JPH01305884A - モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 - Google Patents
モリブデン酸鉛単結晶の育成方法Info
- Publication number
- JPH01305884A JPH01305884A JP63135708A JP13570888A JPH01305884A JP H01305884 A JPH01305884 A JP H01305884A JP 63135708 A JP63135708 A JP 63135708A JP 13570888 A JP13570888 A JP 13570888A JP H01305884 A JPH01305884 A JP H01305884A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- platinum
- single crystal
- lead molybdate
- melt
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 40
- XJUNRGGMKUAPAP-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)molybdenum;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O XJUNRGGMKUAPAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 54
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 bismuth oxide B12o3 Chemical compound 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光学素子として、超音波光変調媒体に使用さ
れる光学的に高品質な、モリブデン酸鉛単結晶の育成方
法に間する。
れる光学的に高品質な、モリブデン酸鉛単結晶の育成方
法に間する。
［従来の技術］
一般に光学素子として供されるモリブデン酸鉛単結晶の
育成は、白金のルツボを使用して、チョクラルスキー法
で行なわれる。白金は、化学的に非常に安定な金属で、
酸素中で使用でき、又融点も、１７７２℃あり、モリブ
デン！鉛の融点１０７０℃に比べて十分高い、このため
従来モリブデン酸鉛単結晶の育成には、白金のルツボが
使用されてきた。
育成は、白金のルツボを使用して、チョクラルスキー法
で行なわれる。白金は、化学的に非常に安定な金属で、
酸素中で使用でき、又融点も、１７７２℃あり、モリブ
デン！鉛の融点１０７０℃に比べて十分高い、このため
従来モリブデン酸鉛単結晶の育成には、白金のルツボが
使用されてきた。
［発明が解決しようとする課題〕
しかし、モリブデン酸鉛は、酸化ビスマスＢ１２ｏ３と
同様、酸化物高温溶剤としての性質を持っており、特に
、モリブデン酸鉛の主成分の１つである酸化鉛（ＰｂＯ
）はこの性質が顕著である。モリブデン酸鉛単結晶の育
成に白金ルツボを使用した場合、モリブデン酸鉛融液中
に多量の白金が溶解しており、このため、育成されたモ
リブデン酸鉛単結晶中には、必ず多数の白金粒子が混在
する。この白金粒子は、大きさが数μｍ−数１０μｍの
三角形もしくは六角形の板状をしており、モリブデン酸
鉛単結晶中、多い所で、数千〜数万個／■３の密度で単
結晶中に取り込まれている。
同様、酸化物高温溶剤としての性質を持っており、特に
、モリブデン酸鉛の主成分の１つである酸化鉛（ＰｂＯ
）はこの性質が顕著である。モリブデン酸鉛単結晶の育
成に白金ルツボを使用した場合、モリブデン酸鉛融液中
に多量の白金が溶解しており、このため、育成されたモ
リブデン酸鉛単結晶中には、必ず多数の白金粒子が混在
する。この白金粒子は、大きさが数μｍ−数１０μｍの
三角形もしくは六角形の板状をしており、モリブデン酸
鉛単結晶中、多い所で、数千〜数万個／■３の密度で単
結晶中に取り込まれている。
この白金粒子がレーザビームの光路内に位置した場合、
非常に大きな強度を持つ散乱光を生じせしめ、レーザビ
ームパターンを乱し、光透過率を減少させなり、あるい
はノイズを生じ超音波光変調素子の性能を著しく低下さ
せる。
非常に大きな強度を持つ散乱光を生じせしめ、レーザビ
ームパターンを乱し、光透過率を減少させなり、あるい
はノイズを生じ超音波光変調素子の性能を著しく低下さ
せる。
従って、超音波光変調媒体用光学素子に使用することが
できる光学的に高品質なモリブデン酸鉛単結晶ブロック
は、上述の白金粒子が収り込まれない様に切り出す必要
があり、このなめ、きわめて精細な検査作業が要求され
、又、単結晶プール１本から切り出せる光学素子用単結
晶ブロックは、数が限られることになり、これらの理由
で、モリブデン酸鉛単結晶ブロックの生産性を悪くして
いる。
できる光学的に高品質なモリブデン酸鉛単結晶ブロック
は、上述の白金粒子が収り込まれない様に切り出す必要
があり、このなめ、きわめて精細な検査作業が要求され
、又、単結晶プール１本から切り出せる光学素子用単結
晶ブロックは、数が限られることになり、これらの理由
で、モリブデン酸鉛単結晶ブロックの生産性を悪くして
いる。
本発明の技術課題は、モリブデン酸鉛単結晶の育成方法
