JPH01241529A - 非線形光学結晶 - Google Patents
非線形光学結晶Info
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- JPH01241529A JPH01241529A JP63068180A JP6818088A JPH01241529A JP H01241529 A JPH01241529 A JP H01241529A JP 63068180 A JP63068180 A JP 63068180A JP 6818088 A JP6818088 A JP 6818088A JP H01241529 A JPH01241529 A JP H01241529A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/361—Organic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、光の高調波を得る非線形光学結晶に間する。
(従来の技術)
ある種の結晶に光を照射すると、照射した光の高調波が
得られる現象はいわゆる5HG(Secondary
Harmonic Generation )とじて
知られている。この様な結晶は非線形光学結晶と呼ばれ
る。例えば、YAGレーザの10.6μmの赤外光を非
線形光学結晶に照射すると、1/2の波長の緑の光が得
られる。
得られる現象はいわゆる5HG(Secondary
Harmonic Generation )とじて
知られている。この様な結晶は非線形光学結晶と呼ばれ
る。例えば、YAGレーザの10.6μmの赤外光を非
線形光学結晶に照射すると、1/2の波長の緑の光が得
られる。
SHGの性能を示す指標としては、■変換効率が高いこ
と、■位相整合角(基本波と高調波の位相速度が一致す
る角)が使い易い範囲にあり、しかもそれが広いこと、
■透明で安定であること、等がある。
と、■位相整合角(基本波と高調波の位相速度が一致す
る角)が使い易い範囲にあり、しかもそれが広いこと、
■透明で安定であること、等がある。
SHG結晶として従来知られているものに、KDP、L
i Nbo3.β−BaB20+等がある。しかしこ
れらの結晶には一長一短がある。例えば、KDPは水溶
性があり、不安定である。
i Nbo3.β−BaB20+等がある。しかしこ
れらの結晶には一長一短がある。例えば、KDPは水溶
性があり、不安定である。
LiNb0iは良質の結晶が得られているが変換効率が
低い。β−BaB204は、吸湿性がなく破壊しきい値
が2 G W / ax 2と高く、しかも波長0.1
9〜2.5μ乳まで透明で優れた変換効率を示す(例え
ば、C,Chen et at : Sci、 S
1nicaB 28 (1985) 235参照)。し
かしこれは、融点近くに相転移温度があり、結晶が作り
難いという難点がある。
低い。β−BaB204は、吸湿性がなく破壊しきい値
が2 G W / ax 2と高く、しかも波長0.1
9〜2.5μ乳まで透明で優れた変換効率を示す(例え
ば、C,Chen et at : Sci、 S
1nicaB 28 (1985) 235参照)。し
かしこれは、融点近くに相転移温度があり、結晶が作り
難いという難点がある。
(発明が解決しようとする課題)
以上のように従来知られている非線形光学結晶は、一長
一短があり、実用上問題であった。
一短があり、実用上問題であった。
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、結晶成長が
比較的容易で安定性に優れ、SHG変換効率も高い新し
い非線形光学結晶を提供することを目的とする。
比較的容易で安定性に優れ、SHG変換効率も高い新し
い非線形光学結晶を提供することを目的とする。
[発明の構成コ
(12題を解決するための手段)
本発明にかかる非線形光学結晶は、ストロンチウム(S
r)と硼素(B)の酸化物単結晶からなることを特徴と
する。
r)と硼素(B)の酸化物単結晶からなることを特徴と
する。
(作用)
SrとBの酸化物単結晶(Sr−8−0系単結晶)、特
には斜方晶系の5rB20+単結晶は融点が1155℃
と低く、引上げ法による結晶成長が比較的容易である。
には斜方晶系の5rB20+単結晶は融点が1155℃
と低く、引上げ法による結晶成長が比較的容易である。
また融点以下に相転移がないため、組成変動や不透明化
等がなく、高品質の結晶が得られ、SHG変換効率も例
えばβ−88B204結晶より高い値を示す。
等がなく、高品質の結晶が得られ、SHG変換効率も例
えばβ−88B204結晶より高い値を示す。
(実施例)
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図は、一実施例の5rB20+単結晶を得るための
引上げ装置を示す。1は、アルミナで構成された炉体で
あり、2はヒータ、3は白金ルツボ、4はルツボ支持台
、5はルツボ支持棒である。ルツボ支持棒5は、炉体1
を貫通してルツボの支持と回転および上下動を行なうも
のである。
引上げ装置を示す。1は、アルミナで構成された炉体で
あり、2はヒータ、3は白金ルツボ、4はルツボ支持台
、5はルツボ支持棒である。ルツボ支持棒5は、炉体1
を貫通してルツボの支持と回転および上下動を行なうも
のである。
6は熱電対、7は原料融液、8は種結晶9の支持棒であ
る。種結晶支持棒8は、種結晶9の回転。
る。種結晶支持棒8は、種結晶9の回転。
上下動を行なう。10は内部観察用窓であり、11は炉
内雰囲気制御用ガスの導入管である。
内雰囲気制御用ガスの導入管である。
この様な装置を用い、原料としてSrOと8203とを
、モル比で1=1に調合し、これを約500にl白金ル
ツボ3に収容する。そして1200℃まで昇温し、10
時時間分に加熱して溶融させる。その後、融液を115
5℃に設定し、種結晶9を融液に接触させ、1時間当り
1℃の割合いで冷却を行ない、結晶を引上げる。このと
き種結晶9は10rpmで回転させ、引上げ速度は1時
間当り1厘とする。この間炉内には、ガス導入管11よ
り酸素ガスを導入する。
、モル比で1=1に調合し、これを約500にl白金ル
ツボ3に収容する。そして1200℃まで昇温し、10
時時間分に加熱して溶融させる。その後、融液を115
5℃に設定し、種結晶9を融液に接触させ、1時間当り
1℃の割合いで冷却を行ない、結晶を引上げる。このと
き種結晶9は10rpmで回転させ、引上げ速度は1時
間当り1厘とする。この間炉内には、ガス導入管11よ
り酸素ガスを導入する。
第2図は、5ro−8203系の相図を示す。
図に示すように1155℃に5rB20+単結晶の融点
があり、上記の成長条件で3r320+単結晶が得られ
ることが分る。
があり、上記の成長条件で3r320+単結晶が得られ
ることが分る。
