JP2882059B2 - 半導体素子へのリードのボンディング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、テープキャリア方式の
半導体装置において、キャリアフィルムに設けた多数の
インナーリードを、半導体素子の電極に接続するための
ボンディング方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】テープキャリア方式（以下ＴＡＢ方式と
いう）の半導体装置は、ポリイミドフィルムやポリエス
テルフィルムからなるテープの１駒ごとに多数のリード
を形成し、このリードの先端部（インナーリード）に半
導体素子の電極をそれぞれ接合し、テープを切断したの
ちプリント基板等に実装するようにしたもので、小型化
が可能であり、高密度実装に適している。

【０００３】図６はインナーリードのボンディング装置
の一例の要部を示す斜視図、図７は図６のＡ−Ａ線で切
断した拡大断面図である。両図において、１１は装置本
体１０に上下動可能に支持され、カム等に駆動されて上
下に移動すると共に、エアーシリンダ等に駆動されて圧
下しうるように構成されたボンディングヘッドで、ヒー
タを内蔵したボンディングツール１２を備えている。１
３はボンディングヘッド１１に取付けられた位置認識装
置である。１４は穴１５を有し、装置本体１０に固定さ
れたガイド板、１６，１６ａは装置本体１０に回転可能
に取付けられ、所定の間隔でデバイスホール２が設けら
れ多数のリード３が形成された長尺（例えば３００ｍ）
のキャリアフィルム１を、ガイド板１４に沿ってガイド
するガイドローラである。１７はＸ−Ｙテーブル（図示
せず）上に設けられ、ヒータを内蔵したボンディングス
テージ１８を備えたボンディング台、４はボンディング
ステージ１８上に載置された半導体素子である。

【０００４】次に、上記のように構成したボンディング
装置の動作を説明する。先ず半導体素子４を供給ステー
ジ（図示せず）から搬送してボンディングステージ１８
上に載置し、ボンディング台１７をＸ−Ｙ方向に移動さ
せて半導体素子４をガイド板１４の穴１５の下の所定の
位置に位置決めする。一方、キャリアフィルム１はガイ
ド板１４及びガイドローラ１６，１６ａにガイドされて
矢印方向に送られ、最初のデバイスホール２が半導体素
子４上の所定の位置に達すると停止する。そして、位置
認識装置１３により確認しながらボンディング台１７、
したがって半導体素子４をＸ−Ｙ方向に移動させ、半導
体素子１４の各電極５を、キャリアフィルム１のデバイ
スホール２に突出したインナーリード３ａ（図８参照）
にそれぞれ整合させて位置合せを行ない、ボンディング
台１７、即ち半導体素子４の位置を制御装置（図示せ
ず）に記憶させる。

【０００５】ついでボンディングヘッド１１を下降さ
せ、ボンディングツール１２を各インナーリード３ａに
当接させて加熱かつ加圧し、各電極５にそれぞれ融着さ
せ、接続する。このときの状態を図８に示す。

【０００６】最初のボンディングが終るとキャリアフィ
ルム１を１駒歩進させ、次のデバイスホール２を所定の
位置に停止させ、制御装置の指令によって半導体素子４
が載置されたボンディング台１７をキャリアフィルム１
の下に位置させ、ボンディングを行なう。以下同様にし
て順次ボンディングを行なう。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体素子へのリードのボンディング方法では、ボンディ
ング前に位置認識装置１３により各インナーリード３ａ
が半導体素子４の電極５上の正規の位置に位置合せされ
たのちにボンディングを行なうわけであるが、実際ボン
ディングを行なったのちに各インナーリード３ａと半導
体素子４の電極５との位置関係を見ると、必ずしもボン
ディング前に位置合せされたとおりにボンディングされ
ているとは限らず、ボンディングツール１２の機械的精
度や位置認識装置１３の精度等に起因するずれが生じ、
図１０及び図１１に示すように、横方向（ｘ）または縦
方向（ｙ）にずれてボンディングされ（破線はボンディ
ング前に位置合せされた位置を示す）、ときとしてリー
ド３が電極５を外れてボンディングされることもある。

【０００８】このずれは、毎回ごとのボンディングにお
いて一定になることはまれで、普通ボンディングツール
１２の機械的精度や位置認識装置１３の精度等により毎
回ごとにばらつきをともなう。

