JPH0212025B2 - - Google Patents
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- JPH0212025B2 JPH0212025B2 JP58048215A JP4821583A JPH0212025B2 JP H0212025 B2 JPH0212025 B2 JP H0212025B2 JP 58048215 A JP58048215 A JP 58048215A JP 4821583 A JP4821583 A JP 4821583A JP H0212025 B2 JPH0212025 B2 JP H0212025B2
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- Japan
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- semiconductor device
- bonding
- board
- tape carrier
- tape
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープキヤリア方式による半導体装置
の製造方法にかかり、特にテープキヤリア内に組
立てられた半導体装置を打抜き、外部リード基板
（OLB基板）に接続する半導体装置の製造方法に
関する。
の製造方法にかかり、特にテープキヤリア内に組
立てられた半導体装置を打抜き、外部リード基板
（OLB基板）に接続する半導体装置の製造方法に
関する。
第１図ａ，ｂは従来一般的なテープキヤリア方
式によるアウターリードボンデイングの工程原理
図である。図において１はテープキヤリアー、２
はテープキヤリア内に組立てられたインナーリー
ドボンデイング後の半導体装置、３はテープキヤ
リヤー内の半導体装置をアウターリード範囲内で
打抜くポンチであり、４は同じくダイである。５
は打抜かれた半導体装置をアウターリードボンデ
イングするOLB基板であり、６はそのボンデイ
ングツールである。
式によるアウターリードボンデイングの工程原理
図である。図において１はテープキヤリアー、２
はテープキヤリア内に組立てられたインナーリー
ドボンデイング後の半導体装置、３はテープキヤ
リヤー内の半導体装置をアウターリード範囲内で
打抜くポンチであり、４は同じくダイである。５
は打抜かれた半導体装置をアウターリードボンデ
イングするOLB基板であり、６はそのボンデイ
ングツールである。
ボンデイング工程は、先ずテープキヤリヤー１
から半導体装置２を打抜きポンチ３とダイ４とに
より打抜かれる。その後そのままの状態を保持し
ながら打抜ポンチ３を上昇させ、あらかじめ所定
の位置に送られてきているOLB基板５のボンデ
イング位置に突き合わせられる。この状態でボン
デイングツール６が下降してボンデイングが行な
われる。ボンデイングが完了するとボンデイング
ツール６は上昇し、打抜ポンチ３は下降する。更
にテープキヤリア１とOLB基板５はそれぞれ送
られこれらの工程が連続繰返されることになる。
から半導体装置２を打抜きポンチ３とダイ４とに
より打抜かれる。その後そのままの状態を保持し
ながら打抜ポンチ３を上昇させ、あらかじめ所定
の位置に送られてきているOLB基板５のボンデ
イング位置に突き合わせられる。この状態でボン
デイングツール６が下降してボンデイングが行な
われる。ボンデイングが完了するとボンデイング
ツール６は上昇し、打抜ポンチ３は下降する。更
にテープキヤリア１とOLB基板５はそれぞれ送
られこれらの工程が連続繰返されることになる。
以上従来の方式では、打抜ポンチそのものが一
方のボンデイングツールを兼ねている為、ボンデ
イングの際はツール先端は300℃程度になり熱膨
張を生じる。35μｍ程度の厚さのアウターリード
を精度良くシヤープに打抜く為のダイとポンチの
クリアランスは5μｍ以下であり、非加熱と同等
のこのクリアランスではポンチが動かなくなつて
しまう現象が発生しやすいという問題をかかえて
いる。この為熱的変化を見込んだ打抜型の設計、
製作がポイントであり使用上もこの部分の厳重な
管理がひじように難かしくなるという問題点を含
んでいる。更にこの方式では、OLB基板とテー
プキヤリアの位置関係はそれぞれの送り穴やパー
フオレーシヨンの精度に依存しており本方式では
位置整合動作はやられていない。しかし実際はも
のによつてはそれぞれの送り穴やパーフオレーシ
ヨンだけによる位置決めでは不十分である程度位
置補正を必要としているのが現状であり本方式で
はこれが補なうことができないでいる。またボン
デイング形態がOLB基板の裏面からのボンデイ
ングツールの加熱ということでボンデイング性に
ついても問題が残る。以上本方式には多くの問題
が解決されずに残り更に全自動化をもむずかしく
しているのが現状であつた。
方のボンデイングツールを兼ねている為、ボンデ
イングの際はツール先端は300℃程度になり熱膨
張を生じる。35μｍ程度の厚さのアウターリード
を精度良くシヤープに打抜く為のダイとポンチの
クリアランスは5μｍ以下であり、非加熱と同等
