JPS5931962A - 有機光導電体 - Google Patents
有機光導電体Info
- Publication number
- JPS5931962A JPS5931962A JP14169082A JP14169082A JPS5931962A JP S5931962 A JPS5931962 A JP S5931962A JP 14169082 A JP14169082 A JP 14169082A JP 14169082 A JP14169082 A JP 14169082A JP S5931962 A JPS5931962 A JP S5931962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- charge
- group
- photoconductor
- general formula
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0609—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、有機光導電体に1りjする。
これまで、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの1
1!(後光4m体を感光成分として利用した電子写真感
光体は公知である。
1!(後光4m体を感光成分として利用した電子写真感
光体は公知である。
一方、特定のイ1機化合物がプ(、導電性を示すことが
発見されてから、数多くの有機光導電体が開発されて来
た。例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリヒニ
ルアントラセンなどの有機光導、電1〕4・ポリマー、
カルバゾール、アントラ七ン、ピラゾリ7類、オキサジ
アゾール類、ヒドラゾン類、ポリアリールアルカン類な
どの低分子のイ1機光導電体−やフタロシアニン顔料、
アゾ顔料、シアニン染料、多環キノン顔料、ペリレン系
顔料、インジゴ染料、チオインジゴ染料あるいはスクエ
ア′リック酸メチン染料などの廟機顔料や染料が知られ
ている。/陸に、光4電f+゛を有する有機顔料や染料
は、無tJIJ 1421に較べて合成が容易で、しか
も適当な波長域に光′4電1・1tを示す化合物を選択
できるバリエーションが拡大されたことなどから、数多
くの光導電、性41機顔料や染料が提案されている。例
えば、米国特許第4123270号、同筆424761
4号、同第4251613号、同第4251614号、
同ゴA4256821号、同第4260672号、同第
4268596号、同第4278747号、同第429
3628号などに開示された様に電荷発生層と電荷輸送
1スくに機能分離した感光層における1向発生物宵とし
て光導電性を示すジスアゾ顔料を用いた電子写真感光体
などが知られている。
発見されてから、数多くの有機光導電体が開発されて来
た。例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリヒニ
ルアントラセンなどの有機光導、電1〕4・ポリマー、
カルバゾール、アントラ七ン、ピラゾリ7類、オキサジ
アゾール類、ヒドラゾン類、ポリアリールアルカン類な
どの低分子のイ1機光導電体−やフタロシアニン顔料、
アゾ顔料、シアニン染料、多環キノン顔料、ペリレン系
顔料、インジゴ染料、チオインジゴ染料あるいはスクエ
ア′リック酸メチン染料などの廟機顔料や染料が知られ
ている。/陸に、光4電f+゛を有する有機顔料や染料
は、無tJIJ 1421に較べて合成が容易で、しか
も適当な波長域に光′4電1・1tを示す化合物を選択
できるバリエーションが拡大されたことなどから、数多
くの光導電、性41機顔料や染料が提案されている。例
えば、米国特許第4123270号、同筆424761
4号、同第4251613号、同第4251614号、
同ゴA4256821号、同第4260672号、同第
4268596号、同第4278747号、同第429
3628号などに開示された様に電荷発生層と電荷輸送
1スくに機能分離した感光層における1向発生物宵とし
て光導電性を示すジスアゾ顔料を用いた電子写真感光体
などが知られている。
この様なイ4梢光導1■14体を月1いた電子77%感
光体(」、バインターを適肖にJ:・を択するこI−6
′こよって塗工で生jF#できるため、本°:zめて生
戸7;: (Igが高く、安価な感光体を4.j?−供
でき、Lかもイ)枦顔料の選択によって感光波長jrQ
を自在に;1ントロールできる利点を有しでいる反面、
この感)′C体は感目2と耐久tr!r性にtltがあ
るため、こ71寸でにダl用に至ったものり5、ご°く
わずか11ある。
光体(」、バインターを適肖にJ:・を択するこI−6
′こよって塗工で生jF#できるため、本°:zめて生
戸7;: (Igが高く、安価な感光体を4.j?−供
でき、Lかもイ)枦顔料の選択によって感光波長jrQ
を自在に;1ントロールできる利点を有しでいる反面、
この感)′C体は感目2と耐久tr!r性にtltがあ
るため、こ71寸でにダl用に至ったものり5、ご°く
わずか11ある。
本発明の目的ヲ、シ、新規な有柩光嗜取付を提供するこ
とにある。
とにある。
本発明の別の目的は、傷定のイ4F・光導取付を使用す
ることにより改善さtまた17y真特性を七する電子写
0感光体を提供すえ、ことにあり、これによって?用的
な高感度!箇t・、゛と縁υ返し便用における安定な電
位特性をイJ′fる電子写真感光体を提供することにあ
る。
ることにより改善さtまた17y真特性を七する電子写
0感光体を提供すえ、ことにあり、これによって?用的
な高感度!箇t・、゛と縁υ返し便用における安定な電
位特性をイJ′fる電子写真感光体を提供することにあ
る。
本発明の上記目的V、l1、下記−刀〉式(1)に示す
イj椋1昂電体によって達成されイ)。
イj椋1昂電体によって達成されイ)。
一般式
式中Aけ芳香i4f、t−を不するカプラー成分を表わ
し、好ましくはAが以下の一般式(21〜(4)で表わ
されるカプラー成分から選択されることが望咬2・x゛ ベンゼン環と結合し7てナツタ1/ン更、アンスラセン
倒、カルバゾール川、ジベンゾフラン頃、べ/ズカルバ
ゾール環等の芳香族炭化水素6↓又は複素環を形成する
残基h Y llJ’、 −CONRI R7で示す基
(ただし、R1は水素原子、メチル、エチル、プロピル
、ブチル、2−ヒドロキシエチル、5−ヒドロキシプロ
ピル等の49.換又V)非114.換のアルキル基、フ
ェニル、ナフチル等のアリール基から成る群よシ選ばれ
た基、R2はメチル、エテル、フロビル、メチル、2−
ヒドロキシエチル、6−ヒドロキシプロピル等の置換又
は非置換のアルキル基、フェニル、カフチル笠のアリー
ル基及びピリジル、ギノリル、カルバゾリル、チアゾリ
ル等の腹累項残基から成る群より選はれた基を表わす)
、又は−0ONI(NR3R4で示す基(ただしR3、
R4は置換又は未随換のフェニル、ナフチル等のアリー
ル基を表わす)を表わす1、上記R1−r−R4基にお
けるfjlL IQ基としてQよ、メチル、エチル等の
アルキル基、フッ素1塩素%臭素などのハロゲン原子、
メトキン、エトキシ等のアルコキン基、アセチル、ベノ
ゾイル91の゛rシル基、メチルチオ、エチルチオ等の
1゛ルキルヂオ基、フェニルチア幻のアリールゴオ基、
フェニル等のアリール基、ベンジル勺のアラルギル基、
ニトロ基、シi′ツノ、(、ジメタノL アミノ、ンエ
ナルアi)、ジベンジルアミノ等の置併アミノ基などが
あげられる。
し、好ましくはAが以下の一般式(21〜(4)で表わ
されるカプラー成分から選択されることが望咬2・x゛ ベンゼン環と結合し7てナツタ1/ン更、アンスラセン
倒、カルバゾール川、ジベンゾフラン頃、べ/ズカルバ
ゾール環等の芳香族炭化水素6↓又は複素環を形成する
残基h Y llJ’、 −CONRI R7で示す基