【０００９】本発明は上記の課題を解決すべくなされた
もので、半導体素子の電極上の正規の位置にインナーリ
ードを接合することのできるボンディング方法を得るこ
とを目的としたものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体素子
へのリードのボンディング方法は、半導体素子の電極と
キャリアフィルムのリードとをボンディング前に位置合
せし、その位置合せ後の電極とリードの位置認識情報Ａ
を検出する工程と、前記電極にリードをボンディング
し、そのボンディング後の電極とリードの位置認識情報
Ｂを検出する工程と、前記ボンディング前の位置認識情
報Ａと前記ボンディング後の位置認識情報Ｂとの差を位
置補正情報Ｃとして検出する工程と、次回以降の半導体
素子の電極とキャリアフィルムのリードとのボンディン
グを行うときにそのボンディング前に前記位置補正情報
Ｃに基づいて前記電極とリードとの位置合せを補正する
工程とを備えるようにしたものである。

【００１１】また、本発明に係るもう一つの半導体素子
へのリードのボンディング方法は、半導体素子の電極と
キャリアフィルムのリードとをボンディング前に位置合
せし、その位置合せ後の電極とリードとの位置認識情報
Ａを検出する工程と、前記電極にリードをボンディング
し、そのボンディング後の電極とリードの位置認識情報
Ｂを検出する工程と、前記位置合せ後の位置認識情報Ａ
と前記ボンディング後の位置認識情報Ｂとの差を位置補
正情報Ｃとして検出する工程と、初期値０の位置補正量
情報Ｄにより最初の半導体素子の電極とリードとの位置
合わせを行い、次回から前記位置補正量情報Ｄと前回の
位置補正情報Ｃとに基づいて次回のための位置補正量情
報Ｄを作成し、順次位置補正量情報を更新していく工程
と、次回以降に半導体素子の電極とキャリアフィルムと
のボンディングを行うときに、前記位置認識情報Ａを検
出した後に前記更新された位置補正量情報Ｄに基づいて
電極とリードとの位置補正を行う工程とを備えるように
したものである。

【００１２】

【作用】本発明方法においては、半導体素子の電極とキ
ャリアフィルムのリードの位置合せ後の位置認識情報Ａ
とボンディング後の電極とリードの位置認識情報Ｂとの
差を位置補正情報Ｃとし、該位置補正情報Ｃに基づい
て、次回以降の半導体素子の電極とキャリアフィルムの
リードとの位置合わせに対する補正をボンディング前に
行うようにしたから、長尺のキャリアフィルムに多数の
半導体素子をボンディングする場合において、順次行わ
れるボンディング工程毎に前回のボンディング前と後の
位置ずれ量だけ必ず位置ずれの補正が行われるため各半
導体素子の電極とリードとの間に生じる位置ずれは一定
の範囲内に抑えることができる。

【００１３】また、もう一つの本発明方法においては、
まず、半導体素子の電極とキャリアフィルムのリードと
を初めてのボンディング前に位置合せし、その位置合せ
後の電極とリードの位置認識情報Ａを検出し、次にボン
ディング後の電極とリードの位置認識情報Ｂを検出し、
しかる後に前記位置合せ後の位置認識情報Ａと前記ボン
ディング後の位置認識情報Ｂとの差を位置補正情報Ｃと
して検出する。

【００１４】そして、二番目の半導体素子の電極とキャ
リアフィルムのリードとのボンディングを行うときは前
記位置認識情報Ａを検出した後に前記位置補正情報Ｃと
当初初期値Ｄの位置補正量情報Ｄとに基づいて作成され
た位置補正量情報Ｄによって電極とリードとの位置補正
を行い、その後に電極とリードとのボンディングをし、
そのボンディング後の電極とリードの位置認識情報Ｂを
検出する。更に、前記と同様にボンディング前の位置補
正情報Ａとボンディング後の位置認識情報Ｂとの差を位
置補正情報Ｃとして検出する。

【００１５】三番目の半導体素子の電極とキャリアフィ
ルムのリードとのボンディングを行うときは、前記位置
認識情報Ａを検出した後に、前記二番目の位置補正情報
Ｃと前記二番目において作成された位置補正量情報Ｄと
に基づき作成された位置補正量情報Ｄによって電極とリ
ードとの位置補正を行ってから電極とリードとのボンデ
ィングをする。

