JPS5957962A - 炭化ケイ素焼結セラミツク体の製造法 - Google Patents

炭化ケイ素焼結セラミツク体の製造法

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JPS5957962A
JPS5957962A JP58155165A JP15516583A JPS5957962A JP S5957962 A JPS5957962 A JP S5957962A JP 58155165 A JP58155165 A JP 58155165A JP 15516583 A JP15516583 A JP 15516583A JP S5957962 A JPS5957962 A JP S5957962A
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は炭化ケイ素焼結セラミック体の製造法に関する
炭化ケイ素は、高熱構造物用の材料として、きわめてす
ぐれた化学的および物理的性質を有している。これらの
性ηは、良好力耐敵化性および削腐食性、良好な熱伝導
率、低い膨張係数、高い耐熱衝撃性および高温における
高い強度を包含する。
高密1kを有し且つ、たとえば高温ガスタービン用のよ
うな、エンジニャリング材料として適する炭化ケイ累体
を製造することは、特に望ましいことである。炭化ケイ
素は、通常の材料よりも大きな温度差に耐えることがで
き、それ故、エネルギーのに換において大きな効率をみ
ちびくことができるため、このような用途において好適
な材料である。
高密度炭化ケイ素体を製造するための方法は、従来、反
応結合(反応焼結としても知られている)、化学的蒸着
お工び制温加圧を包含していた。反応焼結は、炭化ケイ
素の密度を高めるだめのケイ素呑浸物の使用を包含し、
多くの用途に対して有用であるが、炭化ケイ素体から滲
出する過剰のケイ素が有害である場合には望ましくない
。炭化ケイ素蒸着は、複雑な形状物の製造に対しては実
際的でなく、且つ高温加圧(熱および圧力の同時適用に
よる高密度炭化ケイ素体の製造)は、高温加圧操作の間
に必要な圧力が炭化ケイ素体を変形させ且つこの方法に
よっては比較的簡単な形状物を製造することができるに
すぎないために、多くの形状物に対して実用的ではない
それ故、本発明の目的は、高割合の炭化ケイ素、および
高い(理論の75%エリも高い)密度を有する非加圧焼
結セラミック体を製造する好適な方法を提供することに
ある。本発明の他の目的は、従来は、アルファ(非等軸
晶系)炭化ケイ素材料を含有する混合物の焼結を達成す
ることは困難であると認められていたため、上記のよう
なセラミツク体のための島度に好適な原材斜片りされて
いた、高価であり且つ取得することが困難な、微細な2
ベータ″(等軸晶系)炭化ケイ素の使用を必要・とじな
い、上記のような非加圧セラミック体を製造するための
方法を提供すること(こある。
本発明方法によれば牟lに、91〜99.35重量%の
炭化ケイ素、0.5〜5゜0重量%の炭化した有機材料
、0.15〜3.0重量%のホウ素、および0〜i、o
’44%に至るまでの付加的炭素から成り;且つ少くと
も”1.5097ecの密度を有する、非加圧焼結セラ
ミック体が提供される。本発明によれは、91〜99.
asTttt部の、5乃至50 m’ / 、9の表面
損金有する炭化ケイ素; 0.67〜20重駄部の、炭
化可能な、有機溶媒可溶の、25〜75虜量%の炭化収
率を有する有機材料; 0.15〜5重1部の、0.1
5〜3.0重量部のホウ素を含有する、ホウ素源;およ
び5〜15重量部の一時的結合剤から成る、非加圧焼結
セラミック体の製造のだめの原料パッチの各成分を混合
し:原料パッチに対して、炭化可能な、イイ機溶剤可溶
性の有機材料を溶解することができる有機溶媒を、原料
パッチの25〜100重報%添加し;炭化可能な、有機
溶媒可溶性の有機材料を原料パッチの炭化ケイ素のまわ
りに分散せしめ;この混合物を乾燥して該混合物から肩
機溶媒を蒸発せしめ;乾燥した混合物を成形して少くと
も1.60.V/l−Cの密度を有する成形体を得;成
形体内の一時的結合剤を熱硬化せしめ;且つ成形率体を
、少くとも?−40,?/ccの密度を与えるような時
間、温度お工び環境において焼成することによって竹う
ことができる。
炭化ケイ素の理論密度は3.21.9/QCである。
本発明方法により得られる非加圧焼結セラミック体の密
度例えば2.409/CCは、それ故、理論密度の約7
5%に相当する。従来は、ベータ型炭化ケイ素粉末を叫
用することなしには、理論密度に対するこのような鍋い
比率を達成することは、不可能であると考えられていた
。しかしながら、ぺ−タ型炭化ケイ素粉末は、より一般
的なアルファ品 (非等1係)、結晶形態、または無定形(非結晶性)形
態の炭化ケイ素よりも、取得することが困難であり且つ
高価である。本発明においては、従来の技術における各
種の非加圧焼結および高温加圧焼結とは異なって、炭化
ケイ素粉末出発相料の結晶形態の変化が実質的に免れ得
るということが認められている。実際に、本発明によれ
ば、炭化晶 ケイ素が実質的に非等輔案のアルファ型炭化ケイ素から
成っており且つ2.90 g/ cC(炭化ケイ素の理
論密度の90%に相当する)を超える密度を有する非加
圧焼結セラミック体を、容易に提供することができる。
しかしながら、炭化ケイ素が実質的にアルファ型非等軸
晶系炭化ケイ素から成っているということは、好適なこ
とではあるが、どうしても必要であるということではな
い。本発明によれば、実際に、炭化ケイ素が、主とじて
(50%よりも多く)アルファ型、非等軸晶系炭化ケイ
素である非加圧焼結セラミツ2体の提供が可能である。
実際に、少くとも5%のアルファ、非等軸晶系炭化ケイ
素を含量する、アルファ型およびベータ型結晶性旧材の
各種の混合物を、本発明において便用することが可能で
ある。いろいろな量の無定形非結晶性炭化ケイ素粉末を
使用することもできる。本発明方法による非加圧焼結で
は、実質的な量の相の転移を全く与えることがなく、そ
れ故、出発拐料中の炭化ケイ素の結晶形態が、最終的な
非加圧焼結セラミック体の結晶形態と本質的に同じ割合
にある。。
前記のように、本発明方法により製造した非加圧焼結セ
ラミック体は、例えば2.40.?/cc(理論の75
%)の密度を有する。このようなセラミック体は、いく
つかの用途に対してはそのような密度のものとして使用
することができるし7、あるいは、それらは240S/
ec″!f、たはその近くの比らに焼成して、密度を商
めた焼結セラミック体を生せしめることもできる。ター
ビン翼および多くのその他の高温用途として用いるため
には、密度は少くとも3.0 ’5 E / cc (
理論の95%)であることが好ましい。本発明によれば
、このような密度を容易に取q4+することができる、
本発明方法による焼結セラミック体の好適組成は、実質
的に91〜99.35重量%の炭化ケイ素、0.5〜5
.0重量%の炭化した有機材料、0,15〜3.0重量
%のホウ素、および0〜1. o ′s量%の付加的炭
素から成っている。この明細書において百分率はすべて
、特に他のことわりがない限りは、重相による。この広