において、根本的に白金粒子が単結晶中に混入しない育
成方法を提供し、モリブデン酸鉛単結晶ブロックの生産
性の向上を計ることにある。
において、根本的に白金粒子が単結晶中に混入しない育
成方法を提供し、モリブデン酸鉛単結晶ブロックの生産
性の向上を計ることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、チョクラルスキー法によるモリブデン
酸Ｅ ＪＮ結晶の育成方法において、モリブデン酸ｉｌ
ｌ原料融液を溜めるルツボに原料融液に溶解しない高純
度六方晶窒化ホウ素の焼結体を用いることを特徴とする
モリブデン酸鉛の育成方法を得ることができる。
酸Ｅ ＪＮ結晶の育成方法において、モリブデン酸ｉｌ
ｌ原料融液を溜めるルツボに原料融液に溶解しない高純
度六方晶窒化ホウ素の焼結体を用いることを特徴とする
モリブデン酸鉛の育成方法を得ることができる。
すなわち、白金粒子の混入の全く無い高品質なモリブデ
ン酸銘浄結晶を得ることができる。
ン酸銘浄結晶を得ることができる。
［実施例］
本発明の実施例について図面を参照して説明する。第１
図は、本発明を実施する為のモリブデン酸１’＋： ”
ｒ結晶の育成炉の構成の一例を示す断面図である。
図は、本発明を実施する為のモリブデン酸１’＋： ”
ｒ結晶の育成炉の構成の一例を示す断面図である。
この図において、モリブデン酸釦原ｖ１融液４は、高純
度六方晶窒化ホウ素焼結体よりなるルツボ５の中に溜め
られており、このルツボの外側には白金ヒーター６と更
に外側の容器形状保温材８″とが設けられており、保温
材の外側にわたって高周波誘導コイルが配置されている
。ルツボ５は、高周波誘導加熱コイル９によって、加熱
される白金ヒーター６を介して加熱される。又、高純度
六方晶窒化ホウ素焼結体のルツボ５の上方には、結晶空
間の保温材８′を介して白金アフターヒーター７が結晶
の生成する空間を囲むように配置され、この空間内アル
ミナ棒の先端に取り付けられた種子結晶２に単結晶ｌ成
長が行われる。
度六方晶窒化ホウ素焼結体よりなるルツボ５の中に溜め
られており、このルツボの外側には白金ヒーター６と更
に外側の容器形状保温材８″とが設けられており、保温
材の外側にわたって高周波誘導コイルが配置されている
。ルツボ５は、高周波誘導加熱コイル９によって、加熱
される白金ヒーター６を介して加熱される。又、高純度
六方晶窒化ホウ素焼結体のルツボ５の上方には、結晶空
間の保温材８′を介して白金アフターヒーター７が結晶
の生成する空間を囲むように配置され、この空間内アル
ミナ棒の先端に取り付けられた種子結晶２に単結晶ｌ成
長が行われる。
酸ｊ３原料融液は、白金ヒーター６あるいは白金アフタ
ーヒーター７に接触してはいない。
ーヒーター７に接触してはいない。
次に、本発明の実施例に係るモリブデン酸鉛単結晶の育
成方法について説明する。内径１１００ｎ。
成方法について説明する。内径１１００ｎ。
深さ１００ｍ＋、肉厚５間の高純度六方晶窒化ホウ素焼
結体ルツボを用い、アルミナ棒３に取り付けられた種子
結晶２の引上速度４關／時、軸回転数１６ ｒ ｐｍ、
雰囲気として窒素２．８５Ｊ／分。
結体ルツボを用い、アルミナ棒３に取り付けられた種子
結晶２の引上速度４關／時、軸回転数１６ ｒ ｐｍ、
雰囲気として窒素２．８５Ｊ／分。
酸素０．１５Ｊ／分の条件で、直径５５＋ｕｎ、長さ１
２０Ｍのモリブデン酸鉛単結晶１を育成した。
２０Ｍのモリブデン酸鉛単結晶１を育成した。
育成された単結晶の内部には、白金粒子は全く観察され
ず、又、着色、脈理、微小散乱などの欠陥は、白金ルツ
ボで育成した単結晶と全く同等であった。
ず、又、着色、脈理、微小散乱などの欠陥は、白金ルツ
ボで育成した単結晶と全く同等であった。
［発明の効果］
以上に述べた様に、本発明によれば、白金粒子の混入が
全く無い、高品質なモリブデン酸１；１単結晶の育成が
可能ｌとなり、単結晶プール１本から取得できる光学素
子用モリブデン酸鉛単結晶ブロックの数址を増加させ、
生産性を向上さぜることがｕｆ能である。
全く無い、高品質なモリブデン酸１；１単結晶の育成が
可能ｌとなり、単結晶プール１本から取得できる光学素
子用モリブデン酸鉛単結晶ブロックの数址を増加させ、
生産性を向上さぜることがｕｆ能である。
第１図は、本発明を実施する為の育成炉の構成の一例を
示す断面図である。 １・・・モリブデン酸鉛単結晶、２・・・種子結晶、３
・・・引上シャフト、４・・・モリブデンＰｉ釦原料融
液、５・・・高純度六方晶窒化ホウ素焼結体のルツボ、
６・・・白金ヒーター、７・・・白金アフターヒーター
、８゜８′、８″・・・保温材、９・・・高周波誘導加
熱コイルを示す。
示す断面図である。 １・・・モリブデン酸鉛単結晶、２・・・種子結晶、３
・・・引上シャフト、４・・・モリブデンＰｉ釦原料融
液、５・・・高純度六方晶窒化ホウ素焼結体のルツボ、
６・・・白金ヒーター、７・・・白金アフターヒーター
、８゜８′、８″・・・保温材、９・・・高周波誘導加
熱コイルを示す。
Claims (1)
- １．チョクラルスキー法によるモリブデン酸鉛（ＰｂＭ
ｏＯ＿４）単結晶の育成方法において、原料融液を溜め
るルツボとして高純度六方晶窒化ホウ素の焼結体を用い
