RU1816813C - Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца - Google Patents
Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинцаInfo
- Publication number
- RU1816813C RU1816813C SU4952889A RU1816813C RU 1816813 C RU1816813 C RU 1816813C SU 4952889 A SU4952889 A SU 4952889A RU 1816813 C RU1816813 C RU 1816813C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystals
- speed
- lead
- crystal
- melt
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Использование: выращивание монокристаллов ортосиликата кали и свинца. Сущность изобретени : кристаллы выт гивают из расплава со скоростью 0,5-0,75 мм/ч на затравку, вращающуюс со скоростью 20- 30 град/ч. Дл улучшени качества к шихте добавл ют 0,2-1,0 мол.% оксида свинца. 1 н. и 1 з.п. ф-лы, 18 пр.
Description
Изобретение относитс к химической технологии и может быть использовано при выращивании монокристаллов ортосиликата кали и свинца K2Pb2Si20.
Целью изобретени вл етс увеличение размеров монокристаллов.
Поставленна цель достигаетс тем, что кристаллизацию ведут со скоростью выт гивани 0,5-0,75 мм/ч, скоростью вращени 10-20 об/мин, а охлаждение-со скоростью 20-30°С/ч, причем в загрузку дополнительно ввод т окись свинца в количестве 0,2-1,0 мол.%,
Предлагаемое решение позвол ет увеличить размеры качественных монокристаллов K2Pb2Si20 за счет подбора оптимальных условий их выращивани . В предлагаемом способе процесс выращивани проводили следующим образом.
Исходную шихту, наход щуюс в платиновом тигле, размещают в ростовой печи установки Чохральского и нагревают до ее
расплавлени , Затем привод т в соприкосновение с расплавом затравочный кристалл и начинают процесс вырамдивани . Рост ведут в направлении 001 или 100. Скорость выт гивани составл ет 0,5-0,75 мм/ч, скорость вращени 10-20 об/мин, аксиальный температурный градиент 20-30 °С/см, скорость охлаждени по окончании процесса роста - 20-30 °С/ч. Перед охлаждением кристалл подвергают отжигу в течение 24 часов при 850°С. При скорости выт гивани свыше 0,75 мм/ч в кристалле наблюдаютс газовые включени , при скорости выт гивани менее 0,5 мм/ч увеличиваютс эн ерго- и трудозатраты без достижени дополнительного положительного эффекта. При скорости вращени свыше 20 об/мин фронт кристаллизации становитс вогнутым, что приводит к захвату газовых включений в, центральной части кристалла вдоль оси роста . При скорости вращени ниже 10 об/мин фронт кристаллизации становитс
00
00
ы
выпуклым в расплаве, при этом в кристалле наблюдаютс газообразные включени кольцеобразной формы, ориентированные вдоль оси роста. При скорости охлаждени свыше 30°С/ч выращенные кристаллы растрескиваютс , при скорости охлаждени менее 20°С/ч увеличиваютс энерго- и трудозатраты без достижени дополнительного положительного эффекта. При использовании в качестве исходной шихты состава, содержащего более 1,0 и менее 0,2 мол.% избытка окиси свинца в объеме кристалла наблюдаютс твердофазные включени , а на штоке и теплоотражающем экране во всех случа х - желто-оранжевый налет. Из результатов РФА следует, что он содержит преимущественно окись свинца. Следовательно , расплав ортосиликата кали и свинца испар етс инконгруэнтно, причем в составе паровой фазы преобладает окись свинца. При выращивании монокристаллов из стехиометрического состава происходит обеднение расплава окисью свинца и по вление твердофазных включений. Добитьс устранени твердофазных включений удаетс за счет добавлени небольшого избытка (0,2-1,0 мол.%) окиси свинца. В этом случае в течение времени, необходимого дл выращивани кристалла, изменение состава расплава не успевает превысить определенную критическую величину, после которой в объеме кристалла по вл ютс твердофазные включени . Избыток окиси свинца свыше 1,0 мол.% также приводит к по влению твердофазиых включений.
Таким образом, предлагаемый способ позвол ет получить монокристаллы ортосиликата кали и свинца размерами 20 х20 х20 мм, не содержащие включений и трещин. Примеры конкретного выполнени . Пример 1 (прототип). Навеску стехиометрического ортосиликата кали и свинца весом 150 г размещают в платиновом тигле диаметром 50 и высотой 50 мм, нагревают до 940°С (температура плавлени 918°С), после чего охлаждают расплав в режиме выключенной печи. При этом на поверхности слитка образуютс отдельные монокристаллические зерна размером до мм. Пример 2. Навеску ортосиликата кали и свинца общим весом 150 г, содержащую 0,5 мол.% избытка окиси свинца РЬО размещают в платиновом тигле диаметром 50 и высотой 50 мм, который устанавливают в тепловой узел ростовой установки Донец- 1. Вещество расплавл ют, после чего ввод т в контакт с расплавом монокристаллическую затравку, ориентированную в направлении 001 или 100 и осуществл ют процесс выращивани .
Скорость выт гивани составл ет 0,65 мм/ч, скорость вращени - 15 об/мин., аксиальный температурный градиент над расплавом - 20-30°С/см. После отрыва от
расплава кристалл отжигают при 850°С в течение 24 ч, после чего охлаждают со скоростью 25°С/ч. Получены монокристаллические образцы размерами 20 х20 х20 мм, не содержащие блоков, трещин, твердофазных
0 и газовых включений.