い組成の範囲において、焼結セラミック体は、0.5〜
40%の炭化した有機旧材、0.18〜0.36%のホ
ウ素、0.05〜0.10%の付加的炭素を含有し、組
成物の残部が炭化ケイ素から成っていることが好ましい
。特に、焼結セラミック体は、約2%の炭化した有機材
料、0.36%のホウ素、およびo、 i%の付加的炭
素を含有することが好適である。これは、現在期待する
ことができる最適の方式に従かう本発明方法の実施によ
り結果する組成物である。規定した各成分の広い範囲内
において取得される密1wは、各成分に対しては比較的
僅かな関係を持っているにすぎず、むしろ焼成条件、特
に焼成の温度および時間の関数であるものと思われる。
焼結セラミック体は、0,1〜3.0%のホウ素を含有
していなければならない。ホウ素の含量をこのように規
定する際に、存在せしめるホウ素の形態       
 −、(すなわち、単体のホウ素であるかまたはたとえ
ば炭化ホウ素のようなホウ素化合物中の結合ホウ素のど
ちらでもよい)を限定する必要はない。実際に、大部分
の場合に、ホウ素は、仕上った焼結セラミック体中で炭
化ホウ素材料として存在している。0〜1、a知1%の
量で存在せしめるものとして広く規定した”付加的炭素
”は、かくして、最終セラミック体中の任意的な成分で
ある3、何故ならば、このような付加的炭素(すなわち
、炭化ケイ素または炭化した有機材料として存在する炭
素以外の炭素)の4′y1は、焼結セラミック体の製造
に用いる本発明の原料パッチ混合物中に存在していたホ
ウ素に伴なわれる炭素に依存するからである。
炭化した有機材料として存在する炭素の量は、本発明の
原料ノZツチに対して加えた、このような有機材料の量
、および七の有機材料の炭化収率(炭素含量)に依有す
る。
本発明による焼結セラミック体の製造のだめの原料パッ
チは、5〜s o m”、 / iの表面積を有する、
91〜99.35重量部の炭化ケイ素を含有する。
このような炭化ケイ累粉末は通常は粒子の大きさが20
ミクロンよりも小さく、さらに特定的には10ミクロン
よりも小さいが、特にミクロン以下の大きさの粒子が一
般に好適である。しかしながら、1ミクロン、J:りも
遥かに小さい粒子の大きさを有する炭化ケイ素粉末に対
して正確な粒度分布を得ることは困鍾であり、且つ炭化
ケイ素粒子の表面積のはうが適当な材料の決足において
、より信頼性のある要件である。それ故、本発明方法に
使用するだめの好適な炭化ケイ素粒子は、5〜50rn
“7gの*C;囲の表面積を有する。この範囲内で、7
〜1sm’、/gの表面積は餐易に取得することができ
且つ高密度の非加圧焼結セラミック体の製造のためにき
わめて有用であることが認められている。
炭化ケイ累出発材料は、いろいろな源泉から取得するこ
とができる。気相で反応せしめた材料は細かいチノ度で
生じ、希望するならば使用することができる。比較的大
きな材料は、十分な雅の細かい粒子を取得する寸でボー
ルミルにかけることができ、且つボールミルにかけた生
成物から、たとえば水中における沈降のような常用の手
段によって、適当な大きさの炭化ケイ素を選択すること
ができる。
原料パッチ中の炭化ケイ素出発材料の結晶形態は、本質
的に限定的ではない。アルファ型、非等軸筋系炭化ケイ
素は、ベータ型炭化ケイ素よりも入手が容易であり、そ
れ故、好適出発旧材は、実質的にアルファ型、非等軸筋
糸結晶性炭化ケイ素から成る炭化ケイ素を含有する。し
かしながら、アルファ型およびベータ型炭化ケイ素の混
合物を与える方法によって製造した炭化ケイ素を使用す
ることもまた、いうまでもなく可能であり、次にもっと
も好ましい出発材料は、主としてアルファ型、非等軸筋
系の結晶形態を有する炭化ケイ素から成る炭化ケイ素で
ある。炭化ケイ素として少なくとも5%のアルファ型、
非等軸晶系の結晶形態の炭化ケイ素を含有するものを原
料ノ々ツチに使用することも可能である。上記アルファ
型炭化ケイ素と共に、無定形の炭化ケイ素を使用するこ
ともできる。高純度のベータ型炭化ケイ素出発材料を用
いることすら可能であるが、このような材料は、高純度
のベータ型炭化ケイ素粉末を取得するためには大きな費
用を要するために、好適ではない。
何れにしても、炭化ケイ素材料は、M(たとえばフッ化
水素酸J3よび/または硝酸、特にフッ化水素酸と硝酸
の混合物)を用いる処理によって、焼結操作を妨害する
おそれのある不純物を除去しであることが好ましい。
本発明におりる原料バッチの比較的重要な特色の一つは
、炭化可能な、有機溶媒可溶性の有機材料にある。原料
バッチから生ぜしめた成形体の焼成にd5ける炭化した
有機材料の実質的な有効性を与えるために、この材料を
原料バッチの結晶性炭化ケイ素粒子の周りに容易に分散
させることができるためには、この材料は有機物であり
月つ右)幾溶媒に可溶であることが望ましいということ
が認められている。焼結セラミック体は、0.5〜5゜
0重間%の炭化有機材料を含有していることが望ましい
ということが認められている。その結果として、炭化可
能な、有機溶媒可溶性の有機材料が、25〜75重量%
の好ましい炭化収率を有していると1−れば、原料バッ
チ中には、0,67〜20重吊部の炭化可能な、有機溶
媒可溶性の有機材料が存在しなければならない。25〜
75重量%の範囲内の炭化収率において、有機材r1は
33〜50重量%、さらに40〜45重量%の炭化収率
を有することが好ましい。炭化収率が33〜50重量%
であるとぎ、炭化可能な有機溶媒可溶性の有機材料の楢
は、最終焼結上ラミック体中に0゜5%〜4.0重量%
の炭化した有機材料・の好適量を与えるために、1〜1
2重量%の範囲でな【ノればならない。焼結セラミック
体中にiJ3ける炭化した有機材料の最も好適な闇は2
重量%であると考えられ、従って、最適の原料バッチは
、40〜45重量%の炭化収率を有する有機溶媒可溶性
の有機材料を5車量%含有しているべきである。特に好
適な炭化可能な有機溶媒可溶性の有機材料はフェノ、−
ル樹脂およびコールタールピッチであり、それらは、そ
れぞれ約40〜約42%および60%程度の炭化収率を
有している。フェノール樹脂およびコールタールピッチ
の間でも、フェノール樹脂のほうが確実により好適であ
り、特にB一段階のレゾール型フェノール樹脂が、本発
明において特に有用であることが認められている。
ホウ素は、単体ホウ素または炭化ホウ素のどちらかとし
て、本発明における原料バッチに加えることができる。
炭化ホウ素は本質的に非化学量論的材料であり、8:1
〜2:1のホウ素:炭素のモル比を有する各種の炭化ホ
ウ素が報告されている。一般に、ホウ素源として炭化ホ
ウ素、特に3゜5:1〜/1.1:1のボウ素:炭素の
モル比を有するいわゆる゛′固体状態反応炭化ホウ素°
′である炭化ホウ素を用いることが好適である。このよ
うな炭化ホウ素は、スマドスキー(P、A、Smu−d
Sk+)の米国特許第3379647号明細書に記載の
方法に従って製造することができる。上記のスマドスキ
ーの特許の方法によれば、上記のようなモル比を有する
炭化ホウ素を与えることができ、そしてこの比較的高い
ホウ素の炭素に対する比率にa5いては、炭化ホウ素は
取巻いている化学種から炭素を取り上げるかまたはそれ