ることを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135708A JPH01305884A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135708A JPH01305884A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01305884A true JPH01305884A (ja) | 1989-12-11 |
Family
ID=15158029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63135708A Pending JPH01305884A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01305884A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046193A (ja) * | 1990-04-21 | 1992-01-10 | Toru Katsumata | ホウ酸リチウムの単結晶成長方法 |
| CN105016389A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-04 | 首都师范大学 | 一种碳壳包覆的钼酸铅纳米晶体及其制备方法 |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP63135708A patent/JPH01305884A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046193A (ja) * | 1990-04-21 | 1992-01-10 | Toru Katsumata | ホウ酸リチウムの単結晶成長方法 |
| CN105016389A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-04 | 首都师范大学 | 一种碳壳包覆的钼酸铅纳米晶体及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3642063B2 (ja) | テルビウム・アルミニウム系常磁性ガーネット単結晶の製造方法 | |
| Harris | A century of sapphire crystal growth: origin of the EFG method | |
| WO2005098096A1 (ja) | セルフコーティングされた単結晶並びにその製造装置及び製造方法 | |
| EP1234899A2 (en) | A single crystal and method of manufacturing same | |
| JPH01305884A (ja) | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 | |
| JP3822172B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2008050240A (ja) | セシウムホウ酸化合物結晶の製造方法及びそれにより得られたセシウムホウ酸化合物 | |
| JPH0297490A (ja) | ＳｒＢ２Ｏ４単結晶の製造方法 | |
| JP2507910B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPS6230690A (ja) | モリブデン酸鉛単結晶の育成方法 | |
| JPS58104100A (ja) | ＳｍＣｏ↓５単結晶の育成法 | |
| JPH10338594A (ja) | 引き上げ法による単結晶育成装置 | |
| JPH0411513B2 (ja) | ||
| CN1320725A (zh) | 大尺寸高温相硼磷酸锌非线性光学晶体及制法和用途 | |
| Hu et al. | Characterization of growth defects in Nd: YCa4O (BO3) 3 crystals by transmission synchrotron topography | |
| JPS62246895A (ja) | 結晶作製用るつぼ | |
| JP2001114593A (ja) | ベータバリウムボレイト単結晶の製造方法 | |
| JPH08183696A (ja) | 細線状シリコン製造用坩堝および細線状シリコン | |
| Kvapil et al. | Temperature distribution in growing semi‐transparent crystals (II). Comparison of theory with experiments | |
| JPH01241883A (ja) | 固体レーザ用結晶 | |
| JP2000275687A (ja) | 希土類・カルシウム・オキソボレート単結晶及びその製造方法 | |
| JPS62270500A (ja) | ルチル単結晶の製造法 | |
| JP2004035401A (ja) | セリウムを含む磁性ガーネット単結晶およびその製造方法 | |
| JPS58172288A (ja) | 結晶育成装置 | |
| JPH11352533A (ja) | 波長変換結晶及びその製造方法並びにこれを用いたレーザ装置 |