JPH0297490A - ＳｒＢ２Ｏ４単結晶の製造方法 - Google Patents
ＳｒＢ２Ｏ４単結晶の製造方法Info
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- JPH0297490A JPH0297490A JP24719388A JP24719388A JPH0297490A JP H0297490 A JPH0297490 A JP H0297490A JP 24719388 A JP24719388 A JP 24719388A JP 24719388 A JP24719388 A JP 24719388A JP H0297490 A JPH0297490 A JP H0297490A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のｒｔ的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、光の高調波を／ＩＩるための非線形光学結晶
の！；ｒｎ２０４単結晶の製造方法に関する。
の！；ｒｎ２０４単結晶の製造方法に関する。
（従来の技術）
ある種の結晶に光を照射しこの光の高調波を発生させる
現象は５ＩＩＧ（Ｓｐｃｏｎｄａｒｙ ＩＩａｒｎ＋ｏ
ｎｊｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）として知られている。
現象は５ＩＩＧ（Ｓｐｃｏｎｄａｒｙ ＩＩａｒｎ＋ｏ
ｎｊｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）として知られている。
そして、上記結晶は、非線形光学結晶と１カ；され、−
例の’Ｉ’ＡＧ レーザの発する１、０（ｉ７Ｉｍの赤
外光を照射してそのｌ／２の波長の緑色光を発生させる
如きものである。
例の’Ｉ’ＡＧ レーザの発する１、０（ｉ７Ｉｍの赤
外光を照射してそのｌ／２の波長の緑色光を発生させる
如きものである。
５ＩＩＧの性能を示す指標としては、（ｉ）変換効率が
Ａ’ｌ＋いこと、（ｉｉ）位相整合角（基本波と高調波
の位相速度が一致する角）が使い易い範囲にあり、しか
もそれが広いこと、（ｉｉｉ ）透明で安定であること
、等がある。
Ａ’ｌ＋いこと、（ｉｉ）位相整合角（基本波と高調波
の位相速度が一致する角）が使い易い範囲にあり、しか
もそれが広いこと、（ｉｉｉ ）透明で安定であること
、等がある。
次に５１１（ｉ結晶として従来、に１）１１（Ｋｌｌ、
Ｉ’＋１．）！、ｉ−Ｎ ｌ＋ （ｌ□β−１１，１Ｂ
、０４等が知られている。しかし、これらの各結晶には
次に述へる欠点がある。まず、Ｋｌ）＋１は水溶性で不
安定であり、１．１ＮＩ）０３は良ｑγの結晶がｔｊ）
られでいるが、５ＩＩＧ変換効率が低い。また、β−ロ
ａｔ）、０．は、破壊しきい値が２Ｇｌｉｌ／ＣｊＫと
高い］二に波長０．１９〜０．２５７７１１１まで透明
で優Ａした変換効率を示す（例えば（：、（：ｈＣｎ
ｃＬ ｒ＋Ｑ ： Ｓｃｊ、５ｊｎｉｃａ １１２８（
］！＋８５）２；Ｉ５参照）。しかし、これは融点近く
に相転移温度があり、結晶がつくり難い−１−に多少の
吸湿性があるという欠点がある６ （発明が解決しようとする課題） 以上述べたように、従来から非線形光学結晶として知ら
れていたＫＤＰ 、 ＬｉＮｂＯ３，β−５ａＢ、Ｏ，
、等にはいずれも欠点があり、実用上問題があった。
Ｉ’＋１．）！、ｉ−Ｎ ｌ＋ （ｌ□β−１１，１Ｂ
、０４等が知られている。しかし、これらの各結晶には
次に述へる欠点がある。まず、Ｋｌ）＋１は水溶性で不
安定であり、１．１ＮＩ）０３は良ｑγの結晶がｔｊ）
られでいるが、５ＩＩＧ変換効率が低い。また、β−ロ
ａｔ）、０．は、破壊しきい値が２Ｇｌｉｌ／ＣｊＫと
高い］二に波長０．１９〜０．２５７７１１１まで透明
で優Ａした変換効率を示す（例えば（：、（：ｈＣｎ
ｃＬ ｒ＋Ｑ ： Ｓｃｊ、５ｊｎｉｃａ １１２８（
］！＋８５）２；Ｉ５参照）。しかし、これは融点近く
に相転移温度があり、結晶がつくり難い−１−に多少の
吸湿性があるという欠点がある６ （発明が解決しようとする課題） 以上述べたように、従来から非線形光学結晶として知ら
れていたＫＤＰ 、 ＬｉＮｂＯ３，β−５ａＢ、Ｏ，
、等にはいずれも欠点があり、実用上問題があった。
そこで１発明者は結晶成長が比較的容易で安定性に優れ
るとともに５ＩＩＧ変換効率も高い５ｒＢｚ０４単結晶
の非線形光学結晶を発明した（特願昭６３−６８１８０
号）が、さらにその結晶成長を高品質で安定度が高く製
造できる製造方法の開発が望まれていた。
るとともに５ＩＩＧ変換効率も高い５ｒＢｚ０４単結晶
の非線形光学結晶を発明した（特願昭６３−６８１８０
号）が、さらにその結晶成長を高品質で安定度が高く製
造できる製造方法の開発が望まれていた。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、５ｒＢ２０４単
結晶を融剤法によって高品質かつ安定度を高く製造する