にホウ素を与える。それは俊速する焼成段階における所
望の緻密化を促進するのでこの場合に望ましいことであ
る故に、このようなモル比が好適である。ホウ素/炭素
のモル比が4..1:1〜3.5:1の材料よりも、ホ
ウ素/炭素のモル比がさらに大きな炭化ホウ素材料は、
化学的に活性であるが、このような材料は、比較的入手
が難しく且つ比較的高1+tliであり、それ故好適で
はない。
本発明における原料バッチに加えるべきホウ素源の闇は
、イのホウ素源のホウ素含量おJ:び最終焼結ヒラミッ
ク体中に存在せしめるべきホウ素の闇に依存づ゛る。焼
結セラミック体は0.15”−3゜0%のホウ素を含有
すべきである。特に、後)ホ″!Jる非加圧焼結法に従
って製造した、もつとも効果的に緻密化しセラミック体
においては、0.18〜0.36%のホウ素が存在して
いる。0.3%が焼結ヒラミック体中の最適ホウ素含量
である。
かくしてホウ素源の吊は、ホウ素源に従って選ばなけれ
ばならない。°すなわち、ホウ素源が単体ホウ素の場合
は、0.18〜0.36重量%のホウ素を含有する焼結
レラミツク体を与えるためには、ホウ素源は本発明にお
ける原料バッチ中で0.18〜0.36重市部存在リベ
きである。3.5:1〜4.1:1のホウ素対炭素のモ
ル比を有する好適な固体状態反応炭化ホウ素を用いる場
合には、炭化ホウ素は、最終焼結セラミック体中に上記
のようなホウ糸量を与えるために、0.23〜O1/1
6重量部の量で存在しなければならない。
何れにしても、ホウ素源は結晶性または非結晶性とする
ことができ、且つ30ミクロンよりも小さな粒度の粉末
状であることが好ましい。この限度内において、ホウ素
源は、0.1〜10ミクロンの範囲の大きさのものであ
ることが好ましい。
本発明の原料バッチに用いられる一時的結合剤は、例え
ばポリビニルアルコール1重量部当りに一時的結合剤ビ
ヒクルとして約5〜約15重量部の水を伴なっているポ
リビニルアルコールであることが好ましい。特に、10
重量部のポリビニルアルコールに加えて一時的結合剤ビ
ヒクルとしての約90@量部の水を使用することが好ま
しく葛。
しかしながら、ポリビニルアルコール以外に、たとえば
コールタールピッチ、長鎖脂肪族性材料(たとえば゛カ
ーボワックス′°ワックス)、ステアリン酸アルミニウ
ムおよびステアリン酸亜鉛σ〕ようなステアリン酸金属
塩、糖類、殿粉、アルギン酸塩、ならびにポリメチルフ
ェニレンのような、他の一時的結合剤を使用することも
できる。いうまでもなく、これらの材料の多くは、R終
焼結セラミック体中に適度な量の炭化した右機材11を
与えるために十分な量で加えられる炭化可能な右(幾溶
媒可溶性の有機材料として機能することも可能である。
かくして、単一の材料が、本発明の方法において、二つ
の機能を果すことができる。
原料バッチから焼結セラミック体をIP!l造するため
の方法は、原料バッチの各成分、すなわち91〜99.
35申吊部の炭化ケイ素:0.67〜20重亀部の炭化
可能な有機材料;0.15〜5重量部のホウ素源;およ
び5〜15重量部の一時的結合剤、を混合することによ
って開始することが好ましい。一時的結合剤が、一時的
結合剤ビヒクルとしての量の水を含有するポリビニルア
ルコールである場合は、この最初の混合段階は、有機材
料を溶解覆る有機溶媒を加える以前に、粉末状の材料(
炭化ケイ素、有機材料およびjj\つ素源)を、一時的
結合剤および一時的結合剤ビヒクルと共に攪拌づること
を含んでいる。何れにしても、有機溶媒を加えたのらに
、原料バッチ+13よび有機溶媒を、炭化可能な有機溶
媒可溶性の有u1材利が原料バッチの炭化ケイ素のまわ
りに分散するように、例えば少くとも約5分、好ましく
は約15分、攪拌しなければならない。有機材料が炭化
ケイ素の周りに分散するように原料バッチと有機溶媒を
攪拌したのちに、この攪拌した混合物を、たとえば攪拌
した混合物の近くに一定量の乾燥気体を通ずるというよ
うな適当な方法によって、または混合物の噴霧乾燥によ
って乾燥する。この乾燥段階の後に、乾燥した混合物を
、好ましくは少くとも160g/c、c、の密度を有す
る成形体に成形する。
この成形は、いろいろな公知の方法の中の何れかによっ
て、たとえば押出し、射出成形、トランスファ成形、注
型、冷加圧、均衡加圧(lsostaticpress
ing)または圧縮によって行なうことができる。圧縮
を用いる場合には、好適圧力は約4000〜約1000
00+)si  (約280〜7000 k。
/cm’ )であり、約16000〜約20000+1
Si (約1120〜1400kg/cm2>が特に好
適である。一時的結合剤がポリビニルアルコールである
場合には、一時的結合剤の熱硬化という次の段階は、成
形体を約90°〜約100℃の温度において約1〜約2
時間加熱することによって行なうことが好ましい。次い
で成形体を焼成することによって、焼結上ラミック体を
与えるために必要な密度の増大を達成する。焼成は、約
1900〜約2500℃の温度において、約20〜約6
0分を要り−る。一般にそれよりも低い温度を用いるこ
とは可能であるが、これよりも高い温度は炭化ケイ素材
料のが華を生じさけるおそれがある。焼成段階は、成形
体を、管状炉の高温区域中に望ましい温度において望ま
しい滞留時間を有するように通ずることによって、通常
の管状炉中で行なうことができる。このような管状炉の
詳細は、従来の技術におい−C公知であり、たとえばス
マドスキーの米国特許第3(389220号明細書に記
載されている。焼成段階は、簡単のためにここでは単に
゛焼結″と呼ぶことにする゛非加圧焼結パを達成する。
パ焼結パまたは゛′非加圧焼結°′とは、焼成すなわら
焼結けしめる対象物に対して、反応を促進するための(
幾械的な圧力を何ら加えないことを意味する。その代り
に焼結せしめる対象物を、約1気圧の圧力に至るまでの
不活性ガス、還元性ガス、真空または窒素中で、通常は
たとえば黒鉛ルツボのような不活性容器中に取囲む。還
元性のガスは水系、二酸化炭素および一酸化炭素を包含
し;不活性ガスはアルゴン、ヘリウムおよびネオンを包
含ツる。かくして、その中で焼結操作を行なうことがで
きるガスは、アルゴン、二酸化用累、−酸化炭素、ヘリ
ウム、水素、ネオンおJ:び窒素を包含する。窒素は、
比較的僅かな程度に炭化ケイ素原材料との反応にあずか
るけれども、それは、焼結セラミック体の組成に対して
認めることができるほどの変化を与えないために十分な
程度に僅かなものである。しかしながら窒素の使用は、
必要な焼結湿度を約200℃はど上昇させるために、窒
素が雰囲気である場合には、好適焼結温度は約2260
乃至約2300℃となる。その他のガス、特にたとえば
アルゴン、ヘリウムまたはネオンのような不活性カスに
おいては、(IJ′適焼結温度は約2060乃至約21
00℃である。
焼成は、真空下に、すなわち、何らの雰囲気なしで行な
うこともできる。゛真空″とは、実際上の真空、すなわ
ち、1.0mmHaまたはそれ以下を意味する。
次いで本発明をいくつかの実施例によって例証する。
実施例 1 この実施例の原料バッチに対して混合する原材料は、ミ
クロン以下(サブミクロン)のアルファ型底化ケイ素、
固体状態で反応させた炭化ホウ素(B :C=4.08
