JPH07115995B2 - Mn−Znフェライト単結晶の製造方法 - Google Patents

Mn−Znフェライト単結晶の製造方法

Info

Publication number
JPH07115995B2
JPH07115995B2 JP63210124A JP21012488A JPH07115995B2 JP H07115995 B2 JPH07115995 B2 JP H07115995B2 JP 63210124 A JP63210124 A JP 63210124A JP 21012488 A JP21012488 A JP 21012488A JP H07115995 B2 JPH07115995 B2 JP H07115995B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
crucible
ferrite single
raw material
ferrite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63210124A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0259495A (ja
Inventor
和博 高口
英二 中村
祐仁 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP63210124A priority Critical patent/JPH07115995B2/ja
Publication of JPH0259495A publication Critical patent/JPH0259495A/ja
Publication of JPH07115995B2 publication Critical patent/JPH07115995B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、PtやPt−Rhの混入の少ない磁気ヘッド用とし
て有用なMn−Znフェライト単結晶の製造方法に関する。
(従来の技術) ブリッジマン法によって製造されているMn−Znフェライ
ト単結晶は、磁気ヘッド用として優れた特性をもつため
近年需要が増大している。そのブリッジマン法は、フェ
ライト原料を入れたルツボを炉内に入れて原料を溶融
し、そのルツボを炉内を相対的に移動させて炉内の温度
勾配を利用してルツボの先端から徐々に単結晶を育成さ
せるものである。
(発明が解決しようとする課題) しかし、このブリッジマン法においては、原料の溶融温
度が高いため、PtやPt−Rh合金が原料中に溶けこみ、ル
ツボの肉厚が薄くなって、溶融原料がルツボ外へしみ出
たり、もれ出たりするなどのトラブルが避けられなかっ
た。また、溶融原料に溶けこんだPtやRhは、単結晶中に
析出するため、Mn−Znフェライト単結晶を磁気ヘッドに
加工した際に、そのギヤップ部やトラック部近傍にPtや
Pt−Rhが析出し、不良ヘッドの原因となっていた。ま
た、加工工程でメカノケミカルポリッシュ等を施す場合
には、析出したPtやPt−Rhの粒子が脱落し、スクラッチ
の原因となるなどの不利が生じていた。
(課題の解決方法) 本発明者らは、前記のようなブリッジマン法によるMn−
Znフェライト単結晶の育成における技術的課題を解決す
るために鋭意検討した結果、ルツボを高温にさらしたと
きPtやPt−Rhの結晶成長が起こり、粒界が溶融原料を巻
き込みながら移動する現象を認め、これが各種トラブル
発生の原因であることを知った。
本発明はこの知見に基づいてなされたもので、ルツボに
原料を入れて溶解する前に、あらかじめそのルツボを17
00℃以上に熱処理してPtやPt−Rhの結晶粒を充分に成長
させることを基本思想とするものである。
すなわち、本発明は、PtまたはPt−Rh合金からなるルツ
ボ中でMn−Znフェライト原料を溶融し、ブリッジマン法
によりMn−Znフェライト単結晶を育成させるにあたり、
あらかじめ前記ルツボを1700℃以上に熱処理することを
特徴とするMn−Znフェライト単結晶の製造方法を要旨と
するものである。
本発明の方法において、PtまたはPt−Rh合金からなるル
ツボを用い、ブリッジマン法によりMn−Znフェライト単
結晶を育成する場合、Mn−Znフェライト原料の溶融温度
は1650℃〜1750℃の範囲であるが、本発明の方法におい
ては、原料を投入する前に、あらかじめ前記ルツボを17
00℃以上の温度で熱処理する必要がある。1700℃より低
い温度での熱処理は、PtまたはPt−Rh合金の結晶粒の成
長が十分でなく、育成されるMn−Znフェライト単結晶中
へのPtやRhの混入量を制御することができない。そのよ
うなルツボの予備熱処理は、通常、空気中で30分以上連
続加熱することで行われるが、加熱手段には、特に制限
はない。
(作用) このようにして、あらかじめ1700℃以上に熱処理したPt
ルツボまたはPt−Rh合金ルツボに原料を投入溶融し、ブ
リッジマン法によってMn−Znフェライト単結晶を育成す
ればルツボの粒界の数が少なく、また粒界移動もないた
め、PtやRhの混入の少ない磁気ヘッド用のMn−Znフェラ
イト単結晶が得られる。
(実施例) 実施例1および比較例1 Ptルツボを1700℃、5時間空気中で熱処理し、Pt結晶粒
を成長させた後、これにFe2Co3,MnCo3,ZnOを混合し仮焼
した原料を投入して、1700℃で溶解し、1650℃でMn−Zn
フェライト単結晶をブリッジマン法で育成した(実施例
1)。
比較のために、あらかじめ熱処理しないPtルツボを用い
て、これに原料を投入し、同様の方法でMn−Znフェライ
ト単結晶を育成した。(比較例1) 得られたそれぞれのMn−Znフェライト単結晶インゴット
中に析出したPtの個数を添付図面第1図に示した。第1
図は、Mn−Znフェライト単結晶インゴット中の単位面積
あたりの析出Pt個数と該インゴットの先端からの距離と
の関係を示す折線グラフで折線Iが実施例1、折線IIが
比較例1によるものである。
第1図より、本発明の方法によるフェライト単結晶中の
Ptの析出個数は、インゴット中のすべての位置において
比較例1のそれより格段に少なく優れていることがわか
る。
なおPt−Rh合金からなるルツボについて行った同様の実
験においても同じ結果が得られた。
(発明の効果) 本発明の方法によれば、PtやRhの混入が少ないMn−Znフ
ェライト単結晶が効率よく得られ、磁気ヘッド等の加工
において、高い製品歩留りが達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例1および比較例1による、Pt
析出の個数とインゴット先端からの距離との関係を示す
それぞれの折線グラフである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】PtまたはPt−Rh合金からなるルツボ中でMn
    −Znフェライト原料を溶融し、ブリッジマン法によりMn
    −Znフェライト単結晶を育成させるにあたり、前記ルツ
    ボをあらかじめ1700℃以上の温度に加熱処理することを
    特徴とするMn−Znフェライト単結晶の製造方法。
JP63210124A 1988-08-24 1988-08-24 Mn−Znフェライト単結晶の製造方法 Expired - Lifetime JPH07115995B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63210124A JPH07115995B2 (ja) 1988-08-24 1988-08-24 Mn−Znフェライト単結晶の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63210124A JPH07115995B2 (ja) 1988-08-24 1988-08-24 Mn−Znフェライト単結晶の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0259495A JPH0259495A (ja) 1990-02-28
JPH07115995B2 true JPH07115995B2 (ja) 1995-12-13

