JP2941533B2 - 半導体チップのワイヤレスボンディング方法 - Google Patents
半導体チップのワイヤレスボンディング方法Info
- Publication number
- JP2941533B2 JP2941533B2 JP3329339A JP32933991A JP2941533B2 JP 2941533 B2 JP2941533 B2 JP 2941533B2 JP 3329339 A JP3329339 A JP 3329339A JP 32933991 A JP32933991 A JP 32933991A JP 2941533 B2 JP2941533 B2 JP 2941533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- plating layer
- silver plating
- lead
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップをタブ方
式によりマウントする際に利用するワイヤレス接合方式
に係わり、特に、半導体チップに形成する電極とリード
フレームのインナーリード間にワイヤレスボンディング
する工程に利用するものである。
式によりマウントする際に利用するワイヤレス接合方式
に係わり、特に、半導体チップに形成する電極とリード
フレームのインナーリード間にワイヤレスボンディング
する工程に利用するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近のように集積度の高い半導体素子
は、益々多ピン化の方向にあり、200 ピンを越える品種
の多くは、当然各ピン間の距離が小さくなる傾向にあ
る。このため、リードフレームに半導体チップをマウン
トする方式に代えて、半導体基板に形成する金バンプ電
極に、リードを圧接するタブ方式が多く使用されてい
る。
は、益々多ピン化の方向にあり、200 ピンを越える品種
の多くは、当然各ピン間の距離が小さくなる傾向にあ
る。このため、リードフレームに半導体チップをマウン
トする方式に代えて、半導体基板に形成する金バンプ電
極に、リードを圧接するタブ方式が多く使用されてい
る。
【０００３】このような金バンプ方式の従来技術を図１
〜図５により説明すると、半導体チップ１の表面に被着
するＡｌまたはＡｌ合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ）で構成する配線層２と半導体チップ１
の中間に窒化チタン層即ちバリアメタル層３を形成し
て、その接合強度を上げている（図１参照）。金バンプ
がワイヤレスボンディング工程により接合するのは、半
導体チップ１に形成する配線層２の端末のいわゆるボン
ディングパッド層であるが、本発明方法では、以後配線
層２と記載する。
〜図５により説明すると、半導体チップ１の表面に被着
するＡｌまたはＡｌ合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ）で構成する配線層２と半導体チップ１
の中間に窒化チタン層即ちバリアメタル層３を形成し
て、その接合強度を上げている（図１参照）。金バンプ
がワイヤレスボンディング工程により接合するのは、半
導体チップ１に形成する配線層２の端末のいわゆるボン
ディングパッド層であるが、本発明方法では、以後配線
層２と記載する。
【０００４】また、配線層２は、絶縁物層４により半導
体チップ１と電気的に絶縁し、バリアメタル層３と配線
層２の間にも位置する構造となっている（図１参照）。
体チップ１と電気的に絶縁し、バリアメタル層３と配線
層２の間にも位置する構造となっている（図１参照）。
【０００５】更に、配線層２は、絶縁物層４全面に被覆
後、公知のフォトレジスト法を利用するパターニング工
程を施してから、エッチングマスクとして機能するフォ
トレジスト層５を配線層２の所定の場所に重ねて、図２
の断面構造とする。次に、金バンプ６を（図３参照）形
成するが、勿論、半導体チップ１に形成する能動領域ま
たは受動領域に金バンプ６を電気的に導通する。
後、公知のフォトレジスト法を利用するパターニング工
程を施してから、エッチングマスクとして機能するフォ
トレジスト層５を配線層２の所定の場所に重ねて、図２
の断面構造とする。次に、金バンプ６を（図３参照）形
成するが、勿論、半導体チップ１に形成する能動領域ま
たは受動領域に金バンプ６を電気的に導通する。
【０００６】引続いて再び金バンプ６上に第２のフォト
レジスト層７を設け（図４参照）、これをエッチング処
理して先に被着したフォトレジスト層５も除去して図５
に明らかにしたいわゆるオーバハング形状の金バンプ６
をいわゆるリフトオフ法により完成する。
レジスト層７を設け（図４参照）、これをエッチング処
理して先に被着したフォトレジスト層５も除去して図５
に明らかにしたいわゆるオーバハング形状の金バンプ６
をいわゆるリフトオフ法により完成する。
【０００７】金バンプ６を利用するワイヤレスボンディ
ング法を図６乃至図９により説明する。即ち、ステージ
８に設置する半導体チップ１には、当然であるが金バン
プ６が形成されており、これと一体とするリードフレー
ムに形成するリード９は、銀メッキ層１０を被覆してあ