 : 1 ) 、バーカムケミカルカンパニーにより樹
脂8121として市販されているB一段階のレソール型
ノエノール樹脂および水中のポリビニルアルコールであ
った。炭化ケイ素は約71112/(Iど15 m2/
gト(7)fJ(7)8面biヲ有しており、9.76
4(]を使用した。0.036gのホウ素を含有する、
10ミクロンよりも小さい粒子の人きさを有づる粉末状
の炭化ホウ素を使用した。炭化ケイ素および炭化ホウ素
ならびに0.5883gのフコ−ノール樹脂を、4オン
スの容器中に入れた。1Qの10%ポリビニルアルコー
ル水溶液を加えたのち、各成分を15分間混合した。有
機フェノール樹脂に対する溶媒とじて20m!のアセト
ンを加えたのち、混合物を再びさらに15分間攪拌した
。混合物からアtel〜ンおよび水を蒸発させるために
容器中に窒素を静かに通じて、触れても乾いている粉末
を残し1::030分間続く蒸発の間に、この混合物を
、ときどき攪拌した。混合物がパテ状の粘稠度に達した
とき、混合物が細かい粒子に砕は始めるまで、それを連
続的に攪拌した。痕跡のアセ1〜ンの臭いが残るのみで
材料が指触に対し乾いた状態になったとき、混合物は熱
硬化および焼成のだめの成形体として成形するための用
意ができているものと判定した。
この粉末の一部を16000psi  (約11201
UJ/Cln2)の圧力で圧縮した。加圧俊に、一時的
結合剤を100℃で1〜2時間熱硬化さけ−た。この熱
硬化後に、密度は1 、78a /c、c、であること
が認められた。この熱硬化片を黒鉛固定兵士に置き、次
いで閉じた黒鉛ルツボ中に入れた。このルツボを208
.0℃に保った高温区域を右する管状炉中に1分間当り
約2.75″ (約70mm)の速度で送り込み、それ
によって高温区域への54インヂ(約137cm)の移
動に約20分間をかけた。
この間、約1気/Eの圧力(ゲージ圧力げ口)でアルゴ
ンを管状炉中に流した。硬化した成形体を2080℃の
高温区域中に45分間保ち、次いで熱衝撃を避けるため
に冷ill室中に約20分間保持した。焼結体が冷JJ
l 1.たのらに、密度を再び検査して、この焼結体が
3.21  c+/c、c、の理論密度の約86’17
)2.75 (]/c、c、(7)tFllJjヲ右し
テイルことが認めらねた。
実施例 2へ−16 各種の炭化ケイ素試1′81を用いて実施例1を繰返し
た。実施例1〜1Gに対する結果を第1表に示す。
実施例 17〜20.比較実験 1および2雰囲気(ま
たは雰囲気なし)および燃成温度を変えて、再び実施例
1を繰返した。それらの結果を第2表に示り−0 実施例 21〜35、比較実験 3 iJ3よび4何れ
の場合も一つの要因を変化さけて、実施例1を繰返した
。その結果を第3表に承り。
\ 策−−1−j 表 面 積   ゛グリーン′°密度   焼結佇大鳳
烈   (m210 )     (g、、/c、c、
)1     13.2−14      1,78 
       2゜2     13.2−14   
   1,72        2.+3     1
3.2−14      1,71        2
.+4     13.5        1,71 
       2゜5     13.5      
  1.72        2.’6     13
.5        1.71        2.’
7     13.2        1.70   
     3.(813,21,703,( 913,51,692,+ 10     9.5        1.84   
     3.(119,51,813,( 129,51,873,( 139,51,802,’ 14     13.5        1.82  
      2.覧15     7        
 1.83        2.FlG      9
.5        1,80        3.(
す度    理論密度に対するおおよその586 689 288 285 ?185 乙385 )79G )595 )282 )996 )595 )896 )893 )090 981 )093 温度  表面積 大鬼炎   笈皿気  f≧  (i+” 7g )1
7   窒素 2280   13.218   窒素
 2280   9.519   真空 2080  
 9.520   真空 1900   9.5比較例
1   窒 素   2080      9.5比較
例2   窒 素   2080      9.5策
−2−一人 °゛グリーン″密度   焼結密度    焼結密度の
理論密度に対する( Q、/c、c、 >      
(a/c、c、 )    おおよそのパーセント1.
67        3.08           
961.79        2.50       
    781.79        2.76   
        861.80        2.4
0           751.85       
 1.84           571.78   
     1.84           57第一−
一 実施例    表面積         変  化  
事  項m2/(] 21      9.5    3源はアーク炉で加熱
した1000グリツドのF22       ’1.5
    3源は無定形単体ホウ素。
23      9.5    3源を0.18%のホ
ウ素を与えるように減少し24      9.5  
  3源を0.72%のホウ素を与えるように増加し2
5      9.5     Bfl!iを3%の旅
素を与えるように増加した。
26     7     C源を3%の炭素を与える
ように増加した。
27      9.5     C源を4%の炭素を
与えるように増加した。
28      9.5     Cmはコールタール
ピッチである。
29      9.5     焼成時間を30分と
する。
30      9.5     焼成時間を20分と
する。
31      9、5窄   SiCは5%ベータ、
95%アルファ32      9.5ゆ   SiC
は25%ベータ、75%アルファ33       9
.5*    3iCは50%ベータ、50%アルファ
34      9.5幸   SiCは75%ベータ
、25%アルファ35      9、’5”    
SiCは95%ベータ、 5%アルファ比較例3   
9.5    ホウ素源は存在しない比較例4   9
.5    炭素源は存在しない※ アルファ材料に対
する値:ベータは約6 m” /gバグリーン″   
       理論密度に対する密  度    焼結
密度   焼結密度のおおよ□9.・”c、c、   
  g、/c、c、    そのパーセント34C01
,833,0696 1,842,9492 うた。      1,87      2.99  
     93うた。      1,89     
 2.84       881.77      3
.05       951.7(32,4877 1,952,9793 1,782,4476 1,902゜8G89 1.91      2.81       881.
