JPH08295507A - 光学結晶及びその製造方法 - Google Patents
光学結晶及びその製造方法Info
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- JPH08295507A JPH08295507A JP10190995A JP10190995A JPH08295507A JP H08295507 A JPH08295507 A JP H08295507A JP 10190995 A JP10190995 A JP 10190995A JP 10190995 A JP10190995 A JP 10190995A JP H08295507 A JPH08295507 A JP H08295507A
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- optical crystal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶製造が容易であり、かつCLBO結晶の光学
的特性と同等かそれ以上の光学的特性を有する光学結晶
及びその製造方法の提供。 【構成】 一般式Ａx Ｃｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式中、Ａ
は、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌからなる群から選ばれる少なくと
も１種の元素であり、ｘは０を超え、１以下である）で
表される光学結晶。非線形光学結晶又は電気光学結晶で
ある請求項１又は２記載の光学結晶。一般式Ａx Ｃｓ
1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌから
なる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘは
０を超え、１以下である）で表される組成を有する融液
から、該融液と実質的に同一組成の結晶として育成する
ことを特徴とする前記光学結晶の製造方法。
的特性と同等かそれ以上の光学的特性を有する光学結晶
及びその製造方法の提供。 【構成】 一般式Ａx Ｃｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式中、Ａ
は、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌからなる群から選ばれる少なくと
も１種の元素であり、ｘは０を超え、１以下である）で
表される光学結晶。非線形光学結晶又は電気光学結晶で
ある請求項１又は２記載の光学結晶。一般式Ａx Ｃｓ
1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌから
なる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘは
０を超え、１以下である）で表される組成を有する融液
から、該融液と実質的に同一組成の結晶として育成する
ことを特徴とする前記光学結晶の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学結晶及びその製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に紫外線領域の光源として使用され
る非線形光学結晶には、BBO (BaB2O3)やLBO(LiB3O5) な
どがある。最近、これらの結晶より短波長領域の波長変
換に用いる真空紫外光発生用結晶として、KBBF(KBeBO3F
2)やSBBOなどの結晶も中国で開発されている。
る非線形光学結晶には、BBO (BaB2O3)やLBO(LiB3O5) な
どがある。最近、これらの結晶より短波長領域の波長変
換に用いる真空紫外光発生用結晶として、KBBF(KBeBO3F
2)やSBBOなどの結晶も中国で開発されている。
【０００３】さらに、上記のBBO やLBO に代わって、LB
O 結晶のLiの一部をCsで置換したCsLiB3O18(CLBO) の結
晶が開発されている(Proceeding of Advanced Solid-St
ateLasers Conference, Memphis, U.S.A, 1995)。CLBO
結晶は、LBO 結晶とは結晶構造の全く異なる。即ち、LB
O の結晶構造は点群mm2 の斜方晶系であるのに対して、
CLBOは点群42m の正方晶系に属する。
O 結晶のLiの一部をCsで置換したCsLiB3O18(CLBO) の結
晶が開発されている(Proceeding of Advanced Solid-St
ateLasers Conference, Memphis, U.S.A, 1995)。CLBO
