RU1816813C - Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца - Google Patents

Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца

Info

Publication number
RU1816813C
RU1816813C SU4952889A RU1816813C RU 1816813 C RU1816813 C RU 1816813C SU 4952889 A SU4952889 A SU 4952889A RU 1816813 C RU1816813 C RU 1816813C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystals
speed
lead
crystal
melt
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Вадим Михайлович Головей
Михаил Иванович Головей
Original Assignee
Специальное конструкторско-технологическое бюро с экспериментальным производством Института ядерных исследований АН УССР
Ужгородское Отделение Института Ядерных Исследований Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специальное конструкторско-технологическое бюро с экспериментальным производством Института ядерных исследований АН УССР, Ужгородское Отделение Института Ядерных Исследований Ан Усср filed Critical Специальное конструкторско-технологическое бюро с экспериментальным производством Института ядерных исследований АН УССР
Priority to SU4952889 priority Critical patent/RU1816813C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1816813C publication Critical patent/RU1816813C/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Использование: выращивание монокристаллов ортосиликата кали  и свинца. Сущность изобретени : кристаллы выт гивают из расплава со скоростью 0,5-0,75 мм/ч на затравку, вращающуюс  со скоростью 20- 30 град/ч. Дл  улучшени  качества к шихте добавл ют 0,2-1,0 мол.% оксида свинца. 1 н. и 1 з.п. ф-лы, 18 пр.