86      3.07        ’1lf3
1.86      3.07       961.
8G       3.05       951.8
7      3.03       94187  
    2.94       92i、ae    
   2.11        eel、72    
  2.11       66本発明の炭化ケイM焼
結セラミック体を製造するための原料バッチの態様を示
せば次の通りである。
1、(a)小量で91乃至99.35部の、1乃至10
01112/(]の表面積を有する炭化ケイ素;(b 
) mm テ0.67乃’至20部の、Lfftr25
乃至75%の炭化率を右する、炭化可能な有機溶剤可溶
性のイテ機材料; (C)重用で約0.15乃至約5部の、M量で約0.1
5乃至約3.0部のホウ素を含有する、小つ水源;およ
び (d)重量で約5乃至約15部の一時的結合剤、hl 
Iら成ることを特徴とする、焼結はラミック体の製造の
ための原料バッチ。
2、炭化ケイ素は木質的にアルファ、非等軸品系結晶性
炭化ケイ素から成るところの上記1の原料バッチ。
3、炭化ケイ素は主としてアルファ、非等軸筋系結晶性
炭化ケイ素から成るところの上記1の原料バッチ。
4、炭化ケイ素は少なくとも5%のアルファ、非等軸筋
系炭化ケイ素を含有丈るところの1記1の原料バッチ。
5、炭化ケイ素は無定形炭化ケイ素であるどころの上記
1の原料バッチ。
6、炭化ケイ素の表面積は約5乃至約501/Qの範囲
であるどころの上記1の原料バッチ。
7、炭化ケイ素の表面積は約7乃至約15 m2 /す
の範囲であるところの上記1の原料バッチ。
8、炭化可能な、有機溶剤可溶性の有機材料は重用で約
33乃至50%の炭化率を右するところの上記1の原料
バッチ。
9、炭化可能な、有機溶剤可溶性の有機材料は重量で約
40乃至45%の炭化率を有するところの上記1の原料
バッチ。
10、炭化可能な、有機溶剤可溶性の右t!i材料はフ
ェノール樹脂およびコールタールピッチから成る群より
選択Jるところの上記1の原料バッチ。
11゜炭化可能な、有機溶剤可溶性の有機材料はB一段
階レゾールフェノール樹脂であるどころの上記10の原
料バッチ。
12、炭化可能な、有機溶剤可溶性の有機材料は重用で
約1乃至約12%の範囲の聞で存在するところの上記8
の原料バッチ。
134炭化可能な、右(幾溶剤可溶性の有機材料は重量
で約5%の闇で存在するところの上記9の原料バッチ。
14、ホウ素源は隼体ホウ素であるところの上記1の原
料バッチ。
15、単体ホウ素ホウ素源はM量で約0.18乃至約0
.36部の量で存在するところの上記1の原料バッチ。
16、ホウ素源は8:1乃至2:1のホウ素の炭素に対
するモル比を有する炭化ホウ素であるところの上記1の
原料バッチ。
17、ホウ素源は約3.5:1乃至約4.1:1のホウ
素の炭素に対Jるモル比を有する固体状態反応炭化ホウ
素であるどころの上記1の原料バッチ。
18、炭化ホウ素は重量で約0.23乃至約0.46部
の吊で存在するところの上記17の原料バッチ。
19、ホウ素源は粉末状であり且つ30ミクロンJ。
りも小さい大きさのものであるところの上記1の原料バ
ッチ。
20、ホウ素源は粉末状であり且つ約0.1乃至約10
ミクロンの範囲の大きさのものであるところの上記1の
原料バッチ。
21、一時的結合剤はポリビニルアルコール、コールタ
ールピッチ、長鎖N肪族材r1、ステアリン酸金属塩、
糖類、殿粉類、アルギン酸塩、およびポリメチルフェニ
レンから成る群より選択するところの上記1の原料バッ
チ。
22、  Di的粘結合剤、一時的結合剤ビヒクルどし
て、ポリビニルアルコール1部当りに重量で約5乃至約
15部の水を伴なっているポリビニルアルコールである
ところの上記1の原判バッ″f−023、ポリビニルア
ルコールは重早で約10部の量で存在し、且つ一時的結
合剤ビヒクルとして重量で約90部の水を伴なっている
ところの上記22の原料バッチ。
【図面の簡単な説明】
図は、4種の原材料の混合による原車:1バッチの生成
;原料バッチ中の炭・素源を炭化ケイ素のまわりに分散
さけるための溶剤の添加およびそれに続く加工段階;な
らびに原料バッチから非加圧焼結セラミック体を与える
ためのその後の加工段階を示す流動図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、  (a)(+)  少くとも50重量%のアルフ
    ァ型、非等軸晶糸の炭化ケイ素を含有し且つ5〜50 
    m’ / Mの表面積をもつ結晶性炭化ケイ素91〜9
    9.35重量部、 (ii)2s〜75重量%の炭化収率をもつ、炭化可能
    な、有機溶媒に可溶性の有機材料0.67〜20車量部
    、 (iii)  o、 15〜3.0重量部のホウ素を含
    有するホウ素源0.15〜5重量部、および(1v)一
    時的結合剤1〜15重量部、を含有する原料パッチを一
    緒に混合し、(b)上記原料バッチに対して、原料バッ
    チの25〜100重量%の、上記炭化可能な有機溶媒に
    可溶性の有機材料を溶解することができる有機溶媒を加
    え; (C)  原料パッチの炭化ケイ素のまわりに上記炭化
    可能な有機溶媒に可溶性の有機材料を分散せしめ: (力 この混合物を乾燥して該混合物から有機溶媒を蒸
    発させ; (e)  乾燥した混合物を成形して少くとも1、60
     Fl / ccの密度を有する成形体を与え;(イ)
    成形体内の一時的結合剤を硬化せしめ;そして (g)成形体を、3.05 fj / ccよりも小さ
    く且つ少くとも2.9p/eeの密度を与えるような時
    間、i&A度および環境において焼成する、ことを7F
    !f縁とする (イ)少くとも50重−1t%のアルファ型、非等  
    ゛軸晶糸の炭化ケイ素を含有する結晶性炭化ケイ素91
    〜99.35重量%、およびその他に、 (ロ)少くともO,S 重量%の炭素および(ハ) 0
    .15〜3.0重量%のホウ素を含有し、且つ に) 3.05 g/ ccよりも小さく且つ少くとも
    2.9#/ecの密度を有する 非加圧焼結セラミック体を製造する方法。 2 上記(ロ)の炭素の少くとも一部が非結合炭素であ
    り且つ非結合炭素の量が焼結セラミツ2体に対し0.5
    〜51量%である特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3 上記(ロ)の炭素の少くとも一部が結合炭素であり
    且つ結合炭素の量が焼結セラミック体に対し最大1重量
    %である特許請求の範囲第1項に記載の方法。 4、上記(C)の分散を少くとも5分間攪拌するととに
    よって行なう特許請求の範囲m1項に記載の方法。 5、攪拌を15分間継続する特許請求の範囲第4項に記
    載の方法。 6、成形が押出しによる特許請求の範囲第1項に記載の
    方法。 7、成形が4.000〜100,000p8j(280
    〜7.000ゆ/i)の圧力での圧縮による特許請求の
    範囲第1項に記載の方法。 8、成形が16,000〜20.000 p s i(
    1,120〜1,400kg/cr/l)の圧力での圧
    縮による特許請求の範囲第7項に記載の方法。 9、成形が射出成形による特許請求の範囲第1項に記載
    の方法。 10、  成形がトランスファ成形による特許請求の範
    囲第1項に記載の方法。 11、  成形が注型による特許請求の範囲第1項に記
    載の方法。 12 成形は冷間加圧による特許請求の範囲第1項に記
    載の方法。 13、成形は均衡(アイソスタチック)加圧による特許
    請求の範囲第1項に記載の方法。 14、 −[Ef的結合剤がポリビニルアルコールであ
    り且つ硬化が成形体を90°〜100℃の温度において
    1〜2時間加熱することによって達成される特許請求の
    範囲第1項に記載の方法。 15、成形体が20乃至60分間;1900〜2500
    ℃の温atにおいて;且つ真空中で燃べされる特許請求
    の範囲it 1項に記載の方法。 16、成形体が、“20〜60分間;1900〜250
    0℃の温度において;且つアルゴン、二酸化炭素、−1
    ”2化炭素、ヘリウム、水素、ネオン、窒素およびそれ
    らの混合物より成る群から選択されるガスの1気圧に至
    るまでの圧力下に、焼成される特許請求の範囲第1項に
