JPS59175132A - テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 - Google Patents
テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法Info
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- JPS59175132A JPS59175132A JP58048215A JP4821583A JPS59175132A JP S59175132 A JPS59175132 A JP S59175132A JP 58048215 A JP58048215 A JP 58048215A JP 4821583 A JP4821583 A JP 4821583A JP S59175132 A JPS59175132 A JP S59175132A
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- tape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープキャリア方式による半導体装置の製造方
法にかかシ、特にテープキャリア内に組立てられた半導
体装置を打抜き、外部リード基板（ＯＬＢ基板）に接続
する半導体装置の製造方法に関する。
法にかかシ、特にテープキャリア内に組立てられた半導
体装置を打抜き、外部リード基板（ＯＬＢ基板）に接続
する半導体装置の製造方法に関する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来一般的なテープキャリ
ア方式によるアウターリードボンディングの工程原理図
である。図において１はテープキャリアー、２はテープ
キャリア内に組立てられたインナーリードボンディング
後の半導体装置、３はテープキャリヤー内の半導体装置
をアウターリード範囲内で打抜くポンチであり、４は同
じくダイである。５は打抜かれた半導体装置をアウター
リードボンディングするＯＬＢ基板であシ、６はそのボ
ンディングツールである。
ア方式によるアウターリードボンディングの工程原理図
である。図において１はテープキャリアー、２はテープ
キャリア内に組立てられたインナーリードボンディング
後の半導体装置、３はテープキャリヤー内の半導体装置
をアウターリード範囲内で打抜くポンチであり、４は同
じくダイである。５は打抜かれた半導体装置をアウター
リードボンディングするＯＬＢ基板であシ、６はそのボ
ンディングツールである。
ボンディング工程は、先ずテープキャリヤー１から半導
体装置２を打抜きポンチ３とダイ４とによシ打抜かれる
。その後そのままの状態を保持しなから打抜ポンチ３を
上昇させ、あらかじめ所定の位置に送られてきているＯ
ＬＢ基板５のボンティング位置に突き合わせられる。こ
の状態でボンディングツール６が下降してボンディング
が行なわれる。ボンディングが完了するとボンディング
ツール６は上昇し、打抜ポンチ３は下降する。梃にテー
プキャリア１とＯＬＢ基板５はそれぞれ送られこれらの
工程が連続繰返されることになる。
体装置２を打抜きポンチ３とダイ４とによシ打抜かれる
。その後そのままの状態を保持しなから打抜ポンチ３を
上昇させ、あらかじめ所定の位置に送られてきているＯ
ＬＢ基板５のボンティング位置に突き合わせられる。こ
の状態でボンディングツール６が下降してボンディング
が行なわれる。ボンディングが完了するとボンディング
ツール６は上昇し、打抜ポンチ３は下降する。梃にテー
プキャリア１とＯＬＢ基板５はそれぞれ送られこれらの
工程が連続繰返されることになる。
以上従来の方式では、打抜ポンチそのものが一方のボン
ディングツールを兼ねている為、ボンディングの際はツ
ール先端は３００℃程度になり熱膨張を生じる。３５μ
ｍ程（Ｗの厚さのアウターリードを精度良くシャープに
打抜く為のダイとポンチのクリアランスは５μｍ以下で
あり、非加熱と同等のこのクリアランスではポンチが動
かなくなってしまう現象が発生しやすいという問題をか
かえている。この為熱的変化を見込んだ打抜型の設計、
製作がポイントであり使用上もこの部分の厳重な管理が
ひじように難かしくなるという問題点を含んでいる。更
にこの方式では、ＯＬＢ基板とテープキャリアの位置関
係はそれぞれの送り穴やパーフォレーションの精度に依
存してお多本方式では位置整合動作はやられていない。
ディングツールを兼ねている為、ボンディングの際はツ
ール先端は３００℃程度になり熱膨張を生じる。３５μ
ｍ程（Ｗの厚さのアウターリードを精度良くシャープに
打抜く為のダイとポンチのクリアランスは５μｍ以下で
あり、非加熱と同等のこのクリアランスではポンチが動
かなくなってしまう現象が発生しやすいという問題をか
かえている。この為熱的変化を見込んだ打抜型の設計、
製作がポイントであり使用上もこの部分の厳重な管理が
ひじように難かしくなるという問題点を含んでいる。更
にこの方式では、ＯＬＢ基板とテープキャリアの位置関
係はそれぞれの送り穴やパーフォレーションの精度に依
存してお多本方式では位置整合動作はやられていない。
しかし実際はものによってはそれぞれの送シ穴やパーフ
ォレーションだけによる位置決めでは不十分である程度
位置補正を必要としているのが現状であり本方式ではこ