【００１６】このように、二番目以降の半導体素子の電
極とキャリアフィルムのリードとのボンディングを行う
ときには常に前回の位置補正情報Ｃと前回において作成
された位置補正量情報Ｄとに基づき次々と更新するよう
に作成された位置補正量Ｄによって電極とリードとの位
置補正を行って電極とリードとがボンディングされるか
ら、電極とリードとの位置補正を行うための位置補正量
情報Ｄは次第に前回の学習によって精度の良いものとな
り、かかる位置補正量情報Ｄに基づく電極とリードとの
位置補正量は次第に小さくなり、順次半導体素子の電極
とリードとのボンディングした後の電極とリードとの間
に生じる位置づれも次第に小さくなる。

【００１７】

【実施例】

図１は本発明に係るボンディング方法の手順の一例を示
すフローチャートである。以下、このフローチャートに
従って本発明に係るボンディング方法を説明する。

【００１８】 (1) 制御装置の位置補正情報（データＣ）に０を代入
し、記憶装置に保存する（ステップＳ１）。

【００１９】 (2) ボンディング台１７を移動させてボンディングステ
ージ１８上の半導体素子４をガイド板１４の穴１５の下
に位置させると共に、キャリアフィルム１を搬送し、最
初のデバイスホール２ａを半導体素子４上に位置させる
（ステップＳ２）。

【００２０】 (3) データＣによりボンディング台１７をＸ−Ｙ方向に
移動させデバイスホール２ａの各インナーリード３ａと
半導体素子４の各電極５との位置合せを行なう（ステッ
プＳ３）。

【００２１】 (4) 位置認識装置１３により各インナーリード３ａと各
電極５との位置認識を行なう（ステップＳ４）。

【００２２】 (5) ステップＳ４によって認識した位置認識情報をデー
タＡとし、記憶装置に保存する（ステップＳ５）。

【００２３】 (6) 位置補正情報（データＣ）を記憶装置より取出し、
ステップＳ５によって認識したデータＡにより位置補正
を行なう（ステップＳ６）。

【００２４】 (7) ボンディングツール１２を下降させ、各インナーリ
ード３ａに当接し、加熱かつ加圧して各電極５にそれぞ
れボンディングする（ステップＳ７）。

【００２５】 (8) 位置認識装置１３により、ボンディングが終った各
インナーリード３ａと各電極５との位置認識を行なう
（ステップＳ８）。

【００２６】 (9) ステップＳ８で認識した位置認識情報をデータＢと
して記憶装置に保存する（ステップＳ９）。

【００２７】 (10)ステップＳ５で認識したデータＡと、ステップＳ９
で認識したデータＢを記憶装置より取出し、両者の差
（ズレ）を計算して位置補正情報（データＣ）とし、記
憶装置に保存する（ステップＳ１０）。

【００２８】 (11)以上によりボンディングが終了したとき（ステップ
Ｓ１１）は、キャリアフィルム１のすべてのボンディン
グが終了したか否かを判断し（Ｓ１２）、ＹＥＳのとき
はボンディング完了、ＮＯのときは再びステップＳ２に
移行し、前記の動作を繰返す。

【００２９】以上のように、本発明は、キャリアフィル
ム１のインナーリード３ａを半導体素子４の電極５へボ
ンディングするにあたって、半導体素子４のボンディン
グ前にインナーリード３ａと電極５との位置認識を行な
ってその位置認識情報（データＡ）を得、ついでボンデ
ィング後に再びインナーリード３ａと電極５との位置認
識を行ってその位置認識情報（データＢ）を得て、デー
タＡとデータＢとの差（したがってボンディング前に行
なった位置合せが、ボンディングによって生じる位置ず
れ）を計算し、これを位置補正情報（データＣ）とした
ものである。そして、次の半導体素子４のボンディング
にあたっては、この位置補正情報（データＣ）によりイ
ンナーリード３ａと電極５との位置合せを行なうように
したので、順次行われるボンディング毎に前回のボンデ
ィング前とボンディング後の位置ずれ量だけ必ず位置ず
れの補正が行われ、両者の間に生じる位置ずれをかかる
位置補正によって一定の範囲内におさえることができ、
インナーリード３ａを電極５上の正しい位置に一定の許
容範囲内で接続することができる。