(ただし、R1は水素原子、メチル、エチル、プロピル
、ブチル、2−ヒドロキシエチル、5−ヒドロキシプロ
ピル等の49.換又V)非114.換のアルキル基、フ
ェニル、ナフチル等のアリール基から成る群よシ選ばれ
た基、R2はメチル、エテル、フロビル、メチル、2−
ヒドロキシエチル、6−ヒドロキシプロピル等の置換又
は非置換のアルキル基、フェニル、カフチル笠のアリー
ル基及びピリジル、ギノリル、カルバゾリル、チアゾリ
ル等の腹累項残基から成る群より選はれた基を表わす)
、又は−0ONI(NR3R4で示す基(ただしR3、
R4は置換又は未随換のフェニル、ナフチル等のアリー
ル基を表わす)を表わす1、上記R1−r−R4基にお
けるfjlL IQ基としてQよ、メチル、エチル等の
アルキル基、フッ素1塩素%臭素などのハロゲン原子、
メトキン、エトキシ等のアルコキン基、アセチル、ベノ
ゾイル91の゛rシル基、メチルチオ、エチルチオ等の
1゛ルキルヂオ基、フェニルチア幻のアリールゴオ基、
フェニル等のアリール基、ベンジル勺のアラルギル基、
ニトロ基、シi′ツノ、(、ジメタノL アミノ、ンエ
ナルアi)、ジベンジルアミノ等の置併アミノ基などが
あげられる。
一般式(3)、(4)L
式中R5は置換又は非置換のアルキル基、フェニル基、
ナフチル基等のアリール基から成る/71よシ選ばれた
基を表わす。更に具体的にはR5はメチル、エチル、プ
ロピル等のアルキル基、ヒドロキシメチル、ヒドロキシ
エチル等のヒドロキシアルキル基、メトキシメチル、4
エトキシメチル、エトキシエチル等のアルコキシアルキ
ル基。
ナフチル基等のアリール基から成る/71よシ選ばれた
基を表わす。更に具体的にはR5はメチル、エチル、プ
ロピル等のアルキル基、ヒドロキシメチル、ヒドロキシ
エチル等のヒドロキシアルキル基、メトキシメチル、4
エトキシメチル、エトキシエチル等のアルコキシアルキ
ル基。
シアノアルキル基、アミノアルキル基、N−アルキルア
ミノアルギル基、N、N−ジアルキルアミノアルキル基
、ノ・ロゲン化アルキル基、ベンジル、フェネチル等の
アラルキル基、フェニル基及び置換フェニル基、ナフチ
ル基、r+’換ナフチル基、(置換基としては一般式(
21中のR1−R4における#換基があげられる)や、
・、があけられる。
ミノアルギル基、N、N−ジアルキルアミノアルキル基
、ノ・ロゲン化アルキル基、ベンジル、フェネチル等の
アラルキル基、フェニル基及び置換フェニル基、ナフチ
ル基、r+’換ナフチル基、(置換基としては一般式(
21中のR1−R4における#換基があげられる)や、
・、があけられる。
本発明の代表的な有機光4電体としては、下記のジスア
ゾ顔料を挙げることができるOジスアゾ顔料ネ1 篇 これらのジスアゾ顔料は、1種または2種以上組合せて
用いることができる。また、これらの顔料は、例えば構
造式 テトラゾ化し、次いで対応するカプラーをアルカリの存
在−トにカップリングするか、またけ前記のジアミンの
ゾtラゾニウム1俣をホウフッ化燻あるいはj蕩化亜鉛
袂塩等の形で一旦単離した後、鏑当な溶媒f11えし1
″N、N−ジメチルホルムアばド、ジメチルスルホギシ
ド等の溶媒中でアルカリの存在下にカップラーとカップ
リングすることにより賓易K :!J5造することがで
きる。
ゾ顔料を挙げることができるOジスアゾ顔料ネ1 篇 これらのジスアゾ顔料は、1種または2種以上組合せて
用いることができる。また、これらの顔料は、例えば構
造式 テトラゾ化し、次いで対応するカプラーをアルカリの存
在−トにカップリングするか、またけ前記のジアミンの
ゾtラゾニウム1俣をホウフッ化燻あるいはj蕩化亜鉛
袂塩等の形で一旦単離した後、鏑当な溶媒f11えし1
″N、N−ジメチルホルムアばド、ジメチルスルホギシ
ド等の溶媒中でアルカリの存在下にカップラーとカップ
リングすることにより賓易K :!J5造することがで
きる。
次に、本発明で用いるジスアゾ顔f1の代表的な合成例
を下r1′に示す。
を下r1′に示す。
合成(:il 1 (前Hf]例示のジスアゾ節刺篇1
の合成)500dビーカーに水8 D me %fN’
p酸16.6H2 を入れ、氷水浴で冷却しなから41v′朽゛し液温を5
℃とシフ″、−8次(r、二dli硝fft’ 7−
/It 4.2 y(0,061%ル)を水7m/!に
治か(〜だ蔽を溜γ品を5〜10℃の範囲にコントロー
ルし2ながら10分間で滴下し、rr;:i−r終了几
−同温度て史に30分催4T した。
の合成)500dビーカーに水8 D me %fN’
p酸16.6H2 を入れ、氷水浴で冷却しなから41v′朽゛し液温を5
℃とシフ″、−8次(r、二dli硝fft’ 7−
/It 4.2 y(0,061%ル)を水7m/!に
治か(〜だ蔽を溜γ品を5〜10℃の範囲にコントロー
ルし2ながら10分間で滴下し、rr;:i−r終了几
−同温度て史に30分催4T した。
反応潜にカー、J/を加え71過してテトラゾ化液 イ
1?4!−)ζ 。
1?4!−)ζ 。
次1’C,2tビーカーに水7DOm/を入れ苛1イ1
ソーダ21(0,53モル)をr角′「シた後ナフトー
ルAiE(3−’づド「jキシ−2−ナフトエ酸アニ’
) l’ ) 16.22(0,061モ/し) ’2
二17”ノjn L、 −Ch7 h’r Ll、。
ソーダ21(0,53モル)をr角′「シた後ナフトー
ルAiE(3−’づド「jキシ−2−ナフトエ酸アニ’
) l’ ) 16.22(0,061モ/し) ’2
二17”ノjn L、 −Ch7 h’r Ll、。
このカッラーン′・j7丙を6℃Vパl汐ノHI L、
靜Y晶を6〜l0CP(::)7 l−rr −7bし
なかr)前述のアートラソ化l匝を6し1分かけ−こ涜
拌下簡Fし2て、その後室fi+:〜で2時1;)口・
11j・し更に1時、 hQ、 1r・1.メこ。反応
液をp過σ1、水洗17鉗製印料1s、 o y 、5
−得た。。次に〜400 met)) N、N−ジメチ
ルポルムアミドで熱沖過45回繰り返した。その代、減
圧熱く・シ、燥により精製顔料I Z5 fを得た。収
率は74%であつた。
靜Y晶を6〜l0CP(::)7 l−rr −7bし
なかr)前述のアートラソ化l匝を6し1分かけ−こ涜
拌下簡Fし2て、その後室fi+:〜で2時1;)口・
11j・し更に1時、 hQ、 1r・1.メこ。反応
液をp過σ1、水洗17鉗製印料1s、 o y 、5
−得た。。次に〜400 met)) N、N−ジメチ
ルポルムアミドで熱沖過45回繰り返した。その代、減
圧熱く・シ、燥により精製顔料I Z5 fを得た。収
率は74%であつた。
元素分イj1:
言」 多事イijc (%) 実14山(l+
1+ (X、)c 75.74 75.85 Hろ、96 3.9(]N
10.40 1 (1,2B合成例2 (+ii
l記例示のジス了ソIati Ll16.2の合成)6
.59(0,025モル)を水b5me、v、”1晶r
”φ1324me (El、 15モル)に溶解した液
に、1巾イ1肖1惨゛ソーダ3.54f (0,051
モル) ’A−水I O,6ml! V(L (jパ’
PIF シた液を、液温4.5〜7℃に保ちなから54
.)間で滴下し、その後同温度で30句1i17.4’
p t、た。
1+ (X、)c 75.74 75.85 Hろ、96 3.9(]N
10.40 1 (1,2B合成例2 (+ii
l記例示のジス了ソIati Ll16.2の合成)6
.59(0,025モル)を水b5me、v、”1晶r
”φ1324me (El、 15モル)に溶解した液
に、1巾イ1肖1惨゛ソーダ3.54f (0,051
モル) ’A−水I O,6ml! V(L (jパ’
PIF シた液を、液温4.5〜7℃に保ちなから54
.)間で滴下し、その後同温度で30句1i17.4’
p t、た。
つキ゛に、3−ヒドロキシーツフタレジー2−カルホン
し波メナルアi l” 10.57 ? ((1,tl
525モル)と苛性ソーダ16.8 f (1’3.