結晶は、LBO 結晶とは結晶構造の全く異なる。即ち、LB
O の結晶構造は点群mm2 の斜方晶系であるのに対して、
CLBOは点群42m の正方晶系に属する。
【０００４】また、CLBO結晶は、LBO 結晶とほぼ同じ値
の非線形光学定数を示し、紫外域213nm までの波長変換
が可能であり、ハイパワー領域での波長変換では、BBO
に勝る特性を示した。加えて、CLBO結晶は、従来の結晶
に比して使い勝手が良いという実用上のメリットも併せ
持つことをその特徴とする。
の非線形光学定数を示し、紫外域213nm までの波長変換
が可能であり、ハイパワー領域での波長変換では、BBO
に勝る特性を示した。加えて、CLBO結晶は、従来の結晶
に比して使い勝手が良いという実用上のメリットも併せ
持つことをその特徴とする。
【０００５】CLBO結晶の製造上の大きな特徴は、LBO が
溶液から除冷法によってゆっくり時間をかけて結晶成長
をはかる必要があるのに対し、CLBOの場合はストイケオ
メトリーの融液から直接結晶成長できることである。CL
BOは結晶成長速度が早く、10日足らずで10ｃｍ角近くの
結晶の製造が可能である。
溶液から除冷法によってゆっくり時間をかけて結晶成長
をはかる必要があるのに対し、CLBOの場合はストイケオ
メトリーの融液から直接結晶成長できることである。CL
BOは結晶成長速度が早く、10日足らずで10ｃｍ角近くの
結晶の製造が可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、CLBO結
晶は物性的に従来の結晶より優れているだけでなく、育
成し易いという利点もある。しかし、いつかの問題点も
ある。その１つは、結晶育成初期のシーディング時に結
晶成長速度が非常に早く、良質な育成が出来きず、初期
の段階で成長した結晶部分は白濁し、光学結晶として利
用できないことである。
晶は物性的に従来の結晶より優れているだけでなく、育
成し易いという利点もある。しかし、いつかの問題点も
ある。その１つは、結晶育成初期のシーディング時に結
晶成長速度が非常に早く、良質な育成が出来きず、初期
の段階で成長した結晶部分は白濁し、光学結晶として利
用できないことである。
【０００７】また、大型の結晶を得るためには厳密な温
度制御が必要であり、温度均質性を維持するためマルチ
ゾーンの抵抗加熱炉が必要とされる。さらに、光学結晶
に対するニーズが多様化していることから、CLBO結晶の
光学的特性をさらに改良、向上した光学結晶の提供も望
まれている。
度制御が必要であり、温度均質性を維持するためマルチ
ゾーンの抵抗加熱炉が必要とされる。さらに、光学結晶
に対するニーズが多様化していることから、CLBO結晶の
光学的特性をさらに改良、向上した光学結晶の提供も望
まれている。
【０００８】そこで本発明の目的は、結晶製造が容易で
あり、かつCLBO結晶の光学的特性と同等かそれ以上の光
学的特性を有する光学結晶及びその製造方法を提供する
ことにある。
あり、かつCLBO結晶の光学的特性と同等かそれ以上の光
学的特性を有する光学結晶及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式Ａx Ｃ
ｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘ
は０を超え、１以下である）で表される光学結晶に関す
る。
ｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌか
らなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘ
は０を超え、１以下である）で表される光学結晶に関す
る。
【００１０】さらに本発明は、一般式Ａx Ｃｓ1-x Ｌｉ
Ｂ6 Ｏ10（式中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌからなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘは０を超
え、１以下である）で表される組成を有する融液から、
該融液と実質的に同一組成の結晶として育成することを
特徴とする上記本発明の光学結晶の製造方法に関する。
Ｂ6 Ｏ10（式中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌからなる群か
ら選ばれる少なくとも１種の元素であり、ｘは０を超
え、１以下である）で表される組成を有する融液から、
該融液と実質的に同一組成の結晶として育成することを
特徴とする上記本発明の光学結晶の製造方法に関する。
【００１１】本発明の光学結晶は、CLBO結晶のCsの一部
又は全部をRb、Ｋ及びTlの１種又は２種以上と置換した