    記載の方法。 17、  ガスが1気圧のアルゴン、ヘリウムおよびネ
    オンより成る群から選択されるガスの1気圧の雰囲気で
    あり;且つ温厩が2060乃至210110Cである特
    許請求の範囲第16項に記載の方法。 18、  ガスが1気圧の窒素であり、且つ温就が22
    60〜2300℃である特許請求の範囲第16頂に記載
    の方法。 19、炭化ケイ素がアルファ型、非等軸晶系の結晶性炭
    化ケイ素から実質的になる特許請求の範囲第1項に記載
    の方法。
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ZA (1) ZA763274B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414175A (en) * 1987-07-08 1989-01-18 Toshiba Corp Production of silicon carbide ceramic

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1478898A (en) * 1973-10-24 1977-07-06 Gen Electric Silicon carbide ceramic
US4312954A (en) * 1975-06-05 1982-01-26 Kennecott Corporation Sintered silicon carbide ceramic body
JPS526716A (en) * 1975-06-30 1977-01-19 Gen Electric Silicon carbide sintered articles
US4455385A (en) * 1975-06-30 1984-06-19 General Electric Company Silicon carbide sintered body
US4123286A (en) * 1976-12-27 1978-10-31 The Carborundum Company Silicon carbide powder compositions
US4135938A (en) * 1977-03-31 1979-01-23 The Carborundum Company High density thermal shock resistant sintered silicon carbide
DE2744636A1 (de) * 1977-10-04 1979-05-17 Wolfgang Dipl Ing Boecker Verfahren und vorrichtung zur herstellung von hochreinem siliciumcarbidpulver und seine verwendung
JPS5464512A (en) * 1977-11-02 1979-05-24 Shirikonitsuto Kounetsu Kougiy Method of making oxidationnpreventive silicon carbide heating body
DE2751998A1 (de) * 1977-11-22 1979-05-23 Kempten Elektroschmelz Gmbh Verfahren zur herstellung von polykristallinen dichten formkoerpern aus borcarbid durch drucklose sinterung
US4144207A (en) * 1977-12-27 1979-03-13 The Carborundum Company Composition and process for injection molding ceramic materials
CA1136388A (en) * 1978-01-09 1982-11-30 Kennecott Corporation Method of producing sintered ceramic articles using liquid boron-containing sintering aid
CA1125316A (en) * 1978-01-09 1982-06-08 Martin R. Kasprzyk Sinterable powders and methods of producing sintered ceramic products using such powders
US4238434A (en) * 1978-02-16 1980-12-09 Ibigawa Electric Industry Co., Ltd. Method of producing a silicon carbide sintered body
DE2809278A1 (de) * 1978-03-03 1979-09-06 Kempten Elektroschmelz Gmbh Dichte polykristalline formkoerper aus alpha-siliciumcarbid und verfahren zu ihrer herstellung durch drucklose sinterung
CA1332065C (en) * 1978-05-01 1994-09-20 John Allen Cappola Sintered alpha silicon carbide body having equiaxed microstructure
US4346049A (en) * 1978-05-01 1982-08-24 Kennecott Corporation Sintered alpha silicon carbide ceramic body having equiaxed microstructure
CA1139791A (en) * 1978-06-15 1983-01-18 Yorihiro Murata Sintered silicon carbide-aluminum nitride articles and method of making such articles
US4207226A (en) * 1978-08-03 1980-06-10 The Carborundum Company Ceramic composition suited to be injection molded and sintered
DE2837900C3 (de) * 1978-08-30 1981-07-30 Norton Co., Worcester, Mass. Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbidformkörpern
US4233256A (en) * 1978-12-18 1980-11-11 The Carborundum Company Process for injection molding sinterable carbide ceramic materials
DE2953430C2 (de) * 1978-12-21 1985-07-04 Evgenij Aleksandrovič Antonov Verfahren zur Herstellung von hohlen Erzeugnissen durch Tiefziehen und Presse zur Durchführung dieses Verfahrens
JPS55116667A (en) * 1979-02-28 1980-09-08 Asahi Glass Co Ltd Silicon carbide sintered body
US4372902A (en) * 1979-02-28 1983-02-08 United Kingdom Atomic Energy Authority Preparation of dense ceramics
DE3023425C2 (en) * 1979-06-25 1989-02-02 United Kingdom Atomic Energy Authority, London, Gb High density sintered silicon carbide - mix of silicon carbide carbon and boron sintered in carbon contg. atmos.