【００３０】図２及び図３は本発明に係るもう一つのボ
ンディング方法の手順の一例を示すフローチャートであ
る。以下、このフローチャートに従って本発明を説明す
る。

【００３１】 (1) 制御装置の（データＡ）〜（データＤ）にすべて０
を代入し、記憶装置へ保存する（ステップＳ１）。

【００３２】 (2) ボンディング台１７を移動させてボンディングステ
ージ１８上の半導体素子４をガイド板１４の穴１５の下
に位置させると共に、キャリアフィルム１を搬送し、最
初のデバイスホール２ａを半導体素子４上に位置させる
（ステップＳ２）。

【００３３】 (3) ボンディング台１７をＸ−Ｙ方向に移動させデバイ
スホール２ａの各インナーリード３ａと半導体素子４の
各電極５との位置合せを行なう（ステップＳ３）。

【００３４】 (4) 位置認識装置１３により、各インナーリード３ａと
各電極５との位置認識を行なう（ステップＳ４）。

【００３５】 (5) ステップＳ４によって認識した位置認識情報をデー
タＡとし、記憶装置に保存する（ステップＳ５）。

【００３６】 (6) 位置補正量情報（データＤ）を記憶装置より取出
し、ステップＳ４における状態に対して位置補正を行な
う（ステップＳ６）。

【００３７】 (7) ボンディングツール１２を下降させ、各インナーリ
ード３ａに当接し、加熱かつ加圧して各電極５にそれぞ
れボンディングする（ステップＳ７）。

【００３８】 (8) 位置認識装置１３により、ボンディングが終った各
インナーリード３ａと各電極５との位置認識を行なう
（ステップＳ８）。

【００３９】 (9) ステップＳ８で認識した位置認識情報をデータＢと
して記憶装置に保存する（ステップＳ９）。

【００４０】 (10)ステップＳ５で認識したデータＡと、ステップＳ９
で認識したデータＢを記憶装置より取出し、両者の差
（ズレ）を計算して位置補正情報（データＣ）とし、記
憶装置に保存する（ステップＳ１０）。

【００４１】 (11)以上によりボンディングが終了したとき（ステップ
Ｓ１１）は、キャリアフィルム１のすべてのボンディン
グが終了したか否かを判断し（ステップＳ１２）、もし
ＹＥＳのときにはボンディングを完了する。

【００４２】 一般にすべてのボンディングが終了したか否かを判断す
るには、キャリアフィルム１の有・無センサー（図示せ
ず）を設けてこれよりの信号により行なう。

【００４３】 (12)ステップＳ１２の判断において、もしＮＯのときに
は位置補正情報（データＣ）を記憶装置より取出し（ス
テップＳ１３）、これが０か否かを判断し（ステップＳ
１４）、もしＹＥＳのときにはステップＳ６において行
なった位置補正のときに用いた位置補正量情報（データ
Ｄ）が正しく作用していたことになるので、ステップＳ
１５を実行せずに、再びステップＳ２に移行し、前記の
動作を繰返す。

【００４４】 (13)ステップＳ１４の判断において、もしＮＯのときに
は位置補正量情報（データＤ）を補正する必要があるた
め、位置補正量情報（データＤ）を記憶装置より取出
し、これと位置補正情報（データＣ）との和を計算して
新しい位置補正量情報（データＤ）とし、記憶装置に保
存する（ステップＳ１５）。

【００４５】 そののち、再びステップＳ２に移行し、前記の動作を繰
返す。

【００４６】 次に、本発明に係るもう一つのボンディング方法の具体
的な手順について図４及び図５に基づいて説明する。

【００４７】図において、Ａはボンディング前の位置認
識情報のデータ、Ｂはボンディング後の位置認識情報の
データ、Ｃはボンディング前のデータＡとボンディング
後のデータＢとの差である位置補正情報のデータ、Ｄは
位置補正情報Ｃと前回の位置補正量情報Ｄとに基づいて
作成され、次々と更新される位置補正量情報のデータ即
ちＤ＋Ｃのデータである。斜線の部分はリード３のバン
プ位置を示し、一点鎖線は半導体素子４の電極５である
パッドの中心を示し、二点鎖点はインナーリード３のバ
ンプの中心を示している。なお、説明上、半導体素子４
の電極５とリード３のバンプとの位置ズレはリードの縦
方向即ちＹ方向にのみ生じるものとする。

