JP2540954B2 - ボンディング方法及びその装置 - Google Patents

ボンディング方法及びその装置

Info

Publication number
JP2540954B2
JP2540954B2 JP1236545A JP23654589A JP2540954B2 JP 2540954 B2 JP2540954 B2 JP 2540954B2 JP 1236545 A JP1236545 A JP 1236545A JP 23654589 A JP23654589 A JP 23654589A JP 2540954 B2 JP2540954 B2 JP 2540954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
chip
tool
area
tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1236545A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0397239A (ja
Inventor
敬三 櫻井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP1236545A priority Critical patent/JP2540954B2/ja
Publication of JPH0397239A publication Critical patent/JPH0397239A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2540954B2 publication Critical patent/JP2540954B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はTAB(Tape Automated Bonding)方式の半
導体装置におけるボンディング方法及びその装置に関
し、特にフィルム状のテープの1ごまごとにインナーリ
ードを形成し、これら各こまに種々のチップサイズのIC
チップやまたは複数のICチップを搭載し、これらICチッ
プのバンプ電極とインナーリードとを接続するボンディ
ング方法及びその装置に関する。
〔従来の技術〕
一般に、TAB方式による半導体装置は、ポリイミド樹
脂や、ポリエステル樹脂製のフィルム状テープに、丁度
映画フィルムと同じように、テープの両側に送り用のス
プロケット穴を設け、中央に矩形状にテープを切り抜
き、そしてこれを1こまとして長手方向に多数のこまを
並べて形成する。また、これら各こま毎に、その切り抜
きの周囲から中央に向かって伸びるように印刷法により
複数本の導電体であるインナーリードを形成する。さら
に、これらのこま内に半導体チップであるICチップを搭
載し、インナーリードとICチップのバンプ電極を接続
し、これら1こまごと分離し、これをプリント基板や、
セラミック基板へ取り付けるか、あるいはICチップ部を
樹脂封止して半導体装置として完成していた。
また、この種の半導体装置の製造過程で、特に問題に
なるのが、前述のインナーリードとICチップのバンプ電
極との接続方法である。近年、ICチップの大型化に伴な
い、そのピン数が増加する傾向にある。すなわち、この
接続すべくバンプ電極とインナーリードの数が益々増加
してきた、このため、ピン数の対策としてテープを多層
構造にしたりして対処してきたが、それ以外の接続上の
問題がある。この接続の問題については種種の改善工夫
が施されてきた。
第7図は従来のボンディング装置のボンディングツー
ルとICチップ及びテープの一例を示す部分断面図、第8
図は第7図のICチップ及びテープの部分平面図である。
従来、この種のボンディング装置は、図面には示さない
が、例えば、第7図に示すようなボンディングツール6
を保持し、このボンディングツール6に加熱するヒータ
を内蔵するとともに押圧力を与える押圧力出力機構をも
つボンディングヘッドと、ICチップ及びテープを保持
し、これらの相対位置を合せる機構をもつステージ部
と、ICチップ及びテープをステージに供給するICチップ
供給部及びテープ供給部と、前記ヒータに電源を供給す
る電源部と、これら各部をシーケンス制御する制御装置
とから構成されていた。
このようなボンディング装置を用いたボンディング方
法は、例えば、第7図及び第8図に示すようなICチップ
2をテープ4のこま内に搭載し、バンプ電極21とインナ
ーリード3をボンディングする場合について説明する。
まず、テープ4をテープ供給部より送り、ステージ面に
その1こまを位置決めする。引続き、ICチップ供給部よ