42モル)を−水420 mに溶解した液に液温を4〜
10℃に保ちながら一ト記テトラソ化液を10勺間−(
、・1下し、同温度で2 n、’j ll 、”411
’ L 7’t’:、 T;’i 1晩放1;・しに、
。
し波メナルアi l” 10.57 ? ((1,tl
525モル)と苛性ソーダ16.8 f (1’3.
42モル)を−水420 mに溶解した液に液温を4〜
10℃に保ちながら一ト記テトラソ化液を10勺間−(
、・1下し、同温度で2 n、’j ll 、”411
’ L 7’t’:、 T;’i 1晩放1;・しに、
。
P1晶、水洗、乾ヴ々゛し7た扱、メチルエチルケト/
を用い20時間ソックスレーにかけて乾燥顔、f′+1
3.3 ? (収率78%)会、f“また、冗累分栢二 泪 k’、’、 fr1自 (%) ワ
T !ル′(+i+ t%IC7L95 72.
07 H4,Ll9 4.11 N 17.2F3 1741 合成例3 (+Mi鐸、l %l示に7J シス−r
ソJq+ 24 A、 5 t、Q @ ff)2tヒ
ーカーに水70 ’Omeを注入し、イこへhr性ソー
タ21!i’(0,53モル) ”、i:加えi?;1
It−r L fr−cb、6−1二トロキシーナ゛ツ
タレノ−2−ツノルボンl竹−N、N−ジフェニルヒド
ラジド21.61(0,061モル)を添加して溶厘し
/7′、。
を用い20時間ソックスレーにかけて乾燥顔、f′+1
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07 H4,Ll9 4.11 N 17.2F3 1741 合成例3 (+Mi鐸、l %l示に7J シス−r
ソJq+ 24 A、 5 t、Q @ ff)2tヒ
ーカーに水70 ’Omeを注入し、イこへhr性ソー
タ21!i’(0,53モル) ”、i:加えi?;1
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タレノ−2−ツノルボンl竹−N、N−ジフェニルヒド
ラジド21.61(0,061モル)を添加して溶厘し
/7′、。
このカッテ−7,〜δ(を6℃0て冷却1−+4N+副
を6℃〜10℃にコノトロールしながら、1111だL
lの合成例1と同様の方法によって作成したテトラゾ化
液を30分かけて攪拌下で両トシ、その後麿温で2時間
位4−−二L、さらい−1晩放都1.− ’(。反応液
を沖過後、水洗しfil泗消ILFを旬た。次に、40
0me (1’) N、N −7メチルホル人アミドで
熱γl=”i 過’、H5回繰り返し−k。その後、減
圧熱乾+)j+に二31.り精製顔料19.4 fを1
1jだ。収二銹は71%−で二k・つt−0元りや9分
イノ1 : lt T4 イ11“シ(%) 実験イ11−
1. (労、)(!80.2580.45 H/i、464.50 tlll、8911.75 以−ト31′!1=j−の印料の合成θ冊についてJ小
べたが、一般式(1)で示さ11る他のジスアゾf゛1
1刺も同様にして合成される。
を6℃〜10℃にコノトロールしながら、1111だL
lの合成例1と同様の方法によって作成したテトラゾ化
液を30分かけて攪拌下で両トシ、その後麿温で2時間
位4−−二L、さらい−1晩放都1.− ’(。反応液
を沖過後、水洗しfil泗消ILFを旬た。次に、40
0me (1’) N、N −7メチルホル人アミドで
熱γl=”i 過’、H5回繰り返し−k。その後、減
圧熱乾+)j+に二31.り精製顔料19.4 fを1
1jだ。収二銹は71%−で二k・つt−0元りや9分
イノ1 : lt T4 イ11“シ(%) 実験イ11−
1. (労、)(!80.2580.45 H/i、464.50 tlll、8911.75 以−ト31′!1=j−の印料の合成θ冊についてJ小
べたが、一般式(1)で示さ11る他のジスアゾf゛1
1刺も同様にして合成される。
本突、明の好せ1−7い具体1シリでは、感)Y1層を
′市イdr発生層と電荷輸送層に機能外MI Lだ市、
干写声感光体における電荷発生物V(に前記一般式(1
)に示すも供光4屯体を月Aいることができλ)。市、
荷発生層は、十分な吸光度を得るたd)に、−r・きる
限り多くの^1jml冶伽光導電体を含イ* t、 1
.lJつ発生した電荷キャリアの飛程を短かくするため
姓二、薄膜層、例えば5εクロン、5+、 T 、 t
ar壕(くはOO1εクロン〜1ミクロン0)(H1ζ
・Dン−もつ薄膜1?iと−j )、)ことが好ましい
。こo)ことし11人ヰ1)Y1帽の大音1′53力・
↑h萌冗q一層で1型取されで、多くの’i’lf’、
召i−<ヤリアを′Ib!5 ′1之・こと、をら妊発
生(7たF+Eiキャリアを内結合や補糖(トラップ)
Kより失活ツー、1.)ことなく電荷輸送層に壮大する
必要があることに帰因してい7:、1、 ’FN、 #rB 生RtJl、前述ノl@ jp i
’Q ’?)、 ?iT、 付k J 当ナバインター
K /IJi孜合せ、こ11. ’:5−w体の上に塗
工j−ることしごまって升と成でき、−」、/γ−a窒
蓋着装惨7によりハフj脆を形児することによって慴る
ことができる。′山荷発生II′4をQ工にょっ−cJ
l/S絨、する隙に月1いうるパ・1ンダーとしCはv
−1蓄筏な1色線性樹脂からが択でき、ま/とポリーN
−ヒニノしカルバゾール、ポリl−ニルアノトラセノ・
やポリビニルピレンなどの11機)“r7m屯性1i?
リマ−7))らJ只択できる。好ましくC;11、ポリ
ヒニルブチラール、ボリフ゛リレート(ヒ゛スフエノー
ルAIニフタル1倹・の齢重イ1什など)、ポリカーボ
ネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル、アクリル(冑脂、ボリアクリルア<+−″拉1脂、
ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール H5リビニルビロリドンナトの絶縁性樹脂を
挙げることができる。電荷発生層中に含有する四指(徒
、80Φ(,4%以下、好壕しくけ40重量%以Fが適
している。
′市イdr発生層と電荷輸送層に機能外MI Lだ市、
干写声感光体における電荷発生物V(に前記一般式(1
)に示すも供光4屯体を月Aいることができλ)。市、
荷発生層は、十分な吸光度を得るたd)に、−r・きる
限り多くの^1jml冶伽光導電体を含イ* t、 1
.lJつ発生した電荷キャリアの飛程を短かくするため
姓二、薄膜層、例えば5εクロン、5+、 T 、 t
ar壕(くはOO1εクロン〜1ミクロン0)(H1ζ
・Dン−もつ薄膜1?iと−j )、)ことが好ましい
。こo)ことし11人ヰ1)Y1帽の大音1′53力・
↑h萌冗q一層で1型取されで、多くの’i’lf’、
召i−<ヤリアを′Ib!5 ′1之・こと、をら妊発
生(7たF+Eiキャリアを内結合や補糖(トラップ)
Kより失活ツー、1.)ことなく電荷輸送層に壮大する
必要があることに帰因してい7:、1、 ’FN、 #rB 生RtJl、前述ノl@ jp i
’Q ’?)、 ?iT、 付k J 当ナバインター
K /IJi孜合せ、こ11. ’:5−w体の上に塗
工j−ることしごまって升と成でき、−」、/γ−a窒
蓋着装惨7によりハフj脆を形児することによって慴る
ことができる。′山荷発生II′4をQ工にょっ−cJ
l/S絨、する隙に月1いうるパ・1ンダーとしCはv
−1蓄筏な1色線性樹脂からが択でき、ま/とポリーN
−ヒニノしカルバゾール、ポリl−ニルアノトラセノ・
やポリビニルピレンなどの11機)“r7m屯性1i?