のこのクリアランスではポンチが動かなくなつて
しまう現象が発生しやすいという問題をかかえて
いる。この為熱的変化を見込んだ打抜型の設計、
製作がポイントであり使用上もこの部分の厳重な
管理がひじように難かしくなるという問題点を含
んでいる。更にこの方式では、OLB基板とテー
プキヤリアの位置関係はそれぞれの送り穴やパー
フオレーシヨンの精度に依存しており本方式では
位置整合動作はやられていない。しかし実際はも
のによつてはそれぞれの送り穴やパーフオレーシ
ヨンだけによる位置決めでは不十分である程度位
置補正を必要としているのが現状であり本方式で
はこれが補なうことができないでいる。またボン
デイング形態がOLB基板の裏面からのボンデイ
ングツールの加熱ということでボンデイング性に
ついても問題が残る。以上本方式には多くの問題
が解決されずに残り更に全自動化をもむずかしく
しているのが現状であつた。
本発明は、以上の問題に対処してなされたもの
で、テープキヤリア内の半導体装置の打抜工程
と、その半導体装置をOLB基板に接続する工程
とを分離させると共に、位置整合を可能にし目合
わせを簡易化し信頼性の優れたテープキヤリア方
式による半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
で、テープキヤリア内の半導体装置の打抜工程
と、その半導体装置をOLB基板に接続する工程
とを分離させると共に、位置整合を可能にし目合
わせを簡易化し信頼性の優れたテープキヤリア方
式による半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
本発明の特徴は、テープキヤリア内に組立てら
れた半導体装置を打抜き、外部リード基板
（OLB基板）に接続する工程を連続して行なうテ
ープキヤリア方式による半導体装置の製造方法に
於て、テープキヤリア内に形成されたリードフレ
ームのインナーリードとチツプの電極とを接続し
たインナーリードボンデイング後のテープを所定
位置に搬送及び位置決め保持する工程と、該テー
プのアウターリード範囲内で半導体装置を打抜く
工程と、打抜かれた半導体装置をボンデイングス
テージの所定位置に移送する工程と、該位置で真
空吸着保持する工程と、打抜かれた半導体装置、
OLB基板及びボンデイングツールをそのうちの
１つを基準として位置整合する工程とを含むテー
プキヤリア方式による半導体装置の製造方法にあ
る。
れた半導体装置を打抜き、外部リード基板
（OLB基板）に接続する工程を連続して行なうテ
ープキヤリア方式による半導体装置の製造方法に
於て、テープキヤリア内に形成されたリードフレ
ームのインナーリードとチツプの電極とを接続し
たインナーリードボンデイング後のテープを所定
位置に搬送及び位置決め保持する工程と、該テー
プのアウターリード範囲内で半導体装置を打抜く
工程と、打抜かれた半導体装置をボンデイングス
テージの所定位置に移送する工程と、該位置で真
空吸着保持する工程と、打抜かれた半導体装置、
OLB基板及びボンデイングツールをそのうちの
１つを基準として位置整合する工程とを含むテー
プキヤリア方式による半導体装置の製造方法にあ
る。
又、本発明は半導体装置、OLB基板及びボン
デイングツールをそのうちの１つを基準として位
置整合せしめる工程が、ボンデイング位置に送ら
れたOLB基板のある任意な２点以上のパターン
を検出カメラを移動しその位置を認識する工程
と、上記認識したOLB基板のボンデイング部に
ボンデイングツールを位置整合せしめる工程と、
ボンデイングステージに移送された半導体装置の
アウターリード又は、アウターリード（インナー
リード）内に形成されたパターンのある任意な２
点以上のパターンを認識し先に認識したOLB基
板のボンデイング基準位置からのずれ量を検出し
半導体装置をOLB基板のボンデイング部に位置
整合せしめる工程とを含むことを特徴とする前記
せるテープキヤリア方式による半導体装置の製造
方法にある。
デイングツールをそのうちの１つを基準として位
置整合せしめる工程が、ボンデイング位置に送ら
れたOLB基板のある任意な２点以上のパターン
を検出カメラを移動しその位置を認識する工程
と、上記認識したOLB基板のボンデイング部に
ボンデイングツールを位置整合せしめる工程と、
ボンデイングステージに移送された半導体装置の
アウターリード又は、アウターリード（インナー
リード）内に形成されたパターンのある任意な２
点以上のパターンを認識し先に認識したOLB基
板のボンデイング基準位置からのずれ量を検出し
半導体装置をOLB基板のボンデイング部に位置
整合せしめる工程とを含むことを特徴とする前記
せるテープキヤリア方式による半導体装置の製造
方法にある。
以下図面を参照して本発明の詳細について説明
する。第２図及び第３図は本発明の一実施例のシ
ステム説明図である。図において７は、テープキ
ヤリア内の半導体装置をアウターリード範囲内で
打抜いた半導体装置２をボンデイングステージの
所定位置に移送する移送システムであり、８はそ
のボンデイングステージの半導体装置保持部、９
は前記半導体装置の位置整合用XYステージ１０