【００４８】まず、制御装置のデータＡ〜データＤにす
べて０の初期値を代入し、記憶装置へ保存しておく。

【００４９】次に一番目の半導体素子４の電極５とリー
ド３との位置合せをボンディング前に行う。しかる後に
電極５とリード３との位置認識情報を検出する。このと
きの位置認識情報のデータＡは１００である。そして、
データＤは初期値が０であるから、ボンディング前に実
質的には位置合せの補正は行われず、電極５とリード３
のボンディングが直ちに行われる。しかる後に、ボンデ
ィング後の電極５とリード３との位置認識情報のデータ
Ｂを検出する。このときの位置認識情報のデータＢは９
１である。そうすると、データＣはデータＡとデータＢ
の差であるから１００−９１即ち９となり、データＤは
前回のデータＤ（このときは初期値の０である）とデー
タＣの和であるから０＋９即ち９となり、データＤは更
新される。

【００５０】こうして、一番目の半導体素子４の電極５
とリード３とのボンディングが終われば、次に二番目の
半導体素子４の電極５とリード３とのボンデイングが行
われる。この場合、まず、電極５とリード３との位置合
せをボンディング前に行い、しかる後に電極５とリード
３との位置認識情報を検出する。このときのデータＡは
１００となる。そして、データＤは９である。このこと
は、正しく位置合せをしてボンディングすると、９だけ
位置ズレが生じていることを示す。従って位置補正量情
報Ｄは９となっているから、９だけ位置補正を行い、し
かる後にボンディングをすればよいことになる。しかる
後にボンディング後のデータＢを検出すると、データＢ
は１００となっている。これはデータＤの９に基いて位
置補正を行ったことが正しかったことを示す。そして、
このときのデータＣは１００−１００で０となり、デー
タＤは９＋０で９となり、データＤは再び９に更新され
たこととなる。

【００５１】今度は三番目の半導体素子４の電極５とリ
ード３とのボンディングが行われる。この場合、データ
Ａは二番目と同様に１００となる。そして、データＤは
９であるから、９だけ位置補正を行った後にボンディン
グする。ボンディング後のデータＢをみると、１０３と
なっているから、データＣは１００−１０３で−３とな
り、データＤは９−３で６となり、データＤは６に更新
される。そこで、四番目の半導体素子４の電極５とリー
ド３とのボンディングを行う場合にデータＤの６に基づ
いて位置補正が行われた後にボンディングが行われる。

【００５２】以後、同様の手順で図４及び図５では６番
目までの半導体素子４の電極５とリード３とのボンディ
ングが行われるが、前回の位置補正に基づいて次回の位
置補正量情報であるデータＤを次々と更新して作成する
ようにしたので、次第にデータＤの数値は小さくなり、
即ち位置補正量は少なくて済むこととなり、順次半導体
素子の電極とリードとをボンディングした後の両者の間
に生じる位置ずれは減少し、リード３のインナーリード
３ａを半導体素子４の電極５上の正しい位置に接続する
ことができることとなる。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
方法においては、半導体素子の電極とキャリアフィルム
のリードの位置合せ後の位置認識情報Ａとボンディング
後の電極とリードの位置認識情報Ｂとの差を位置補正情
報Ｃとし、該位置補正情報Ｃに基づいて次回以降の半導
体素子の電極とキャリアフィルムのリードとの位置合わ
せをボンディング前に行なうようにしたので、長尺のキ
ャリアフィルムのリードに多数の半導体素子をボンディ
ングする場合において、各ボンディング工程毎に前回の
ボンディング前とボンディング後の位置ずれ量だけ必ず
位置ずれの補正が行われるため、各半導体素子の電極と
リードとの間に生じる位置ずれは一定範囲内に抑えるこ
とができ、リードを電極の正しい位置に一定の許容範囲
内でボンディングすることができるという効果を有す
る。