US4297250A (en) * 1980-01-07 1981-10-27 Westinghouse Electric Corp. Method of producing homogeneous ZnO non-linear powder compositions
US4327186A (en) * 1980-06-23 1982-04-27 Kennecott Corporation Sintered silicon carbide-titanium diboride mixtures and articles thereof
DE3044162A1 (de) * 1980-11-24 1982-06-03 Annawerk Keramische Betriebe GmbH, 8633 Rödental Polykristalliner formkoerper aus siliziumkarbid und verfahren zu seiner herstellung
JPS57140526A (en) * 1981-01-12 1982-08-31 Kennecott Corp Components for internal combustion engine
US4598675A (en) * 1981-01-12 1986-07-08 Kennecott Corporation Components for internal combustion engines
FR2505816B1 (fr) 1981-05-18 1985-05-31 Ceraver Procede de fabrication d'une piece ceramique en carbure de silicium fritte
DE3200200A1 (de) * 1982-01-07 1983-07-14 Kennecott Corp., 06904 Stamford, Conn. Verfahren zur herstellung eines gesinterten hartstoff-verbundgegenstands
DE3218052A1 (de) * 1982-05-13 1983-11-17 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Polykristalline, praktisch porenfreie sinterkoerper aus (alpha)-siliciumcarbid, borcarbid und freiem kohlenstoff und verfahren zu ihrer herstellung
JPS5940121A (ja) * 1982-08-31 1984-03-05 Anritsu Corp 秤量装置
JPS59102872A (ja) * 1982-12-06 1984-06-14 日本特殊陶業株式会社 炭化珪素.黒鉛複合焼結体の製造方法
US4518702A (en) * 1983-01-19 1985-05-21 Director-General Of The Agency Of Industrial Science And Technology Silicon carbide-boron carbide carbonaceous body
JPS59184769A (ja) * 1983-04-04 1984-10-20 日立化成工業株式会社 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法
US4579704A (en) * 1983-04-14 1986-04-01 National Institute For Research In Inorganic Materials Process for sintering cubic system silicon carbide powder
JPS6027643A (ja) * 1983-07-27 1985-02-12 株式会社日立製作所 高温構造部材
US4525461A (en) * 1983-12-14 1985-06-25 Kennecott Corporation Sintered silicon carbide/graphite/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure
JPS60200861A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 住友化学工業株式会社 高強度炭化珪素焼結体の製造方法
US4551436A (en) * 1984-04-11 1985-11-05 General Electric Company Fabrication of small dense silicon carbide spheres
US4530808A (en) * 1984-04-11 1985-07-23 General Electric Company Binder removal from thermoplastically formed SiC article
JPS60221365A (ja) * 1984-04-13 1985-11-06 住友化学工業株式会社 高強度炭化珪素焼結体の製造法
US4692418A (en) * 1984-08-29 1987-09-08 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having fine microstructure
JPS61168568A (ja) * 1985-01-23 1986-07-30 日産自動車株式会社 炭化珪素質焼結体の製造方法
JPS61247663A (ja) * 1985-04-22 1986-11-04 工業技術院長 炭素連続繊維強化SiC複合体の製造方法
GB2177421B (en) * 1985-05-20 1989-07-19 Toshiba Ceramics Co Sintered body of silicon carbide and method for manufacturing the same
JPH0625038B2 (ja) * 1985-05-22 1994-04-06 住友化学工業株式会社 耐摩耗性炭化珪素焼結体の製造方法
US4853299A (en) * 1985-09-06 1989-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon carbide sintered body and method of manufacturing the same
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
JPS62113764A (ja) * 1985-11-14 1987-05-25 三菱電機株式会社 高熱伝導性炭化ケイ素焼結体の製造方法
JPH089504B2 (ja) * 1986-08-29 1996-01-31 住友化学工業株式会社 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法
DE3718095A1 (de) * 1987-05-29 1988-12-08 Hutschenreuther Polykristalliner formkoerper aus siliciumcarbid und verfahren zu seiner herstellung
JPS6414174A (en) * 1987-07-06 1989-01-18 Ngk Insulators Ltd Silicon carbide sintered body and its production
DE3733730C1 (de) * 1987-10-06 1988-10-27 Feldmuehle Ag Gleit- oder Dichtelementepaarung und Verfahren zu deren Herstellung
DE3736660A1 (de) * 1987-10-29 1989-05-11 Mtu Muenchen Gmbh Verfahren zur herstellung eines poroesen formkoerpers
JPH01242465A (ja) * 1988-03-23 1989-09-27 Showa Denko Kk 炭化珪素焼結体およびその摺動部材の製造方法
US5205971A (en) * 1988-06-06 1993-04-27 The Dow Chemical Company Manufacture of non-whiteware ceramic articles
US5043412A (en) * 1988-06-23 1991-08-27 Borden, Inc. Ambient temperature curing, high carbon contributing compositions
US4939188A (en) * 1988-12-22 1990-07-03 Borden, Inc. Lithium-containing resole composition for making a shaped refractory article and other hardened articles
DE3902528A1 (de) * 1989-01-28 1990-10-31 Sintec Keramik Gmbh Herstellung von polykristallinen formkoerpern aus (alpha) - und/oder (beta)-siliciumcarbid durch drucklose sinterung
US5227105A (en) * 1989-03-10 1993-07-13 The Carborundum Company Process for manufacturing ceramic tubes
US5057001A (en) * 1989-03-10 1991-10-15 The Carborundum Company Apparatus for making ceramic tubes
US5145624A (en) * 1989-08-07 1992-09-08 The Dow Chemical Company Pressing of whiteware ceramic articles
US5298470A (en) * 1989-09-22 1994-03-29 The Carborundum Company Silicon carbide bodies having high toughness and fracture resistance and method of making same
CA2071522C (en) * 1989-10-26 1996-12-17 John Drennan Dense sic ceramic products
US6096106A (en) * 1990-04-03 2000-08-01 The Standard Oil Company Endothermic reaction apparatus
US6153152A (en) * 1990-04-03 2000-11-28 The Standard Oil Company Endothermic reaction apparatus and method
AU661877B2 (en) * 1990-04-03 1995-08-10 Standard Oil Company, The Endothermic reaction apparatus
US5567398A (en) * 1990-04-03 1996-10-22 The Standard Oil Company Endothermic reaction apparatus and method
DE4108732A1 (de) * 1991-03-18 1992-09-24 Feldmuehle Ag Stora Ventil
DE4221318B4 (de) * 1991-06-27 2005-12-08 Kao Corp. Kohlenstoffgefülltes, keramisches Verbundmaterial, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE4124734A1 (de) * 1991-07-25 1993-01-28 Mtu Muenchen Gmbh Verfahren zur herstellung von sic-bauteilen
WO1993025495A1 (en) * 1992-06-12 1993-12-23 The Carborundum Company Porous silicon carbide
US5395807A (en) * 1992-07-08 1995-03-07 The Carborundum Company Process for making silicon carbide with controlled porosity
US5422322A (en) * 1993-02-10 1995-06-06 The Stackpole Corporation Dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composite and process for producing same
US5580834A (en) * 1993-02-10 1996-12-03 The Morgan Crucible Company Plc Self-sintered silicon carbide/carbon graphite composite material having interconnected pores which may be impregnated and raw batch and process for producing same
US5478456A (en) * 1993-10-01 1995-12-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sputtering target
JP3548619B2 (ja) 1994-03-04 2004-07-28 アドバンスド エラストマー システムズ,エル.ピー. 半透明熱可塑性エラストマー