リマ−7))らJ只択できる。好ましくC;11、ポリ
ヒニルブチラール、ボリフ゛リレート(ヒ゛スフエノー
ルAIニフタル1倹・の齢重イ1什など)、ポリカーボ
ネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル、アクリル(冑脂、ボリアクリルア<+−″拉1脂、
ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルア
ルコール H5リビニルビロリドンナトの絶縁性樹脂を
挙げることができる。電荷発生層中に含有する四指(徒
、80Φ(,4%以下、好壕しくけ40重量%以Fが適
している。
これらの(伺月旨を溶角イする溶斉りV」1、]例11
旨の4中類によって異なシ、また下達の電荷輸送層や士
錆層を浴豫fしないもの力・ら選択することが好ましい
。具体的な櫓等總溶剤としてシ211、メタノール、エ
タノール、イソプロパツールなどのγルコールQ%7セ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケ
トン類、N、N−ジメナルポルムアξF、N、N−ジメ
チルアセトrミドなどのアミド類、ジメチルスルホギシ
ドなどのスルホキシド類、テトラヒト゛ロフラ/、ンオ
キーリーン、エチレングリコールモノメテルエーテルナ
トノエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステ
ル類、クロロホルム、!ハ什メチレノ、ジクロルエチレ
” 、四IM 11=、 #、/2 :’、+、)リク
ロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭イ1□水素イ1
)あるいシ:J、ペン”;’%)ルア/、片シ1/ン%
lJタロイン、モノクロルベンセノ、ジクロルーミンゼ
ンナトのyjH族力1などを用いることができる。
旨の4中類によって異なシ、また下達の電荷輸送層や士
錆層を浴豫fしないもの力・ら選択することが好ましい
。具体的な櫓等總溶剤としてシ211、メタノール、エ
タノール、イソプロパツールなどのγルコールQ%7セ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケ
トン類、N、N−ジメナルポルムアξF、N、N−ジメ
チルアセトrミドなどのアミド類、ジメチルスルホギシ
ドなどのスルホキシド類、テトラヒト゛ロフラ/、ンオ
キーリーン、エチレングリコールモノメテルエーテルナ
トノエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステ
ル類、クロロホルム、!ハ什メチレノ、ジクロルエチレ
” 、四IM 11=、 #、/2 :’、+、)リク
ロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭イ1□水素イ1
)あるいシ:J、ペン”;’%)ルア/、片シ1/ン%
lJタロイン、モノクロルベンセノ、ジクロルーミンゼ
ンナトのyjH族力1などを用いることができる。
塗工t、ll1、浸漬コーティングl)′:、スプレー
コーディング法、スピンナーコーチインク法、ビードコ
ーアインク法、マイヤーバーコーティング法、ブレード
コーディング法、ローラーコーティング法、カーデンコ
ーテインク法などのコーテイ/ダ法を用いて行なうこと
ができる、乾燥kj5.¥温rCふ・&−Jる指触乾燥
後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、30C
〜200℃の温度で5分〜2時間の々・13四の時間で
、静止または送風下で行なうことができる。
コーディング法、スピンナーコーチインク法、ビードコ
ーアインク法、マイヤーバーコーティング法、ブレード
コーディング法、ローラーコーティング法、カーデンコ
ーテインク法などのコーテイ/ダ法を用いて行なうこと
ができる、乾燥kj5.¥温rCふ・&−Jる指触乾燥
後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、30C
〜200℃の温度で5分〜2時間の々・13四の時間で
、静止または送風下で行なうことができる。
11(、荷輛送層は、1ij述の重両)【°ゴに層と上
気的に接続されて卦り、市昇の右在[で取荷蔀生層から
注入さ扛た電荷ギヤリア忙受は取るとともに、これらの
′電荷ギヤリアを表面まで輸送できる(茂能を有してい
る。この際、この電荷輪≠層は、電荷発生層の上に積層
されていてもよく、1だその下に積層されていてもよい
。しかし、電荷輸送層は、電荷発生、者の上に積層され
ていることが望ましい。
気的に接続されて卦り、市昇の右在[で取荷蔀生層から
注入さ扛た電荷ギヤリア忙受は取るとともに、これらの
′電荷ギヤリアを表面まで輸送できる(茂能を有してい
る。この際、この電荷輪≠層は、電荷発生層の上に積層
されていてもよく、1だその下に積層されていてもよい
。しかし、電荷輸送層は、電荷発生、者の上に積層され
ていることが望ましい。
光導7に体は、一般に電荷キャリアを輸送する機能を不
しているので、電荷輸送層dこの光導電体r(よって形
成できる。
しているので、電荷輸送層dこの光導電体r(よって形
成できる。
電Mi輸送層における′電荷ギーVリアを輸送する物質
(以下、単に市、荷輸送物′へという) &j1、前述
の電荷発生層が感応するF(t、磁波の波長域に実質的
に非感応性であることが好まし、い。ここで15「市、
磁波」とは、rIvsX轟(、紫外線、可視光線、近赤
外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の「光線」
の定義を包含する。′電荷輸送、111の光感応性波長
域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラツプする
時には、両者で発生した電荷ギヤリアが相〃に捕獲し合
い、結果的には感度の低Fの原因となる。
(以下、単に市、荷輸送物′へという) &j1、前述
の電荷発生層が感応するF(t、磁波の波長域に実質的
に非感応性であることが好まし、い。ここで15「市、
磁波」とは、rIvsX轟(、紫外線、可視光線、近赤
外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の「光線」
の定義を包含する。′電荷輸送、111の光感応性波長
域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラツプする
時には、両者で発生した電荷ギヤリアが相〃に捕獲し合
い、結果的には感度の低Fの原因となる。
電荷輸送物質としては篭子輛送性物負と正孔輸送性物剥
があり、市5子中61送性物′丙と12てシよ、クロル
アニル、ブロモ丁ニル、デトラシアノエチレン、テトラ
シアノキノジメタン、 2,4.7−トリニトロ−9−
フルオレノン、2.4,5.7−テトラニトロ−9−フ
ルオレノン、2,4.7− )リートロー9−ジシアノ
メチレ/フルオレノン、2.4,5.7−子トラニトロ
キサ7トン、2,4.8−トリニトロチオキサントy等
の電子吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分−f−化
したもの等がある。
があり、市5子中61送性物′丙と12てシよ、クロル
アニル、ブロモ丁ニル、デトラシアノエチレン、テトラ
シアノキノジメタン、 2,4.7−トリニトロ−9−
フルオレノン、2.4,5.7−テトラニトロ−9−フ
ルオレノン、2,4.7− )リートロー9−ジシアノ
メチレ/フルオレノン、2.4,5.7−子トラニトロ
キサ7トン、2,4.8−トリニトロチオキサントy等
の電子吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分−f−化
したもの等がある。
正孔翰送4tp物TIとしてシj1、ピレノ、N−エチ
ルカルバゾール、N−イソプロヒルカルバゾール、N−
メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリテン−9
−エチルカルバソール、 N、N−ジフェニルヒドラジ
ノ−6−メチリデ/−9−エチルカルバゾール、N、N
−uフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エチ
ルフェノキサジン、N、N−ジフェニルヒドラジノ−6
−メチリデン−10−エチルフェノキサジy、P−ジエ
チルアごノベンズアルデヒドーN、N−ジフェニルヒド
ラソ゛ン、P−ジエチルアiノベニ/ズアルデヒドーN
−α−ナフチル−N−フェニルヒドラゾン、P−ピロリ
ジニルベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾ
ン、1,3.3−トリメチルインドレニン−ω−アルデ
1ニドーN、N−ジフェニル1ニドラソン% P −)
エチルベンスアルデヒド−6−メチルベンズヂアゾリノ
ン−2−ヒドラゾン等のヒドラゾ7類、2.5−ビス(
P−ジエチルアミノフェニル) −1,3,4−オキサ
ジつ′ゾール、1−フェニル−6−(P−ジエチルアご
ノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピ
ラゾリン、1−(ギノリル(21) −3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−CP−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(21J−3−(P
−ジエチルアミノステリル)−5−(P−ジエチルアミ
ノフェニル)ヒラゾリン、1−(6−メドキシービリジ
ル+21 J −5−(P−ジエチルアミノスチリル)
−5−(P−’)エテルアミノフェニル)ピラゾリン、
1−(ピリジル13) ) −3−(P −ジエチルア
ミノスチリル) −5−(P−ジエチルアミノフェニル
)ヒラゾリン、1−Cレビジル(2)J−6−(P−ジ
エチルアミノスチリル)−5−(P−’;エチル了εノ
フェニル)ヒラゾ゛リン、1−〔ピリジル+21 J
−3−(、P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル
−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ7.1
