JPS63185883A - 固相反応単結晶の作成法 - Google Patents
固相反応単結晶の作成法Info
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- JPS63185883A JPS63185883A JP1692687A JP1692687A JPS63185883A JP S63185883 A JPS63185883 A JP S63185883A JP 1692687 A JP1692687 A JP 1692687A JP 1692687 A JP1692687 A JP 1692687A JP S63185883 A JPS63185883 A JP S63185883A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フェライト等の種々のセラミック材料の単結
晶作成法に関するものである。
晶作成法に関するものである。
従来の技術
従来より、単結晶と多結晶とを貼り合わせ、こ 、れら
の複合体を熱処理し、固相反応を利用した単結晶作成法
については広く知られている。
の複合体を熱処理し、固相反応を利用した単結晶作成法
については広く知られている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、第３図に示したような炉心管１の中で単
結晶体部３も多結晶体部４も同一温度で熱処理する場合
には４′で示したように単結晶体部側より多結晶体部が
単結晶化すると同時に多結晶体内部に粒成長が起こり、
４′のように巨大化した結晶粒が多結晶体４の中に生じ
結晶化を防げるという問題点を有していた。
結晶体部３も多結晶体部４も同一温度で熱処理する場合
には４′で示したように単結晶体部側より多結晶体部が
単結晶化すると同時に多結晶体内部に粒成長が起こり、
４′のように巨大化した結晶粒が多結晶体４の中に生じ
結晶化を防げるという問題点を有していた。
この問題点を解決するため本発明は、多結晶体内部に生
ずる巨大粒成長を抑えて、スムーズな固相反応の遂行に
よる多結晶体の単結晶化を可能にする固相反応単結晶の
作成法を提供するものである０ 問題点を解決するだめの手段 この目的を達成するため、本発明の固相反応単結晶の作
成法は、単結晶体部から多結晶体部に向って温度が低下
するよう温度勾配を設けるとともにこの温度勾配の急な
領域が単結晶体部より多結晶体部へ時間とともに進行さ
せるものである。
ずる巨大粒成長を抑えて、スムーズな固相反応の遂行に
よる多結晶体の単結晶化を可能にする固相反応単結晶の
作成法を提供するものである０ 問題点を解決するだめの手段 この目的を達成するため、本発明の固相反応単結晶の作
成法は、単結晶体部から多結晶体部に向って温度が低下
するよう温度勾配を設けるとともにこの温度勾配の急な
領域が単結晶体部より多結晶体部へ時間とともに進行さ
せるものである。
作用
この方法により、常に固相反応により単結晶化が起って
いる部分の温度を面相反応が起−〕でいない多結晶体部
の温度より高く保ち、多結晶体内部に生ずる巨大粒成長
を抑えてスムーズな固相反応の遂行による多結晶体の単
結晶化を可能にするものである。
いる部分の温度を面相反応が起−〕でいない多結晶体部
の温度より高く保ち、多結晶体内部に生ずる巨大粒成長
を抑えてスムーズな固相反応の遂行による多結晶体の単
結晶化を可能にするものである。
実備例
実施例１
第１図に示したような熱処理を用いて、Ｍｎ−Ｚｎフェ
ライトの単結晶化を行なった、同図において、１は電気
炉の炉芯管２は試料支持台、３は単結晶Ｍｎ−Ｚｎ７−
エ、ライト、４は粒径が２ｏ１１！１１以下の多結晶Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト、３と４は５１０２ を主成分とす
る接着剤で接合されている。また、６は前進移動が可能
な管状の補助ヒーターである。実験では電気炉の温度を
１３６ｏ′Ｃに保持し、補助ヒーター加熱によりヒータ
ー直下の試料の温度が１４２０’Ｃとなるようにし、補
助ヒーターの前進速度ｖ（ｃ！ＩＩ／ｈｒ）は ｖ＝ｏ４７７ （ｔは時間） ・・・・・・（１）
とした、ただし１＝０で補助ヒーターは単結部３の上に
あるようにした。ｔ＝９時間時間−ヒーター動を止め、
電気炉の温度とヒーターの温度を下げ室温まで徐冷した
試料を取や出して調べた所、多結晶体が単結晶化した４
′の部分の長さは約１２朋であった。又残りの多結晶体
中には第３図４″に示したような巨大化した結晶粒は見
られず粒径ば６０μｍ以下であり、巨大結晶粒による単
結晶化の阻害はなくスムーズに単結晶化が行なわれた事
がわかった。なお単結晶化熱処理中の雰囲気は１％０□
−Ｎ２ガス雰囲気とした、実験では補助ヒーターを移動
させたが逆にヒーターを固定して試料支持台２を移動さ
せても同様の結果が得られる事は言うまでもない。又電
気炉温度、補助ヒータ一温度、ヒーター移動速度は、単
結晶化させる試料によυ最適値を選ばねばならないが、
一般的には電気炉温度は多結晶体の粒成長がほとんど生
じない温度に、又補助ヒーター加熱はこれにより多結晶
体の粒成長が活発化する温度に、更にヒーター移動速度
は単結晶化進行速度にほぼ等しくするのが望ましい。な
お比較の為第３図に示したような従来法を用い１４２０
