JPS63182832A - テ−プキヤリア方式におけるバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ　発明の目的 ａ　産業上の利用分野 本発明は、テープキャリア方式によって外部導体配線（
リード）を、電子部品特に半導体素子の電極端子に接合
するためのバンプを形成する方法に関するものである。

ｂ　従来の技術 合成樹脂製テープを用いて、外部導体配線（リード）と
半導体素子の電極端子をボンディングするテープキャリ
ア方式は、連続自動化を可能にするとともに、ボンディ
ング強度に優れ、ボンディング速度も高速であり、多く
利用されつつある。

そのテープキャリア方式におけるバンプの形成方法とし
て、従来は次のようなものがある。第１は、特開昭５７
−１５２１４７号公報にお７いても従来技術として記載
されているもので、半導体素子の電極端子の凹部上に、
バンプ（ｂｕｍｐ）と称する金属突起を設けておき、そ
れにテープキャリア上の金属リード端子を接合するもの
である。

第２は、前記特開昭５７−１５２１４７号公報における
発明で、テープキャリア上の金属リードに、別の基板上
に予じめ形成しであるバンプを転写させ、次にそのバン
プを半導体素子の電極端子の凹部へ接合するものである
。そして第、３は、本発明に最も近い技術と°いえるも
ので、テープキャリア上の金属リードを、一部分をバン
プ部として残すように他をエツチング（食刻）し、その
バンプ部を半導体素子の電極端子の凹部上に接合するも
のである。

Ｃ発明が解決しようとする問題点 上記従来のテープキャリア方式における、バンプの形成
方法のうち、第１の半導体素子の電極端子上に先にバン
プを接合しておくものは、現在最も多く利用されている
。しかし、半導体素子上に金属製バンプを突設させる技
術・設備が簡単ではなく、またその際に用いられるバリ
ヤメタルが多層金属であるため、金属膜間の剥離やバリ
ヤメタルとバンプとの剥離が発生する。さらに、そのバ
ンプ形成には、金メッキ・フォトエツチングその他多く
の精度の高い工程を必要とするので、コストが上昇する
とともに、歩留りも低下する。

また上記第２の、予じめ別の基板上に形成しであるバン
プをリードに転写させる手段は１．近時開発されたもの
であるが、バンプを電極端子に接合させる作業の他に、
基板上のバンプをリード上へ転写させる作業が必要で、
手数がかかる。さらに、別の基板からリードへの転写時
の圧力でバンプが変形し硬度を増すため、バンプを半導
体素子の電極端子へ接合時する際の大きな圧力により、
半導体素子が損傷するおそれがある。しかもこの手段は
高精度な位置決めが必要なため、設備が高価になる。

そして上記第３の、金属リードをエツチングしてバンプ
部を残すものは、前記の如く本発明に最も近いものであ
るが、側縁が薬品で侵食された形状のバンプ部になり、
寸法精度が悪くなる。またエツチングの精度が必ずしも
充分でないため、リードのバンプ部の位置が半導体素子
の電極端子の凹部位置とずれることがあり、歩留りが悪
い。しかもエツチング工程を経るので、コスト高となる
、等の問題点がある。

口　発明の構成 ａ　　ｆｌＪ１ｆ９点を解決するための手段本発明のテ
ープキャリア方式にお・けるバンプの形成方法は、テー
プキャリア（１）上の各金属リード（２）の一面に、所
定部分を残して他部（３）をプレス加工で凹まし、残っ
た元の厚みの部分をバンプ部（４）として形成し、該バ
ンプ部（４）を半導体素子（５）上の電極端子（６）の
凹部（７）に接合可能としたものである。

上記構成において、テープキャリア（１）は一般的なも
のと同様に、ポリイミドフィルムを用いてそこに例えば
Ｃｕ箔をラミネートコーティングで接着させ、Ｃｕ箔に
エツチングによりフィンガーパターンを形成し、例えば
Ａｕ、Ｓｎまたは半田によるメッキ工程を経て、金属リ
ード（２）の付いたテープキャリア（１）が形成される
。