−(、ピリジル+21 J −3−(α−メチル−P−
ジエチルアミノスチリル) −5−(、p−ジエヂルア
ごノフェニル)ヒラゾリン、1−フェニル−5−(P−
ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(P−ジ
エチルアミノフェニル)ヒラゾリン、1−フェニル−3
−(α−に7ジルーP−ジエチルアミノスチリル)−5
−(r−9エギル′rミノフエニル)ピラゾリン、スヒ
ロビラ7” 17などのピラゾリン類、2−(P−ジエ
チルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンスオキ
サソール、2−(p−;−5エチルγミノフエニル)−
4−(p−ジエチルアミノフェニル)−5−(2−クロ
ロフェニル)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、
2−(P−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチルγ
ばノベンゾチ了ゾール等のチアゾール系化合物、ビス(
4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニル
メタン剪のトリアリールメタン系化合物、1,1−ビス
(4−N、N−ジエチルアイノー2−メチルフェニル)
へブタン、1,1,2.2−テトラキス(4−N、N−
ジメチルアだノー2−メチルフェニル)エタン、等のボ
リアリールアルカン打1、トリフェニル′r、ミン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニル′γントラセン、ボ′リビニル了クリジン、ポリ
−9−ビニルフェニルアントラセン、ヒレンーホルムア
ルデヒド柄脂、エチルカルバゾールポルムアルデヒド樹
脂等がある。
ルカルバゾール、N−イソプロヒルカルバゾール、N−
メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチリテン−9
−エチルカルバソール、 N、N−ジフェニルヒドラジ
ノ−6−メチリデ/−9−エチルカルバゾール、N、N
−uフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エチ
ルフェノキサジン、N、N−ジフェニルヒドラジノ−6
−メチリデン−10−エチルフェノキサジy、P−ジエ
チルアごノベンズアルデヒドーN、N−ジフェニルヒド
ラソ゛ン、P−ジエチルアiノベニ/ズアルデヒドーN
−α−ナフチル−N−フェニルヒドラゾン、P−ピロリ
ジニルベンズアルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾ
ン、1,3.3−トリメチルインドレニン−ω−アルデ
1ニドーN、N−ジフェニル1ニドラソン% P −)
エチルベンスアルデヒド−6−メチルベンズヂアゾリノ
ン−2−ヒドラゾン等のヒドラゾ7類、2.5−ビス(
P−ジエチルアミノフェニル) −1,3,4−オキサ
ジつ′ゾール、1−フェニル−6−(P−ジエチルアご
ノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピ
ラゾリン、1−(ギノリル(21) −3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−CP−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(21J−3−(P
−ジエチルアミノステリル)−5−(P−ジエチルアミ
ノフェニル)ヒラゾリン、1−(6−メドキシービリジ
ル+21 J −5−(P−ジエチルアミノスチリル)
−5−(P−’)エテルアミノフェニル)ピラゾリン、
1−(ピリジル13) ) −3−(P −ジエチルア
ミノスチリル) −5−(P−ジエチルアミノフェニル
)ヒラゾリン、1−Cレビジル(2)J−6−(P−ジ
エチルアミノスチリル)−5−(P−’;エチル了εノ
フェニル)ヒラゾ゛リン、1−〔ピリジル+21 J
−3−(、P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル
−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ7.1
−(、ピリジル+21 J −3−(α−メチル−P−
ジエチルアミノスチリル) −5−(、p−ジエヂルア
ごノフェニル)ヒラゾリン、1−フェニル−5−(P−
ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(P−ジ
エチルアミノフェニル)ヒラゾリン、1−フェニル−3
−(α−に7ジルーP−ジエチルアミノスチリル)−5
−(r−9エギル′rミノフエニル)ピラゾリン、スヒ
ロビラ7” 17などのピラゾリン類、2−(P−ジエ
チルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンスオキ
サソール、2−(p−;−5エチルγミノフエニル)−
4−(p−ジエチルアミノフェニル)−5−(2−クロ
ロフェニル)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、
2−(P−ジエチルアミノスチリル)−6−ジエチルγ
ばノベンゾチ了ゾール等のチアゾール系化合物、ビス(
4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニル
メタン剪のトリアリールメタン系化合物、1,1−ビス
(4−N、N−ジエチルアイノー2−メチルフェニル)
へブタン、1,1,2.2−テトラキス(4−N、N−
ジメチルアだノー2−メチルフェニル)エタン、等のボ
リアリールアルカン打1、トリフェニル′r、ミン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニル′γントラセン、ボ′リビニル了クリジン、ポリ
−9−ビニルフェニルアントラセン、ヒレンーホルムア
ルデヒド柄脂、エチルカルバゾールポルムアルデヒド樹
脂等がある。
こノ[らの有機1狗輸送物質の他に、セレン、セレン−
テルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどのJ
lff &材料も用いることかできる、凍た、これらの
電荷輸送物質は、1釉または2棟以上組合せて用いるこ
とができる。
テルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどのJ
lff &材料も用いることかできる、凍た、これらの
電荷輸送物質は、1釉または2棟以上組合せて用いるこ
とができる。
電イ:i 4.’、べ1人’I+、フ゛Ptに、1〜7
膜性をイ何−7でいない時には、適当なノてインターを
削Mくすることによって被膜形成できる。バ′インター
として使用できろ樹脂は、例えv41ニアクリル樹脂、
ポリアリI/”)、ポリニスデル、ポリカーボネート、
ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー
、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、
ポリアクリルアミl1、ボリアミド、1穐素化ゴノ・な
どの絶縁性(h(脂、あるいれポリー■−ビニルカルバ
ゾール、ホリヒニルアントラセ7、ポリヒニルビ゛l/
ンなどのイT 4j;4γ乙”;’S tti、性ポリ
マーを挙げることかで尊る。
膜性をイ何−7でいない時には、適当なノてインターを
削Mくすることによって被膜形成できる。バ′インター
として使用できろ樹脂は、例えv41ニアクリル樹脂、
ポリアリI/”)、ポリニスデル、ポリカーボネート、
ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー
、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、
ポリアクリルアミl1、ボリアミド、1穐素化ゴノ・な
どの絶縁性(h(脂、あるいれポリー■−ビニルカルバ
ゾール、ホリヒニルアントラセ7、ポリヒニルビ゛l/
ンなどのイT 4j;4γ乙”;’S tti、性ポリ
マーを挙げることかで尊る。
電荷φii送層は、電荷キャリアを輸込できる限界があ
るので、心安以上に脱19を)’i くすることができ
ない。一般的には、5ミクロン〜30ミクロンであるが
、好捷しい範1囲は8εクロン〜20ばクロンである。
るので、心安以上に脱19を)’i くすることができ
ない。一般的には、5ミクロン〜30ミクロンであるが
、好捷しい範1囲は8εクロン〜20ばクロンである。
塗工によって市、6む輸送1角を形成する際には、nt
ノ述した様な適当なコーティング法を用いることができ
る。
ノ述した様な適当なコーティング法を用いることができ
る。
この様な?I?、 4::+発生層と重石輸送1.yj
の積す、y、G +M造からなる感)’e ′If4は
、導1!a層を有する糸体の上に設けられろ。導′屯層
を有する。’?; (トと1.でIt〜、基体自体が導
電1性をもつもの、例えIr、l:’ アルミニウム、
アルミニウム合金、銅、亜f:’+ %ステンレス、バ
ナジウノ・、モリブテン、クロム、チタン、ニッケル、
インジウム、金や白金などを用いるこトナでき、その他
にアルばニウム、 Tルd = ラム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
類別υ−によって力9膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエチレンブレツクレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど)、導1,1..;性粒j−
(911えは、カーボンブラック、銀粒子など)を適当
なパイ/ター古ともにプラスチックの」―にlt ff
、dした基体、導電性粒子をプラスチック−や紙に5浸
(7た基Gkや、導電性ポリマーを有するプラスチック
などを用いることができる。
の積す、y、G +M造からなる感)’e ′If4は
、導1!a層を有する糸体の上に設けられろ。導′屯層