れが補なうことができないでいる。またボンディング形
態がＯＬＢ基板の裏面からのボンディングツールの加熱
というととてボンディング性についても問題が残る。以
上本方式には多くの問題が解決されずに残シ更に全自動
化をもむずかしくしているのが現状であった。
ォレーションだけによる位置決めでは不十分である程度
位置補正を必要としているのが現状であり本方式ではこ
れが補なうことができないでいる。またボンディング形
態がＯＬＢ基板の裏面からのボンディングツールの加熱
というととてボンディング性についても問題が残る。以
上本方式には多くの問題が解決されずに残シ更に全自動
化をもむずかしくしているのが現状であった。
本発明は、以上の問題に対処してなされたもので、テー
プキャリア内の半導体装置の打抜工程と、その半導体装
置をＯＬＢ基板に接続する工程とを分離させると共に、
位置整合を可能にし目合わせを簡易化し信頼性の優れた
テープキャリア方式による半導体装置の製造方法を提供
するものである。
プキャリア内の半導体装置の打抜工程と、その半導体装
置をＯＬＢ基板に接続する工程とを分離させると共に、
位置整合を可能にし目合わせを簡易化し信頼性の優れた
テープキャリア方式による半導体装置の製造方法を提供
するものである。
本発明の特徴は、テープキャリア内に組立てられた半導
体装置を打抜き、外部リード基板（ＯＬＢ基板）に接続
する工程を連続して行なうテープキー５− ャリア方式による半導体装置の製造方法に於て、テープ
キャリア内に形成されたリードフレームのインナーリー
ドとチップの電極とを接続したインナーリードボンディ
ング後のテープを所定位置に搬送及び位置決め保持する
工程と、該テープのアクタ−リード範囲内で半導体装置
を打抜く工程上、打抜かれた半導体装置をボンディング
ステージの所定位置に移送する工程と、該位置で真空吸
着保持する工程と、打抜かれた半導体装置、ＯＬＢ基板
及びボンディングツールをそのうちの１つを基準として
位置整合する工程とを含むテープキャリア方式による半
導体装置の製造方法にある。
体装置を打抜き、外部リード基板（ＯＬＢ基板）に接続
する工程を連続して行なうテープキー５− ャリア方式による半導体装置の製造方法に於て、テープ
キャリア内に形成されたリードフレームのインナーリー
ドとチップの電極とを接続したインナーリードボンディ
ング後のテープを所定位置に搬送及び位置決め保持する
工程と、該テープのアクタ−リード範囲内で半導体装置
を打抜く工程上、打抜かれた半導体装置をボンディング
ステージの所定位置に移送する工程と、該位置で真空吸
着保持する工程と、打抜かれた半導体装置、ＯＬＢ基板
及びボンディングツールをそのうちの１つを基準として
位置整合する工程とを含むテープキャリア方式による半
導体装置の製造方法にある。
又、本発明は半導体装置、ＯＬＢ基板及びボンディング
ツールをそのうちの１つを基準として位置整合せしめる
工程が、ボンディング位置に送られたＯＬＢ基板のある
任意な２点以上のパターンを検出カメラを移動しその位
置を認識する工程と、上記ＷＪｌ＆しｆｃＯＬＢ基板の
ボンディング部にボンディングツールを位置整合せしめ
る工程と、ボンディングステージに移送された半導体装
置のアウ６− ターリード又は、アウターリード（インナーリード）内
に形成されたパターンのある任意な２点以上のパターン
を認識し先に認識したＯＬＥ基板のボンディング基準位
置からのずれ量を検出し半導体装置をＯＬＢ基板のボン
ディング部に位置整合せしめる工程とを含むことを特徴
とする前記せるテープキャリア方式による半導体装置の
製造方法にある。
ツールをそのうちの１つを基準として位置整合せしめる
工程が、ボンディング位置に送られたＯＬＢ基板のある
任意な２点以上のパターンを検出カメラを移動しその位
置を認識する工程と、上記ＷＪｌ＆しｆｃＯＬＢ基板の
ボンディング部にボンディングツールを位置整合せしめ
る工程と、ボンディングステージに移送された半導体装
置のアウ６− ターリード又は、アウターリード（インナーリード）内
に形成されたパターンのある任意な２点以上のパターン
を認識し先に認識したＯＬＥ基板のボンディング基準位
置からのずれ量を検出し半導体装置をＯＬＢ基板のボン
ディング部に位置整合せしめる工程とを含むことを特徴
とする前記せるテープキャリア方式による半導体装置の
製造方法にある。
以下図面を参照して本発明の詳細について説明する。第
２図及び第３図は本発明の一実施例のシステム説明図で
ある。図において７は、テープキャリア内の半導体装置
をアウターリード範囲内で打抜いた半導体装置２をボン
ディングステージの所定位置に移送する移送システムで
あわ、８はそのボンディングステージの半導体装置保持
部、９は前記半導体装置の位置整合用ＸＹ ステージ
１０はＸＹに可動な位置検出カメラ、１１はＯＬＢ基板
のガイドである。
２図及び第３図は本発明の一実施例のシステム説明図で
ある。図において７は、テープキャリア内の半導体装置
をアウターリード範囲内で打抜いた半導体装置２をボン
ディングステージの所定位置に移送する移送システムで
あわ、８はそのボンディングステージの半導体装置保持
部、９は前記半導体装置の位置整合用ＸＹ ステージ
１０はＸＹに可動な位置検出カメラ、１１はＯＬＢ基板
のガイドである。
次に動作並びに製造方法につき説明する。先ずテープキ