りICチップを供給し、テープ4の一こま内にある切り抜
き穴に挿入し、ステージ上に載置する。次に、ステージ
を移動してICチップ2のバンプ電極21とインナーリード
3と位置合せを行なう。次に、第8図に示すように、ボ
ンディングツール6とICチップの全てのバンプ電極21を
含む領域と位置合せし、ボンディングツールを下降し、
ボンディング領域52を押圧することにより全数のバンプ
電極21とインナーリード3とを一度に接続していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のボンディング方法及びその装置では、
第7図のボンディングツール6の押圧面は、一度で、ボ
ンディング領域52を押すことにより、全てのインナーリ
ード3及びバンプ電極21をボンディングしているため、
これらに全てのインナーリード3及びバンプ電極21に対
して均一な押圧力を与える必要がある。しかしながら、
ボンディングツール6の押圧面が平坦であっても、この
インナーリード3とバンプ電極21の高さが全て同じでな
く、このため、ボンディングツール6の押圧面とバンプ
電極21を乗せたインナーリード3との面が平行でなけれ
ばならない。従って、このボンディング作業を始める前
には、これら面が平行にする平行度調整には、多大な調
整工数を必要としていた。特に、最近は、300ピンある
いは500ピンといった接続するバンプ電極が増加する
と、この問題は深刻な問題となった。
一方、ボンディングツールの押圧力に関しては、例え
ば、一つのバンプ電極当り100g程度とすると、300の電
極のあるICチップでは、30kg、500の電極のあるICチッ
プでは、50kgとなり、もし、前述の調整が不十分である
と、ボンディングツールの所謂片当り現象を起し、出張
りのあるバンプ電極に必要以上の押圧力が集中し、つい
には、バンプ電極に座屈を起し破壊される問題が起る。
また、バンプ電極の高さが低い場合は、接続されなく、
均一な接続が得られないという問題もある。
また、最近、一つのテープに異なるチップサイズのIC
チップを搭載し、ハイブリット化の傾向があり、このよ
うに、ICチップの形状及び寸法が変更される場合は、そ
れぞれのボンディングツールを用意しなければならない
ばかりか、前述したような各々のボンディングスールの
調整を必要とし、さらに、交換時毎にも調整し直すとい
った交換工数及び交換後の調整工数が益々増大するとい
ったさらに大きな問題となる。さらに、このような問題
は、ひいては設備稼働率にもつながり、例えば、装置の
稼働率20〜50%と低下することもある。
本発明の目的は、かかる問題を解消して、異種のICチ
ップに切換えても、ボンディングツールの交換や、交換
後の平行度の調整を行なうこととないボンディング装置
と、バンプ電極を破壊することなく、より早く、安定し
て、しかも均一に全てのインナーリードとバンプ電極と
が接続することの出来るボンディング方法を提供するこ
とである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の特徴は、樹脂製のテープの一こま毎に形成さ
れる複数の切抜き穴のそれぞれに大きさの異なる方形状
のICチップを挿入搭載し、これらICチップの一主面に形
成された複数のバンプ電極と前記切抜き穴の周囲から伸
びるインナーリードとを重ね合せボンディングツールの
押圧面で熱圧接し接続するボンディング方法において、
前記ICチップの該バンプ電極を含むそれぞれの該一主面
より小さくかつ異なる大きさの方形状の押圧面をもつ少
なくとも二つのボンディングツールを用いて、それぞれ
の前記ICチップの該バンプ電極を含む前記一主面の面積
に応じて前記各ボンディングツールを適宜組合せて前記
バンプ電極と前記インナーリードとを接続するボディン
グ方法である。
〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の関連技術における実施例を示すボン
ディング装置のブロック図である。このボンディング装
置は、第1図に示すように、ICチップ2を搭載するとと
もにX、Y及びZ方向の移動と回転が出来るステージ1
と、ICチップのチップ面積より小さい押圧面20をもつと
ともに加熱ヒータ5を内蔵するボンディングツール6a
と、このボンディングツール6aを押圧力検出器8を介し
て保持するとともにICチップ面を撮像するカメラ7をも
つボンディングヘッド9と、このボンディングヘッド9
を上下方向(Z方向)に移動させる機構をもつコラム10
と、このコラム10をX及びY方向に移動させる移動機構
11を介して搭載するベース12と、ボンディングツール6a
に押圧力を与える圧力タンク14と圧力調整器13及び圧力
