RU1175186C - Способ получения кристаллов со структурой берилла - Google Patents
Способ получения кристаллов со структурой берилла Download PDFInfo
- Publication number
- RU1175186C RU1175186C SU3708661A RU1175186C RU 1175186 C RU1175186 C RU 1175186C SU 3708661 A SU3708661 A SU 3708661A RU 1175186 C RU1175186 C RU 1175186C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crucible
- beryllium
- obtaining crystals
- crystals
- crystallization
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности.
Цель изобретения - повышение выхода монокристаллов.
Изобретение поясняется чертежом, на котором представлена схема теплового угла с тиглем для шихты (слева) и осевое распределение температуры узла (справа).
П р и м е р 1. Шихта, состоящая из смеси окислов, мас.%: MgO 14,19; BeO 4,40; Al2O3 17,95; SiO2 63,46, соответствующей составу Mg2 Be Al2 Si6 O18, загружают в стеклографитовый тигель 1 закрытый графитовой пробкой 2. Плавильный сосуд помещают в тепловой узел 3 ростовой установки, имеющей в рабочем режиме осевое распределение температуры (кривая 4). Причем конусная часть тигля располагается в зоне максимальной температуры (Тмакс) теплового узла. Шихта расплавляется в инертной атмосфере. При этом нагрев осуществляют со скоростью 60 град/мин до 1500оС в точке Тмакс. Тигель (после выдержки в таком положении в течение 0,5 ч) опускают со скоростью 2,5 мм/ч через зону кристаллизации, начинающейся в Ткр и имеющей градиент температуры 22 град/см.
После полного прохождения части тигля, занятой расплавом, через зону кристаллизации тигель охлаждается с произвольной скоростью до комнатной температуры и вынимается из теплового узла. Полученный слиток представляет собой совокупность крупных монокристаллических блоков бериллиевого индиалита. По данным рентгенофазового анализа и микроскопического исследования никаких других кристаллических фаз и стеклообразных выделений в слитке нет.
Использование предлагаемого способа выращивания соединений со структурой берилла на основе бериллиевого индиалита обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества: возможность получения крупных монокристаллических блоков соединений, кристаллизующихся в структурном типе берилла; варьирование составом конечных кристаллов в довольно широких пределах, практически не изменяя температурного режима цикла выращивания; закладывание основы для создания способов получения совершенных монокристаллов соединений со структурой берилла на базе бериллиевого индиалита из собственного расплава.
Claims (1)
- СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ БЕРИЛЛА на основе бериллиевого индиалита, включающий нагрев шихты, содержащей оксиды Mg, Be, Al и Si в тигле, кристаллизацию и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, оксиды берут в соотношении, соответствующем формуле Mg2 - x Be1 + x Al2 Si6 O1 8 где x = 0,00 - 0,45, нагрев ведут до 1450 - 1500oС, а кристаллизацию проводят путем опускания тигля со скоростью 2 - 3 мм/ч через зону с температурой 1360 - 1380oС.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3708661 RU1175186C (ru) | 1984-03-11 | 1984-03-11 | Способ получения кристаллов со структурой берилла |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3708661 RU1175186C (ru) | 1984-03-11 | 1984-03-11 | Способ получения кристаллов со структурой берилла |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1175186C true RU1175186C (ru) | 1995-01-09 |
Family
ID=30440099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU3708661 RU1175186C (ru) | 1984-03-11 | 1984-03-11 | Способ получения кристаллов со структурой берилла |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1175186C (ru) |
-
1984
- 1984-03-11 RU SU3708661 patent/RU1175186C/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Валеев Н.Х., Дмитриев И.А. О твердофазном синтезе бериллиевого индиалита в системе MgO-BeO-Al2O3-SiO2. Рукопись депонирована ВИНИТИ, N 2330-75. Деп., 1975, 21 с. * |
Патент США N 3895921, кл. 23-301 (B 01J 17/00), 1975. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0152359B2 (ru) | ||
EP0252537B1 (en) | Process for crystal growth of ktiopo4 from solution | |
US3768983A (en) | Single crystal beryllium oxide growth from calcium oxide-beryllium oxide melts | |
EP0573738A2 (en) | Method for crystal growth of beta barium borate | |
RU1175186C (ru) | Способ получения кристаллов со структурой берилла | |
Burianek et al. | Crystal growth of boron sillenite Bi24B2O39 | |
CA1079613A (en) | Process for synthesizing and growing single crystalline beryl out of a molten salt | |
JP2636929B2 (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法 | |
RU2021218C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА GeS2 | |
EP0187843B1 (en) | Growth of single crystal cadmium-indium-telluride | |
RU2189405C1 (ru) | Способ получения монокристаллов соединения liins2 | |
JP3128173B2 (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法およびその製造装置 | |
RU2040599C1 (ru) | Способ получения монокристаллов боридов редкоземельных металлов | |
RU1816813C (ru) | Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца | |
JPH02279583A (ja) | 単結晶育成方法 | |
US4654196A (en) | Process for producing a polycrystalline alloy | |
RU1445270C (ru) | Способ выращивани кристаллов корунда | |
RU1431391C (ru) | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия | |
JPS6236997B2 (ru) | ||
Isaacs et al. | Crystal growth of Tl3VS4 | |
RU56404U1 (ru) | Кристаллизационная установка для выращивания тугоплавких эвтектических псевдомонокристаллов | |
SU1738877A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов L @ С @ О @ | |
SU1737034A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов титаната бари | |
JPH06263581A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
SU875890A1 (ru) | Расплав дл выращивани сегнетоэлектрических монокристаллов метаниобата свинца |