方法を提供することを目的とする。
結晶を融剤法によって高品質かつ安定度を高く製造する
方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明の５ｒｎ２０＜単結晶の製造方法は、非線形光学
結晶の結晶原料を融剤に溶融しこの融剤の蒸発または徐
冷によって結晶を析出、育成させる融剤法により５ｒＢ
２０４単結晶を析出、育成させるＳｒＢ□０４単結晶の
製造において、融剤にＮａ２Ｂ、 ０４ を用い、かつ
原料に対しモル比で２５〜５０％を含ませることを特徴
とする。
結晶の結晶原料を融剤に溶融しこの融剤の蒸発または徐
冷によって結晶を析出、育成させる融剤法により５ｒＢ
２０４単結晶を析出、育成させるＳｒＢ□０４単結晶の
製造において、融剤にＮａ２Ｂ、 ０４ を用い、かつ
原料に対しモル比で２５〜５０％を含ませることを特徴
とする。
（作 用）
本発明にがかる５ｒＢ２０４単結晶の製造において、５
ｒＢ２０４単結晶は融点が１１５５℃と低いので、引上
げ法による結晶成長に適し、相転移が９８５℃と高い点
にあるため融剤法が行ないやすく、高品質の単結晶を得
る。
ｒＢ２０４単結晶は融点が１１５５℃と低いので、引上
げ法による結晶成長に適し、相転移が９８５℃と高い点
にあるため融剤法が行ないやすく、高品質の単結晶を得
る。
（実施例）
以下１本発明の一実施例につき図面を参照して説明する
。
。
第１図にＳｒＢ、 ０４単結晶の製造に用いられる引上
げ装置を断面図で示す。第１図において、アルミナで有
底円筒形に構成された炉体１の内側面にヒータ２が配置
される。また、単結晶ノノバ料と融剤を容れる白金のる
つぼ３が、１）１１記炉体１の軸心にるつぼ支持台４上
に載置されている。また、５はるつぼ支持軸で、前記る
つぼ支持台４の下面に接続し、炉体１の底部を貫通して
軸方向の上下動、および軸層の回転が自在に設けられて
いる。次に、６は種結晶で、前記るつぼ支持軸５と同軸
で炉体１の頂面を貫通して設けられた種結晶支持軸７の
下端に取着されて、軸方向の上下動、および軸周の回転
が自在に設けられている。また、上記るつぼ３には原料
融液８を容れ、炉体上部の炉内Ｉｔｌ 察窓９によって
引上状況等がｗｌ察される。さらに。
げ装置を断面図で示す。第１図において、アルミナで有
底円筒形に構成された炉体１の内側面にヒータ２が配置
される。また、単結晶ノノバ料と融剤を容れる白金のる
つぼ３が、１）１１記炉体１の軸心にるつぼ支持台４上
に載置されている。また、５はるつぼ支持軸で、前記る
つぼ支持台４の下面に接続し、炉体１の底部を貫通して
軸方向の上下動、および軸層の回転が自在に設けられて
いる。次に、６は種結晶で、前記るつぼ支持軸５と同軸
で炉体１の頂面を貫通して設けられた種結晶支持軸７の
下端に取着されて、軸方向の上下動、および軸周の回転
が自在に設けられている。また、上記るつぼ３には原料
融液８を容れ、炉体上部の炉内Ｉｔｌ 察窓９によって
引上状況等がｗｌ察される。さらに。
炉体上部に炉内雰囲気を制御するための雰囲気ガス導入
口１０、前記るつぼ支持軸５にはるつぼ３内の融液８を
測温するための熱電対ｌｌが設けられている。
口１０、前記るつぼ支持軸５にはるつぼ３内の融液８を
測温するための熱電対ｌｌが設けられている。
取上の引上げ装置を用い、原料としてＳｒＯと８２０３
とをモル比で１＝１に調合し、さらにモル比で２５％の
Ｎａ２Ｂ□０．の融剤とともに約５００９ をるつぼ
３に収容する。そして、１２００℃まで昇温し、例えば
１０時間加熱を施して十分に溶融させる。その後、融液
の液温を９８５℃に設定し、種結晶６を融液８に接触さ
せたのち、１時間当り１℃の割合で冷却を施し、結晶を
引上げる。このとき１種結晶６は１０ｒｐｍで回転させ
、引上速度は１時間当りｉｎｎとする。この間炉内には
雰囲気ガス専入口ｌＯから酸素を導入する。
とをモル比で１＝１に調合し、さらにモル比で２５％の
Ｎａ２Ｂ□０．の融剤とともに約５００９ をるつぼ
３に収容する。そして、１２００℃まで昇温し、例えば
１０時間加熱を施して十分に溶融させる。その後、融液
の液温を９８５℃に設定し、種結晶６を融液８に接触さ
せたのち、１時間当り１℃の割合で冷却を施し、結晶を
引上げる。このとき１種結晶６は１０ｒｐｍで回転させ
、引上速度は１時間当りｉｎｎとする。この間炉内には
雰囲気ガス専入口ｌＯから酸素を導入する。
次に、第２図に５ｒＢ２０４−Ｎａ、８．０４系の相図
を示す。
を示す。
同図に示されるように、１１５５°Ｃに５ｒＢｚ ０４
単結晶の融点、９８５℃に相転移点があり、上記の成長
条件で５ｒｌｌ１２０＜単結晶が得られることが判る。
単結晶の融点、９８５℃に相転移点があり、上記の成長
条件で５ｒｌｌ１２０＜単結晶が得られることが判る。
取上により、転移等の発生がなく良質で、無色透明な５
ｒＢ２０４単結晶体が得られた。
ｒＢ２０４単結晶体が得られた。
上記単結晶体を４ｎｗ１１角に切断し、鏡面研磨を施し
てＱスイッチＹＡＧ レーザ光をｌＯす照射したところ
、波長が０．４３μｍ（緑色）の５ＩＩＧ発光が誌めら