Description

Изобретение относитс  к химической технологии и может быть использовано при выращивании монокристаллов ортосиликата кали  и свинца K2Pb2Si20.
Целью изобретени   вл етс  увеличение размеров монокристаллов.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что кристаллизацию ведут со скоростью выт гивани  0,5-0,75 мм/ч, скоростью вращени  10-20 об/мин, а охлаждение-со скоростью 20-30°С/ч, причем в загрузку дополнительно ввод т окись свинца в количестве 0,2-1,0 мол.%,
Предлагаемое решение позвол ет увеличить размеры качественных монокристаллов K2Pb2Si20 за счет подбора оптимальных условий их выращивани . В предлагаемом способе процесс выращивани  проводили следующим образом.
Исходную шихту, наход щуюс  в платиновом тигле, размещают в ростовой печи установки Чохральского и нагревают до ее
расплавлени , Затем привод т в соприкосновение с расплавом затравочный кристалл и начинают процесс вырамдивани . Рост ведут в направлении 001 или 100. Скорость выт гивани  составл ет 0,5-0,75 мм/ч, скорость вращени  10-20 об/мин, аксиальный температурный градиент 20-30 °С/см, скорость охлаждени  по окончании процесса роста - 20-30 °С/ч. Перед охлаждением кристалл подвергают отжигу в течение 24 часов при 850°С. При скорости выт гивани  свыше 0,75 мм/ч в кристалле наблюдаютс  газовые включени , при скорости выт гивани  менее 0,5 мм/ч увеличиваютс  эн ерго- и трудозатраты без достижени  дополнительного положительного эффекта. При скорости вращени  свыше 20 об/мин фронт кристаллизации становитс  вогнутым, что приводит к захвату газовых включений в, центральной части кристалла вдоль оси роста . При скорости вращени  ниже 10 об/мин фронт кристаллизации становитс 
00
00
ы
выпуклым в расплаве, при этом в кристалле наблюдаютс  газообразные включени  кольцеобразной формы, ориентированные вдоль оси роста. При скорости охлаждени  свыше 30°С/ч выращенные кристаллы растрескиваютс , при скорости охлаждени  менее 20°С/ч увеличиваютс  энерго- и трудозатраты без достижени  дополнительного положительного эффекта. При использовании в качестве исходной шихты состава, содержащего более 1,0 и менее 0,2 мол.% избытка окиси свинца в объеме кристалла наблюдаютс  твердофазные включени , а на штоке и теплоотражающем экране во всех случа х - желто-оранжевый налет. Из результатов РФА следует, что он содержит преимущественно окись свинца. Следовательно , расплав ортосиликата кали  и свинца испар етс  инконгруэнтно, причем в составе паровой фазы преобладает окись свинца. При выращивании монокристаллов из стехиометрического состава происходит обеднение расплава окисью свинца и по вление твердофазных включений. Добитьс  устранени  твердофазных включений удаетс  за счет добавлени  небольшого избытка (0,2-1,0 мол.%) окиси свинца. В этом случае в течение времени, необходимого дл  выращивани  кристалла, изменение состава расплава не успевает превысить определенную критическую величину, после которой в объеме кристалла по вл ютс  твердофазные включени . Избыток окиси свинца свыше 1,0 мол.% также приводит к по влению твердофазиых включений.
Таким образом, предлагаемый способ позвол ет получить монокристаллы ортосиликата кали  и свинца размерами 20 х20 х20 мм, не содержащие включений и трещин. Примеры конкретного выполнени . Пример 1 (прототип). Навеску стехиометрического ортосиликата кали  и свинца весом 150 г размещают в платиновом тигле диаметром 50 и высотой 50 мм, нагревают до 940°С (температура плавлени  918°С), после чего охлаждают расплав в режиме выключенной печи. При этом на поверхности слитка образуютс  отдельные монокристаллические зерна размером до мм. Пример 2. Навеску ортосиликата кали  и свинца общим весом 150 г, содержащую 0,5 мол.% избытка окиси свинца РЬО размещают в платиновом тигле диаметром 50 и высотой 50 мм, который устанавливают в тепловой узел ростовой установки Донец- 1. Вещество расплавл ют, после чего ввод т в контакт с расплавом монокристаллическую затравку, ориентированную в направлении 001 или 100 и осуществл ют процесс выращивани .
Скорость выт гивани  составл ет 0,65 мм/ч, скорость вращени  - 15 об/мин., аксиальный температурный градиент над расплавом - 20-30°С/см. После отрыва от
расплава кристалл отжигают при 850°С в течение 24 ч, после чего охлаждают со скоростью 25°С/ч. Получены монокристаллические образцы размерами 20 х20 х20 мм, не содержащие блоков, трещин, твердофазных
0 и газовых включений.
Пример 3. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из стехиометрического состава . Кристалл содержит твердофазные включени .
5 П р и м е р 4. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из состава с избытком 0,2 мол.% окиси свинца. Полученные кристаллы не содержат блоков, трещин, твердофазиых и газовых включений.
0 П р и м е р 5. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из состава с избытком 1,0 мол.% окиси свинца. Полученные кристаллы не содержат блоков трещин, твердофазных и газовых включений.
5 П р и м е р 6. Аналогично п. 2, но выращивание ведут из состава с избытком 1,2 мол.% окиси свинца. Кристалл содержит твердофазные включени .
Пример 7. Аналогично п. 2, но выт 0 гивание ведут со скоростью 0,3 мм/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин, блоков, твердофазных и газовых включений. Увеличиваютс  энерго- и трудозатраты без достижени  дополнительного положитель5 ного эффекта.
Пример 8. Аналогично п. 2, но выт гивание ведут со скоростью 0,5 мм/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин, блоков, твердофазных и газовых включений.
0 Пример 9. Аналогично п. 2, но выт гивание ведут со скоростью 0,75 мм/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин, блоков, твердофазных и газовых включений. Пример 10. Аналогично п. 2, но
5 выт гивание ведут со скоростью 0,85 мм/ч. Кристаллы содержат твердофазные и газовые включени ,
Пример 11. Аналогично п. 2, но скорость вращени  составл ет 5 об/мин. В
0 кристалле наблюдаютс  газовые включени  кольцеобразной формы, ориентированные вдоль оси роста.
Пример 12. Аналогично п. 2, но скорость вращени  составл ет 10 об/мин.
5 Получены кристаллы, не содержащие трещин , блоков, твердофазных и газовых включений .
Пример 13. Аналогично п. 2, но скорость вращени  составл ет 20 об/мин. Получены кристаллы, не содержащие трещин , блоков, твердофазных и газовых включений .
Пример 14. Аналогично п. 2, но скорость вращени  составл ет 25 об/мин. В кристаллах содержатс  газовые включени , расположенные в виде цепочки вдоль оси роста.
Пример 15. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени  выращенных кристаллов составл ет 15°С/ч. Получены кристаллы , не содержащие трещин, однако при этом увеличиваютс  энерго- и трудозатраты без достижени  дополнительного положительного эффекта.
Пример 16. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени  составл ет 20°С/ч. Получены кристаллы, не содержащие трещин .
Пример 17. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени  составл ет 30°С/ч.
Получены кристаллы, не содержащие тре щин.
Пример 18. Аналогично п. 2, но скорость охлаждени  составл ет 40°С/ч. В кристаллах наблюдаютс  трещины.
Формула.изобретени 