ャリア内に形成されたリードフレームのインナーリード
とチップの電極とを接続したインナーリードボンディン
グ後のテープ１が所定位置に搬送及び位置決め保持が行
なわれる。次に打抜ポンチ３が上昇していき打抜ダイ４
との切断動作により、前記テープ１のアウターリード範
囲内で打抜かれる。この時打抜かれた半導体装置２は、
打抜ポンチ３の先端の真空吸着保時孔によりその鷹まの
状態を保持しながら更に所定の位置まで上昇して第２図
の様になる。この時半導体装置２の上部に待ちかまえて
いる移送システム７の先端にて真空吸着し容易にボンデ
ィングステージの半導体装置保持部８に移送することが
できる。半導体装置保持部８には保持用の真空吸引口が
設けられておりそれにより半導体装置では固定保時され
る。
ャリア内に形成されたリードフレームのインナーリード
とチップの電極とを接続したインナーリードボンディン
グ後のテープ１が所定位置に搬送及び位置決め保持が行
なわれる。次に打抜ポンチ３が上昇していき打抜ダイ４
との切断動作により、前記テープ１のアウターリード範
囲内で打抜かれる。この時打抜かれた半導体装置２は、
打抜ポンチ３の先端の真空吸着保時孔によりその鷹まの
状態を保持しながら更に所定の位置まで上昇して第２図
の様になる。この時半導体装置２の上部に待ちかまえて
いる移送システム７の先端にて真空吸着し容易にボンデ
ィングステージの半導体装置保持部８に移送することが
できる。半導体装置保持部８には保持用の真空吸引口が
設けられておりそれにより半導体装置では固定保時され
る。
一方ＯＬＢ基板５はＯＬＢ基板ガイド１１の所定の位置
に搬送位置決めピン及び保持パッド等により固定されて
いる。本発明の一実施例においてはＯＬＢ基板を固定し
これに半導体装置及びボンディングツール６を整合せし
める。
に搬送位置決めピン及び保持パッド等により固定されて
いる。本発明の一実施例においてはＯＬＢ基板を固定し
これに半導体装置及びボンディングツール６を整合せし
める。
すなわちＯＬＢ基板５が固定されるとボンディング位置
上部に設置されているＸＹステージ（図示せず）によシ
可動な位置検出カメラ１ｏはＯＬＥ基板の基準位置に整
合する。ＯＬＥ基板の検出は基板の回路パターン等のあ
る任意の２点以上のパターンを認識することによシ容易
に位置を検出できる。また、半導体装置保持部に固定さ
れている半導体装置は半導体装置の回路パターン又は、
アウターリード部の２点以上の該当位置を認識すること
によシ基準位置とのずれ量が検出されＸＹの位置調整用
ステージ９によ、９０ＬＢ基板に対する位置整合が実施
される。一方、ボンディングツール６はボンディング時
に検出時のカメラ位置に合うよう、すなわちＯＬＢ基板
の位置に整合するようＸＹステージが駆動し、整合位置
でボンディングツールが下降しボンディングされる。
上部に設置されているＸＹステージ（図示せず）によシ
可動な位置検出カメラ１ｏはＯＬＥ基板の基準位置に整
合する。ＯＬＥ基板の検出は基板の回路パターン等のあ
る任意の２点以上のパターンを認識することによシ容易
に位置を検出できる。また、半導体装置保持部に固定さ
れている半導体装置は半導体装置の回路パターン又は、
アウターリード部の２点以上の該当位置を認識すること
によシ基準位置とのずれ量が検出されＸＹの位置調整用
ステージ９によ、９０ＬＢ基板に対する位置整合が実施
される。一方、ボンディングツール６はボンディング時
に検出時のカメラ位置に合うよう、すなわちＯＬＢ基板
の位置に整合するようＸＹステージが駆動し、整合位置
でボンディングツールが下降しボンディングされる。
以上のとおり本発明によれば打抜工程と接続工程を分離
させたことにより先ず問題になっていた打抜ポンチの熱
膨張により打抜部が動がなくなるという問題、又、ボン
ディングツール、ＯＬＢ基板及び半導体装置の位置整合
は従来は、テープの９− パーフォレーションの精度やＯＬＢ基板の送り穴のｆ＃
度だけに依存してお多位置整合動作が不可能であったこ
とに対し打抜かれた半導体装置及びボンティングツール
を整合させることが可能になったこと、更にボンディン
グ形態が従来の様にＯＬＢ基板の裏面からのボンディン
グではなく、アウターリード側からの熱圧着の為すぐれ
たボンディング性を得られること、及び最終的に実施例
で説明したように全自動化を可能にしているものである
。
させたことにより先ず問題になっていた打抜ポンチの熱
膨張により打抜部が動がなくなるという問題、又、ボン
ディングツール、ＯＬＢ基板及び半導体装置の位置整合
は従来は、テープの９− パーフォレーションの精度やＯＬＢ基板の送り穴のｆ＃
度だけに依存してお多位置整合動作が不可能であったこ
とに対し打抜かれた半導体装置及びボンティングツール
を整合させることが可能になったこと、更にボンディン
グ形態が従来の様にＯＬＢ基板の裏面からのボンディン
グではなく、アウターリード側からの熱圧着の為すぐれ
たボンディング性を得られること、及び最終的に実施例
で説明したように全自動化を可能にしているものである
。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来のテープキャリア方式
による半導体装置の製造工程原理図、第２図及び第３図
は本発明の一実施例のシステム説明図であυ、第２図は
側面図、第３図は正面図の概略である。 同、図において１・・・・・・テープキャリアー、２・