り（図６参照）更に、これと金バンプ６を図７に示すよ
うに高熱を維持するボンディングツール１１により圧接
して両者を接合する。図８ならびに図９は、図６及び図
７と逆に高熱板１２に設置する絶縁基板１３に形成する
配線パターン１４に金バンプ６をワイヤレスボンディン
グする例を示す。図８に示すように、高熱板１２に設置
する絶縁基板１３には、配線パターン１４を設け他方、
金バンプ６を形成した半導体チップ１を図８のようにコ
レット１５にバキュームを利用して吸着後、配線パター
ン１４にボンディングする（図９参照）ことにより、半
導体チップ１に形成する能動領域または受動領域と電気
的に接続することになる。
ング法を図６乃至図９により説明する。即ち、ステージ
８に設置する半導体チップ１には、当然であるが金バン
プ６が形成されており、これと一体とするリードフレー
ムに形成するリード９は、銀メッキ層１０を被覆してあ
り（図６参照）更に、これと金バンプ６を図７に示すよ
うに高熱を維持するボンディングツール１１により圧接
して両者を接合する。図８ならびに図９は、図６及び図
７と逆に高熱板１２に設置する絶縁基板１３に形成する
配線パターン１４に金バンプ６をワイヤレスボンディン
グする例を示す。図８に示すように、高熱板１２に設置
する絶縁基板１３には、配線パターン１４を設け他方、
金バンプ６を形成した半導体チップ１を図８のようにコ
レット１５にバキュームを利用して吸着後、配線パター
ン１４にボンディングする（図９参照）ことにより、半
導体チップ１に形成する能動領域または受動領域と電気
的に接続することになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来一般的であったワ
イヤボンディング法では、ワイヤの変形により、ａ．隣
接するワイヤや配線層との短絡、ｂ．電極パツド（前記
の配線層または配線パターンに相当する）とワイヤ間で
接合強度が不足して接合不良が起こる、ｃ．後続の樹脂
封止工程における樹脂粘度や樹脂射出圧力によるワイヤ
流れとワイヤ切れが発生する場合がある、ｄ．多ピン型
ではボンディングにおけるリードタイムが長い、薄い樹
脂封止層即ち外囲器では、ワイヤのループ形状を制御す
ることが難しく、樹脂封止層外にワイヤが露出する場合
がある。
イヤボンディング法では、ワイヤの変形により、ａ．隣
接するワイヤや配線層との短絡、ｂ．電極パツド（前記
の配線層または配線パターンに相当する）とワイヤ間で
接合強度が不足して接合不良が起こる、ｃ．後続の樹脂
封止工程における樹脂粘度や樹脂射出圧力によるワイヤ
流れとワイヤ切れが発生する場合がある、ｄ．多ピン型
ではボンディングにおけるリードタイムが長い、薄い樹
脂封止層即ち外囲器では、ワイヤのループ形状を制御す
ることが難しく、樹脂封止層外にワイヤが露出する場合
がある。
【０００９】これに対してワイヤレスボンディング法で
は、半導体チップに形成する金バンプの製造工程数が多
く、製造設備などのコストが大きいために、リードボン
ディングした半導体チップを含め、組立工程での不良発
生が大きな損失になる。
は、半導体チップに形成する金バンプの製造工程数が多
く、製造設備などのコストが大きいために、リードボン
ディングした半導体チップを含め、組立工程での不良発
生が大きな損失になる。
【００１０】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、工数を少なくかつ、リードタイムの短縮
できる半導体チップのワイヤレスボンディング方法を提
供することを目的とするものである。
もので、特に、工数を少なくかつ、リードタイムの短縮
できる半導体チップのワイヤレスボンディング方法を提
供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体チッ
プのワイヤレスボンディング方法は、請求項１が、リ−
ドの先端部分に銀メッキ層を被覆する工程と、前記リ−
ドの先端部分の銀メッキ層を介して溶融金を前記リ−ド
に滴下してバンプを形成する工程と、前記金バンプを半
導体基板に形成するパッド面と一体にする工程とから成
る点に特徴があり、請求項２が、リ−ドの先端部分に銀
メッキ層を被覆する工程と、前記リ−ドの先端部分の銀
メッキ層を介して溶融金を前記リ−ドに滴下してバンプ
を形成する工程と、前記金バンプを半導体基板に形成す
るパッド面に熱圧着する点に特徴があり、請求項３が、
導電性リ−ドフレ−ムに形成するリ−ドの先端部分に銀
メッキ層を被覆する工程と、前記リ−ドの先端部分の銀
メッキ層を介して溶融金を前記リ−ドに滴下してバンプ
を形成する工程と、前記金バンプを半導体基板に形成す
るパッド面に熱圧着する工程とから成り、前記加熱温度
を銀メッキ層の溶融点温度以上導電性リ−ドフレ−ムの
軟化点温度以下にする点に特徴がある。
プのワイヤレスボンディング方法は、請求項１が、リ−
ドの先端部分に銀メッキ層を被覆する工程と、前記リ−
ドの先端部分の銀メッキ層を介して溶融金を前記リ−ド
に滴下してバンプを形成する工程と、前記金バンプを半
導体基板に形成するパッド面と一体にする工程とから成
る点に特徴があり、請求項２が、リ−ドの先端部分に銀
メッキ層を被覆する工程と、前記リ−ドの先端部分の銀
メッキ層を介して溶融金を前記リ−ドに滴下してバンプ
を形成する工程と、前記金バンプを半導体基板に形成す