Family

ID=16584195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63210124A Expired - Lifetime JPH07115995B2 (ja) 1988-08-24 1988-08-24 Mn−Znフェライト単結晶の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07115995B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3132094B2 (ja) * 1991-10-22 2001-02-05 日立金属株式会社 単結晶の製造方法および単結晶製造装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5895700A (ja) * 1981-11-28 1983-06-07 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 単結晶フエライト製造用るつぼの製作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0259495A (ja) 1990-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6240320B2 (ja)
JPH07115995B2 (ja) Mn−Znフェライト単結晶の製造方法
KR0143799B1 (ko) 비정상 입성장을 이용한 티탄산 바륨 단결정 육성법
JPS6241797A (ja) 単結晶フェライト体の製造法
JP2976967B1 (ja) ランガサイト単結晶育成方法
JPS59107996A (ja) 無機複合酸化物の固溶体組成物の単結晶育成法
JPS5964587A (ja) 単結晶の製造方法
JPH0421594A (ja) Mn―Znフェライト単結晶の製造方法
JPH0421595A (ja) Mn―Znフェライト単結晶の製造方法
JPS61101484A (ja) 単結晶フエライトの製造方法
KR0144614B1 (ko) 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법
JPS59152285A (ja) 単結晶の製造法
JP3208603B2 (ja) 単結晶の作製方法
JPS59107997A (ja) 無機複合酸化物の単結晶育成法
JP2004091222A (ja) 酸化物半導体単結晶の製造方法
JP3216245B2 (ja) マンガン亜鉛フェライト単結晶の製造方法
JPH0465032B2 (ja)
JPH0474317B2 (ja)
JP2507997B2 (ja) 単結晶育成方法
KR960001921B1 (ko) Mn-Zn 단결정 페라이트의 제조방법
JPH068239B2 (ja) 液相エピタキシヤル育成法
JPH05285304A (ja) 結晶育成方法
JP2640615B2 (ja) 圧電性結晶の製造方法
JPH0440318B2 (ja)
JPS63185883A (ja) 固相反応単結晶の作成法