ものである。CLBO結晶の結晶構造を維持し、非線形性発
現の原因となるB-0 構造を保持することによって、CLBO
結晶が有する基本的な特性を変えず、かつ結晶製造が容
易であり、かつCLBO結晶の光学的特性と同等かそれ以
上、またはCLBO結晶とは一部異なる光学特性を有する光
学結晶を提供することができる。
又は全部をRb、Ｋ及びTlの１種又は２種以上と置換した
ものである。CLBO結晶の結晶構造を維持し、非線形性発
現の原因となるB-0 構造を保持することによって、CLBO
結晶が有する基本的な特性を変えず、かつ結晶製造が容
易であり、かつCLBO結晶の光学的特性と同等かそれ以
上、またはCLBO結晶とは一部異なる光学特性を有する光
学結晶を提供することができる。
【００１２】Csと置換する上記元素は、Csより小さいイ
オン半径を有することが好ましく、Cs+1のイオン半径
は、６配位環境で1.70Åであるのに対して、Rb+1は同じ
く６配位環境で1.49Åであり、Ｋ+ のイオン半径は６配
位環境で1.38オングストロームであり、Tl+ のイオン半
径は６配位環境で1.50オングストロームである。
オン半径を有することが好ましく、Cs+1のイオン半径
は、６配位環境で1.70Åであるのに対して、Rb+1は同じ
く６配位環境で1.49Åであり、Ｋ+ のイオン半径は６配
位環境で1.38オングストロームであり、Tl+ のイオン半
径は６配位環境で1.50オングストロームである。
【００１３】上記元素でCsの一部又は全部を置換するこ
とで、歪みの少ない結晶構造にすることが可能になり、
その結果、製造が容易になり、かつ、光学特性を変化さ
せることも可能になる。即ち、本来のCLBOの結晶構造を
変えることなくかつ非線形光学特性を維持して、結晶内
部歪み等を解消して、物性を向上させることができる。
とで、歪みの少ない結晶構造にすることが可能になり、
その結果、製造が容易になり、かつ、光学特性を変化さ
せることも可能になる。即ち、本来のCLBOの結晶構造を
変えることなくかつ非線形光学特性を維持して、結晶内
部歪み等を解消して、物性を向上させることができる。
【００１４】本発明の上記一般式において、元素置換率
ｘは、得られる結晶の空間群がI42dである範囲内で、所
望の光学特性を考慮して適宜決定することができる。上
記置換元素のうちでも、結晶の製造が容易にでき、かつ
安全性が高いという観点から、Rbが好ましい。そして、
本発明の結晶の一態様として、例えば、RbLiB6O10 （RL
BO) 単結晶を挙げることができ、この結晶は、空間群が
I42dであるため非線形光学結晶として用いることがで
き、かつ内部に歪みをもたない優れたものである。
ｘは、得られる結晶の空間群がI42dである範囲内で、所
望の光学特性を考慮して適宜決定することができる。上
記置換元素のうちでも、結晶の製造が容易にでき、かつ
安全性が高いという観点から、Rbが好ましい。そして、
本発明の結晶の一態様として、例えば、RbLiB6O10 （RL
BO) 単結晶を挙げることができ、この結晶は、空間群が
I42dであるため非線形光学結晶として用いることがで
き、かつ内部に歪みをもたない優れたものである。
【００１５】さらに、CLBO結晶とRLBO結晶との中間の組
成を有するＲｂx Ｃｓ1-x ＬｉＢ6Ｏ10（０＜ｘ＜１）
は、CLBO結晶とRLBO結晶とが共に空間群I42dを示すこと
から、同様に空間群I42dを示す結晶であって、非線形光
学結晶として有用であるとともに、ｘを変化させること
で、種々の物性を所望の値に適宜変化させることができ
る。
成を有するＲｂx Ｃｓ1-x ＬｉＢ6Ｏ10（０＜ｘ＜１）
は、CLBO結晶とRLBO結晶とが共に空間群I42dを示すこと
から、同様に空間群I42dを示す結晶であって、非線形光
学結晶として有用であるとともに、ｘを変化させること
で、種々の物性を所望の値に適宜変化させることができ
る。
【００１６】本発明の上記結晶は、一般式Ａx Ｃｓ1-x
ＬｉＢ6 Ｏ10で表される組成を有する融液から、該融液
と実質的に同一組成の結晶として育成することで作製で
きる。上記融液は、炭酸ルビジウムＲｂ2 ＣＯ3 、炭酸
カリウムＫ2 ＣＯ3 、炭酸タリウムＴｌ2 ＣＯ3 、炭酸
セシウムＣｓ2 ＣＯ3 、炭酸リチウムＬｉ2 ＣＯ3 、酸
化ホウ素Ｂ2 Ｏ3 等を所定量秤量し、加熱溶融すること
で得ることができる。本発明の結晶は、上記ストイキオ
メトリー又はノンストイキオメトリーの融液から結晶化
することができ、必然的に融液成長、溶液成長等のさま
ざまな育成方法で製造が可能である。
ＬｉＢ6 Ｏ10で表される組成を有する融液から、該融液
と実質的に同一組成の結晶として育成することで作製で
きる。上記融液は、炭酸ルビジウムＲｂ2 ＣＯ3 、炭酸