るパッド面に熱圧着する点に特徴があり、請求項３が、
導電性リ−ドフレ−ムに形成するリ−ドの先端部分に銀
メッキ層を被覆する工程と、前記リ−ドの先端部分の銀
メッキ層を介して溶融金を前記リ−ドに滴下してバンプ
を形成する工程と、前記金バンプを半導体基板に形成す
るパッド面に熱圧着する工程とから成り、前記加熱温度
を銀メッキ層の溶融点温度以上導電性リ−ドフレ−ムの
軟化点温度以下にする点に特徴がある。
【００１２】また、半導体基板に形成するパッド面に押
付けて形成する金バンプを熱圧着する工程にも特徴があ
る。更に、前記加熱温度を銀メッキ層の溶融温度以上導
電性リードフレームの軟化点温度以下にする点にも特徴
がある。
付けて形成する金バンプを熱圧着する工程にも特徴があ
る。更に、前記加熱温度を銀メッキ層の溶融温度以上導
電性リードフレームの軟化点温度以下にする点にも特徴
がある。
【００１３】
【作用】以上のように、本発明では、リードに金バンプ
層を形成して、半導体チップには金バンプ層を設けない
ために、工数ならびにリードタイムが削減でき、ひいて
はコストダウンができて、量産上の効果が極めて大きい
ものがある。
層を形成して、半導体チップには金バンプ層を設けない
ために、工数ならびにリードタイムが削減でき、ひいて
はコストダウンができて、量産上の効果が極めて大きい
ものがある。
【００１４】
【実施例】本発明に係わる一実施例を図１０乃至図１２
図を参照して説明する。即ち、鉄ニッケル合金やＡｌ合
金または銅や銅合金などから成るリードフレームを用意
して、常法通りインナーリード（今後リードと記載す
る）を設ける。リード９先端には、図１０に示すように
銀メッキ層１０を被覆し、ここに金バンプ６を形成する
ために、リード９をステージ８に配置すると共に成形型
１６を用意する。
図を参照して説明する。即ち、鉄ニッケル合金やＡｌ合
金または銅や銅合金などから成るリードフレームを用意
して、常法通りインナーリード（今後リードと記載す
る）を設ける。リード９先端には、図１０に示すように
銀メッキ層１０を被覆し、ここに金バンプ６を形成する
ために、リード９をステージ８に配置すると共に成形型
１６を用意する。
【００１５】金バンプ６の形状に合せた孔部１７を設け
た成形型１６は、銀メッキ層１０の溶融温度約４００℃
以上でリードの軟化温度以下の温度に耐えかつ、耐酸性
の材料例えばクロムやクロム合金で構成する。
た成形型１６は、銀メッキ層１０の溶融温度約４００℃
以上でリードの軟化温度以下の温度に耐えかつ、耐酸性
の材料例えばクロムやクロム合金で構成する。
【００１６】図１１に明らかにしたように、成形型１６
をリード９に重ねて孔部１７が金バンプ６の形成予定位
置に対応させてから、治具１８に充填した金溶融液１９
をポッティング法により滴下して金バンプ６を形成す
る。この工程では、リード９を銀メッキ層１０の溶融温
度約４００℃以上でリードの軟化温度以下の温度に維持
することが必要であり、場合によっては不活性雰囲気例
えば窒素雰囲気にする。この工程により、溶融した銀メ
ッキ層１０に一部が拡散しかつリ−ド層にも達する金バ
ンプ６を図１２に示すように形成する。この大きさは、
半導体チップ１に形成する配線層２であるパッド層の寸
法１００μｍ平方より多少大きい１５０μｍ平方程度で
ある。
をリード９に重ねて孔部１７が金バンプ６の形成予定位
置に対応させてから、治具１８に充填した金溶融液１９
をポッティング法により滴下して金バンプ６を形成す
る。この工程では、リード９を銀メッキ層１０の溶融温
度約４００℃以上でリードの軟化温度以下の温度に維持
することが必要であり、場合によっては不活性雰囲気例
えば窒素雰囲気にする。この工程により、溶融した銀メ
ッキ層１０に一部が拡散しかつリ−ド層にも達する金バ
ンプ６を図１２に示すように形成する。この大きさは、
半導体チップ１に形成する配線層２であるパッド層の寸
法１００μｍ平方より多少大きい１５０μｍ平方程度で
ある。
【００１７】次に図１３乃至図１６では、ボンディング
ツール１１及びコレット１５を利用して半導体チップ１
とリード９に形成した金バンプ６を一体とする工程を示
したが、いずれも銀メッキ層１０を省略した。これらの
工程では、ステージ８に半導体チップ１を配置後、転写
すべき位置にリード９に形成した金バンプ６を対応させ
てから、荷重１００ｇｒ程度のツール１１によりリード
９を図１４に示すように押付けて半導体チップ１に金バ
ンプを転写する。
ツール１１及びコレット１５を利用して半導体チップ１
とリード９に形成した金バンプ６を一体とする工程を示
したが、いずれも銀メッキ層１０を省略した。これらの
工程では、ステージ８に半導体チップ１を配置後、転写
すべき位置にリード９に形成した金バンプ６を対応させ
てから、荷重１００ｇｒ程度のツール１１によりリード
９を図１４に示すように押付けて半導体チップ１に金バ
ンプを転写する。
【００１８】これとは逆に図１５と図１６では、コレッ
ト１５に減圧状態を利用して吸着した半導体チップ１
を、ステージ８に設置したリード９に形成した金バンプ
６に荷重１００ｇｒ程度で押付けて転写する。
ト１５に減圧状態を利用して吸着した半導体チップ１
を、ステージ８に設置したリード９に形成した金バンプ
６に荷重１００ｇｒ程度で押付けて転写する。
【００１９】