’Ｃで同じ試料について単結晶化熱処理を９時間行なっ
たところ、単結晶化の距離は３〜４朋で多結晶体中に粒
径１朋はどの巨大結晶粒が生じスムーズな単結晶化が行
なわれなかった。
ライトの単結晶化を行なった、同図において、１は電気
炉の炉芯管２は試料支持台、３は単結晶Ｍｎ−Ｚｎ７−
エ、ライト、４は粒径が２ｏ１１！１１以下の多結晶Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト、３と４は５１０２ を主成分とす
る接着剤で接合されている。また、６は前進移動が可能
な管状の補助ヒーターである。実験では電気炉の温度を
１３６ｏ′Ｃに保持し、補助ヒーター加熱によりヒータ
ー直下の試料の温度が１４２０’Ｃとなるようにし、補
助ヒーターの前進速度ｖ（ｃ！ＩＩ／ｈｒ）は ｖ＝ｏ４７７ （ｔは時間） ・・・・・・（１）
とした、ただし１＝０で補助ヒーターは単結部３の上に
あるようにした。ｔ＝９時間時間−ヒーター動を止め、
電気炉の温度とヒーターの温度を下げ室温まで徐冷した
試料を取や出して調べた所、多結晶体が単結晶化した４
′の部分の長さは約１２朋であった。又残りの多結晶体
中には第３図４″に示したような巨大化した結晶粒は見
られず粒径ば６０μｍ以下であり、巨大結晶粒による単
結晶化の阻害はなくスムーズに単結晶化が行なわれた事
がわかった。なお単結晶化熱処理中の雰囲気は１％０□
−Ｎ２ガス雰囲気とした、実験では補助ヒーターを移動
させたが逆にヒーターを固定して試料支持台２を移動さ
せても同様の結果が得られる事は言うまでもない。又電
気炉温度、補助ヒータ一温度、ヒーター移動速度は、単
結晶化させる試料によυ最適値を選ばねばならないが、
一般的には電気炉温度は多結晶体の粒成長がほとんど生
じない温度に、又補助ヒーター加熱はこれにより多結晶
体の粒成長が活発化する温度に、更にヒーター移動速度
は単結晶化進行速度にほぼ等しくするのが望ましい。な
お比較の為第３図に示したような従来法を用い１４２０
’Ｃで同じ試料について単結晶化熱処理を９時間行なっ
たところ、単結晶化の距離は３〜４朋で多結晶体中に粒
径１朋はどの巨大結晶粒が生じスムーズな単結晶化が行
なわれなかった。
実施例２
第２図に示したような熱処理装置を用いてやば！１１Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライトの単結晶化を行なった。図中の１〜
４′は第１図で説明したものと同じである。この方式で
は補助ヒーター５は試料の単結晶体部３の下に置かれ、
単結晶体側のみが加熱されるようになっており、ヒータ
ーは可動でなく固定であり、試料は熱伝導により単結晶
側から多結晶側へと温度が上昇して行くようにされてい
る。実験では電気炉の温度を１２００’Ｃとし、補助ヒ
ーターを加熱して１時間でヒーターと接する単結晶面が
１４１０’Ｃになるまで昇温し次後、この温度で４時間
保持した。その後室温まで試料を徐冷して試料を取シ出
して調べた新車結晶化の距離は約８Ｈで多結晶体中に巨
大結晶粒は成長していない事がわかった。この方法は第
１図に示した方法より量産性があるが、単結晶化の距離
に関しては第１図に示した方法の方が大きい事がわかっ
た。
ｎ−Ｚｎフェライトの単結晶化を行なった。図中の１〜
４′は第１図で説明したものと同じである。この方式で
は補助ヒーター５は試料の単結晶体部３の下に置かれ、
単結晶体側のみが加熱されるようになっており、ヒータ
ーは可動でなく固定であり、試料は熱伝導により単結晶
側から多結晶側へと温度が上昇して行くようにされてい
る。実験では電気炉の温度を１２００’Ｃとし、補助ヒ
ーターを加熱して１時間でヒーターと接する単結晶面が
１４１０’Ｃになるまで昇温し次後、この温度で４時間
保持した。その後室温まで試料を徐冷して試料を取シ出
して調べた新車結晶化の距離は約８Ｈで多結晶体中に巨
大結晶粒は成長していない事がわかった。この方法は第
１図に示した方法より量産性があるが、単結晶化の距離
に関しては第１図に示した方法の方が大きい事がわかっ
た。
実施例ではＭｎ−Ｚｎフェライトの単結晶について述べ
たが、他のＹＩＧ（ガーネット）や種々のセラミックの
単結晶化についてもパラメータを変えれば同様の事が出
来る事は言うまでもない。
たが、他のＹＩＧ（ガーネット）や種々のセラミックの
単結晶化についてもパラメータを変えれば同様の事が出
来る事は言うまでもない。
発明の効果
以上述べたように本発明は安定したスムーズな固相反応
単結晶の作成法として極めて有効なものである。
単結晶の作成法として極めて有効なものである。
第１図、第２図は本発明の固相反応単結晶作成法の概略
図、第３図は従来法にょる固相反応単結晶作成法の概略
図である。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・試料支持台、３
・・・・・・単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト、４・・山・
多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト、５・・・・・・補助ヒー
タ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名、ト
、 、 眺 敏 派