源を配管21で接続してなる押圧機構との機構部で構成さ
れている。
また、このボンディング装置の機構部には、押圧力を
押圧力検出器8により検出し圧力調整器13を調整する押
圧力制御装置15と、カメラ7の映像情報によりボンディ
ングツール6aとICチップ2との相対位置を検出する画像
位置検出装置16と、ボンディングツールを加熱するヒー
タ5の温度を制御するツール加熱制御装置17と、これら
制御装置のシーケンス動作及びステージ1、移動機構1
1、ボンディングヘッド9の動作制御を全体的に制御す
る制御装置18と、ボンディング条件に係わるデータとボ
ンディングツール6aの位置データ等の情報を記憶する記
憶装置とが配線で接続されている。
この実施例のボンディング装置と従来のボンディング
装置との違いは、その第1の相異点は、ボンディングツ
ール6aの押圧面の面積をICチップのボンディング領域の
外形より小さくしたことである。これば、従来、このボ
ンディングツールの押圧面はICチップのボンディング領
域と同じか、やや大きめにしたが、この実施例では、そ
の大きさを、例えば、ボンディング領域の1/4程度の面
積となる等分のボンディング領域の外形と同じ面積の押
圧面をもつボンディングツール6aにしたことである。例
えば、具体的な数値として、ICチップの大きさが25mm2
もある大きなICチップをボンディングする場合には、押
圧面の面積を6〜7mm2といった小さい面積にすることで
ある。このことにより、従来、ボンディングツールとIC
チップのバンプ電極面との平行度調整は、最初の簡単な
調整のみで、その後の調整がほとんど不要になった。
また、第2の相異点は、第1の相異点に伴いボンディ
ング方法が異なる点である。すなわち、ICチップの全て
のバンプ電極を含むボンディング領域をいくつかの小さ
いボンディング領域に分割し、その分割された領域に順
にボンディングツールを押圧し、一つのICチップを数回
に分けてボンディングすることである。
さらに、このボンディング方法を実現するために、第
1図に示したボンディング装置に、分割されたボンディ
ング領域のボンディングツール6aの位置情報及びボンデ
イング条件データを記憶する記憶装置19と、これら位置
及び条件データを取り組み、各ボンディング領域を同一
条件でボンディング出来るように各制御装置及び機構部
の動作制御するをシーケンス制御機構を有する制御装置
18を設けたことである。
次に、このボンディング装置の動作及び本発明のボン
ディング方法の第1の実施例を具体的に図面を参照して
説明する。
第2図(a)〜(d)は第1図のボンディング装置及
びこの装置によるボンディング方法の第1の実施例を説
明するためのICチップとインナーリードを示す平面図、
第3図(a)及び(b)は第2図(a)及び(d)に示
すICチップとインナーリードの断面図である。これらの
図面は解り易いようにテープを省略してある。
まず、このボンディング装置の動作及びボンディング
方法は、第1図及び第2図(a)に示すように、ステー
ジ1に搭載されたICチップ2を、ステージ1をXあるい
はY方向に移動し、インナーリード3とバンプ電極21と
が互いに一致するように位置合せをする。次に、このと
きの位置データをXY軸の原点とし、例えば、CCDカメラ
であるカメラ7で撮像し、位置データとして記憶装置19
に記憶する。次に、あらかじめ記憶されていたボンディ
ングツール6aの位置データと、前述の原点位置とのオフ
セット量をもとに、ボンディングツール6aをICチップ2
上のXY座標の第2象限の中心に移動させる。勿論、この
位置決めプログラムシーケンスは制御装置18により移動
機構11を作動して行なわれる。次に、あらかじめ記憶装
置19に記憶された押圧力データを制御装置18が取り込
み、そのデータにより圧力調整器13を調節し、例えば、
使用している圧縮空気の空圧を調節してボンディングツ
ール6aの押圧力を設定する。一方、あらかじめ、ICチッ
プ2はステージ1に内蔵されたヒータ(図示せず)によ
り、例えば、150〜300℃程度に加熱し、ボンディングツ
ールも、ツール加熱制御装置により制御されるヒータ5
で、例えば、400〜500℃程度に加熱する。次に、ボンデ
ィングヘッド9がコラム10を摺動しながら下降し、ボン
ディングツール6aの押圧面20は、ボンディング領域50a
を押圧し、バンプ電極21とインナーリード3と熱圧着し
て接続する。
次に、ボンディング領域50aにあるバンプ電極21とイ
ンナーリード3とを接続した後、ボンディングヘッド9
が上昇し、ステージ1に搭載されたICチップとテープは
位置を固定した状態で、あらかじめ、記憶装置19に記憶