【発明の効果】従来の半導体ワイヤレス接合方法では、
半導体チップの製造工程中に金バンプ成形工程があるの
で、製造設備費や製造工数が多くひいては製造コストが
かさむのに対して、本発明方法では、リードに直接金バ
ンプを設けるので、既存の設備をそのまま利用できる上
に、キャリアテープも使用せず対応できる。
半導体チップの製造工程中に金バンプ成形工程があるの
で、製造設備費や製造工数が多くひいては製造コストが
かさむのに対して、本発明方法では、リードに直接金バ
ンプを設けるので、既存の設備をそのまま利用できる上
に、キャリアテープも使用せず対応できる。
【００２０】しかも、ワイヤボンディングで問題になっ
ていた、ワイヤの変形、半導体チップに形成する電極パ
ッドとワイヤの接合不良、樹脂封止工程時のワイヤ流れ
や切れ、多ピン型のボンディングリードタイム低下、薄
型外囲器でのワイヤの露出の５項目が解決できる。
ていた、ワイヤの変形、半導体チップに形成する電極パ
ッドとワイヤの接合不良、樹脂封止工程時のワイヤ流れ
や切れ、多ピン型のボンディングリードタイム低下、薄
型外囲器でのワイヤの露出の５項目が解決できる。
【００２１】更に、本発明方法では、工程の短縮や信頼
性の向上が得られる。
性の向上が得られる。
【図１】従来のワイヤレスボンディング方法の１工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】図１に続くワイヤレスボンディング方法の工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】図２に続くワイヤレスボンディング方法の工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】図３に続くワイヤレスボンディング方法の工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】図４に続くワイヤレスボンディング方法の工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図６】半導体チップに形成した金バンプにリードを電
気的に接続する工程を示す図。
気的に接続する工程を示す図。
【図７】図６に示す工程後の状態を示す図。
【図８】絶縁基板に形成する配線パターンにコレットに
吸着した半導体チップに形成した金バンプを接続する状
態を示す図。
吸着した半導体チップに形成した金バンプを接続する状
態を示す図。
【図９】図８に示す工程後の状況を明らかにする図。
【図１０】本発明方法によりリードに金バンプを形成す
る前工程を示す図。
る前工程を示す図。
【図１１】本発明方法によりリードに金バンプを形成す
る工程を示す図。
る工程を示す図。
【図１２】本発明方法によりリードに金バンプを形成後
の断面を示す図。
の断面を示す図。
【図１３】本発明方法により半導体チップに形成した金
バンプにリードを電気的に接続する工程を示す図。
バンプにリードを電気的に接続する工程を示す図。
【図１４】図１３に示す工程後の状態を示す図。
【図１５】絶縁基板に形成する配線パターンにコレット
に吸着した半導体チップに本発明方法により形成した金
バンプを接続する状態を示す図。
に吸着した半導体チップに本発明方法により形成した金
バンプを接続する状態を示す図。
【図１６】図１５に示す工程後の状況を明らかにする
図。
図。
１：半導体チップ、 ２：配線層、 ３：バリヤ層、 ４：絶縁物層、 ５、７：フォトレジスト層、 ６：金バンプ、 ８、１３：ベース、 ９：リード、 １０：銀メッキ層、 １１：ツール、 １４：絶縁パターン、 １５：コレット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 21/60 311 H01L 21/603
Claims (3)
- 【請求項１】 リ−ドの先端部分に銀メッキ層を被覆す
る工程と、前記リ−ドの先端部分の銀メッキ層を介して
溶融金を前記リ−ドに滴下してバンプを形成する工程
と、前記金バンプを半導体基板に形成するパッド面と一
体にする工程とから成ることを特徴とする半導体チップ
のワイヤレスボンディング方法 - 【請求項２】 リ−ドの先端部分に銀メッキ層を被覆す
る工程と、前記リ−ドの先端部分の銀メッキ層を介して
溶融金を前記リ−ドに滴下してバンプを形成する工程
と、前記金バンプを半導体基板に形成するパッド面に熱
圧着することを特徴とする請求項１記載の半導体チップ
のワイヤレスボンディング方法 - 【請求項３】 導電性リ−ドフレ−ムに形成するリ−ド
の先端部分に銀メッキ層を被覆する工程と、前記リ−ド
の先端部分の銀メッキ層を介して溶融金を前記リ−ドに
滴下してバンプを形成する工程と、前記金バンプを半導
体基板に形成するパッド面に熱圧着する工程とから成
り、前記加熱温度を銀メッキ層の溶融点温度以上導電性
リ−ドフレ−ムの軟化点温度以下にすることを特徴とす
る請求項１記載の半導体チップのワイヤレスボンディン