Пример 3. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из стехиометрического состава . Кристалл содержит твердофазные включени .
5 П р и м е р 4. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из состава с избытком 0,2 мол.% окиси свинца. Полученные кристаллы не содержат блоков, трещин, твердофазиых и газовых включений.
0 П р и м е р 5. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из состава с избытком 1,0 мол.% окиси свинца. Полученные кристаллы не содержат блоков трещин, твердофазных и газовых включений.
5 П р и м е р 6. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из состава с избытком 1,2 мол.% окиси свинца. Кристалл содержит твердофазные включени .
Пример 7. Аналогично п. 2, но выт 0 гивание ведут со скоростью 0,3 мм/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин, блоков, твердофазных и газовых включений. Увеличиваютс энерго- и трудозатраты без достижени дополнительного положитель5 ного эффекта.
Пример 8. Аналогично п. 2, но выт гивание ведут со скоростью 0,5 мм/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин, блоков, твердофазных и газовых включений.
0 Пример 9. Аналогично п. 2, но выт гивание ведут со скоростью 0,75 мм/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин, блоков, твердофазных и газовых включений. Пример 10. Аналогично п. 2, но
5 выт гивание ведут со скоростью 0,85 мм/ч. Кристаллы содержат твердофазные и газовые включени ,
Пример 11. Аналогично п. 2, но скорость вращени составл ет 5 об/мин. В
0 кристалле наблюдаютс газовые включени кольцеобразной формы, ориентированные вдоль оси роста.
Пример 12. Аналогично п. 2, но скорость вращени составл ет 10 об/мин.
5 Получены кристаллы, не содержащие трещин , блоков, твердофазных и газовых включений .
Пример 13. Аналогично п. 2, но скорость вращени составл ет 20 об/мин. Получены кристаллы, не содержащие трещин , блоков, твердофазных и газовых включений .
Пример 14. Аналогично п. 2, но скорость вращени составл ет 25 об/мин. В кристаллах содержатс газовые включени , расположенные в виде цепочки вдоль оси роста.
Пример 15. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени выращенных кристаллов составл ет 15°С/ч. Получены кристаллы , не содержащие трещин, однако при этом увеличиваютс энерго- и трудозатраты без достижени дополнительного положительного эффекта.
Пример 16. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени составл ет 20°С/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин .
Пример 17. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени составл ет 30°С/ч.
Получены кристаллы, не содержащие тре щин.
Пример 18. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени составл ет 40°С/ч. В кристаллах наблюдаютс трещины.
Формула.изобретени
Claims (2)
1. Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца, включающий расплавление исходной шихты стехиометрического состава, выращивание монокристалла из расплава и его последующее охлаждение, отличающийс тем, что, с целью увеличени размеров монокристал- лов, выращивание ведут путем выт гивани
монокристалла из расплава со скоростью 0,50-0,75 мм/ч на затравку, вращающуюс со скоростью 20-30 град/ч.
2. Способ по п. 2, отличающийс тем, что, с целью улучшени качества моно- кристаллов, к исходной шихте добавл ют оксид свинца в количестве 0,2-1,0 мол.%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4952889 RU1816813C (ru) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4952889 RU1816813C (ru) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1816813C true RU1816813C (ru) | 1993-05-23 |
Family
ID=21583215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4952889 RU1816813C (ru) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1816813C (ru) |
-
1991
- 1991-06-04 RU SU4952889 patent/RU1816813C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
J.N- ray - Szabo A.Kalman Die Struktur des K.Pb2Si20 und der Bieigla er.- Sllikattechnik, 1961. Bd12, № 7, S. 316-318. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002293693A (ja) | テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶及びその製造方法 | |
JP6053018B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
US6514336B1 (en) | Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals | |
US4303465A (en) | Method of growing monocrystals of corundum from a melt | |
RU1816813C (ru) | Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца | |
Burianek et al. | Crystal growth of boron sillenite Bi24B2O39 | |
CN108221052B (zh) | 一种制备大尺寸Zn4B6O13单晶的方法 | |
Otani et al. | Preparation of LaB6 single crystals by the floating zone method | |
US4613495A (en) | Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride | |
CN1544709A (zh) | 硅酸钆闪烁晶体的生长方法 | |
CN110685006A (zh) | 一种中红外非线性光学晶体poc及其制备方法 | |
JP2868204B2 (ja) | 四ほう酸リチウム単結晶の製造装置 | |
RU2108418C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
RU2487968C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата | |
RU2156327C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
JPH02271989A (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法 | |
RU1175186C (ru) | Способ получения кристаллов со структурой берилла | |
RU1431391C (ru) | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия | |
JP2000007499A (ja) | ランガサイト単結晶育成方法 | |
JP2739546B2 (ja) | 硼酸リチウム単結晶の製造方法 | |
RU2542313C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов рубидий-висмутового молибдата | |
KR970007336B1 (ko) | 압전소자용 및 레이저 발진자용 소재물질의 단결정 제조법 | |
SU1659535A1 (ru) | Способ получени монокристаллов молибдата свинца | |
RU2471896C1 (ru) | Способ выращивания объемных монокристаллов александрита | |
JPH05148090A (ja) | βメタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 |