された前述のボンディングツール6aの位置と次に移動す
べき第2図(b)の第3象限の中心点へのオフセット量
のデータを制御装置18が取り込み、移動機構11を、例え
ば、Y方向に移動させ、ボンディングツール6aの押圧面
20の位置を、ICチップ2の第3象限にあるボンディング
領域50b上に位置決めする。次に、前述と同じ押圧条件
で、ボンディング領域50bにあるバンプ電極21とインナ
ーリード3を接続する。
なを、この接続する際には、ボンディングツール6aの
押圧力は、押圧力検出器8により、常に、押圧力を検出
し、押押圧力制御装置にフィードバックして、圧力調整
器13を動作させ、押圧力を所定値に維持している。
次に、同様な動作を繰返して、第2図(c)及び第2
図(d)のボンディング領域50c、50dをホンディングツ
ール6aで押圧し、これら領域にあるバンプ電極21とイン
ナーリード3を、第3図(b)に示すように、接続し、
テープの一こまにあるICチップのボンディング作業を完
了する。次に、図面には示していないが、テープ供給装
置のスプロケットホイールで、テープを一こま送り、IC
チップ供給装置で、新たなICチップを供給し、ステージ
1に搭載する。
第4図は本発明の一実施例を示すボンディング装置の
部分斜視図である。このボンディング装置は、第1図に
示したボンディング装置のコラム10に上下に摺動する一
つのボンディングヘッドの代りに、二つの押圧面の大き
さの異るボンディングツール6b及び6cをそれぞれもつ二
つボンディングヘッド9aを設けたことである。勿論、図
面には示さないが、これらボンディングヘッド9aには、
ボンディングツール6b及び6cの押圧力を設定する押圧力
検出器、圧力調整器及び押圧力制御装置もそれぞれに独
立して設けられている。
このボンディング装置は、ICチップのボンディング領
域を大小二種類のボンディング領域に分割し、これら領
域を押圧するボンディングツールを設けたことである。
第5図(a)〜(c)は本発明のボンディング方法の
一実施例と第4図のボンディング装置の動作を説明する
ためのICチップとインナーリードを示す平面図である。
この図面も、理解し易いようにテープは図示されていな
い。まず、前述の実施例と同様に、第1図及び第4図並
びに第5図(a)を参照して、ステージ1上のICチップ
2のバンプ電極21aとインナーリード3との位置合せを
する。次に、第5図(a)に示すICチップ2のボンディ
ング領域51aの中心と第4図に示すボンディングツール6
bの中心とを合せる。このときの位置データを原点と
し、第1図の記憶装置19に記憶させる。次に、あらかじ
め、ボンディングツール6bを所定の温度に加熱し、ICチ
ップ2の温度も、ステージ1に内蔵するヒータにより加
熱し設定し、さらに、ボンディングツール6bの押圧面の
面積に応じて押圧力制御装置15により設定しておく。次
に、ボンディングヘッド9aを下降させ、ボンデイング領
域51aを押圧し、ボンディング領域51aにあるバンプ電極
21とインナーリード3とを接続する。
次に、テープ及びICチップをそのまま固定維持してお
き、ボンディングヘッド9aを移動し、第5図(b)に示
す示すボンディング領域51bの中心に位置決めする。次
に、あらかめ、設定された押圧力でボンディング領域51
bを押圧し、このボンディング領域51bにあるバンプ電極
21とインナーリード3とを接続する。そして、ボンディ
ングヘッド9aは上昇し、第4図に示す状態になる。
次に、第5図(c)のボンディング領域51cにボンデ
ィング領域51cの中心に、ボンディングツール9cが位置
合せ出来るように、あらかじめ位置データが記憶された
記憶装置19より、位置データを制御装置18が取り込み、
この位置データにより移動機構11を動作させる。次に、
あらかじめ、ボンディングツール6cの押圧する押圧力す
なわち、この押圧面の面積に応じた押圧力を設定すると
ともにこのボンディングツールの温度も所定の温度に設
定する。次に、このボンディングツール6cの押圧面でボ
ンディング領域51cを押圧し、このボンディング領域51c
にあるバンプ電極21とインナーリード3とを接続する。
引き続き、もう一つのボンディング領域51cも、ボンデ
ィングツール6cで押圧し、テープの一こまの全てのバン
プ電極21とインナーリード3との接続を完了する。
この実施例では、二つの異なるボンディングツールを
使用したが、二つ以上のボンディングツールを設けても
良い。また、この実施例では、1台のボンディング装置
に大小二つのボンディングツールを設け、この大小のボ
ンディングツールを使い分けることにより、押圧面の比
較的に小さいボンディングツールを数回に分けて押圧し
て接続する前述の第1の実施例に比べ、より押圧回数を
