JPS62246895A - 結晶作製用るつぼ - Google Patents
結晶作製用るつぼInfo
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- JPS62246895A JPS62246895A JP9059186A JP9059186A JPS62246895A JP S62246895 A JPS62246895 A JP S62246895A JP 9059186 A JP9059186 A JP 9059186A JP 9059186 A JP9059186 A JP 9059186A JP S62246895 A JPS62246895 A JP S62246895A
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- crucible
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、酸化物の単結晶を作製づるのに用いられる
るつぼに関する。
るつぼに関する。
［従来の技術］
Ｌｉ Ｎｂ Ｏａ 、Ｌｆ Ｔａ Ｏｓなどの強誘電体
の酸化物単結晶は、その電気光学的効果を利用して、光
変ｍｊｌｌｔ子、光偏光素子、あるいは高温用・高周波
用圧電素子として用いられている。この酸化物単結晶は
、第３図に模式的に示している結晶引上げ法によって作
製される。図中、１はるつぼ、２は融液、３はアルミナ
粉末、４は１１製容器、５は台、６は透明石英管、７は
高周波加熱ヒータ、８は種子結晶、９は成長結晶、１０
は白金アフターヒータである。
の酸化物単結晶は、その電気光学的効果を利用して、光
変ｍｊｌｌｔ子、光偏光素子、あるいは高温用・高周波
用圧電素子として用いられている。この酸化物単結晶は
、第３図に模式的に示している結晶引上げ法によって作
製される。図中、１はるつぼ、２は融液、３はアルミナ
粉末、４は１１製容器、５は台、６は透明石英管、７は
高周波加熱ヒータ、８は種子結晶、９は成長結晶、１０
は白金アフターヒータである。
るつぼ１は、耐蝕性およびａ泪における機械的強麿を維
持するために、たとえば白金や白金−ロジウム合金のよ
うな負金属材料から作られている。
持するために、たとえば白金や白金−ロジウム合金のよ
うな負金属材料から作られている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、原材料である酸化物を長時間るつぼ１内に溶融
状態で保持した俵にｒｇ結晶を成長させたリ、あるいは
長時間をかけて単結晶を成長させたりすると、本来透明
であるべきはずのこれらの結晶が赤褐色あるいは紫色に
Ｖ！色したりする。これは、るつぼ１内の不純物が融液
中に混入したり、あるいは、融液がるつぼ１の成分であ
る白金を吸収したりするためである。
状態で保持した俵にｒｇ結晶を成長させたリ、あるいは
長時間をかけて単結晶を成長させたりすると、本来透明
であるべきはずのこれらの結晶が赤褐色あるいは紫色に
Ｖ！色したりする。これは、るつぼ１内の不純物が融液
中に混入したり、あるいは、融液がるつぼ１の成分であ
る白金を吸収したりするためである。
マタ、原材料、！：ＬＴｌ−ｉ Ｎｂ Ｏ，ヤＬｉ Ｔ
ａ Ｏｌを用いた場合、成分物質であるＮｂやＴａが揮
発し、融液はｌ−ｉが過剰となる。このｌ−ｉが過剰と
なっている融液から結晶を成長させると、その結晶は冷
却中に亀裂が入りやすくなる。
ａ Ｏｌを用いた場合、成分物質であるＮｂやＴａが揮
発し、融液はｌ−ｉが過剰となる。このｌ−ｉが過剰と
なっている融液から結晶を成長させると、その結晶は冷
却中に亀裂が入りやすくなる。
この発明は、上述のような問題点を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、融液の汚染を防止し、な
おかつ良質な結晶を成長させることのできる結晶作製用
るつぼを提供することである。
れたものであり、その目的は、融液の汚染を防止し、な
おかつ良質な結晶を成長させることのできる結晶作製用
るつぼを提供することである。
Ｅ問題点を解決するための手段］および［作用効果］
この発明は酸化物の単結晶を作製するのに用いられるる
つぼであって、酸化物を構成する成分物質の中から選ば
れた高融点物質を、当該るつぼの内壁面上にコーディン
グしていることを特徴と止る。
つぼであって、酸化物を構成する成分物質の中から選ば
れた高融点物質を、当該るつぼの内壁面上にコーディン
グしていることを特徴と止る。
るつぼの内壁面を高融点物質で：］−ティングしている
ので、るつぼから融液中への不純物の混入を防止りるこ
とができる。また、高融点物質は、原材料である酸化物
を構成する成分物質の中から選ばれているので、コーテ
ィング層の一部が溶融したとしても、結晶材料のうち揮