カリウムＫ2 ＣＯ3 、炭酸タリウムＴｌ2 ＣＯ3 、炭酸
セシウムＣｓ2 ＣＯ3 、炭酸リチウムＬｉ2 ＣＯ3 、酸
化ホウ素Ｂ2 Ｏ3 等を所定量秤量し、加熱溶融すること
で得ることができる。本発明の結晶は、上記ストイキオ
メトリー又はノンストイキオメトリーの融液から結晶化
することができ、必然的に融液成長、溶液成長等のさま
ざまな育成方法で製造が可能である。
【００１７】結晶育成の方法としては、例えば、チョク
ラルスキー (結晶引き上げ法) 、キャピラリー法、温度
勾配を利用したトップシード法、ブリッジマン法、フロ
ーティングゾーン法、バグザダザロフ法などを挙げるこ
とができる。但し、これらの方法に限定されるものでは
ない。結晶の析出育成温度は、結晶の組成等により適宜
決定できる。例えば、CLBOの結晶化温度は、848 〜849
℃であるのに対し、RLBOの結晶化は、前記CLBOの結晶化
温度よりさらに60〜70℃低い温度である。従って、Ｒｂ
x Ｃｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10の場合、ｘの値により、結晶の
析出育成温度を調整することができる。
ラルスキー (結晶引き上げ法) 、キャピラリー法、温度
勾配を利用したトップシード法、ブリッジマン法、フロ
ーティングゾーン法、バグザダザロフ法などを挙げるこ
とができる。但し、これらの方法に限定されるものでは
ない。結晶の析出育成温度は、結晶の組成等により適宜
決定できる。例えば、CLBOの結晶化温度は、848 〜849
℃であるのに対し、RLBOの結晶化は、前記CLBOの結晶化
温度よりさらに60〜70℃低い温度である。従って、Ｒｂ
x Ｃｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10の場合、ｘの値により、結晶の
析出育成温度を調整することができる。
【００１８】RLBOは、上記のように結晶化がCLBOより低
いため、融液の粘性がCLBOの結晶化用の融液の粘性に比
べて高い。その結果、RLBOは、CLBOに比べれば、結晶化
が遅く、結晶開始当初より透明高品質結晶として成長
し、成長制御がより容易であるという利点がある。しか
し、RLBOの結晶化速度は、CLBO結晶に比べれば幾分おそ
いが、CLBO以外の結晶の成長速度に比べれば依然として
早く、大型のRLBO結晶を短期間に作製することができ
る。
いため、融液の粘性がCLBOの結晶化用の融液の粘性に比
べて高い。その結果、RLBOは、CLBOに比べれば、結晶化
が遅く、結晶開始当初より透明高品質結晶として成長
し、成長制御がより容易であるという利点がある。しか
し、RLBOの結晶化速度は、CLBO結晶に比べれば幾分おそ
いが、CLBO以外の結晶の成長速度に比べれば依然として
早く、大型のRLBO結晶を短期間に作製することができ
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、結晶製造が容易であ
り、かつCLBO結晶の光学的特性と同等かそれ以上、また
は一部異なる光学結晶が得られる。特に、RLBOは、従来
のCLBOと比較して、非線形光学上の特性はほぼ同等であ
り、結晶内部歪みがより少ない。また、経時変化として
割れが入りにくいため、高歩留まりで利用することがで
きる。
り、かつCLBO結晶の光学的特性と同等かそれ以上、また
は一部異なる光学結晶が得られる。特に、RLBOは、従来
のCLBOと比較して、非線形光学上の特性はほぼ同等であ
り、結晶内部歪みがより少ない。また、経時変化として
割れが入りにくいため、高歩留まりで利用することがで
きる。
【００２０】また結晶製造上、CLBOの結晶製造の場合の
ように、高い温度均質性が要求されず、高価な設備を必
要としないにも係わらず、短期間で大型の結晶ブールを
作製することができる。
ように、高い温度均質性が要求されず、高価な設備を必
要としないにも係わらず、短期間で大型の結晶ブールを
作製することができる。
【００２１】
【実施例】以下本発明を実施例によりさらに説明する。 実施例１ RLBO結晶の製造 １）種結晶の作製 ２４．６３ｇの炭酸リチウムＬｉ2 ＣＯ3 、１３９．２
４ｇの酸化ホウ素Ｂ2Ｏ3 、７６．９８ｇの炭酸ルビジ
ウムＲｂ2 ＣＯ3 を混合した（混合モル比、Ｒｂ2 ＣＯ
3 ：Ｌｉ2 ＣＯ3 ：Ｂ2 Ｏ3 ＝１：１：６）。縦型炉の
なかに１００×１００ｍｍ径の白金坩堝をセットし、約
９５０℃に保って上記混合物を投入溶融した。上記混合
物の投入を４回繰り返し行ない、坩堝の半分量程充填し
た。それをそのまま２昼夜放置した。
４ｇの酸化ホウ素Ｂ2Ｏ3 、７６．９８ｇの炭酸ルビジ
ウムＲｂ2 ＣＯ3 を混合した（混合モル比、Ｒｂ2 ＣＯ
3 ：Ｌｉ2 ＣＯ3 ：Ｂ2 Ｏ3 ＝１：１：６）。縦型炉の