こうして転移等の発生がなく、良質の
5rB20+単結晶が得られる。得られた5rB204
単結晶は、無色透明であった。この結晶を4#III角
に切断し、鏡面研磨して、QスイッチYAGレーザ光を
10W照射したところ、0.43μmの緑のSHG発光
が認められた。
単結晶は、無色透明であった。この結晶を4#III角
に切断し、鏡面研磨して、QスイッチYAGレーザ光を
10W照射したところ、0.43μmの緑のSHG発光
が認められた。
SHG変換効率はβ−88B20+と同程度であった。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、結晶作成が容易で、
良質の結晶が得られ、高いSHG変換効率を示す非線形
光学結晶を提供することができる。
良質の結晶が得られ、高いSHG変換効率を示す非線形
光学結晶を提供することができる。
第1図番↓本発明の一実施例の5rB204単結晶の引
上げ装置を示す図、第2図は、5ro−8203系の相
図である。 1・・・アルミナ炉体、2・・・ヒータ、3・・・白金
ルツボ、4・・・ルツボ支持台、5・・・ルツボ支持棒
、6・・・熱電対、7・・・融液、8・・・種結晶支持
棒、9・・・種結晶、10・・・観察用窓、11・・・
ガス導入管。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 Sr○−8203 第2図
上げ装置を示す図、第2図は、5ro−8203系の相
図である。 1・・・アルミナ炉体、2・・・ヒータ、3・・・白金
ルツボ、4・・・ルツボ支持台、5・・・ルツボ支持棒
、6・・・熱電対、7・・・融液、8・・・種結晶支持
棒、9・・・種結晶、10・・・観察用窓、11・・・
ガス導入管。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 Sr○−8203 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)ストロンチウムと硼素の酸化物単結晶からなるこ
とを特徴とする非線形光学結晶。(2)酸化物単結晶が
SrB_2O_4単結晶である請求項1記載の非線形光
学結晶。 (3)引上げ法により作成されたストロンチウムと硼素
の酸化物単結晶からなることを特徴とする非線形光学結
晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63068180A JPH01241529A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 非線形光学結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63068180A JPH01241529A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 非線形光学結晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01241529A true JPH01241529A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13366323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63068180A Pending JPH01241529A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 非線形光学結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01241529A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5381754A (en) * | 1992-04-23 | 1995-01-17 | University Of Science And Technology Of China | CsB3 O5 crystal and its nonlinear optical devices |
US5940417A (en) * | 1992-04-23 | 1999-08-17 | University Of Science And Technology Of China | CsB3 O 5 crystal and its nonlinear optical devices |
CN102965723A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-03-13 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种抑制bbo晶体径向过快生长的方法 |
CN108425152A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-21 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 偏硼酸锶双折射晶体及制备方法和用途 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63068180A patent/JPH01241529A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5381754A (en) * | 1992-04-23 | 1995-01-17 | University Of Science And Technology Of China | CsB3 O5 crystal and its nonlinear optical devices |
US5940417A (en) * | 1992-04-23 | 1999-08-17 | University Of Science And Technology Of China | CsB3 O 5 crystal and its nonlinear optical devices |
CN102965723A (zh) * | 2012-12-06 | 2013-03-13 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种抑制bbo晶体径向过快生长的方法 |
CN108425152A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-21 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 偏硼酸锶双折射晶体及制备方法和用途 |
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