発などで失われやすい成分を補う形となり、結晶作製上
、好適である。
ので、るつぼから融液中への不純物の混入を防止りるこ
とができる。また、高融点物質は、原材料である酸化物
を構成する成分物質の中から選ばれているので、コーテ
ィング層の一部が溶融したとしても、結晶材料のうち揮
発などで失われやすい成分を補う形となり、結晶作製上
、好適である。
第１図は、この発明の一実施例を模式的に示す図である
。るつぼ１の内壁面上には、コーティング１１が施され
ている。また、この実施例では、蒸気などが接触する可
能性のあるるつぼ１の外壁面上にもコーティング１１ａ
が施されている。なお、るつぼ１の全壁面上にコーティ
ングを施ずようにしてもよい。あるいは、融液が直接接
触するるつぼ１の内壁面上にのみコーティングを施１よ
うにしてもよい。
。るつぼ１の内壁面上には、コーティング１１が施され
ている。また、この実施例では、蒸気などが接触する可
能性のあるるつぼ１の外壁面上にもコーティング１１ａ
が施されている。なお、るつぼ１の全壁面上にコーティ
ングを施ずようにしてもよい。あるいは、融液が直接接
触するるつぼ１の内壁面上にのみコーティングを施１よ
うにしてもよい。
第３図に示したようなアフターヒータ１０を具備したる
つぼ１の場合には、第２図に示すように、このアフター
ヒータ１０の内面にもコーティング１２を施１ノのが好
ましい。この例では、蒸気などが接触する可能性のある
アフターヒータ１０の外壁面の一部にもコーティング１
２ａＪ３よび１２ｂが施されている。
つぼ１の場合には、第２図に示すように、このアフター
ヒータ１０の内面にもコーティング１２を施１ノのが好
ましい。この例では、蒸気などが接触する可能性のある
アフターヒータ１０の外壁面の一部にもコーティング１
２ａＪ３よび１２ｂが施されている。
耐蝕性および高温における機械的強度を考慮すると、る
つぼは、合金製または白金−ロジウム合金製であるのが
望ましい。また、酸化物がＬｉＮｂｏＪの場合、Ｎｂで
コーティングするのがよい。
つぼは、合金製または白金−ロジウム合金製であるのが
望ましい。また、酸化物がＬｉＮｂｏＪの場合、Ｎｂで
コーティングするのがよい。
Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏｓの融点が１２６７℃であるのに対
し、Ｎｂの融点は１９５０℃である。Ｎｂの融点は、白
金の融点１７７３℃と比較しても高いので、安定であり
、るつぼから融液中への不純物の混入を効果的に防止す
ることができる。また、酸化物としてＬｉ Ｔａ Ｏｓ
を用いた場合、Ｔａによってコーティングするのが゛よ
い。
し、Ｎｂの融点は１９５０℃である。Ｎｂの融点は、白
金の融点１７７３℃と比較しても高いので、安定であり
、るつぼから融液中への不純物の混入を効果的に防止す
ることができる。また、酸化物としてＬｉ Ｔａ Ｏｓ
を用いた場合、Ｔａによってコーティングするのが゛よ
い。
ＮｂやＴａなどは比較的高融点材料であるので、コーテ
ィングの方法としては、たとえば電子ビームを熱源とし
たＭ着、イオンブレーティング法、あるいはスパッタリ
ングコーティング法などが適している。
ィングの方法としては、たとえば電子ビームを熱源とし
たＭ着、イオンブレーティング法、あるいはスパッタリ
ングコーティング法などが適している。
上述のような効果を奏する結晶作製用るつぼは、たとえ
ば光変調素子、売悩光素子、高温用高周波圧電素子など
を得るのに有効に利用される。
ば光変調素子、売悩光素子、高温用高周波圧電素子など
を得るのに有効に利用される。
［実験例］
第３図に模式的に示す装置を用いて、ＬｉＮｂｏ３の結
□晶作製を行なった。この実験にあたっては、本発明例
として、外径５Ｑｓ＋ｅ、高さ４Ｑｍｍ。
□晶作製を行なった。この実験にあたっては、本発明例
として、外径５Ｑｓ＋ｅ、高さ４Ｑｍｍ。
肉厚Ｉｎ＋ｍの合金製るつぼの内壁面上にスパッタリン
グコーティング法によってＮｂを１０〜２０μｍｍ！覆
したちのを用いた。また、比較例として、コーティング
をしていない同一の合金製るつぼを用いｌζ。
グコーティング法によってＮｂを１０〜２０μｍｍ！覆
したちのを用いた。また、比較例として、コーティング
をしていない同一の合金製るつぼを用いｌζ。
原４１１であるＬｉＮｂ０．をるつぼ内に入れ、第３図
のようにセットした。そして、周波数４００ｋｌ−１２
，出力１５ｋｗの高周波加熱を行なった。
のようにセットした。そして、周波数４００ｋｌ−１２
，出力１５ｋｗの高周波加熱を行なった。
融液の液面直上の温度勾配は５０〜８０℃７ａｍとし、
引上げ速度は７ ｍｗ／ ｈｒとし、種子回転速用は６
０ ｒｐｍとした。なお、結晶作製の雰囲気としては、
３００ ｃｃ／ ｍｉｎの酸素を吹き込みながら行なつ
ｌこ、。
引上げ速度は７ ｍｗ／ ｈｒとし、種子回転速用は６