低減出来るので、ボンディング作業をより早く出来る利
点がある。
第6図(a)〜(f)は本発明のボンディング方法の
他の実施例を説明するためのテープ上に装置されたICチ
ップのボンディング順に示した平面図である。このボン
ディング方法は、テープ4aの一こまに二つのICチップ2b
及び2cを搭載した半導体装置に適用する方法である。ま
た、このボンディング方法には、第1の実施例のボンデ
ィング装置を用いても、第2の実施例のボンディング装
置を用いてもボンディングすることが出来る。この実施
例では、第4図に示す第2の実施例のボンディング装置
を使用してボンディングする場合について説明する。
まず、第6図(a)に示すように、テープ4a上に二つ
の寸法の異なるICチップ2b及び2cをテープ4aの抜け穴に
挿入し、ステージ1に載置する。第1図に示すステージ
1に搭載する。次に、ステージ1を移動し、それぞれの
ICチップのバンプ電極21bとインナーリード3a及びバン
プ電極21cとインナーリード3bが一致するように位置合
せをする。このときの、ICチップ2bの中心位置データを
XY座標の原点とする。次に、第4図に示す比較的に大き
なボンディングツール6bを前記原点を基準にしてボンデ
ィング領域52aの中心までの位置に、移動機構11によっ
てコラム10を移動して、ボンディングツール6bをこのボ
ンディング領域52aの上に位置決めする。次に、あらか
じめ、このICチップ2bのバンプ電極21bとインナーリー
ド3aを熱圧着するのに必要な温度にボンディングツール
6bを加熱する。また、このボンディングツール6bに必要
の押圧力を設定する。次に、ボンディングツール6bを下
降し、ボンディング領域52aのバンプ電極21bとインナー
リード3aと接続する。次に、ボンディングヘッド9aを上
昇させ、第6図(b)から第6図(d)まで、前述と同
様にボンディングツール6bでそれぞれボンディング領域
52bから52dまで押圧し、ICチップ2bのバンプ電極21bと
インナーリード3aとの接続を完了する。
一方、もう一つのICチップ2cのバンプ電極21cとイン
ナーリード3bの接続に際しては、このICチップ2cのバン
プ電極21cの容量が前述のICチップ2bのバンプ電極21bの
容量より小さいので、ボンディングツール6cの温度の設
定を変える必要がある。このような場合は、あらかじ
め、ボンディングツール6cの温度を変えて設定しておく
ことである。まず、既に、前述したように、ICチップ2b
のボンディング作業が完了しているので、第6図(e)
に示すように、ICチップ2bのXY軸の原点からICチップの
ボンディング領域53aの中心点までの距離とボンディン
グツール6bと6cとの間の距離を演算し、求められたボン
ディング領域53aの中心座標とボンディングツール6cの
中心座標を求め、この座標値から移動すべきX及びY方
向の移動距離を算出し、制御装置18により移動機構11を
作動させ、ボンディングツール6cをボンディング領域53
aの上に位置決めする。
次に、あらかじめ押圧力及び温度が設定されたボンデ
ィングツール6cを下降し、ボンディング領域53aを押圧
して、この領域のバンプ電極21cとインナーリード3bと
の接続を行なう。次に、前述と同様に、第6図(f)に
ボンディングツールを位置決めし、押圧して、このボン
ディング領域53bにあるバンプ電極21cとインナーリード
3bの接続を行なう。このようにして、テープの一こまに
二つのICチップが搭載された場合でも、ボンディングツ
ールの交換を行なうことなく、ボンディング出来る利点
がある。また、このために、ボンディングツールの交換
に伴う平行度調整も不要になるという利点もある。
なお、この実施例では、二つのICチップを別々にボン
デイングしたが、二つのボンディングツールの相対位置
と二つのICチップの相対位置を一致させ、さらに、二つ
のボンディングツールの移動距離を同じにすれば、この
二つのボンディングツールを同期してボンディング動作
を行なうことによって、同時に二つのICチップのボンデ
ィング作業が出来るという利点もある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば以下に述べる効
果が得られる。
1.ICチップの全てのバンプ電極を含む領域より小さい押
圧面をもつボンディングツールを設けることによって、
バンプ電極の先端を含む平面と押圧面の平行度調整とい
った準備作業が不要で、バンプ電極とインナーリードと
均一な熱圧着による接続が出来るボンディング装置が得
られという効果がある。
2.ICチップの全てのバンプ電極を含む領域を等分の面積