はXYに可動な位置検出カメラ、１１はOLB基板
のガイドである。
する。第２図及び第３図は本発明の一実施例のシ
ステム説明図である。図において７は、テープキ
ヤリア内の半導体装置をアウターリード範囲内で
打抜いた半導体装置２をボンデイングステージの
所定位置に移送する移送システムであり、８はそ
のボンデイングステージの半導体装置保持部、９
は前記半導体装置の位置整合用XYステージ１０
はXYに可動な位置検出カメラ、１１はOLB基板
のガイドである。
次に動作並びに製造方法につき説明する。先ず
テープキヤリア内に形成されたリードフレームの
インナーリードとチツプの電極とを接続したイン
ナーリードボンデイング後のテープ１が所定位置
に搬送及び位置決め保持が行なわれる。次に打抜
ポンチ３が上昇していき打抜ダイ４との切断動作
により、前記テープ１のアウターリード範囲内で
打抜かれる。この時打抜かれた半導体装置２は、
打抜ポンチ３の先端の真空吸着保持孔によりその
ままの状態を保持しながら更に所定の位置まで上
昇して第２図の様になる。この時半導体装置２の
上部に待ちかまえている移送システム７の先端に
て真空吸着し容易にボンデイングステージの半導
体装置保持部８に移送することができる。半導体
装置保持部８には保持用の真空吸引口が設けられ
ておりそれにより半導体装置では固定保持され
る。一方OLB基板５はOLB基板ガイド１１の所
定の位置に搬送位置決めピン及び保持パツド等に
より固定されている。本発明の一実施例において
はOLB基板を固定しこれに半導体装置及びボン
デイングツール６を整合せしめる。
テープキヤリア内に形成されたリードフレームの
インナーリードとチツプの電極とを接続したイン
ナーリードボンデイング後のテープ１が所定位置
に搬送及び位置決め保持が行なわれる。次に打抜
ポンチ３が上昇していき打抜ダイ４との切断動作
により、前記テープ１のアウターリード範囲内で
打抜かれる。この時打抜かれた半導体装置２は、
打抜ポンチ３の先端の真空吸着保持孔によりその
ままの状態を保持しながら更に所定の位置まで上
昇して第２図の様になる。この時半導体装置２の
上部に待ちかまえている移送システム７の先端に
て真空吸着し容易にボンデイングステージの半導
体装置保持部８に移送することができる。半導体
装置保持部８には保持用の真空吸引口が設けられ
ておりそれにより半導体装置では固定保持され
る。一方OLB基板５はOLB基板ガイド１１の所
定の位置に搬送位置決めピン及び保持パツド等に
より固定されている。本発明の一実施例において
はOLB基板を固定しこれに半導体装置及びボン
デイングツール６を整合せしめる。
すなわちOLB基板５が固定されるとボンデイ
ング位置上部に設置されているXYステージ（図
示せず）により可動な位置検出カメラ１０は
OLB基板の基準位置に整合する。OLB基板の検
出は基板の回路パターン等のある任意の２点以上
のパターンを認識することにより容易に位置を検
出できる。また、半導体装置保持部に固定されて
いる半導体装置は半導体装置の回路パターン又
は、アウターリード部の２点以上の該当位置を認
識することにより基準位置とのずれ量が検出され
XYの位置調整用ステージ９によりOLB基板に対
する位置整合が実施される。一方、ボンデイング
ツール６はボンデイング時に検出時のカメラ位置
に合うよう、すなわちOLB基板の位置に整合す
るようXYステージが駆動し、整合位置でボンデ
イングツールが下降しボンデイングされる。
ング位置上部に設置されているXYステージ（図
示せず）により可動な位置検出カメラ１０は
OLB基板の基準位置に整合する。OLB基板の検
出は基板の回路パターン等のある任意の２点以上
のパターンを認識することにより容易に位置を検
出できる。また、半導体装置保持部に固定されて
いる半導体装置は半導体装置の回路パターン又
は、アウターリード部の２点以上の該当位置を認
識することにより基準位置とのずれ量が検出され
XYの位置調整用ステージ９によりOLB基板に対
する位置整合が実施される。一方、ボンデイング
ツール６はボンデイング時に検出時のカメラ位置
に合うよう、すなわちOLB基板の位置に整合す
るようXYステージが駆動し、整合位置でボンデ
イングツールが下降しボンデイングされる。
以上のとおり本発明によれば打抜工程と接続工
程を分離させたことにより先ず問題になつていた
打抜ポンチの熱膨張により打抜部が動かなくなる
という問題、又、ボンデイングツール、OLB基
板及び半導体装置の位置整合は従来は、テープの
パーフオレーシヨンの精度やOLB基板の送り穴
の精度だけに依存しており位置整合動作が不可能
であつたことに対し打抜かれた半導体装置及びボ
ンデイングツールを整合させることが可能になつ
たこと、更にボンデイング形態が従来の様に
OLB基板の裏面からのボンデイングではなく、
アウターリード側からの熱圧着の為すぐれたボン
デイング性を得られること、及び最終的に実施例
で説明したように全自動化を可能にしているもの
である。
程を分離させたことにより先ず問題になつていた
打抜ポンチの熱膨張により打抜部が動かなくなる
という問題、又、ボンデイングツール、OLB基