バンプ部（４）の形成は、テープキャリア（１）上の第
１図〔イ〕の如きリード（２）の一面に、通常は第１図
〔口〕の如く先端寄りの所定部分を残して、他部（３）
即ちリード（２）の基部寄りをプレス加工で凹まし、元
の厚みのまま残った部分を第１図〔ハ〕のようにバンプ
部（４）とする。この場合に、各リード（２）の厚みは
通常３５〜７０μあるが、プレス加工でバンプ部（４）
以外を例えば２０〜４．０μはど凹ます、即ち、バンプ
部（４）の高さを例えば２０〜４０μはどにすればよい
、またバンプ部（４）を設ける位置は、第１図〔ハ〕の
ように先端部に限らず、第３図の如く先端からやや基部
寄りのものもある。

さらに、リード（２）上でバンプ部（４）を形成する面
は、第１図〔ハ〕や第３図で示す如（テープキャリア（
１）に形成された半導体用孔（８）側であるのが通常で
ある。しかし第４図の如くその反対側面でもよく、また
第５図のようにテープキャリア（１）に半導体用孔のな
いものでは、勿論リード（２）のある側になる。

その後に各リード（２）と半導体素子（５）の各電極端
子（６）との接合は、従来のものと同様に、各バンプ部
（４）を各電極端子（６）の凹部（７）に係合させ、イ
ンナボンダのツール（９）を下げて加圧し加熱して、ボ
ンディングすればよい。

尚、図においてαωαＤはプレス金型を示す。

ｂ　　作　　　用 上記構成によれば、金属リード（２）上にバンプ部（４
）をプレス加工で形成するものであるため、簡単な設備
により、安価で容易・迅速に・バンプ部（４）が形成さ
れる。

またそれにより形成されたバンプ部（４）の形状は、エ
ツチング液により側縁が侵食されるようなことがなく、
第１図〔ハ〕・第３図・第４図・第５図で示すように角
部がほぼ直角状になり、寸法精度が良くなる。そのため
第２図の如く半導体素子（５）上の電極端子（６）の凹
部（７）へ、正確に係合・接合されることになる。

ハ　発明の効果 以上で明かな如く、本発明のテープキャリア方式におけ
るバンプの形成方法は、次の如き効果を奏する。

即ち従来は、半導体素子上にバンプを形成しておく手段
や、別の基板上に予じめバンプを接合しておき、それを
リード上へ転写させる手段、あるいはリードをエツチン
グしてバンプ部を形成する手段等があった。しかしそれ
らは、技術・設備が簡単でないとともにバンプの剥離が
生じたり、作業工程が増えるとともに、バンプを半導体
素子へ接合時の圧力で半導体素子が損傷す、るおそれが
あったり、またエツチングによりバンプ部側縁も侵食さ
れて寸法精度が悪くなるとともに、生産性がよくない等
で、歩留りが悪くまたコスト高となるものであった。

これに対して本発明は、金属リード上にプレス加工によ
りバンプを形成して、それを半導体素子上の電極端子に
接合するものである。そのため上記従来手段と異なり、
技術・設備が簡単になるとともに、バンプ部が剥れるよ
うなことがなくなる。

また作業工程も大幅に簡略化できるとともに、バンプ部
の変形・硬化がないので、接合時の圧力で半導体素子を
損傷させることもなくなる。さらにバンプ部側縁の侵食
がないので、バンプ部の寸法精度がよく電極端子と正確
に接合できるし、工程の簡素化で生産性も向上できる。

したがって本発明は、テープキャリア方式におけるバン
プの形成方法に関し、大幅に歩留りを向上させ、コスト
ダウンを図ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例を示すもので、第１図〔イ〕〔口〕
　〔ハ〕は金属リードにバンプ部を形成する際の工程を
示す拡大縦断面図、第２図はバンプ部を電極端子に接合
した状態の拡大縦断面図、第３図・第４図・第５図は金
属リードにバンプ部を形成した他の実施例の拡大縦断面
図である。 図面符号　（１１−テープキャリア、（２）−金属リー
ド、（３）−他部、（４）−バンプ部、（５）−半導体
素子、（６）−電極端子、（７）−凹部。 第１図 Ｉ堝１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ［１］テープキャリア（１）上の各金属リード（２）の
   一面に、所定部分を残して他部（３）をプレス加工で凹
   まし、残った元の厚みの部分をバンプ部（４）として形
   成し、該バンプ部（４）を半導体素子（５）上の電極端
   子（６）の凹部（７）に接合可能とした、テープキャリ
   ア方式におけるバンプ形成方法。