を有する。’?; (トと1.でIt〜、基体自体が導
電1性をもつもの、例えIr、l:’ アルミニウム、
アルミニウム合金、銅、亜f:’+ %ステンレス、バ
ナジウノ・、モリブテン、クロム、チタン、ニッケル、
インジウム、金や白金などを用いるこトナでき、その他
にアルばニウム、 Tルd = ラム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
類別υ−によって力9膜形成された層を有するプラスチ
ック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエチレンブレツクレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど)、導1,1..;性粒j−
(911えは、カーボンブラック、銀粒子など)を適当
なパイ/ター古ともにプラスチックの」―にlt ff
、dした基体、導電性粒子をプラスチック−や紙に5浸
(7た基Gkや、導電性ポリマーを有するプラスチック
などを用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機酊;と接1’j(
−’Q能をもつ下引層を設0ることイ、できる。下引1
4ij2、カセイン、ホ゛リビニルアルコール、ニトロ
セルロース、エチレン−アクリル酸” ;N ’Jママ
−,(七り”r6F(ナイロン6、ナイロン66、ノー
イロン610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナ
イロンなど)ポリウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウ
ムなどによって肘成できる。
−’Q能をもつ下引層を設0ることイ、できる。下引1
4ij2、カセイン、ホ゛リビニルアルコール、ニトロ
セルロース、エチレン−アクリル酸” ;N ’Jママ
−,(七り”r6F(ナイロン6、ナイロン66、ノー
イロン610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナ
イロンなど)ポリウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウ
ムなどによって肘成できる。
[用層の;回J’A It、0.1ミクロン−5ミクr
フン、好’t: L < it 0.5ミクロン−6ミ
クロ/が適当である。
フン、好’t: L < it 0.5ミクロン−6ミ
クロ/が適当である。
導11L層、 ′小、?・Jイi)′:1:’、 i鱒
、 ’il+’、 ’?’l kll 汁(1冒の11
百に二(貞J曽した感光体をjji2用する場合(〆(
二:1いて篭荷輸送物乃、が1(K、子1鳴送性’+j
l 、7JjからなるときVll、′重荷9油送’?+
”iQ而を正にイiV ’In’、 −j ;b必を
か、rsす、イtF Rf、 K i4光・J゛ると露
光部では正向うれ主層(〆Cおいて生成した電子が准荷
輸送1曽に注入され、そのあと表面に達し−c JE
r[i、 f:Jを中和し、表面屯f+’lの減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じろ。
、 ’il+’、 ’?’l kll 汁(1冒の11
百に二(貞J曽した感光体をjji2用する場合(〆(
二:1いて篭荷輸送物乃、が1(K、子1鳴送性’+j
l 、7JjからなるときVll、′重荷9油送’?+
”iQ而を正にイiV ’In’、 −j ;b必を
か、rsす、イtF Rf、 K i4光・J゛ると露
光部では正向うれ主層(〆Cおいて生成した電子が准荷
輸送1曽に注入され、そのあと表面に達し−c JE
r[i、 f:Jを中和し、表面屯f+’lの減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じろ。
この様にしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現像
すれば可視像がイl)ら7する。これを直接定×1する
か、あるいはトナーr雀を紙やプラスチックフィルム等
に転写後、現f’J L J’J: it ′□をン・
ことができる。
すれば可視像がイl)ら7する。これを直接定×1する
か、あるいはトナーr雀を紙やプラスチックフィルム等
に転写後、現f’J L J’J: it ′□をン・
ことができる。
また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法も、!−fl 、;h。JIl像
剤の種類や現像方法、定着方法は公知〈7)ものや公知
の方法のいずれを採用しても1:1く、lt′I定のも
のに限定されるもので1、ない。
現像し、定着する方法も、!−fl 、;h。JIl像
剤の種類や現像方法、定着方法は公知〈7)ものや公知
の方法のいずれを採用しても1:1く、lt′I定のも
のに限定されるもので1、ない。
一方、電荷輸送物T(が正孔輸送物′L!!から成る場
合、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後
、露光すると露光部で銖1.市荷発生層において生成し
だ止孔が’fIt、荷Φ[1ζ送j揮1c Fl:入さ
れ、その後表面に達して置型り1を中第11シ、メ・而
″Nす1位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。現像時にfd: t*子輸送物T1を用
いた場合とは逆に正電荷性トナーを月4いろ必Vがネ)
る0 本発明の別の具体例としては、111辻の有機光導TI
J、体を電荷輸送物質とともに同一層に2有させた電子
写真感光体を挙けることができる。このFll、■〕・
1ごの111.イ゛j工4・1・1Jべ物゛1′1の佃
にボυ−トコーヒごルカルバゾールトトりごトロフルメ
レノンから;する′「)礼荷移動錯化合’l:14+を
用いるこ七かできる・このイろ11の11¥1子二も′
〆I感毘f・冒1. 、 Ql izl・の11()、
≧光導1F〔体と電41ス移動釦化イ(物4・テトラ上
1−ロフラノに泪解されたポリエステル俗液中に分散さ
せたA4;l: s被1jす形成させて3J・1製でき
る。
合、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後
、露光すると露光部で銖1.市荷発生層において生成し
だ止孔が’fIt、荷Φ[1ζ送j揮1c Fl:入さ
れ、その後表面に達して置型り1を中第11シ、メ・而
″Nす1位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。現像時にfd: t*子輸送物T1を用
いた場合とは逆に正電荷性トナーを月4いろ必Vがネ)
る0 本発明の別の具体例としては、111辻の有機光導TI
J、体を電荷輸送物質とともに同一層に2有させた電子
写真感光体を挙けることができる。このFll、■〕・
1ごの111.イ゛j工4・1・1Jべ物゛1′1の佃
にボυ−トコーヒごルカルバゾールトトりごトロフルメ
レノンから;する′「)礼荷移動錯化合’l:14+を
用いるこ七かできる・このイろ11の11¥1子二も′
〆I感毘f・冒1. 、 Ql izl・の11()、
≧光導1F〔体と電41ス移動釦化イ(物4・テトラ上
1−ロフラノに泪解されたポリエステル俗液中に分散さ
せたA4;l: s被1jす形成させて3J・1製でき
る。
いずれの感光体においても、月]いるja’+科tよ一
般式(1)で示されるジスアゾ顔料からA(はれる少な
くとも1fIII類のII料を含廟(7、必要に応じて
光吸収の異なるf′rt料を糾合ぜで1史月1しだ感光
体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体をイU
るなどの目的で一般式(1)て示されろジスアゾ顔料を
2匈類以上組合せ7’j 、’J %聾た(・」、公知
の染料、顔料から選はれた箱、荷発生物賀と絹0せて使
用す56ととも可能、であ、4)9、本発明により提供
される電子写真感光体は歯。
般式(1)で示されるジスアゾ顔料からA(はれる少な
くとも1fIII類のII料を含廟(7、必要に応じて
光吸収の異なるf′rt料を糾合ぜで1史月1しだ感光
体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体をイU
るなどの目的で一般式(1)て示されろジスアゾ顔料を
2匈類以上組合せ7’j 、’J %聾た(・」、公知
の染料、顔料から選はれた箱、荷発生物賀と絹0せて使
用す56ととも可能、であ、4)9、本発明により提供
される電子写真感光体は歯。
子写A複写根に第11用するのみならず、レー→ノーー
プリンターやCRTプリンター等の′Plf、十写真応
用分野にも広く用いろことができる。
プリンターやCRTプリンター等の′Plf、十写真応
用分野にも広く用いろことができる。
′!f、′lr、、本発明の有機光導′成体は、前述の
電子写真感光体の他に、太陽電池や光センサーに7+’
4いることもできる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムによって前述の有機光嗜絶体をサンド
イッチすることによって調製できる。
電子写真感光体の他に、太陽電池や光センサーに7+’
4いることもできる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムによって前述の有機光嗜絶体をサンド
イッチすることによって調製できる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例 1
アルば板上にカゼインのアンモニア水’M i(カモイ
ン11.2f、28%アンモニア水1グ、水222 m
e )をマイヤーバーで、乾燥後の膜jすが1.0iク
ロンとなる様に塗布し、乾燥し7た。
ン11.2f、28%アンモニア水1グ、水222 m
e )をマイヤーバーで、乾燥後の膜jすが1.0iク
ロンとなる様に塗布し、乾燥し7た。
次に、前記扮1示のジスアゾ顔FIAiのイj’ 49
に光導↑(L体5vを、エタノール95meKブチラー
ル樹脂(ブチラール化度63モル%)22を浴かした液
に加え、アトライターで2時間分散した〇この分散液を
先に形成したカー+rイン層のトに乾燥後の膜厚が0.
5ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して
電荷発生層を形成した。
に光導↑(L体5vを、エタノール95meKブチラー
ル樹脂(ブチラール化度63モル%)22を浴かした液
に加え、アトライターで2時間分散した〇この分散液を
先に形成したカー+rイン層のトに乾燥後の膜厚が0.
5ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して
電荷発生層を形成した。
次いで、構造式
のヒドラゾン什合物57とポリメチルメタクリL/
l・4!j4脂(数3「杓分子kloo、000)5y
をベノゼン73m(!に溶鉛し、こJlを市、荷発主層
の上に乾燥後の層厚が12ミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布し、乾燥してfj〒荷φ(1)送層を形成し
/ξ。
l・4!j4脂(数3「杓分子kloo、000)5y
をベノゼン73m(!に溶鉛し、こJlを市、荷発主層
の上に乾燥後の層厚が12ミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布し、乾燥してfj〒荷φ(1)送層を形成し
/ξ。
この様にし′C作成し7ヒ11f1子’IT、 、j#
j’ At+7光体を用ロ狛、イ共(株)製静t:(複
写紙f 験4?4 fh、 +、40del SP
−428を月1いてスタチック方式で−51CVでコロ
ナ帯電し、II>r 79’j T 1 [1秒間保持
しプコ747、照1)j 5 tIJKでノーF)
)”(’= L ’if? ′I+充 )j”1
1#−を i!”J べ A1.7帯’IW、 4’
41’ IP、とじ−t &、J:、4+X而屯f’、
i>、 (V (] )と1秒間暗減良さ一1j /(
、n、yyの電位を鴨(c減1机するに必要なt′^亀
礒(Eμ)を411(定した。
j’ At+7光体を用ロ狛、イ共(株)製静t:(複
写紙f 験4?4 fh、 +、40del SP
−428を月1いてスタチック方式で−51CVでコロ
ナ帯電し、II>r 79’j T 1 [1秒間保持
しプコ747、照1)j 5 tIJKでノーF)
)”(’= L ’if? ′I+充 )j”1
1#−を i!”J べ A1.7帯’IW、 4’
41’ IP、とじ−t &、J:、4+X而屯f’、
i>、 (V (] )と1秒間暗減良さ一1j /(
、n、yyの電位を鴨(c減1机するに必要なt′^亀
礒(Eμ)を411(定した。
さらに、絆り)Ip−L I蜜月1した時の明部由5位
と11ト1部i(を缶の変動をa!I+定−16ために
、本′已繍例で作成した感光体を−5,6KVのコロナ
帝′亀器%露光量12 tux−sθCのムλ光尤学系
、現像器、転写’:If電器、除電露光光学系」−よび
クリーナーを1局えた重子゛り真沖写(を−のシリンダ
ーに貼り付けた。
と11ト1部i(を缶の変動をa!I+定−16ために
、本′已繍例で作成した感光体を−5,6KVのコロナ
帝′亀器%露光量12 tux−sθCのムλ光尤学系
、現像器、転写’:If電器、除電露光光学系」−よび
クリーナーを1局えた重子゛り真沖写(を−のシリンダ
ーに貼り付けた。
この複写機は、シリンダーの駆動に伴い、転写紙上に画
像がイ!Iら!する構成になっている。この複写枦を用
いて、初期の明B1(電(i)(v、、)と暗部電位(
VD)および500 [11Lij便月4した銑の明部
41位(Vt、)と暗部電位(VD)を11111定し
た。この結果を次に示す。
像がイ!Iら!する構成になっている。この複写枦を用
いて、初期の明B1(電(i)(v、、)と暗部電位(
VD)および500 [11Lij便月4した銑の明部
41位(Vt、)と暗部電位(VD)を11111定し
た。この結果を次に示す。
V□ニー600ボルト
Fil、4 ’ 5.5 tux−eOc実施例 2〜
14 実施例1で用いたジスアゾ顔料に代えてREI il。
14 実施例1で用いたジスアゾ顔料に代えてREI il。
例示のジスアゾ顔料A2〜14を用いたにかは、全〈実
施例1と同様の方法で笛子写真、感光体を作成した。
施例1と同様の方法で笛子写真、感光体を作成した。
各感光体の缶型特性と耐久特性を実施例1と同様の)j
法C・ζよっでd((1定L 7’。こ〕1らの結、f
A′:否決に示す。
法C・ζよっでd((1定L 7’。こ〕1らの結、f
A′:否決に示す。
2 −600 4.4 −600 −20 −62
0−30(2) 3 610 4.6 −−62[J 25 6
1[J 31J(6) A −5904,75145−ンU
−6oIJ −4Ll(4) 5 −5su 5.0−610−3(+ −6
30−40(5) 6 −6110 45 −620 −311 −6
40−40(6) 7 600 4.3 −60(J −20601
J −55(71 8−6105,0−590−〕Ll −6L][J
−5tJ(8) 9 −610 5.5 −580 −25 −59
0−30(9) (14) 実施例 15 実施例1で伯成した電荷発生層の上に、 2,4.7−
ドリニトロー9−フルオレツノ52とポリ−4,4’−
s;オキシジフェニル−2,2−フロバンカーボネート
(分子k:300,0DD)5fkデ) 7 ヒドロフ
ランフ(Jm/に俗解して作+jtj L ′fr塗布
7゛俸を乾燥後の学工端がi0P/m2となる(」に塗
布し、乾燥した。
0−30(2) 3 610 4.6 −−62[J 25 6
1[J 31J(6) A −5904,75145−ンU
−6oIJ −4Ll(4) 5 −5su 5.0−610−3(+ −6
30−40(5) 6 −6110 45 −620 −311 −6
40−40(6) 7 600 4.3 −60(J −20601
J −55(71 8−6105,0−590−〕Ll −6L][J
−5tJ(8) 9 −610 5.5 −580 −25 −59
0−30(9) (14) 実施例 15 実施例1で伯成した電荷発生層の上に、 2,4.7−
ドリニトロー9−フルオレツノ52とポリ−4,4’−
s;オキシジフェニル−2,2−フロバンカーボネート
(分子k:300,0DD)5fkデ) 7 ヒドロフ
ランフ(Jm/に俗解して作+jtj L ′fr塗布
7゛俸を乾燥後の学工端がi0P/m2となる(」に塗
布し、乾燥した。
こうして作成したηj5子写JI−感光付を実施例1と
I?J杵の方法で(ff電σ4り定を行なった。このH
I3、帯電極性に[■とした。この結果を次に73<す
。
I?J杵の方法で(ff電σ4り定を行なった。このH
I3、帯電極性に[■とした。この結果を次に73<す
。
VO:+610ボルト
KI7. : 4.41+u、x9qec初期暗H+s
tH位VD ’ + 62 [Jホ# )初期明部霜
、位V)、:+30ボルト 5000 tDIIFII久r& ノ暗部’r4j−’
f+’LV+> : + 610 ホル)5000回
耐久gの明部”%、f、ivL: −1−4[1ポルト
実施例 16 アルミ蒸治ポリエチレノテレフタレ−1−フィルムのア
ルミ向上にB’1hJrl−t i sクロノのポリヒ
ニルアルコールのネIl/I+’;j、全形成しプこ。
tH位VD ’ + 62 [Jホ# )初期明部霜
、位V)、:+30ボルト 5000 tDIIFII久r& ノ暗部’r4j−’
f+’LV+> : + 610 ホル)5000回
耐久gの明部”%、f、ivL: −1−4[1ポルト
実施例 16 アルミ蒸治ポリエチレノテレフタレ−1−フィルムのア
ルミ向上にB’1hJrl−t i sクロノのポリヒ
ニルアルコールのネIl/I+’;j、全形成しプこ。
次に、@!極作例1用いたジス丁ゾff1l料の分散p
を先に形成したポリヒニルアルコールIfi (’)
上に、IiIン燥後のaaj J!Iが05ミクロ/と
なる様にマイヤーバーで塗布し2、乾外しで電4°fさ
1ν1″1qを形成し/ζ。
を先に形成したポリヒニルアルコールIfi (’)
上に、IiIン燥後のaaj J!Iが05ミクロ/と
なる様にマイヤーバーで塗布し2、乾外しで電4°fさ
1ν1″1qを形成し/ζ。
のピラゾリ/化イーH!吻51.J:ポリ゛rリレー)
1’11 脂(ビスフェノールAとデレフクルj’+
、−イソフタルr′vグの縮重合イト・)sy*・デト
ラヒトロフラノ70m1!に咎・1かした(1(ヲ↑(
〜イ”I <+ii j4= l曽の」二に乾燥缶・の
膜J9が10iクロ/となる様に?六布(7、乾ヅ朶]
2て電断輸送−を形成し7た。
1’11 脂(ビスフェノールAとデレフクルj’+
、−イソフタルr′vグの縮重合イト・)sy*・デト
ラヒトロフラノ70m1!に咎・1かした(1(ヲ↑(
〜イ”I <+ii j4= l曽の」二に乾燥缶・の
膜J9が10iクロ/となる様に?六布(7、乾ヅ朶]
2て電断輸送−を形成し7た。
こう1−7で、i1M製した感光、イトのイi、71j
、 If−: (′lおよび面1久1!、性をυ゛施何
例1同様の方法によって測定しA−0この結、!15全
次に示す。
、 If−: (′lおよび面1久1!、性をυ゛施何
例1同様の方法によって測定しA−0この結、!15全
次に示す。
V(1: −580ボルト
PH: 4.07ox0+qec
初期暗部布位vD : −590ボルト初期明部篭位V
l、: −20ボルト 5 D 001LII耐久拶の暗>X+<宵、位VI3
’ 600ボツ1川500 [)IDItlj(人
後の明R1t t1位VI、: −40ボルト実施例
17 Jワさ100ばクロンルのTルミ根I−にカギインのア
ンモニア水浴液を塗布し、乾燥【7て勝Jす1.1コク
ロンの下引層を形成、した。
l、: −20ボルト 5 D 001LII耐久拶の暗>X+<宵、位VI3
’ 600ボツ1川500 [)IDItlj(人
後の明R1t t1位VI、: −40ボルト実施例
17 Jワさ100ばクロンルのTルミ根I−にカギインのア
ンモニア水浴液を塗布し、乾燥【7て勝Jす1.1コク
ロンの下引層を形成、した。
次に、2.4.7− )リートロー9−フルオレノン5
1とポリ−)夏−ビニルカルノ2ゾール(数’l′均分
子躯300,000)5Fをデトラヒ、トロフラッフ0
meに溶かして+4’1.り■、移動印11化合物を形
成した。
1とポリ−)夏−ビニルカルノ2ゾール(数’l′均分
子躯300,000)5Fをデトラヒ、トロフラッフ0
meに溶かして+4’1.り■、移動印11化合物を形
成した。
この電荷移動錯化合物と前記例示のシフアゾ顔料扁1の
光導電体1vを、ポリエステル401脂(パイロン:東
洋助層)52をデトラヒドロフラン70m1に溶かした
液に加え、分散した。この分醇液を下引層の十に乾燥後
の膜ノ9が12εクロンとなる様に塗布し、乾燥した。
光導電体1vを、ポリエステル401脂(パイロン:東
洋助層)52をデトラヒドロフラン70m1に溶かした
液に加え、分散した。この分醇液を下引層の十に乾燥後
の膜ノ9が12εクロンとなる様に塗布し、乾燥した。
こうした調製した感光体の帯ih傷性とh11久特性を
実施例1と同様の方法によって?l1ll定した。
実施例1と同様の方法によって?l1ll定した。
この結果を次に示1″。但し、’Ar畢、極付は由とし
た。
た。
V□:+590ボルト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式(1)で示す有機光導電1体、N=N−A 式中人は芳香族性を有するカプラー成分を表わす0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14169082A JPS5931962A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 有機光導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14169082A JPS5931962A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 有機光導電体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5931962A true JPS5931962A (ja) | 1984-02-21 |
JPH0441342B2 JPH0441342B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=15297946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14169082A Granted JPS5931962A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 有機光導電体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5931962A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62127845A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH01183663A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH0263062A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
EP0655655A1 (en) * | 1993-10-04 | 1995-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus which employs the same |
WO1998018764A1 (de) * | 1996-10-28 | 1998-05-07 | Merck Patent Gmbh | Dihydrobenzoanthracenone, -pyrimidinone oder dihydronaphthochinolinone |
US6465143B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
US6773856B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7097950B2 (en) | 2004-05-27 | 2006-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US8481236B2 (en) | 2009-04-23 | 2013-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US8617777B2 (en) | 2009-08-18 | 2013-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
US8865381B2 (en) | 2009-04-23 | 2014-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, method for producing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
-
1982
- 1982-08-17 JP JP14169082A patent/JPS5931962A/ja active Granted
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0549103B2 (ja) * | 1985-11-29 | 1993-07-23 | Canon Kk | |
JPH01183663A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH052984B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1993-01-13 | Canon Kk | |
JPH0263062A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH0549228B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1993-07-23 | Canon Kk | |
EP0655655A1 (en) * | 1993-10-04 | 1995-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus which employs the same |
WO1998018764A1 (de) * | 1996-10-28 | 1998-05-07 | Merck Patent Gmbh | Dihydrobenzoanthracenone, -pyrimidinone oder dihydronaphthochinolinone |
US6465143B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
US6773856B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7097950B2 (en) | 2004-05-27 | 2006-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7452644B2 (en) | 2004-05-27 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
EP2264539A1 (en) | 2004-05-27 | 2010-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US8481236B2 (en) | 2009-04-23 | 2013-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
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