なかに１００×１００ｍｍ径の白金坩堝をセットし、約
９５０℃に保って上記混合物を投入溶融した。上記混合
物の投入を４回繰り返し行ない、坩堝の半分量程充填し
た。それをそのまま２昼夜放置した。
【００２２】次に表面を白金でシールした熱電対をこの
融液の表面に接触し、表面温度が７７５℃となるまでコ
ントローラー表示温度を調整した。調整後そのままの状
態を維持し、熱電対白金ロッドの表面に結晶化が生じる
まで静置した。約２時間後、ロッドの周辺に透明な結晶
が放射状に成長しはじめた。このまま成長を継続させ適
当な大きさ（数センチ大）で結晶を取り出し、これを成
形し種結晶用に加工した。
融液の表面に接触し、表面温度が７７５℃となるまでコ
ントローラー表示温度を調整した。調整後そのままの状
態を維持し、熱電対白金ロッドの表面に結晶化が生じる
まで静置した。約２時間後、ロッドの周辺に透明な結晶
が放射状に成長しはじめた。このまま成長を継続させ適
当な大きさ（数センチ大）で結晶を取り出し、これを成
形し種結晶用に加工した。
【００２３】２）単結晶の育成 １）に示した混合モル比のＲｂ2 ＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3
及びＢ2 Ｏ3 の混合物を、１００×１００ｍｍ径白金坩
堝に７ないし８回繰り返し投入し、坩堝の８０％程度充
填した。融液は２ないし３日放置し充分混合をはかっ
た。先に作製した種結晶を、内径５ｍｍ外径７ｍｍ程で
長さ４０ｃｍ程のアルミナ管の先端に、金−白金合金の
シードホルダーを介して、白金線で結び付けた。これを
アルミナ管シャフトを回転モーターのチャックにセット
した。上記種結晶をシャフトの上下移動の治具によっ
て、少しづつ下方に移動しつつ、種結晶部を融液表面に
近づけ、温度７７５℃であることを確認しつつ融液表面
に接触させた。その後融液温度を５℃程上昇させて１０
分程放置し、次いで７７５℃に戻し、そのまま放置し
た。
及びＢ2 Ｏ3 の混合物を、１００×１００ｍｍ径白金坩
堝に７ないし８回繰り返し投入し、坩堝の８０％程度充
填した。融液は２ないし３日放置し充分混合をはかっ
た。先に作製した種結晶を、内径５ｍｍ外径７ｍｍ程で
長さ４０ｃｍ程のアルミナ管の先端に、金−白金合金の
シードホルダーを介して、白金線で結び付けた。これを
アルミナ管シャフトを回転モーターのチャックにセット
した。上記種結晶をシャフトの上下移動の治具によっ
て、少しづつ下方に移動しつつ、種結晶部を融液表面に
近づけ、温度７７５℃であることを確認しつつ融液表面
に接触させた。その後融液温度を５℃程上昇させて１０
分程放置し、次いで７７５℃に戻し、そのまま放置し
た。
【００２４】シャフトの回転数は、数回転毎分か、また
は無回転とした。坩堝は炉本体管の中に更に坩堝が収ま
る大きさのアルミナ管をもうけ、その中に設置した。ま
た内管の上部は耐火れんがで作成した覆い蓋を設け、更
に本体管の上部にも同様に蓋を設けた。これは坩堝内部
の融液内の温度均質性を保つためである。
は無回転とした。坩堝は炉本体管の中に更に坩堝が収ま
る大きさのアルミナ管をもうけ、その中に設置した。ま
た内管の上部は耐火れんがで作成した覆い蓋を設け、更
に本体管の上部にも同様に蓋を設けた。これは坩堝内部
の融液内の温度均質性を保つためである。
【００２５】このように温度を一定に保持したまま約１
０日保ち、数センチないし１０センチ径の結晶が成長し
た段階で、結晶を引き上げ融液から切りはなし、４８時
間かけて常温まで除冷し結晶を炉外に取り出した。その
結果、寸法が５×７×７ｃｍの結晶ブールを得た。
０日保ち、数センチないし１０センチ径の結晶が成長し
た段階で、結晶を引き上げ融液から切りはなし、４８時
間かけて常温まで除冷し結晶を炉外に取り出した。その
結果、寸法が５×７×７ｃｍの結晶ブールを得た。
【００２６】結晶構造の確認と非線形性の発現の確認 結晶構造の確認は、CLBO結晶を標準とし、パウダー法に
よるＸ線回析のピークパターンを比較することにより行
なった。その結果、類似のパターンが確認できたので、
結晶構造がCLBOと同一であることが判明した。Ｘ線回折
装置として、リガク製の装置を用いた。さらに得られた
結晶を化学分析した結果、得られた結晶の組成は、RbLi
B6O10であると同定された。
よるＸ線回析のピークパターンを比較することにより行
なった。その結果、類似のパターンが確認できたので、
結晶構造がCLBOと同一であることが判明した。Ｘ線回折
装置として、リガク製の装置を用いた。さらに得られた
結晶を化学分析した結果、得られた結晶の組成は、RbLi
B6O10であると同定された。
【００２７】また、得られた結晶の非線形性は、同じく
パウダー法による比較によって行った。光源にはＹＡＧ
レーザーの１．０６ミクロンを用い、このレーザー光を照射