図、第３図は従来法にょる固相反応単結晶作成法の概略
図である。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・試料支持台、３
・・・・・・単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト、４・・山・
多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト、５・・・・・・補助ヒー
タ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名、ト
、 、 眺 敏 派
Claims (3)
- （１）単結晶体と多結晶体を貼り合わせて、熱処理を行
ない固相反応を用いて多結晶体を単結晶化させる固相反
応単結晶作成において、前記単結晶体部から前記多結晶
体部に向って温度が低下するように温度勾配を設けると
ともにこの温度勾配の急な領域が、単結晶体部より多結
晶体部へ時間とともに進行して行く事を特徴とする固相
反応単結晶の作成法。 - （２）温度勾配の移動を熱処理装置内の補助ヒーターと
試料を相対的に移動させる事により行なう事を特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の固相反応単結晶の作成法
。 - （３）単結晶体部のみを熱処理装置内の補助ヒーターで
加熱し、熱伝導により前記温度勾配の移動を行なう事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固相反応単結晶
の作成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1692687A JPS63185883A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 固相反応単結晶の作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1692687A JPS63185883A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 固相反応単結晶の作成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185883A true JPS63185883A (ja) | 1988-08-01 |
Family
ID=11929731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1692687A Pending JPS63185883A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 固相反応単結晶の作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185883A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002022920A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Daiichi Kigenso Kagaku Kogyo Co., Ltd. | Materiau monocristallin de grenat des terres rares et de fer et son procede de preparation, et dispositif comprenant un materiau monocristallin de grenat des terres rares et de fer |
| JP2003221300A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-05 | Kyocera Corp | 単結晶炭化珪素部材の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP1692687A patent/JPS63185883A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002022920A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Daiichi Kigenso Kagaku Kogyo Co., Ltd. | Materiau monocristallin de grenat des terres rares et de fer et son procede de preparation, et dispositif comprenant un materiau monocristallin de grenat des terres rares et de fer |
| JP2003221300A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-05 | Kyocera Corp | 単結晶炭化珪素部材の製造方法 |
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