れた。なお、ＳＨＧ変換効率はβ−〇ａＢ、 ０４ と
同程度であった。
てＱスイッチＹＡＧ レーザ光をｌＯす照射したところ
、波長が０．４３μｍ（緑色）の５ＩＩＧ発光が誌めら
れた。なお、ＳＨＧ変換効率はβ−〇ａＢ、 ０４ と
同程度であった。
本発明によれば、５ｒＢ２０４単結晶は融点が１１５５
℃と低いことから引上げ法に適し、かつ相転移渥度が９
８５℃と高いことから融剤法を適用して高品質の単結晶
体が得られる。
℃と低いことから引上げ法に適し、かつ相転移渥度が９
８５℃と高いことから融剤法を適用して高品質の単結晶
体が得られる。
４、 １Ｍ面の簡ｌ１１な説明
第１図は本発明の一実施例に用いられる単結晶引上げ装
置の断面図、第２図はＳｒシＯ，−Ｎａ２Ｂ２０４の相
図である。
置の断面図、第２図はＳｒシＯ，−Ｎａ２Ｂ２０４の相
図である。
２・・ヒータ ３・・るつぼ・・種結晶
８・・・原料融液
Claims (1)
- 非線形光学結晶の結晶原料を融剤に溶融しこの融剤の蒸
発または徐冷によって結晶を析出、育成させる融剤法に
よりＳｒＢ＿２Ｏ＿４単結晶を析出、育成させるＳｒＢ
＿２Ｏ＿４単結晶の製造方法において、前記融剤にＮａ
＿２Ｂ＿２Ｏ＿４を用い、かつ原料に対しモル比で２５
〜５０％を含むようにしたことを特徴とするＳｒＢ＿２
Ｏ＿４単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24719388A JPH0297490A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ＳｒＢ２Ｏ４単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24719388A JPH0297490A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ＳｒＢ２Ｏ４単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297490A true JPH0297490A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17159829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24719388A Pending JPH0297490A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | ＳｒＢ２Ｏ４単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0297490A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1038352C (zh) * | 1994-04-15 | 1998-05-13 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 新型非线性光学晶体硼铍酸锶 |
| CN104651933A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 氯硼酸钡及氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 |
| CN108425152A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-21 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 偏硼酸锶双折射晶体及制备方法和用途 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24719388A patent/JPH0297490A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1038352C (zh) * | 1994-04-15 | 1998-05-13 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 新型非线性光学晶体硼铍酸锶 |
| CN104651933A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 氯硼酸钡及氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 |
| CN108425152A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-21 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 偏硼酸锶双折射晶体及制备方法和用途 |
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