の複数のバンプ電極領域に分割し、これらの領域をその
面積で設定される一定の押圧力でボンディングツールで
押圧することにより、均一なバンプ電極とインナーリー
ドとの接続が出来るボンディング方法が得られるという
効果がある。
3.ICチップの全てのバンプ電極を含む領域より小さく、
かつ押圧面積の異なる複数のボンデイングツールを備え
ることによって、一ICチップ当りのボンディング回数を
低減し、ICチップが変更されても、ボンディングツール
の交換が不要で、かつ交換後の平行度調整が不要なボン
ディング装置が得られるという効果がある。
4.ICチップの全てのバンプ電極を含む領域を異なる面積
の複数のバンプ電極領域に分割し、これら分解されたバ
ンプ電極領域をその領域の面積に応じた押圧力て押圧す
る工程を設けることによって、よりボンディング作業速
度の早い、また、異なる形状及び寸法のICチップでも、
ボンディングツールを交換することなくボンディング作
業が出来るボンデイング方法が得られるという効果があ
る。
5.テープの一こまに複数の形状及び寸法の異なるICチッ
プが搭載された半導体装置のボンディング作業に際して
も、ボンデイングツールに種種のボンディング条件を設
定出来る制御機構を設けることによって、ICチップの品
種切り換えてもボンディング交換が不要とすることが出
来、稼働率の高いボンディング装置が得られるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の関連技術における実施例を示すボンデ
ィング装置のブロック図、第2図(a)〜(d)は第1
図のボンディング装置及びこの装置によるボンディング
方法の第1の実施例を説明するためのICチップとインナ
ーリードを示す平面図、第3図(a)及び(b)は第2
図(a)及び(d)に示すICチップとインナーリードの
断面図、第4図は本発明の一実施例を示すボンディング
装置の部分斜視図、第5図(a)〜(c)は本発明のボ
ンディング方法の一実施例と第4図のボンディング装置
の動作を説明するためのICチップとインナーリードを示
す平面図、第6図(a)〜(f)は本発明のボンディン
グ方法の他の実施例を説明するためのテープ上に装置さ
れたICチップのボンディング順に示した平面図、第7図
は従来のボンディング装置のボンディングツールとICチ
ップ及びテープの一例を示す部分断面図、第8図は第7
図のICチップ及びテープの部分平面図である。 1……ステージ、2、2a、2b、2c……ICチップ、3、3
a、3b……インナーリード、4、4a……テープ、5……
ヒータ、6、6a、6b、6c……ボンディングツール、7…
…カメラ、8……押圧検出器、9、9a……ボンディング
ヘッド、10……コラム、11……移動機構、12……ベー
ス、13……圧力調整器、14……圧力タンク、15……押圧
力制御装置、16……画像位置検出装置、17……ツール加
熱制御装置、18……制御装置、19……記憶装置、20……
押圧面、21、21b、21c……バンプ電極、22……スプロケ
ット穴、50a、50b、50c、50d、51a、51b、51c、52、52
a、52b、52c、52d、53a、53b……ボンディング領域。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】樹脂製のテープの一こま毎に形成される複
    数の切抜き穴のそれぞれに大きさの異なる方形状のICチ
    ップを挿入搭載し、これらICチップの一主面に形成され
    た複数のバンプ電極と前記切抜き穴の周囲から伸びるイ
    ンナーリードとを重ね合せボンディングツールの押圧面
    で熱圧接し接続するボンディング方法において、前記IC
    チップの該バンプ電極を含むそれぞれの該一主面より小
    さくかつ異なる大きさの方形状の押圧面をもつ少なくと
    も二つのボンディングツールを用いて、それぞれの前記
    ICチップの該バンプ電極を含む前記一主面の面積に応じ
    て前記各ボンディングツールを適宜組合せて前記バンプ
    電極と前記インナーリードとを接続することを特徴とす
    るボンディング方法。
JP1236545A 1989-09-11 1989-09-11 ボンディング方法及びその装置 Expired - Lifetime JP2540954B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1236545A JP2540954B2 (ja) 1989-09-11 1989-09-11 ボンディング方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1236545A JP2540954B2 (ja) 1989-09-11 1989-09-11 ボンディング方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0397239A JPH0397239A (ja) 1991-04-23