０ ｒｐｍとした。なお、結晶作製の雰囲気としては、
３００ ｃｃ／ ｍｉｎの酸素を吹き込みながら行なつ
ｌこ、。
上述の条件で実験を行なったところ、直径２５ｍｍ、長
さ３Ｑｍｍの結晶棒を得た。本発明例のるつぼを用いて
得た結晶棒も、比較例のるつぼを用いで得た結晶棒も、
共に黄色味を帯びた結晶であった。
さ３Ｑｍｍの結晶棒を得た。本発明例のるつぼを用いて
得た結晶棒も、比較例のるつぼを用いで得た結晶棒も、
共に黄色味を帯びた結晶であった。
そこで、さらに酸素雰囲気下で１２００℃×２４ｈｒの
熱処理を施したとこを、本発明例のるつぼで作製した結
晶は無色透明となったが、比較例のるつぼで作製した結
晶は、冷却中に亀裂が入り、素子用の結晶として用いる
ことができなかった。
熱処理を施したとこを、本発明例のるつぼで作製した結
晶は無色透明となったが、比較例のるつぼで作製した結
晶は、冷却中に亀裂が入り、素子用の結晶として用いる
ことができなかった。
第１図は、この発明の一実施例を模式的に示す図である
。第２図は、アフターヒータにコーディングが施されて
いる様子を模式的に示１図である。 第３図は、結晶引上げ法を実施するための装置を模式的
に示１図である。 図にａ３いて、１はるつぼ、１１はコーディングを示す
。
。第２図は、アフターヒータにコーディングが施されて
いる様子を模式的に示１図である。 第３図は、結晶引上げ法を実施するための装置を模式的
に示１図である。 図にａ３いて、１はるつぼ、１１はコーディングを示す
。
Claims (3)
- （１）酸化物の単結晶を作製するのに用いられるるつぼ
であって、 酸化物を構成する成分物質の中から選ばれた高融点物質
を、当該るつぼの内壁面上にコーティングしていること
を特徴とする、結晶作製用るつぼ。 - （２）当該るつぼが、白金製または白金−ロジウム合金
製であり、 前記酸化物がＬｉＮｂＯ＿３であり、 前記高融点物質がＮｂである、特許請求の範囲第１項に
記載の結晶作製用るつぼ。 - （３）当該るつぼが、白金製または白金−ロジウム合金
製であり、 前記酸化物がＬｉＴａＯ＿３であり、 前記高融点物質がＴａである、特許請求の範囲第１項に
記載の結晶作製用るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9059186A JPS62246895A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 結晶作製用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9059186A JPS62246895A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 結晶作製用るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62246895A true JPS62246895A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=14002698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9059186A Pending JPS62246895A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 結晶作製用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62246895A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0459687A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶育成るつぼ |
| CN1329559C (zh) * | 2004-08-10 | 2007-08-01 | 山东大学 | 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP9059186A patent/JPS62246895A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0459687A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶育成るつぼ |
| CN1329559C (zh) * | 2004-08-10 | 2007-08-01 | 山东大学 | 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法 |
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