US5626943A (en) * 1994-06-02 1997-05-06 The Carborundum Company Ultra-smooth ceramic substrates and magnetic data storage media prepared therefrom
US5480695A (en) * 1994-08-10 1996-01-02 Tenhover; Michael A. Ceramic substrates and magnetic data storage components prepared therefrom
US5656218A (en) * 1995-05-19 1997-08-12 Industrial Technology Research Institute Method for making high performance self-reinforced silicon carbide using a pressureless sintering process
EP0771770A3 (en) 1995-11-06 1997-07-23 Dow Corning Sintering of a powder in alpha silicon carbide containing a polysiloxane and several sintering aids
EP0771771A3 (en) 1995-11-06 1997-07-23 Dow Corning Sintering of a silicon carbide powder containing a polysiloxane and several sintering aids
CA2189516A1 (en) 1995-11-06 1997-05-07 Timothy Edward Easler Sintering alpha silicon carbide powder with multiple sintering aids
US5968653A (en) * 1996-01-11 1999-10-19 The Morgan Crucible Company, Plc Carbon-graphite/silicon carbide composite article
US5813845A (en) * 1996-12-04 1998-09-29 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Curved silicon-carbide based burner nozzle for use with gaseous fuel flames
US6699450B2 (en) 1999-01-08 2004-03-02 Redunndant Materials, Inc. Carbide material by electromagnetic processing
US20070131661A1 (en) * 1999-02-25 2007-06-14 Reiber Steven F Solder ball placement system
US20060261132A1 (en) * 1999-02-25 2006-11-23 Reiber Steven F Low range bonding tool
US20060071050A1 (en) * 1999-02-25 2006-04-06 Reiber Steven F Multi-head tab bonding tool
US20080197172A1 (en) * 1999-02-25 2008-08-21 Reiber Steven F Bonding Tool
RU2159353C1 (ru) * 1999-03-01 2000-11-20 Открытое акционерное общество НПО Энергомаш им. акад. В.П. Глушко Ампула с пусковым горючим для зажигания компонентов топлива жрд
US6555031B2 (en) 2000-06-19 2003-04-29 Corning Incorporated Process for producing silicon carbide bodies
DE10146393A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Wacker Chemie Gmbh Unmagnetischer Sinterkörper auf Basis von SiC und seine Verwendung
US20040211526A1 (en) * 2003-04-28 2004-10-28 Shu-Wen Chang Evaporation method
JP2005039212A (ja) * 2003-06-27 2005-02-10 Bridgestone Corp ダミーウェハ及びその製造方法
WO2005079207A2 (en) * 2003-11-25 2005-09-01 M Cubed Technologies, Inc. Boron carbide composite bodies, and methods for making same
US20070085085A1 (en) * 2005-08-08 2007-04-19 Reiber Steven F Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays
JP2011524260A (ja) 2008-06-13 2011-09-01 サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド 自己融着型発泡研磨材物品およびこのような物品を用いた機械加工
US8357623B2 (en) * 2009-03-30 2013-01-22 U.S. Department Of Energy Composite materials and bodies including silicon carbide and titanium diboride and methods of forming same
US20110140034A1 (en) * 2009-08-26 2011-06-16 Chiang-Chung Chang Composite for heat-dissipating film
NO335994B1 (no) * 2011-10-13 2015-04-13 Saint Gobain Ceramic Mat As Fremgangsmåte for fremstilling av korn som er nyttige for fremstillingen av et silisiumkarbidbasert sintret produkt, komposittkorn fremstilt ved fremgangsmåten, samt anvendelse av kornene.
US9951952B2 (en) 2014-10-15 2018-04-24 Specialized Component Parts Limited, Inc. Hot surface igniters and methods of making same
JP7304538B2 (ja) 2019-06-18 2023-07-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 駐車支援装置及び駐車支援方法
CN110950663A (zh) * 2019-12-17 2020-04-03 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 碳化硅基板及其制备方法和led灯
FR3124181B1 (fr) 2021-06-17 2024-03-29 Saint Gobain Ct Recherches Procédé de fabrication d’une mousse céramique frittée
FR3130794A1 (fr) 2021-12-17 2023-06-23 Saint-Gobain Centre De Recherches Et D'etudes Europeen Mousse céramique à dispersion de taille de cellules réduite

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57192630A (en) * 1981-05-21 1982-11-26 Nippon Denso Co Ltd Electromagnetic clutch

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1646631U (de) 1951-10-26 1952-11-13 Hubert Hortmanns Verstellbare rolle fuer leiterkoepfe.
US2938807A (en) * 1957-08-13 1960-05-31 James C Andersen Method of making refractory bodies
US3442989A (en) * 1966-03-07 1969-05-06 Kaiser Aluminium Chem Corp Method of forming carbon-bonded silicon carbide bodies
JPS5029945B2 (ja) * 1972-09-04 1975-09-27
GB1478898A (en) * 1973-10-24 1977-07-06 Gen Electric Silicon carbide ceramic
US4004934A (en) * 1973-10-24 1977-01-25 General Electric Company Sintered dense silicon carbide
US4312954A (en) * 1975-06-05 1982-01-26 Kennecott Corporation Sintered silicon carbide ceramic body
US4041117A (en) * 1975-06-30 1977-08-09 General Electric Company Silicon carbide sintered body
FR2355789A1 (fr) * 1976-06-24 1978-01-20 Comp Generale Electricite Ceramique de carbure de silicium et procede de realisation de cette ceramique
US4080415A (en) * 1976-11-22 1978-03-21 The Carborundum Company Method of producing high density silicon carbide product
JPS58155165A (ja) * 1982-03-09 1983-09-14 Toshiba Corp 研摩加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57192630A (en) * 1981-05-21 1982-11-26 Nippon Denso Co Ltd Electromagnetic clutch

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414175A (en) * 1987-07-08 1989-01-18 Toshiba Corp Production of silicon carbide ceramic

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58104068A (ja) 1983-06-21
NO146858B (no) 1982-09-13
AT378177B (de) 1985-06-25
SE7606349L (sv) 1976-12-06
AU1464076A (en) 1977-12-08
US4312954A (en) 1982-01-26
PT65187A (en) 1976-07-01
JPS6350312B2 (ja) 1988-10-07
DE2624641C2 (ja) 1987-06-04
JPH0261435B2 (ja) 1990-12-20
FR2313331B1 (ja) 1982-11-12
ATA411676A (de) 1984-11-15
DE2661072C2 (ja) 1989-07-13
NZ181023A (en) 1978-04-28
CH613922A5 (ja) 1979-10-31
CA1332616C (en) 1994-10-18
JPS5934147B2 (ja) 1984-08-20
DE2624641A1 (de) 1976-12-23
PT65187B (en) 1977-11-18
ES448582A1 (es) 1977-07-01
SE434507B (sv) 1984-07-30
FR2313331A1 (fr) 1976-12-31
IT1061657B (it) 1983-04-30
JPS51148712A (en) 1976-12-21
NO146858C (no) 1982-12-22
GB1556173A (en) 1979-11-21
JPS57196771A (en) 1982-12-02
US4124667A (en) 1978-11-07
MX3303E (es) 1980-09-08
NO761919L (ja) 1976-12-07
ZA763274B (en) 1977-07-27
JPS6331432B2 (ja) 1988-06-23
JPS6331431B2 (ja) 1988-06-23
JPS57149870A (en) 1982-09-16
BR7603594A (pt) 1977-01-25
IE43834L (en) 1976-12-05
BE842623A (fr) 1976-12-06
AU503797B2 (en) 1979-09-20
NL7606077A (nl) 1976-12-07
IE43834B1 (en) 1981-06-03

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