・・・・・半導体装置、３・・・・・・打抜ポンチ、４
・・・・・・打抜ダイ、５・・・・・・ＯＬ Ｂ基板、
６・旧・・ボンディングツール、７・・・・・・移送シ
ステム、８・・・・・・半導体装置保持部、９・・・・
・・位置整合用ＸＹ ステージ、１ｏ・・団・＝１０
− 位置検出用カメラ、１１・・・・・・ＯＬＢ基板ガイド
である。 ８１囚
による半導体装置の製造工程原理図、第２図及び第３図
は本発明の一実施例のシステム説明図であυ、第２図は
側面図、第３図は正面図の概略である。 同、図において１・・・・・・テープキャリアー、２・
・・・・・半導体装置、３・・・・・・打抜ポンチ、４
・・・・・・打抜ダイ、５・・・・・・ＯＬ Ｂ基板、
６・旧・・ボンディングツール、７・・・・・・移送シ
ステム、８・・・・・・半導体装置保持部、９・・・・
・・位置整合用ＸＹ ステージ、１ｏ・・団・＝１０
− 位置検出用カメラ、１１・・・・・・ＯＬＢ基板ガイド
である。 ８１囚
Claims (2)
- （１）テープキャリア内に組立てられた半導体装置を打
抜き、外部リード基板に接続する工程を連続して行なう
テープキャリア方式による半導体装置の製造方法に於て
、テープキャリア内に形成されたリードフレームのイン
ナーリードとチップの電極とを接続したインナーリード
ボンディング後のテープを所定位置に搬送及び位置決め
保持する工程と、該テープのアウターリード範囲内で半
導体装置を打抜く工程と、打抜かれた半導体装置をボン
ディングステージの所定位置に移送する工程と、該位置
で真空吸着保時する工程と、打抜かれた半導体装置、外
部リード基板及びボンディングツールをそのうちの少く
とも１つを基準として位置整合する工程とを含むことを
特徴とするテープキャリア方式による半導体装置の製造
方法。 - （２）半導体装置、外部リード基板及びボンディングツ
ールをそのうちの少くとも１つを基準として位置整合せ
しめる工程が、ボンディング位置に送られた外部リード
基板のある任意な２点以上のパターンを検出カメラを移
動しその位置を認識し、該認識した外部リード基板のボ
ンディング部にボンディングツールを位置整合せしめ、
ボンディングステージに移送された半導体装置のアウタ
ーリードもしくは、アウターリードまたはインナーリー
ド内に形成されたパターンのある任意な２点以上のパタ
ーンを認識し、先に認識した外部リード基板のボンディ
ング基準位置からのずれ量を検出し、半導体装置を外部
リード基板のボンディング部に位置整合せしめる諸工程
を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載のテープキャリア方式による半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048215A JPS59175132A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048215A JPS59175132A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175132A true JPS59175132A (ja) | 1984-10-03 |
| JPH0212025B2 JPH0212025B2 (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=12797185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048215A Granted JPS59175132A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154196A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | 日本電気株式会社 | アウタ−リ−ドボンデイング装置 |
| JPS61166095A (ja) * | 1986-01-08 | 1986-07-26 | 日本電気株式会社 | アウターリードボンディング装置 |
| JPH0266997A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-07 | Toshiba Corp | 圧着方法及びその装置 |
| JP2007113914A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 液状態検知センサ |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443678A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor element bonding method and its bonding unit |
| JPS54134974A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Hitachi Ltd | Method and device for bonding on tape carrier system |
