アルミナセラミックのるつ
ぼ５の外側に配置された高周波誘導加熱コイル６により
発熱する白金ヒーター７によって加熱されている。白金
アフターヒーター８は上部保温材９と下部保温材１０の
間に設けられた環状の中間保温材１１の上部に設置され
ている。したがって、モリブデン酸鉛原料融液４は白金
ヒータ６と接触することは皆無であり、モリブデン酸鉛
原料融液４中に白金が混入することは無く、同時に育成
されつつある単結晶１に白金粒子が取り込まれることは
全く無くなる。実際第１図に示す育成炉を用いて従来の
白金るつぼによる育成条件と同条件でモリブデン酸鉛単
結晶を育成したところ、白金粒子は全く観察されず、又
他の欠陥については白金るつぼを使用した従来の育成法
で育成した単結晶と同程度でちった。
以上説明したように１本発明では、モリブデン酸鉛原料
融液を溜めるるつぼにアルミナのセラミックスるつぼを
使用することにより、白金粒子の全く無いモリブデン酸
鉛単結晶の育成が可能となる。これにより単結晶プール
１本から取得できる単結晶ブロックの数量を増加させ、
モリブデン酸鉛単結晶の光学素子用ブロックの生産性を
向上させることができる。
融液を溜めるるつぼにアルミナのセラミックスるつぼを
使用することにより、白金粒子の全く無いモリブデン酸
鉛単結晶の育成が可能となる。これにより単結晶プール
１本から取得できる単結晶ブロックの数量を増加させ、
モリブデン酸鉛単結晶の光学素子用ブロックの生産性を
向上させることができる。
第１図は本発明を実施するための育成炉の概念図である
。 記号の説明−１はモリブデン酸鉛単結晶、２は種子結晶
、３は引上シャフト、４はモリブデン酸鉛原料融液、５
は高純度アルミナセラミックスのるつぼ、６は高周波誘
導加熱用コイル、７は白金ヒータ、８は白金アフターヒ
ーター、９は上部保温材、１０は下部保温材、１１は中
間保温材をそれぞれあられしている。 第１図 ５．補正の対象 手続補正書（自発） 昭和メθ年り月／ｑ日
。 記号の説明−１はモリブデン酸鉛単結晶、２は種子結晶
、３は引上シャフト、４はモリブデン酸鉛原料融液、５
は高純度アルミナセラミックスのるつぼ、６は高周波誘
導加熱用コイル、７は白金ヒータ、８は白金アフターヒ
ーター、９は上部保温材、１０は下部保温材、１１は中
間保温材をそれぞれあられしている。 第１図 ５．補正の対象 手続補正書（自発） 昭和メθ年り月／ｑ日
Claims (1)
- １、モリブデン酸鉛単結晶のチョクラルスキー法による
育成において、モリブデン酸鉛（ＰｂＭｏＯ＿４）原料
融液を溜めるるつぼに、アルミナ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）セ
ラミックスで作られたるつぼを使用することを特徴とす
るモリブデン酸鉛単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16852085A JPS6230690A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16852085A JPS6230690A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230690A true JPS6230690A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15869548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16852085A Pending JPS6230690A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664849A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-03-08 | Mita Ind Co Ltd | 自動原稿搬送装置 |
-
1985
- 1985-08-01 JP JP16852085A patent/JPS6230690A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0664849A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-03-08 | Mita Ind Co Ltd | 自動原稿搬送装置 |
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