【００５４】また、もう一つの本発明方法においては、
前記位置合せ後の位置認識情報Ａ、ボンディング後の位
置認識情報Ｂ及び位置補正情報Ｃの他に初期値０の位置
補正量情報Ｄにより最初の半導体素子の電極とリードと
の位置補正を行い、次回から前記位置補正量情報Ｄと前
回の前記位置補正情報Ｃとに基づいて次回のための位置
補正量情報Ｄを作成し、順次該位置補正量情報Ｄを更新
するようにし、次回以降に半導体素子の電極とキャリア
フィルムとのボンディングを行うときに前記位置認識情
報Ａを検出した後に前記更新された位置補正量情報Ｄに
基づいて電極とリードとの位置補正を行うようにしたの
で、次回以降に次々と行われる半導体素子の電極とキャ
リアフィルムのリードとの位置補正のための位置補正量
情報Ｄは次第に前回の学習によって精度の良いものとな
り、かかる位置補正量情報Ｄに基づく電極とリードとの
位置補正量は次第に小さくなり、順次半導体素子の電極
とリードとをボンディングした後に両者の間に生じる位
置づれも次第に減少して正しい位置にボンディングする
ことができる。従ってボンディングの信頼性を高めると
共に歩留りを大幅に向上させることができるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を説明するためのフローチャ
ートである。

【図２】本発明のもう一つの実施例を説明するための一
部のフローチャートである。

【図３】本発明の同実施例を説明するための残り一部の
フローチャートである。

【図４】本発明の同実施例の位置補正を説明するための
一部の説明図である。

【図５】本発明の同実施例の位置補正を説明するための
残り一部の説明図である。

【図６】ボンディング装置の一例の要部斜視図である。

【図７】図６のＡ−Ａ線で切断した拡大断面図である。

【図８】半導体素子にリードを正しくボンディングした
状態を示す平面図である。

【図９】図８の要部拡大図である。

【図１０】従来の半導体素子へのリードのボンディング
方法により半導体素子にリードを位置ずれを生じさせて
ボンディングした状態を示す平面図である。

【図１１】従来の半導体素子へのリードのボンディング
方法により半導体素子にリードを別の位置ずれを生じさ
せてボンディングした状態を示す平面図である。

【符号の説明】

１ キャリアフィルム ２ デバイスホール ３ リード ４ 半導体素子 ５ 電極

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のリードが設けられた多数のデバイ
   スホールを有する長尺のキャリアフィルムを搬送し、前
   記デバイスホールに順次半導体素子を位置させてその電
   極に前記リードをボンディングする半導体素子へのリー
   ドのボンディング方法において、前記電極とリードとを
   ボンディング前に位置合せし、その位置合せ後の電極と
   リードの位置認識情報Ａを検出する工程と、前記電極に
   リードをボンディングし、そのボンディング後の電極と
   リードの位置認識情報Ｂを検出する工程と、前記位置合
   せ後の位置認識情報Ａと前記ボンディング後の位置認識
   情報Ｂとの差を位置補正情報Ｃとして検出する工程と、
   次回以降の半導体素子の電極とキャリアフィルムのリー
   ドとのボンディングを行うときにそのボンディング前に
   前記位置補正情報Ｃに基づいて前記電極とリードとの位
   置合せを補正する工程とを備えたことを特徴とする半導
   体素子へのリードのボンディング方法。
2. 【請求項２】 複数のリードが設けられた多数のデバイ
   スホールを有する長尺のキャリアフィルムを搬送し、前
   記デバイスホールに順次半導体素子を位置させてその電
   極に前記リードをボンディングする半導体素子へのリー
   ドのボンディング方法において、前記電極とリードとを
   ボンディング前に位置合せし、その位置合せ後の電極と
   リードとの位置認識情報Ａを検出する工程と、前記電極
   にリードをボンディングし、そのボンディング後の電極
   とリードの位置認識情報Ｂを検出する工程と、前記位置
   合せ後の位置認識情報Ａと前記ボンディング後の位置認
   識情報Ｂとの差を位置補正情報Ｃとして検出する工程
   と、初期値０の位置補正量情報Ｄにより最初の半導体素
   子の電極とリードとの位置補正を行い、次回から前記位
   置補正量情報Ｄと前回の前記位置補正情報Ｃとに基づい
   て次回のための位置補正量情報Ｄを作成し、順次該位置
   補正量情報Ｄを更新していく工程と、次回以降に半導体
   素子の電極とキャリアフィルムとのボンディングを行う
   ときに、前記位置認識情報Ａを検出した後に前記更新さ
   れた位置補正量情報Ｄに基づいて電極とリードとの位置
   補正を行う工程とを備えるようにしたことを特徴とする
   半導体素子へのリードのボンディング方法。