| JPS5548452A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-07 | Ishikawa Chuzosho:Kk | Manufacture of mold |
| JPS55125637A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS56164544A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Mounting device for semiconductor |
| JPS5712529A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film carrier type semiconductor mounting device |
| JPS5778161A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Punching and shaping device for carrier film |
| JPS57160135A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Shinkawa Ltd | Automatic bonding method for inner lead |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58048215A patent/JPS59175132A/ja active Granted
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443678A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor element bonding method and its bonding unit |
| JPS54134974A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Hitachi Ltd | Method and device for bonding on tape carrier system |
| JPS5548452A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-07 | Ishikawa Chuzosho:Kk | Manufacture of mold |
| JPS55125637A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS56164544A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Mounting device for semiconductor |
| JPS5712529A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film carrier type semiconductor mounting device |
| JPS5778161A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Punching and shaping device for carrier film |
| JPS57160135A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Shinkawa Ltd | Automatic bonding method for inner lead |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154196A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | 日本電気株式会社 | アウタ−リ−ドボンデイング装置 |
| JPH0466118B2 (ja) * | 1984-12-27 | 1992-10-22 | Nippon Denki Kk | |
| JPS61166095A (ja) * | 1986-01-08 | 1986-07-26 | 日本電気株式会社 | アウターリードボンディング装置 |
| JPH0453117B2 (ja) * | 1986-01-08 | 1992-08-25 | Nippon Denki Kk | |
| JPH0266997A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-07 | Toshiba Corp | 圧着方法及びその装置 |
| JP2007113914A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-05-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 液状態検知センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0212025B2 (ja) | 1990-03-16 |
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