し出てきた２オメガ光の強度をモニターすることによっ
て行なった。その結果、上記RLBO結晶で得られた光強度
は、CLBO結晶で得られる光強度とほぼ同じであった。
パウダー法による比較によって行った。光源にはＹＡＧ
レーザーの１．０６ミクロンを用い、このレーザー光を照射
し出てきた２オメガ光の強度をモニターすることによっ
て行なった。その結果、上記RLBO結晶で得られた光強度
は、CLBO結晶で得られる光強度とほぼ同じであった。
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式Ａx Ｃｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式
中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌからなる群から選ばれる少
なくとも１種の元素であり、ｘは０を超え、１以下であ
る）で表される光学結晶。 - 【請求項２】 ＡがＲｂである請求項１記載の光学結
晶。 - 【請求項３】 非線形光学結晶又は電気光学結晶である
請求項１又は２記載の光学結晶。 - 【請求項４】 一般式Ａx Ｃｓ1-x ＬｉＢ6 Ｏ10（式
中、Ａは、Ｒｂ、Ｋ及びＴｌからなる群から選ばれる少
なくとも１種の元素であり、ｘは０を超え、１以下であ
る）で表される組成を有する融液から、該融液と実質的
に同一組成の結晶として育成することを特徴とする請求
項１記載の光学結晶の製造方法。 - 【請求項５】 ＡがＲｂである請求項４記載の光学結晶
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190995A JPH08295507A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 光学結晶及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190995A JPH08295507A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 光学結晶及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08295507A true JPH08295507A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14313046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190995A Pending JPH08295507A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 光学結晶及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08295507A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000071786A1 (fr) * | 1999-05-22 | 2000-11-30 | Japan Science And Technology Corporation | Procede et appareil de fabrication de monocristaux de grande qualite |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP10190995A patent/JPH08295507A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000071786A1 (fr) * | 1999-05-22 | 2000-11-30 | Japan Science And Technology Corporation | Procede et appareil de fabrication de monocristaux de grande qualite |
| US6843849B1 (en) | 1999-05-22 | 2005-01-18 | Japan Science And Technology Corporation | Method and apparatus for growing high quality single crystal |
| KR100492808B1 (ko) * | 1999-05-22 | 2005-06-03 | 카가쿠키쥬쯔 신코지교단 | 고품질 단결정의 육성방법과 그 장치 |
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