JP2540954B2 true JP2540954B2 (ja) 1996-10-09

Family

ID=17002255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1236545A Expired - Lifetime JP2540954B2 (ja) 1989-09-11 1989-09-11 ボンディング方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2540954B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0997819A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品ボンディング装置
KR100373873B1 (ko) * 1998-11-05 2003-04-21 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조 장비
JP4551013B2 (ja) * 2001-03-30 2010-09-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003007773A (ja) * 2001-06-25 2003-01-10 Nec Corp ボンディングツールおよびボンディング方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58139A (ja) * 1981-06-25 1983-01-05 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH0510364Y2 (ja) * 1987-05-11 1993-03-15

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0397239A (ja) 1991-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1661442B1 (en) Electronic component mounting apparatus and method of mounting electronic components
KR102080214B1 (ko) 전자 부품의 실장 장치와 실장 방법, 및 패키지 부품의 제조 방법
WO2005071734A1 (ja) 圧着装置
JP6717630B2 (ja) 電子部品の実装装置
CN103000550B (zh) 芯片接合机以及接合方法
JP2540954B2 (ja) ボンディング方法及びその装置
JP2839215B2 (ja) ボンディング装置
JP3857949B2 (ja) 電子部品実装装置
JP4104062B2 (ja) 電子部品実装装置
TW506088B (en) Placement system apparatus and method
US10285317B2 (en) Component mounter
CN112331582B (zh) 芯片贴装装置以及半导体器件的制造方法
JP4093854B2 (ja) 電子部品実装装置
US20230290666A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, carrier jig, and manufacturing method of semiconductor device
KR100740594B1 (ko) 범프 형성 장치
JP2000269243A (ja) ペレットボンディング方法及び装置
TWI827972B (zh) 半導體裝置的製造裝置以及製造方法
KR102217826B1 (ko) 실장 장치 및 실장 방법
JP3336906B2 (ja) 電子部品の実装装置、その実装方法、液晶パネルの製造装置及びその製造方法
JP6942829B2 (ja) 電子部品の実装装置
JP2773256B2 (ja) 電子部品実装方法
JP3673051B2 (ja) バンプ形成方法及びバンプボンダー
JPH052177A (ja) 液晶モジユール製造装置
JPH0130299B2 (ja)
TW202336900A (zh) 安裝裝置及安裝方法