板及び半導体装置の位置整合は従来は、テープの
パーフオレーシヨンの精度やOLB基板の送り穴
の精度だけに依存しており位置整合動作が不可能
であつたことに対し打抜かれた半導体装置及びボ
ンデイングツールを整合させることが可能になつ
たこと、更にボンデイング形態が従来の様に
OLB基板の裏面からのボンデイングではなく、
アウターリード側からの熱圧着の為すぐれたボン
デイング性を得られること、及び最終的に実施例
で説明したように全自動化を可能にしているもの
である。
第１図ａ，ｂは従来のテープキヤリア方式によ
る半導体装置の製造工程原理図、第２図及び第３
図は本発明の一実施例のシステム説明図であり、
第２図は側面図、第３図は正面図の概略である。 尚、図において１……テープキヤリアー、２…
…半導体装置、３……打抜ポンチ、４……打抜ダ
イ、５……OLB基板、６……ボンデイングツー
ル、７……移送システム、８……半導体装置保持
部、９……位置整合用XYステージ、１０……位
置検出用カメラ、１１……OLB基板ガイドであ
る。
る半導体装置の製造工程原理図、第２図及び第３
図は本発明の一実施例のシステム説明図であり、
第２図は側面図、第３図は正面図の概略である。 尚、図において１……テープキヤリアー、２…
…半導体装置、３……打抜ポンチ、４……打抜ダ
イ、５……OLB基板、６……ボンデイングツー
ル、７……移送システム、８……半導体装置保持
部、９……位置整合用XYステージ、１０……位
置検出用カメラ、１１……OLB基板ガイドであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ テープキヤリア内に組立てられた半導体装置
を打抜き、外部リード基板に接続する工程を連続
して行なうテープキヤリア方式による半導体装置
の製造方法に於て、テープキヤリア内に形成され
たリードフレームのインナーリードとチツプの電
極とを接続したインナーリードボンデイング後の
テープを所定位置に搬送及び位置決め保持する工
程と、該テープのアウターリード範囲内で半導体
装置を打抜く工程と、打抜かれた半導体装置をボ
ンデイングステージの所定位置に移送する工程
と、該位置で真空吸着保時する工程と、打抜かれ
た半導体装置、外部リード基板及びボンデイング
ツールをそのうちの少くとも１つを基準として位
置整合する工程とを含むことを特徴とするテープ
キヤリア方式による半導体装置の製造方法。 ２ 半導体装置、外部リード基板及びボンデイン
グツールをそのうちの少くとも１つを基準として
位置整合せしめる工程が、ボンデイング位置に送
られた外部リード基板のある任意な２点以上のパ
ターンを検出カメラを移動しその位置を認識し、
該認識した外部リード基板のボンデイング部にボ
ンデイングツールを位置整合せしめ、ボンデイン
グステージに移送された半導体装置のアウターリ
ードもしくは、アウターリードまたはインナーリ
ード内に形成されたパターンのある任意な２点以
上のパターンを認識し、先に認識した外部リード
基板のボンデイング基準位置からのずれ量を検出
し、半導体装置を外部リード基板のボンデイング
部に位置整合せしめる諸工程を含んでいることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のテープキ
ヤリア方式による半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048215A JPS59175132A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048215A JPS59175132A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175132A JPS59175132A (ja) | 1984-10-03 |
| JPH0212025B2 true JPH0212025B2 (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=12797185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048215A Granted JPS59175132A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175132A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61154196A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | 日本電気株式会社 | アウタ−リ−ドボンデイング装置 |
| JPS61166095A (ja) * | 1986-01-08 | 1986-07-26 | 日本電気株式会社 | アウターリードボンディング装置 |
| JP2885404B2 (ja) * | 1988-09-01 | 1999-04-26 | 株式会社東芝 | 圧着方法及びその装置 |
| JP4828911B2 (ja) * | 2005-10-17 | 2011-11-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 液状態検知センサ |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443678A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor element bonding method and its bonding unit |
| JPS54134974A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Hitachi Ltd | Method and device for bonding on tape carrier system |
| JPS5548452A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-07 | Ishikawa Chuzosho:Kk | Manufacture of mold |
| JPS55125637A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS56164544A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Mounting device for semiconductor |
| JPS5712529A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film carrier type semiconductor mounting device |
| JPS5778161A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Punching and shaping device for carrier film |
| JPS57160135A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Shinkawa Ltd | Automatic bonding method for inner lead |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58048215A patent/JPS59175132A/ja active Granted
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443678A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor element bonding method and its bonding unit |
| JPS54134974A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Hitachi Ltd | Method and device for bonding on tape carrier system |
| JPS5548452A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-07 | Ishikawa Chuzosho:Kk | Manufacture of mold |
| JPS55125637A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS56164544A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Mounting device for semiconductor |
| JPS5712529A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Film carrier type semiconductor mounting device |
| JPS5778161A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Punching and shaping device for carrier film |
| JPS57160135A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Shinkawa Ltd | Automatic bonding method for inner lead |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59175132A (ja) | 1984-10-03 |
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|---|---|---|
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