SU1737034A1 - Способ выращивани монокристаллов титаната бари - Google Patents
Способ выращивани монокристаллов титаната бари Download PDFInfo
- Publication number
- SU1737034A1 SU1737034A1 SU904824238A SU4824238A SU1737034A1 SU 1737034 A1 SU1737034 A1 SU 1737034A1 SU 904824238 A SU904824238 A SU 904824238A SU 4824238 A SU4824238 A SU 4824238A SU 1737034 A1 SU1737034 A1 SU 1737034A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystals
- single crystals
- barium titanate
- growing single
- rate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Использование: в качестве подложки дл высокотемпературных сверхпроводников . Сущность изобретени : выращивание монокристаллов (М) ведут из раствора-расплава . Исходную шихту состава, мас.%: ВаТЮз 12-25; ВаОз 8-10; KF остальное, нагревают . После выдержки ведут охлаждение со скоростью 1-5°С/ч. Получены М размером 10x10x2,5 мм. 1 табл.
Description
Изобретение относитс к технологии выращивани монокристаллов титаната бари , которые могут быть использованы в качестве подложки дл высокотемпературных сверхпроводников.
Известен способ получени монокристаллов ВаТЮз из фторида кали .
Согласно этому способу монокристаллы ВаТЮз получают нагреванием смеси оксидов бари и титана, вз той в соотношени х 1,10-1,25 и обожженной при 1300°С, с фторидом кали со скоростью 200°С/ч, и последующим охлаждением до 900°С со скоростью 50°С/ч,
Основным недостатком известного способа вл етс использование исходных материалов с высоким содержанием легколетучего компонента - фторида кали . Кроме того, полученные кристаллы характеризуютс многочисленными дефектами, обусловленными самим способом выращивани . Способ позвол ет получать не объемные , а двумерные кристаллы, т.е. кристаллы в виде тонких пластинок с незначительным размером по толщине, и кристаллы, сдвой- никованные в бабочек, разрушающиес при извлечении их из тигл по окончании опыта. Эти кристаллы практически непригодны дл технических применений. .
Цель изобретени - увеличение размеров кристаллов титаната бари .
Исходную шихту используют при следующем соотношении компонентов, мас.%:
ВаТЮз12-25
KF80-65
ВаОз8-10
Процесс выращивани осуществл ют следующим образом.
Необходимое количество шихты помещают в платиновый тигель, нагревают до 1150°С со скоростью 20-30°С/ч, выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, затем охлаждают до температуры 800°С со скоростью 1-3°С/ч.
В таблице представлены экспериментально найденные параметры процесса кристаллизации ,
При других соотношени х исходных компонентов и температурных режимах положительный эффект отсутствует.
Пример 1. Смесь ВаТЮз, ВаОз, KF, вз тую в соотношении 10,6 и 84 мас.% соотСО
XJ о ы
ветственно, помещают в платиновый тигель , нагревают со скоростью 20-30°С/ч до 1150°С, выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, затем охлаждают со скоростью 1-3°С/ч до 800°С, В результате опыта получают небольшие двумерные кристаллы , сдвойникованные в виде бабочек.
П р и м е р 2. 12 мас.% ВаТЮз, 8 мас.% В20з и 80 мае. % KF загружают в платиновый тигель и помещают в кристаллизатор. Тем- пературный режим аналогичен примеру 1. Получают объемные несдвойникованные кристаллы кубической формы.
Пример 3. В опыте используют шихту состава, мас.%: ВаТЮз 14; ВаОз 9; KF 77. Опыт провод т при указанных температурных параметрах (примеры 1 и 2). Получают кристаллы улучшенного качества, т.е. несдвойникованные объемные кристаллы кубической формы толщиной 2-2,5 мм.
Пример 4. Дл выращивани кристаллов используют шихту состава, мас.%: ВаТЮз 25; ВаОз 10 и KF 65. Режим кристаллизации аналогичен режиму, приведенному в примерах 1-3. Получают объемные не- сдвойникованные кристаллы кубической
формы,.т.е. кристаллы улучшенного качества толщиной до 2,5 мм.
Пример 5. Шихту, содержащую мас.%: ВаТЮз 27; ВаОз 13 и KF 60, кристаллизуют при тех же услови х (примеры 1-4). Получают двумерные сдвойникованные кристаллы незначительных размеров, непригодных дл технических применений.
Таким образом, предлагаемый способ позвол ет получать кристаллы улучшенного качества толщиной в несколько миллиметров , т.е. объемные несдвойникованные монокристаллы кубической формы.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ выращивани монокристаллов титаната бари из раствора-расплава, включающий нагрев исходной шихты, содержащей ВаТЮз и KF, выдержку и последующее охлаждение со скоростью 1-5°С/ч, отличающийс тем, что, с целью увеличени размеров кристаллов, в шихту дополнительно ввод т В20з в количестве, соответствующем следующему соотношению компонентов, мас.%: ВаТЮз 12-25; ВаОзВ- 10; KF остальное.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904824238A SU1737034A1 (ru) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | Способ выращивани монокристаллов титаната бари |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904824238A SU1737034A1 (ru) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | Способ выращивани монокристаллов титаната бари |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1737034A1 true SU1737034A1 (ru) | 1992-05-30 |
Family
ID=21513656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904824238A SU1737034A1 (ru) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | Способ выращивани монокристаллов титаната бари |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1737034A1 (ru) |
-
1990
- 1990-05-08 SU SU904824238A patent/SU1737034A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US № 3409412, кл. 23-300, 1968. Патент US № 3677718, кл 23-301R, 1972. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU1737034A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов титаната бари | |
JPS6311591A (ja) | 単結晶セラミクスの製造方法 | |
Bhalla et al. | Crystal growth of antimony sulphur iodide | |
Changkang et al. | The flux growth of scandium oxide crystals | |
JPH01122998A (ja) | CdZnTe混晶半導体の製造方法 | |
US4613495A (en) | Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride | |
EP0642603B1 (en) | Single cesium titanyl arsenate-type crystals and their preparation | |
KR960034486A (ko) | 비정상 입성장을 이용한 티탄산 바륨(BaTiO₃) 단결정 육성법 | |
DE2334811C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von CdCr tief 2 Se tief 4 Einkristallen | |
RU2189405C1 (ru) | Способ получения монокристаллов соединения liins2 | |
SU1059029A1 (ru) | Способ получени монокристаллов @ из раствора-расплава | |
JPH026399A (ja) | 有機化合物結晶の製造方法 | |
JP2004203721A (ja) | 単結晶成長装置および成長方法 | |
Oishi et al. | Growth of emerald crystals by the evaporation of Li2O–MoO3 flux | |
SU1733515A1 (ru) | Способ получени монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников | |
RU1431391C (ru) | Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия | |
RU2061108C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов изумруда | |
JPH0458438B2 (ru) | ||
JPH07108837B2 (ja) | ベータバリウムボレイト単結晶の育成方法 | |
RU2064023C1 (ru) | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa2Cu3O7-δ | |
SU498958A1 (ru) | Способ получени фторбората магни | |
RU609230C (ru) | Неорганический растворитель | |
KR970007336B1 (ko) | 압전소자용 및 레이저 발진자용 소재물질의 단결정 제조법 | |
RU2051210C1 (ru) | Высокотемпературный сверхпроводящий материал и способ его получения | |
JPS6046078B2 (ja) | 無機複合酸化物の固溶体組成物の単結晶育成法 |