Claims (2)

1. Способ получени  монокристаллов ортосиликата кали  и свинца, включающий расплавление исходной шихты стехиометрического состава, выращивание монокристалла из расплава и его последующее охлаждение, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  размеров монокристал- лов, выращивание ведут путем выт гивани 
монокристалла из расплава со скоростью 0,50-0,75 мм/ч на затравку, вращающуюс  со скоростью 20-30 град/ч.
2. Способ по п. 2, отличающийс  тем, что, с целью улучшени  качества моно- кристаллов, к исходной шихте добавл ют оксид свинца в количестве 0,2-1,0 мол.%.
SU4952889 1991-06-04 1991-06-04 Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца RU1816813C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4952889 RU1816813C (ru) 1991-06-04 1991-06-04 Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4952889 RU1816813C (ru) 1991-06-04 1991-06-04 Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1816813C true RU1816813C (ru) 1993-05-23

Family

ID=21583215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4952889 RU1816813C (ru) 1991-06-04 1991-06-04 Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1816813C (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.N- ray - Szabo A.Kalman Die Struktur des K.Pb2Si20 und der Bieigla er.- Sllikattechnik, 1961. Bd12, № 7, S. 316-318. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002293693A (ja) テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶及びその製造方法
JP6053018B2 (ja) 結晶成長方法
US6514336B1 (en) Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals
US4303465A (en) Method of growing monocrystals of corundum from a melt
RU1816813C (ru) Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца
Burianek et al. Crystal growth of boron sillenite Bi24B2O39
CN108221052B (zh) 一种制备大尺寸Zn4B6O13单晶的方法
Otani et al. Preparation of LaB6 single crystals by the floating zone method
US4613495A (en) Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride
CN1544709A (zh) 硅酸钆闪烁晶体的生长方法
CN110685006A (zh) 一种中红外非线性光学晶体poc及其制备方法
JP2868204B2 (ja) 四ほう酸リチウム単結晶の製造装置
RU2108418C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
RU2487968C2 (ru) Способ выращивания монокристаллов литий-магниевого молибдата
RU2156327C2 (ru) Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
JPH02271989A (ja) ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法
RU1175186C (ru) Способ получения кристаллов со структурой берилла
RU1431391C (ru) Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия
JP2000007499A (ja) ランガサイト単結晶育成方法
JP2739546B2 (ja) 硼酸リチウム単結晶の製造方法
RU2542313C2 (ru) Способ выращивания монокристаллов рубидий-висмутового молибдата
KR970007336B1 (ko) 압전소자용 및 레이저 발진자용 소재물질의 단결정 제조법
SU1659535A1 (ru) Способ получени монокристаллов молибдата свинца
RU2471896C1 (ru) Способ выращивания объемных монокристаллов александрита
JPH05148090A (ja) βメタホウ酸バリウム単結晶の製造方法