グ方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3329339A JP2941533B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体チップのワイヤレスボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3329339A JP2941533B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体チップのワイヤレスボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166887A JPH05166887A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2941533B2 true JP2941533B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=18220351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3329339A Expired - Fee Related JP2941533B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体チップのワイヤレスボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2941533B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP3329339A patent/JP2941533B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05166887A (ja) | 1993-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6650013B2 (en) | Method of manufacturing wire bonded microelectronic device assemblies | |
| JP2792532B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー | |
| US6627824B1 (en) | Support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly | |
| US6861734B2 (en) | Resin-molded semiconductor device | |
| JP3142723B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR930004246B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| JP2001024135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06302653A (ja) | 半導体装置 | |
| US20070099344A1 (en) | Ultrathin leadframe BGA circuit package | |
| JPH11307675A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1012769A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6242283B1 (en) | Wafer level packaging process of semiconductor | |
| US6518653B1 (en) | Lead frame and semiconductor device | |
| JP2941533B2 (ja) | 半導体チップのワイヤレスボンディング方法 | |
| JP3529507B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3234614B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3013810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2954108B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002016104A (ja) | 半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法 | |
| JPH0525236Y2 (ja) | ||
| JP3076302B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2888036B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2549278Y2 (ja) | 混成集積回路基板 | |
| JP2785441B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS62196839A (ja) | ハイブリツド型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |